CN111585033A - 一种具有双阻带的近零折射率超材料 - Google Patents

一种具有双阻带的近零折射率超材料 Download PDF

Info

Publication number
CN111585033A
CN111585033A CN202010458764.0A CN202010458764A CN111585033A CN 111585033 A CN111585033 A CN 111585033A CN 202010458764 A CN202010458764 A CN 202010458764A CN 111585033 A CN111585033 A CN 111585033A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal strip
strip line
refractive index
section
metamaterial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010458764.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111585033B (zh
Inventor
陈建新
柯彦慧
钱中宇
杨玲玲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Minglong Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Nantong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nantong University filed Critical Nantong University
Priority to CN202010458764.0A priority Critical patent/CN111585033B/zh
Publication of CN111585033A publication Critical patent/CN111585033A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111585033B publication Critical patent/CN111585033B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0086Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices having materials with a synthesized negative refractive index, e.g. metamaterials or left-handed materials

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及电磁通信领域,具体涉及一种具有双阻带的近零折射率超材料。本发明包括基板,还包括按照周期性排列等间距设置在基板顶面上的多个谐振结构基础单元;谐振结构基础单元为8字型谐振器结构。本发明在实现了宽带近零折射率频带的同时,将带阻响应引入近零折射率频段的两端。本发明所提出的具有双阻带的近零折射率超材料与传统超材料相比,拥有较宽的近零折射率带宽,以及近零折射率频带的两端同时存在带阻响应,此外具有双阻带的近零折射率超材料的谐振结构基础单元电尺寸亦有所减小。

Description

一种具有双阻带的近零折射率超材料
技术领域
本发明涉及电磁通信领域,具体涉及一种具有双阻带的近零折射率超材料。
背景技术
超材料是一种具有天然材料所不具备的超常物理性质的人工复合结构材料,其介电常数和磁导率可以通过周期性排列的人工微结构来改变,因此整个超材料在一定频率范围内可以具有普通材料所不具备的电磁波透射折射率。随着科技日新月异的发展,人们根据实际的应用环境对超材料提出了多种多样的需求。但是常见的超材料需要其结构平面垂直于电磁波的传播方向才能起到作用,因此需要占据较大的空间,难以满足紧凑空间下的电磁波调控需求。结构平行于电磁波传播方向的超材料即平面超材料鲜有被提出。而平面超材料相对于传统超材料结构而言,结构扁平紧凑,可以更好的应用于高度有限的空间。对于平面超材料而言,其材料特性与其基础单元结构有关。因此急需改变现有的其基础单元结构来实现想要的超材料的材料特性,以满足对电磁波进行调控的应用需求。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的不足,提出了一种具有双阻带的近零折射率超材料,在实现了宽带近零折射率频带的同时,将带阻响应引入近零折射率频段的两端。
本发明为实现上述发明目的,采取的技术方案如下:
一种具有双阻带的近零折射率超材料,包括基板,还包括按照周期性排列等间距设置在基板顶面上的多个谐振结构基础单元;所述谐振结构基础单元为8字型谐振器结构。
进一步的作为本发明的优选技术方案,所述多个谐振结构基础单元之间的横向距离与纵向距离相等。
进一步的作为本发明的优选技术方案,所述基板为印刷电路板;所述8字型谐振器结构印制于印刷电路板的顶面。
进一步的作为本发明的优选技术方案,所述8字型谐振器结构为一根金属带线弯折构成,包括依次垂直连接的第一段金属带线至第十一段金属带线;所述第一段金属带线、第三段金属带线、第五段金属带线、第七段金属带线、第九段金属带线及第十一段金属带线分别相互平行设置;所述第二段金属带线、第四段金属带线、第六段金属带线、第八段金属带线及第十段金属带线分别相互平行设置。
进一步的作为本发明的优选技术方案,所述8字型谐振器结构的纵向长度数值约为近零折射率频带中心频率对应的0.1个真空波长;所述8字型谐振器结构的横向宽度数值约为近零折射率频带中心频率对应的0.11个真空波长。
本发明所述,采用以上技术方案与现有技术相比,具有以下技术效果:
本发明所提出的具有双阻带的近零折射率超材料与传统超材料相比,拥有较宽的近零折射率带宽,以及近零折射率频带的两端同时存在带阻响应,此外具有双阻带的近零折射率超材料的谐振结构基础单元电尺寸亦有所减小。
附图说明
图1是本发明具有双阻带的近零折射率超材料基础单元结构图;
图2是本发明具有双阻带的近零折射率超材料结构图;
图3是本发明具有双阻带的近零折射率超材料基础单元结构关于不同mw的插入损耗曲线示意图;
图4是本发明具有双阻带的近零折射率超材料基础单元结构关于不同mg和mw下针对ml3的低频传输零点(fn1)和高频传输零点(fn2)的比值(fn2/fn1)示意图;
图5是本发明具有双阻带的近零折射率超材料关于不同dy的折射率曲线示意图;
图6是本发明具有双阻带的近零折射率超材料关于不同dy的低频阻带附近的插入损耗示意图;
图7是本发明具有双阻带的近零折射率超材料关于不同dy的高频阻带附近的插入损耗示意图;
图8是本发明具有双阻带的近零折射率超材料的天线结构示意图;
图9是本发明具有双阻带的近零折射率超材料的天线与未加载本发明的天线的端射增益曲线和回波损耗对比图;
图10是本发明具有双阻带的近零折射率超材料的天线在8.73GHz处的方向图;
图11是本发明具有双阻带的近零折射率超材料的天线在9.87GHz处的方向图;
图中标号示意如下:
1-第一段金属带线,2-第二段金属带线,3-第三段金属带线,4-第四段金属带线,5-第五段金属带线,6-第六段金属带线,7-第七段金属带线,8-第八段金属带线,9-第九段金属带线,10-第十段金属带线,11-第十一段金属带线,12-基板。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明。
如图1与图2所示,一种具有双阻带的近零折射率超材料,包括基板12,还包括按照周期性排列等间距设置在基板顶面上的多个谐振结构基础单元;谐振结构基础单元为8字型谐振器结构。多个谐振结构基础单元之间的横向距离与纵向距离相等。基板12为印刷电路板;8字型谐振器结构印制于印刷电路板的顶面。
8字型谐振器结构为一根金属带线弯折构成,包括依次垂直连接的第一段金属带线1至第十一段金属带线11;第一段金属带线1、第三段金属带线3、第五段金属带线5、第七段金属带线7、第九段金属带线7及第十一段金属带线11分别相互平行设置;第二段金属带线2、第四段金属带线4、第六段金属带线4、第八段金属带线8及第十段金属带线10分别相互平行设置。8字型谐振器结构的纵向长度数值约为近零折射率频带中心频率对应的0.1个真空波长;8字型谐振器结构的横向宽度数值约为近零折射率频带中心频率对应的0.11个真空波长。
单独对本发明实施例的具有双阻带的近零折射率超材料进行分析,可以得到超材料结构尺寸对阻带位置的影响,这里,电场极化方向为图2中dx间距方向,传播方向为图2中dy间距方向。
如图3所示,两个阻带分别在7GHz和11GHz左右产生,这是由于超材料自身的谐振产生的两个传输零点。并且随着mw宽度的增加,两个传输零点同时向高频移动。这里将较低频处的传输零点所在频率命名为fn1,将较高频处的传输零点所在频率命名为fn2。控制超材料的内部耦合强度也会对高低频两个传输零点的频率产生影响。
如图4所示,当金属带线的宽度mw、金属带线的部分长度ml3增加和金属带线之间的距离mg减小,内部耦合增强,两传输零点相互靠近,同样的,当金属带线的宽度mw、金属带线的部分长度ml3减小和金属带线之间的距离mg增加,内部耦合减小,两传输零点相互远离。因此我们可以通过调节金属带线的宽度mw、金属带线的部分长度ml3和金属带线之间的距离mg来获取想要的高低传输零点频率。此外,由于超材料基础单元构造紧密,耦合较强,因此实现了较小的超材料基础单元尺寸,即超材料基础单元小型化。
如图5所示,超材料折射率n受超材料基础单元之间间距dy的影响。超材料折射率实部越接近零,超材料对天线增益的提升效果越明显。超材料折射率虚部体现了电磁波穿过超材料时的损耗,虚部数值越接近零,损耗越小。当间距dy约大,基础单元之间的耦合越小,近零折射率实部随频率变化更平缓,近零折射率带宽变宽;高频处折射率虚部降低,损耗减少。但增大dy会增加超材料的整体尺寸。超材料基础单元间的耦合同样会影响近零折射率两端的高低阻带,如图6和图7分别展示了本发明实施例的具有双阻带的近零折射率超材料中dy对双阻带的影响,当dy增加,双阻带的频带同时缩小,反之,当dy减小,双阻带带宽拓宽。
具体的,构成超材料基础单元的金属带线宽度mw=0.4mm,超材料基础单元的长ml1=3.5mm,超材料基础单元的宽ml2=3.7mm,构成超材料基础单元的第一段金属带线1的长度或第十一段金属带线11的长度均为ml3=1.45mm,第一段金属带线1和第七段金属带线7以及第五段金属带线5和第十一段金属带线11的间距mg=0.5mm,超材料基础单元与超材料基础单元之间的横向距离dx与纵向距离dy相等,dx=dy=0.6mm,基板厚度h=0.508mm。
本实施例以加载具有双阻带的近零折射率超材的准八木天线为例对本发明实施例的具有双阻带的近零折射率超材料在提升天线性能方面的作用进行说明。如图8所示,准八木天线由金属环加载的介质环形谐振器驱动器、差分馈电网络、凹型金属反射地以及基板构成。其中金属环加载的环形介质谐振器驱动器、差分馈电网络在基板上层(与超材料金属线同一层),凹型金属反射地印制在介质基板底层。具有双阻带的近零折射率超材料设置于准八木天线主辐射方向。组成超材料的基础单元的数量越多,超材料对天线性能提升越明显,相应的超材料所占的平面尺寸也就越大。
如图9所示,加载本发明实施例的具有双阻带的近零折射率超材料前后,天线的回波损耗无明显变化,带宽保持在从8.5GHz到10GHz不变。天线的带内最高增益从6.3dBi提升到8.3dBi,带内增益被提升了2dBi左右。工作频带两端的增益滚降由于本发明超材料双阻带的作用,变的更加陡峭,高频处的阻带抑制提升了约10dB。图10和11分别展示了加载了本发明超材料的天线在8.73和9.87GHz处的方向图。本发明实施例的具有双阻带的近零折射率超材加载准八木天线对原始天线的增益和滤波性能都有很大的改善。
本发明所提出的具有双阻带的近零折射率超材料与传统超材料相比,拥有较宽的近零折射率带宽,以及近零折射率频带的两端同时存在带阻响应,此外具有双阻带的近零折射率超材料的谐振结构基础单元电尺寸亦有所减小。
以上所述的具体实施方案,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步的详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方案而已,并非用以限定本发明的范围,任何本领域的技术人员,在不脱离本发明的构思和原则的前提下所做出的等同变化与修改,均应属于本发明保护的范围。

Claims (5)

1.一种具有双阻带的近零折射率超材料,包括基板(12),其特征在于,还包括按照周期性排列等间距设置在基板(12)顶面上的多个谐振结构基础单元;所述谐振结构基础单元为8字型谐振器结构。
2.根据权利要求1所述的具有双阻带的近零折射率超材料,其特征在于,所述多个谐振结构基础单元之间的横向距离与纵向距离相等。
3.根据权利要求1所述的具有双阻带的近零折射率超材料,其特征在于,所述基板(12)为印刷电路板;所述8字型谐振器结构印制于印刷电路板的顶面。
4.根据权利要求1所述的具有双阻带的近零折射率超材料,其特征在于,所述8字型谐振器结构为一根金属带线弯折构成,包括依次垂直连接的第一段金属带线(1)至第十一段金属带线(11);所述第一段金属带线(1)、第三段金属带线(3)、第五段金属带线(5)、第七段金属带线(7)、第九段金属带线(9)及第十一段金属带线(11)分别相互平行设置;所述第二段金属带线(2)、第四段金属带线(4)、第六段金属带线(6)、第八段金属带线(8)及第十段金属带线(10)分别相互平行设置。
5.根据权利要求1所述的具有双阻带的近零折射率超材料,其特征在于,所述8字型谐振器结构的纵向长度数值约为近零折射率频带中心频率对应的0.1个真空波长;所述8字型谐振器结构的横向宽度数值约为近零折射率频带中心频率对应的0.11个真空波长。
CN202010458764.0A 2020-05-25 2020-05-25 一种具有双阻带的近零折射率超材料 Active CN111585033B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010458764.0A CN111585033B (zh) 2020-05-25 2020-05-25 一种具有双阻带的近零折射率超材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010458764.0A CN111585033B (zh) 2020-05-25 2020-05-25 一种具有双阻带的近零折射率超材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111585033A true CN111585033A (zh) 2020-08-25
CN111585033B CN111585033B (zh) 2021-08-03

Family

ID=72117771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010458764.0A Active CN111585033B (zh) 2020-05-25 2020-05-25 一种具有双阻带的近零折射率超材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111585033B (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202050050U (zh) * 2011-05-13 2011-11-23 东南大学 一种基于电谐振结构的平板透镜天线
US20120139666A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Ta-Jen Yen Wideband high frequency bandpass filter
CN202363564U (zh) * 2011-11-03 2012-08-01 华南理工大学 一种双频带阻滤波器
CN104934716A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 深圳光启创新技术有限公司 带阻透波超材料、天线罩及天线系统
WO2015163958A2 (en) * 2014-01-31 2015-10-29 President And Fellows Of Harvard College Integrated impedance-matched photonic zero-index metamaterials
CN107257027A (zh) * 2017-05-10 2017-10-17 西安电子科技大学昆山创新研究院 一种应用于宽带圆极化天线的零折射率超材料透镜
CN207021383U (zh) * 2017-06-30 2018-02-16 东南大学 一种双波段高透波率超表面
CN108376817A (zh) * 2018-02-06 2018-08-07 雄安华讯方舟科技有限公司 基于超材料的太赫兹带阻滤波器单元及太赫兹带阻滤波器
US20200036099A1 (en) * 2018-07-26 2020-01-30 The Board Of Regents Of The University Of Texas System Method for fabricating a hyperbolic metamaterial having a near-zero refractive index in the optical regime

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120139666A1 (en) * 2010-12-02 2012-06-07 Ta-Jen Yen Wideband high frequency bandpass filter
CN202050050U (zh) * 2011-05-13 2011-11-23 东南大学 一种基于电谐振结构的平板透镜天线
CN202363564U (zh) * 2011-11-03 2012-08-01 华南理工大学 一种双频带阻滤波器
WO2015163958A2 (en) * 2014-01-31 2015-10-29 President And Fellows Of Harvard College Integrated impedance-matched photonic zero-index metamaterials
CN104934716A (zh) * 2014-03-18 2015-09-23 深圳光启创新技术有限公司 带阻透波超材料、天线罩及天线系统
CN107257027A (zh) * 2017-05-10 2017-10-17 西安电子科技大学昆山创新研究院 一种应用于宽带圆极化天线的零折射率超材料透镜
CN207021383U (zh) * 2017-06-30 2018-02-16 东南大学 一种双波段高透波率超表面
CN108376817A (zh) * 2018-02-06 2018-08-07 雄安华讯方舟科技有限公司 基于超材料的太赫兹带阻滤波器单元及太赫兹带阻滤波器
US20200036099A1 (en) * 2018-07-26 2020-01-30 The Board Of Regents Of The University Of Texas System Method for fabricating a hyperbolic metamaterial having a near-zero refractive index in the optical regime

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈康龙: "《基于超材料的带阻太赫兹滤波器设计与研究》", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111585033B (zh) 2021-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Lin et al. Single, dual and tri-band-notched ultrawideband (UWB) antennas using capacitively loaded loop (CLL) resonators
US9887465B2 (en) Single-layer metalization and via-less metamaterial structures
JP4918594B2 (ja) メタマテリアル構造に基づくアンテナ
US8704730B2 (en) Metamaterial antenna device with mechanical connection
Huang et al. Tapered dual-plane compact electromagnetic bandgap microstrip filter structures
US8665158B2 (en) Printed filtering antenna
Wei et al. Miniaturized dual-band FSS suitable for curved surface application
Pouyanfar et al. A compact multi-band MIMO antenna with high isolation for C and X bands using defected ground structure
Ali et al. Metamaterial resonator based wave propagation notch for ultrawideband filter applications
Vallecchi et al. Entwined planar spirals for artificial surfaces
Abdulhameed et al. Novel design of triple-bands EBG
US7460070B2 (en) Chip antenna
CN113410636B (zh) 柔性紧凑型三陷波超宽带天线
CN114221120A (zh) 一种贴片天线及阵列
CN111585033B (zh) 一种具有双阻带的近零折射率超材料
US6795026B2 (en) Dual-band FR4 chip antenna
CN113346250B (zh) 一种基于多层耦合结构的毫米波三频频率选择表面
CN113131223B (zh) 一种双极化双吸收带的电磁波吸收器
CN110444887B (zh) 一种天线电磁波隔离装置及隔离方法
CN113889760A (zh) 一种用于5g移动通信的紧凑去耦mimo终端天线
Chen et al. Printed Ridge Gap Waveguide Fed Filtering Magnetoelectric Dipole Antenna Array for 5G Millimeter-Wave Applications
Best On the multiband behavior of the Koch fractal monopole antenna
CN117498045B (zh) 一种用于信息化管理的高增益高隔离滤波天线及其阵列
CN219371392U (zh) 一种可提高天线增益的反射型相位梯度超表面
CN115275630A (zh) 一种新型双层角度稳定双阻带小型化频率选择表面结构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230817

Address after: 226000 No. 9 Siyuan Road, Chongchuan District, Nantong City, Jiangsu Province

Patentee after: Nantong University Technology Transfer Center Co.,Ltd.

Address before: 226019 Jiangsu Province, Nantong City Chongchuan District sik Road No. 9

Patentee before: NANTONG University

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20240731

Address after: 230000 B-1015, wo Yuan Garden, 81 Ganquan Road, Shushan District, Hefei, Anhui.

Patentee after: HEFEI MINGLONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Country or region after: China

Address before: 226000 No. 9 Siyuan Road, Chongchuan District, Nantong City, Jiangsu Province

Patentee before: Nantong University Technology Transfer Center Co.,Ltd.

Country or region before: China