CN111585558A - 一种晶闸管控制电路及方法 - Google Patents
一种晶闸管控制电路及方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111585558A CN111585558A CN202010377317.2A CN202010377317A CN111585558A CN 111585558 A CN111585558 A CN 111585558A CN 202010377317 A CN202010377317 A CN 202010377317A CN 111585558 A CN111585558 A CN 111585558A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thyristor
- energy storage
- module
- voltage
- voltage signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims abstract description 67
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 40
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000036039 immunity Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
本申请实施例公开了一种晶闸管控制电路，包括用于接收输入电源的电压信号的接收模块、与接收模块连接并用于根据电压信号在电路中产生振荡的储能模块、以及包含与储能换模块连接的晶闸管组的驱动模块，当接收模块检测到电压信号小于预设阈值时，通过输入电源给储能模块充电；当接收模块检测到电压信号大于或等于预设阈值时，将储能模块的电压值加载到晶闸管组，使晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。本申请还提供了一种晶闸管控制方法，有效避免了晶体管开关的不一致性，也保证了晶体管开关可以安全地运行在大功率条件下的di/dt和dv/dt率和尽可能高的峰值电流，保证了晶闸管的工作可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种晶闸管控制电路及方法。
背景技术
传统的机械式或继电器开关只具有非常有限的dv/dt和di/dt的能力，新型快速高电压大功率半导体开关组件由一个数量很多的体积很小的单个晶体管(最多可达达1200单晶体管)组成，通过串联和并联的方式，来保证快速高电压大功率半导体开关的开关电压与开关电流。由于每一个晶体管都由自己的高度同步和隔离的栅极驱动器触发，这样会产生晶体管开关的不一致性，也使半导体开关从几乎0伏(足够的电流断开)切换到最大电压受到限制。
发明内容
有鉴于此，本本申请提供了一种晶闸管控制电路及方法，可以避免晶体管开关的不一致性，也保证了晶体管开关可以安全地运行在大功率条件下的di/dt和dv/dt率和尽可能高的峰值电流，保证了晶闸管的工作可靠性。
第一方面，本申请提供了一种晶闸管控制方法，包括:
一种晶闸管控制电路，其特征在于，包括：
接收模块，用于接收输入电源的电压信号；
储能模块，与所述接收模块连接，用于根据所述电压信号在电路中产生振荡；
驱动模块，包含与所述储能换模块连接的晶闸管组，当所述接收模块检测到所述电压信号小于预设阈值时，通过所述输入电源给所述储能模块充电；当所述接收模块检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，将所述储能模块的电压值加载到所述晶闸管组，使所述晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。
作为上述技术方案的进一步改进，所述储能模块包括第一储能电容、第二储能电容和电感，所述储能模块具体用于：
当所述接收模块检测到所述电压信号小于所述预设阈值时，通过输入电源对所述第一储能电容充电；
当所述接收模块检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，控制所述储能模块连接至所述驱动模块，使所述驱动模块导通对所述第二储能电容、所述电感进行充电。
作为上述技术方案的进一步改进，所述驱动模块还包括与所述晶闸管组并联的二极管组，所述二极管组用于：
当所述第一储能电容的电压为零时，所述电感通过所述二极管组给所述第一储能电容充电并形成振荡。
作为上述技术方案的进一步改进，所述晶闸管组包括呈4×13个依次并联的晶闸管.，所述二极管组包括13个依次串联的二极管。
作为上述技术方案的进一步改进，所述驱动模块还包括滤波单元，所述滤波单元用于将所述驱动信号以恒流输出。
作为上述技术方案的进一步改进，所述驱动模块还包括控制单元和整流单元，所述控制单元与所述整流单元电性连接，所述控制单元用于控制产生边沿触发信号经所述整流单元处理使所述晶闸管组导通。
作为上述技术方案的进一步改进，所述控制单元包括型号为74HCT123N的芯片。
第二方面，本申请还提供了一种晶闸管控制方法，所述晶闸管控制方法应用于所述的晶闸管控制电路，所述晶闸管控制方法包括：
接收输入电源的电压信号；
根据所述电压信号在电路中产生振荡；
当检测到所述电压信号小于预设阈值时，通过所述输入电源给储能模块充电；当检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，将所述储能模块的电压值加载到晶闸管组，使所述晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果为：
采用驱动模块作为功率器件的半导体开关，代替了传统的机械式继电器开关，在电路中接入电源形成振荡电路，通过输入电源给储能模块充电；当所述接收模块检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，将所述储能模块的电压值加载到所述晶闸管组，使所述晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。这种新型半导体开关在控制部分通过但信号控制，保证了每个晶体管dv/dt和di/dt是有效和一致性的，每一个晶体管都由自己的高度同步和隔离的栅极驱动器触发。这使得一个非常短的门布线可能，避免了晶体管开关的不一致性。也保证了晶体管开关可以安全地运行在大功率条件下的di/dt和dv/dt率和尽可能高的峰值电流。将晶闸管组作为驱动模块的新型半导体开关，新型半导体开关是真正的栅极控制和不从负载电路得到驱动能量的，这样就可以安全地从几乎0伏(足够的电流断开)切换到最大电压而不受任何限制，保证了开关的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对本发明保护范围的限定。在各个附图中，类似的构成部分采用类似的编号。
图1示出了本申请实施例提供的晶闸管控制电路的结构框图；
图2示出了本申请实施例提供的储能模块的结构框图；
图3示出了本申请实施例提供的驱动模块的结构框图；
图4示出了本申请实施例提供的晶闸管控制电路的原理图；
图5示出了本申请实施例提供的驱动模块的电路图；
图6示出了本申请实施例提供的晶闸管控制电路的输出波形图；
图7示出了本申请实施例提供的晶闸管控制方法的流程图；
主要元件符号如下：
1-晶闸管控制电路；2-输入电源；10-接收模块；20-储能模块；21-第一储能电容；22-第二储能电容；23-电感；24-第一电阻；25-第二电阻；26-第三电阻；27-第四电阻；30-驱动模块；31-晶闸管组；32-二极管组；33-滤波单元；34-整流单元；35-控制单元。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下文中，可在本发明的各种实施例中使用的术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。
此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关技术领域中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本发明的各种实施例中被清楚地限定。
参阅图1，本申请提供了一种晶闸管控制电路1，包括；
接收模块10，用于接收输入电源2的电压信号；
储能模块20，与所述接收模块10连接，用于根据所述电压信号在电路中产生振荡；
驱动模块30，包含与所述储能换模块20连接的晶闸管组，当所述接收模块10检测到所述电压信号小于预设阈值时，通过所述输入电源2给所述储能模块20充电；当所述接收模块10检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，将所述储能模块10的电压值加载到所述晶闸管组，使所述晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。
在本实施例中，接收模块10可以是用于接收输入电源2的电压信号，在电路中可以检测电压的变化，可以是用于检测电压的电压表或者传感器。储能模块20与接收模块10电性连接，储能模块20可以是电容、电感、电阻等。预设阈值为电容的饱和电压，在接入电源给电容持续充电时，储能模块20的两端的电压会升高，当检测到储能模块20的两端电压未超过预设阈值时，驱动模块不工作，当检测到储能模块20的两端电压超过该预设阈值时，驱动模块30的晶闸管组开始工作，可以将驱动模块30作为半导体开关，以提高电路自动切换的工作性能。
参阅图2和图3，为了达到充放电的效果，优选储能模块20为电容，振荡是指电路中的电流(或电压)在最大值和最小值之间随时间作周期性重复变化的现象或过程，振荡频率公式为f＝1/2πroot(L1*C1)，振荡的过程可以为：当高压源通过电阻给电容充电，电压达到要求的电压值后，晶闸管的驱动电路驱动晶闸管组导通，通过边沿触发电路使普通的触发信号就能使各个晶闸管导通，晶闸管导通后，给电感充电，当电容两端的电压为零后，电感通过多个串联二极管给电容充电，这样形成LC振荡。与电感串联的电阻可以用于振荡幅值的衰减，电阻越大，衰减越快。
需要说明的是，晶闸管的驱动频率可以在10kHz～30kHz，脉宽10us～20us，在晶闸管组31使能信号有效时，晶闸管组31的驱动电流在短时间内建立到较大值(获得高的di/dt)，然后迅速下降，在驱动电流下降到一定值后，驱动模块30将输出的恒流输出值晶闸管组，保持晶闸管组31的驱动电流，以确保晶闸管组31的工作稳定性。
优选地，所述储能模块20包括第一储能电容21、第二储能电容22和电感23，所述储能模块20具体用于：
当所述接收模块10检测到所述电压信号小于所述预设阈值时，通过输入电源2对所述第一储能电容21充电；
当所述接收模块10检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，控制所述储能模块20连接至所述驱动模块30，使所述驱动模块30导通对所述第二储能电容22、所述电感23进行充电。
参阅图4，在本实施例中，晶闸管控制电路1还包括第一电阻2R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4及开关S2，第一储能电容C1，电感L1，第二储能电容C2，驱动模块S1，输入电源U，第一电阻21连接在输入电源2和第一储能电容21之间，驱动模块30连接在第一储能电容21和电感23之间，第二电阻25连接在电感23和第二储能电容22之间，第三电阻26与第四电阻27通过开关S2并联。其中，输入电源2为高压源，第一电阻24为充电电阻器，第二电阻25为滤波电阻器，第三电阻26选用30欧姆的电阻，第四电阻27选用12欧姆的电阻，电感23为振荡电路线圈。
需要说明的是，通过上述元器件的连接，可以应用于电快速瞬变脉冲群抗扰度试验(IEC61000-4-4|GB/T17626.4标准)，可以评估电气和电子设备的供电电源端口、信号、控制和接地端口在受到电快速瞬变(脉冲群)干扰时的性能来确定一个共同的能再现的评定依据，也可以应用于振铃波测试设备，新型振铃波测试设备是集功率半导体器件技术、电力电子技术和电磁兼容技术于一体的振铃波脉冲发生设备，常用于电磁兼容技术的振铃波抗扰度测试，提高了设备测试的准确性。
优选地，所述驱动模块30还包括与所述晶闸管组31并联的二极管组32，所述二极管组32用于：
当所述第一储能电容21的电压为零时，所述电感23通过所述二极管组32给所述第一储能电容21充电并形成振荡。
参阅图5，在本实施例中，二极管组32的两端的电压达到饱和压降导通，该二极管组32用于增强驱动模块30的耐压性能。当高压源U通过电阻R1给电容C1充电，电压达到要求的电压值即预设阈值后，晶闸管的驱动电路驱动晶闸管组31导通，驱动信号为SCR_DIRVE，通过边沿触发电路使普通的触发信号就能使晶闸管组31导通，使得自动切换电路以输出恒流，提高了晶闸管控制电路1的工作稳定性。
优选地，所述晶闸管组31包括呈4×13个依次并联的晶闸管.，所述二极管32组包括13个依次串联的二极管。
在本实施中，采用呈4×13个依次并联的晶闸管作为晶闸管组31，13个二极管分别与晶闸管一一对应连接，该二极管组32可以确保晶闸管组31免受浪涌冲击而损坏，将电路中的电流或电压可以在振荡周期内的震荡幅值衰减加快，确保电路中的元器件正常工作，该二极管和晶闸管的个数可以根据实际应用具体设置，此处不作限定。
优选地，所述驱动模块30还包括滤波单元33，所述滤波单元33用于将所述驱动信号以恒流输出。
在本实施例中，滤波单元33主要由第二储能电容22和第二电阻25组成的滤波电路，该滤波电路的结构特点是含有电容器或电感器等具有频率函数的元件。
参阅图6，图6的波形图是图5中的X53、X52之间输出的开路电压波形，纵坐标表示电压值，横坐标表示时间。为了产生上述电压波形，在横坐标的时间零点前，驱动模块30的晶闸管驱动电路不产生驱动信号，晶闸管组31中的晶闸管和二极管组32中的部分二极管是断开的，这时输入电源2通过电阻R1给电容C1充电。当充电电压达到电压波形的峰值电压时，触发驱动模块30中的部分的晶闸管驱动电路，晶闸管组31中的部分晶闸管导通，产生时间0点到Pk1的上升电压波形，电压值的10％到90％之间的时间T1规定为电压的上升时间；电压达到峰值后，图5中的电容C1给电感L1充电，电感L1储存能量，产生Pk1到下穿时间0点的电压波形，电容放电完成；此时，电容C1、L1、R168以及导通开关(晶闸管组31中的部分晶闸管和二极管组32中的部分二极管组成)产生LCR衰减振荡电路，产生峰值电压Pk2、Pk3、Pk4的衰减振荡波形，衰减率Pk2/Pk1，Pk3/Pk2，Pk4/Pk3由电阻R168决定，振荡时间T＝2πsqrt(L1*C1)。
可以理解，有的电路可能只需要低频率的电流信号高频信号是有害的会带来干扰，有的电路可能需要高频率信号低频信号是会带来干扰的，也有的电路仅仅只需要某个频段的信号就可以了，这都是根据不同的电路的需要和电路特性来具体的选择和实现的。滤波是从被噪声畸变和污染了的信号中提取原始信号所携带的信息的过程，其功能就是得到一个特定频率或消除一个特定频率，起主要作用是让有用信号尽可能无衰减的通过，对无用信号尽可能大的衰减，从而得到对整个电路最好的信号输出，也就是可以满足大家在电路设计的时候对不同频段的信号的选择。本实施例中的滤波单元可以使驱动模块产生的驱动信号以恒流输出。
优选地，所述驱动模块30还包括控制单元35和整流单元34，所述控制单元35与所述整流单元34电性连接，所述控制单元35用于控制产生边沿触发信号经所述整流单元34处理使所述晶闸管组31导通。
在本实施例中，所述控制单元35包括型号为74HCT123N的芯片，控制芯片可以用于正边沿触发输入、负边沿触发输入或复位，在晶闸管控制电路1中可以作为带输出脉冲宽度的双路可再触发单稳态多谐振荡器，其三种方法控制如下：
(1)基本脉冲通过选择外部电阻(REXT)和电容(CEXT)进行编程；
(2)一旦触发，基本输出脉冲宽度就可通过重新触发门控有源低电平边沿输入(nA)或有源高电平边沿输入(nB)进行扩展。通过重复该过程，可按需实现输出脉冲周期(nQ＝高电平，nQ＝低电平)。或者，可通过仍能禁用触发的低电平边沿输入nRD随时终止输出延迟；
(3)从nRD至输入逻辑门的内部连接使其可通过输入nRD处的高电平信号触发电路，nA和nB输入的施密特触发器动作使电路高度容许较缓慢的输入上升时间和下降时间，74HCT423可通过复位输入触发。
需要说明的是，控制芯片主要通过边沿触发输入使晶闸管组导通，以提高了晶闸管组31导通的工作效率。
参阅图7，本申请还提供了所述晶闸管控制方法应用于上述晶闸管控制电路1，所述晶闸管控制方法包括：
S1：接收输入电源的电压信号；
S2：根据所述电压信号在电路中产生振荡；
S3：当检测到所述电压信号小于预设阈值时，通过所述输入电源给储能模块充电；当检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，将所述储能模块的电压值加载到晶闸管组，使所述晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。
本申请实施例提供的一种晶闸管控制电路及方法，通过采用驱动模块作为功率器件的半导体开关，代替了传统的机械式继电器开关，在电路中接入电源形成振荡电路，通过输入电源给储能模块充电；当所述接收模块10检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，将所述储能模块的电压值加载到所述晶闸管组，使所述晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。这种新型半导体开关在控制部分通过但信号控制，保证了每个晶体管dv/dt和di/dt是有效和一致性的，每一个晶体管都由自己的高度同步和隔离的栅极驱动器触发。这使得一个非常短的门布线可能，避免了晶体管开关的不一致性。也保证了晶体管开关可以安全地运行在大功率条件下的di/dt和dv/dt率和尽可能高的峰值电流。将晶闸管组作为驱动模块的新型半导体开关，新型半导体开关是真正的栅极控制和不从负载电路得到驱动能量的，这样就可以安全地从几乎0伏(足够的电流断开)切换到最大电压而不受任何限制，保证了开关的可靠性。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和结构图显示了根据本申请的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，结构图和/或流程图中的每个方框、以及结构图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
另外，在本发明各个实施例中的各功能模块或单元可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或更多个模块集成形成一个独立的部分。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种晶闸管控制电路，其特征在于，包括：
接收模块，用于接收输入电源的电压信号；
储能模块，与所述接收模块连接，用于根据所述电压信号在电路中产生振荡；
驱动模块，包含与所述储能换模块连接的晶闸管组，当所述接收模块检测到所述电压信号小于预设阈值时，通过所述输入电源给所述储能模块充电；当所述接收模块检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，将所述储能模块的电压值加载到所述晶闸管组，使所述晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。
2.根据权利要求1所述的晶闸管控制电路，其特征在于，所述储能模块包括第一储能电容、第二储能电容和电感，所述储能模块具体用于：
当所述接收模块检测到所述电压信号小于所述预设阈值时，通过输入电源对所述第一储能电容充电；
当所述接收模块检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，控制所述储能模块连接至所述驱动模块，使所述驱动模块导通对所述第二储能电容、所述电感进行充电。
3.根据权利要求2所述的晶闸管控制电路，其特征在于，所述驱动模块还包括与所述晶闸管组并联的二极管组，所述二极管组用于：
当所述第一储能电容的电压为零时，所述电感通过所述二极管组给所述第一储能电容充电并形成振荡。
4.根据权利要求3所述的晶闸管控制电路，其特征在于，所述晶闸管组包括呈4×13个依次并联的晶闸管.，所述二极管组包括13个依次串联的二极管。
5.根据权利要求1所述的晶闸管控制电路，其特征在于，所述驱动模块还包括滤波单元，所述滤波单元用于将所述驱动信号以恒流输出。
6.根据权利要求1所述的晶闸管控制电路，其特征在于，所述驱动模块还包括控制单元和整流单元，所述控制单元与所述整流单元电性连接，所述控制单元用于控制产生边沿触发信号经所述整流单元处理使所述晶闸管组导通。
7.根据权利要求6所述的晶闸管控制电路，其特征在于，所述控制单元包括型号为74HCT123N的芯片。
8.一种晶闸管控制方法，其特征在于，所述晶闸管控制方法应用于如权利要求1至7任意一项所述的晶闸管控制电路，所述晶闸管控制方法包括：
接收输入电源的电压信号；
根据所述电压信号在电路中产生振荡；
当检测到所述电压信号小于预设阈值时，通过所述输入电源给储能模块充电；当检测到所述电压信号大于或等于所述预设阈值时，将所述储能模块的电压值加载到晶闸管组，使所述晶闸管组的电压突变并产生驱动信号。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010377317.2A CN111585558A (zh) | 2020-05-07 | 2020-05-07 | 一种晶闸管控制电路及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010377317.2A CN111585558A (zh) | 2020-05-07 | 2020-05-07 | 一种晶闸管控制电路及方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111585558A true CN111585558A (zh) | 2020-08-25 |
Family
ID=72113340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010377317.2A Pending CN111585558A (zh) | 2020-05-07 | 2020-05-07 | 一种晶闸管控制电路及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111585558A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112637426A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-09 | 四川灵通电讯有限公司 | 一种高可靠低成本铃流检测电路 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1186705A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Jimbo Electric Co Ltd | トライアック駆動回路 |
| US20160352264A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-12-01 | Johnson Electric S.A. | Application device, motor component and motor driver circuit |
| CN108111003A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-06-01 | 深圳市盛弘电气股份有限公司 | 一种晶闸管驱动电路及方法 |
| CN109586321A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-05 | 济南大学 | 复合开关中双向晶闸管的驱动电路、三相智能换相系统及换相方法 |
-
2020
- 2020-05-07 CN CN202010377317.2A patent/CN111585558A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1186705A (ja) * | 1997-09-12 | 1999-03-30 | Jimbo Electric Co Ltd | トライアック駆動回路 |
| US20160352264A1 (en) * | 2014-08-08 | 2016-12-01 | Johnson Electric S.A. | Application device, motor component and motor driver circuit |
| CN108111003A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-06-01 | 深圳市盛弘电气股份有限公司 | 一种晶闸管驱动电路及方法 |
| CN109586321A (zh) * | 2018-12-17 | 2019-04-05 | 济南大学 | 复合开关中双向晶闸管的驱动电路、三相智能换相系统及换相方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112637426A (zh) * | 2020-12-17 | 2021-04-09 | 四川灵通电讯有限公司 | 一种高可靠低成本铃流检测电路 |
| CN112637426B (zh) * | 2020-12-17 | 2023-04-28 | 四川灵通电讯有限公司 | 一种高可靠低成本铃流检测电路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110286320B (zh) | 具有保护功能的直流断路器半导体组件关断能力测试回路 | |
| CN107818218B (zh) | 一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器 | |
| US6060814A (en) | Device and method for driving at least one capacitive actuator | |
| US10505382B2 (en) | Switch apparatus | |
| Wang et al. | A fast overcurrent protection scheme for IGBT modules through dynamic fault current evaluation | |
| CN107329071B (zh) | 一种igbt驱动器的性能测试电路、测试装置及方法 | |
| CN115113014B (zh) | 一种功率器件关断失效特性测试装置及测试方法 | |
| CN110504659A (zh) | Igbt驱动短路保护检测电路 | |
| CN111585558A (zh) | 一种晶闸管控制电路及方法 | |
| US3275891A (en) | Triggered arc gap operable over a wide range of supply voltage variations | |
| Muenster et al. | Effect of Self Turn-ON during turn-ON of HV-IGBTs | |
| US8344554B2 (en) | Switching spark gap | |
| KR19990006267A (ko) | 전기 집진용 펄스 전원 장치 및 그 보호 방법 | |
| CN101515717A (zh) | 具瞬间高电压防护的马达驱动电路 | |
| CN212114767U (zh) | 一种脱扣电路、控制电路及其漏电检测系统 | |
| CN114646873A (zh) | 一种GaN开关应力测试系统及电子设备 | |
| US7054174B2 (en) | Series power switch bridge having the ability of automatic voltage-sharing | |
| CN117214674B (zh) | 一种用于psr集成电路工作状态测试的测试系统 | |
| CN100405682C (zh) | 适用于大功率火花隙高压开关工作的尖脉冲触发装置 | |
| WO1980002486A1 (en) | Pulse shaping circuit | |
| Hurez et al. | Galvanically Isolated IGBT Gate Driver with Advanced Protections and A Fault Detection and Reporting Method | |
| CN217879528U (zh) | 一种igbt驱动板老化测试工装板 | |
| US3394272A (en) | Pulse generator | |
| Burke et al. | A 100kV, IGBT switched, spark gap trigger generator | |
| KR101269514B1 (ko) | 대전류용 단펄스 전류 발생기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20200825 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |