CN111574965A - 电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出的一种基于真空发生器的相变材料灌注方法，旨在提供一种基于真空发生器产生真空环境并能进一步提升现有相变温控组件中相变材料填充率的工艺方法，本发明通过下述技术方法予以实现：以孔隙率＞92％的泡沫金属与石蜡组合作为填充相变储热材料；制备种以上兼具有无机相变材料和有机相变材料的相变复合材料储热单元；然后将相变温控组件毛坯密封腔体置于真空熔灌烘箱的底端，连接真空发生器，同时连通注入压缩空气的灌注容器；加热相变储热材料至全部融化为液态；真空发生器利用正压气源，吸附腔在管道内通正压气体而产生负压，形成一定真空度；通过真空减压阀控制通入压缩空气的灌注容器，将相变储热材料注入相变温控组件内参与相变。

Description

电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法

技术领域

本发明涉及一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，属于电子设备相变温控领域。

背景技术

随着电子设备向着小型化、高集成化方向的高速发展，相变温控所具有的独特性质使其在间隙性或周期性运转的电子设备的温控上获得了广泛应用和高速发展。作为一种新兴的温控技术，相变温控利用相变材料(PhaseChangeMaterial，PCM)在某一特定温度下，从低熵聚集态转变到高熵聚集态物质时需吸收大量热量而转变过程中温度基本保持不变的性质，进而调整、控制温控对象周围环境温度，从而实现对电子设备的温控。待温控对象停机期间相变材料再将吸收的热量释放到环境中，为下一次工作周期做好准备。实验结果表明：用相变材料进行温控的集成电路的温度比不使用相变材料进行温控的集成电路的温度平均低7～8℃。

利用相变材料熔化时吸收大量潜热、凝固时放出大量潜热的特性，由于相变热控装置只发生物理状态的转变、无运动部件且不消耗航天器能量、可靠性高，特别适用于周期性工作的大功率仪器设备或受周期性高热流影响的设备的温度控制。相变材料相变时的膨胀收缩性小；导热性好,相变速度快；相变可逆性好,原料廉价易得，相变控温属于吸收型被动温控，与常规散热型有很大的不同。它不靠温差散热，因此不受外界环境温度变化的影响，使元件或设备始终稳定在需要的温度上。尤其在大功率密度和要求低的平衡温度时，是常规散热无法解决的难题，而采用相变温控可迎刃而解。与主动温控比较，它不用电，没有运动部件，可用于振动、冲击、加速度等恶劣的力学条件下工作，可靠性很高。在一定条件下，它可取代水冷和风冷进行散热，如对半导体致冷器件的热端温控，不用水冷或风冷，节水节电，具有较大的经济价值。它在低温条件下(如-40℃)工作，它还储存热能，可使设备以极大的速率恢复到正常的工作温度。5.它能周期性工作，长久使用。在低的平衡温度条件下，它比热沉法散热器体积可缩小2.6倍左右；重量可减轻4.5倍左右。

按照相变类型划分分为气-液相变材料、气-固相变材料、固-液相变材料和、固-固相变材料四种类型。气-液相变材料和气-固相变材料相变过程中伴随有气体变化，会引起相变材料体积的剧烈变化。尽管这两类材料相变过程的相变潜热很大，在实际中却很少应用。固-固相变材料的体积变化最小，但其相变潜热是四种相变材料类型中最小的，所以在实际中亦很少应用。与其他三种类型相比，固-液相变材料的相变潜热适中，体积变化不大，是实际中常常使用的相变材料类型。

按照化学成分组成，相变材料分为有机类相变材料、无机类相变材料和复合类相变材料。

在实际应用中相变材料的筛选需要考虑多方面的因素，如相变温度、储能密度等。对于选择相变材料一般原则需要从以下几个方面考虑:1、相变温度和使用目标相匹配；2、相变潜热大；3、廉价易得；4、化学稳定性好；5、与存储容器的相容性好；6、热稳定性好；7、具有良好的传热及流动性能；8、具有较低的蒸汽压等。另外相变储能材料还应该具有无毒、无味、相变体积变化小、无过冷或过冷度小、无相分凝现象、不易燃烧等性质。因此常用的相变材料主要有石蜡类、低熔点合金类及无机盐类。

有机类相变材料主要包括石蜡类相变材料、脂肪酸类相变材料、多元醇类相变材料和其他有机物。以石蜡类和脂肪酸类为代表的有机类相变材料温度适应性好、密度低、单位体积的相变焓值较高、物理化学性能稳定、对容器无腐蚀性，没有过冷以及析出导致的分层现象，腐蚀性也较小。但在实际应用中，有机类相变材料也存在导热率低和密度小等问题。导热率低，主要通过加入高热导率材料或采用导热增强结构弥补，这增大了这类复合相变材料的制备难度。在其它方面有机类相变材料也存在一定不足，如:相变过程中有机类相变材料体积变化大、易挥发、易燃烧、易氧化等。

无机类相变材料主要包括结晶水合盐类相变材料、熔融盐类相变材料、金属类相变材料及其它无机物。以水合盐类和熔融盐类为代表的盐类相变材料的储能密度高，无机物类相变材料的导热系数也较低,而且还存在与容器的相容性问题。但该类相变材料的主要缺点是:1、存在过冷现象，所谓“过冷”是指物质冷凝到“冷凝点”时并不结晶，而是要到“冷凝点”以下的一定温度时才开始结晶，同时释放出相变潜热使得温度迅速上升到冷凝点，这会影响相变材料对热量的释放和吸收；2、存在相分离现象，相分离是指当温度上升时，水合盐因融化所释放出来的结晶水不足以溶解所有的非晶态固体脱水盐，由于重力的原因这些未溶解的盐沉降到了容器底部，在凝固过程中，沉降到底部的未溶解的盐因无法与结晶水结合而不能重新结晶，形成了相的分层，致使相变材料的储能能力降低，导致相变储能材料的使用寿命降低。

无机类相变材料中另一种常用材料是金属类相变材料，该类金属主要是由Sn、Bi、Pb、Cd、In、Ga、Sb等低熔点合金元素组成的三元合金和四元合金，该类材料相变潜热大，导热性好，导热系数通常是其他相变储能材料的几十倍和几百倍，无过冷现象，以及无相分离现象。实验结果表明，金属类相变材料具有较高的单位体积相变潜热，在应用中可减少相变材料的使用体积；金属类相变材料具有较好的导热性能，可有效降低相变材料内部的温度梯度。但金属类相变材料存在液体金属脆化现象，即液态金属类相变材料在固体金属(如铝及其合金)中的扩散引起的固体金属晶界扩散，从而导致外部的封装容器的腐蚀，一般表现为失效时延伸率及断面收缩率锐减，真实断裂应力降低，甚至低于材料的屈服强度。另一方面，各低熔点元素的组成比例对金属相变材料的热物性影响较大，这使得筛选金属相变材料耗时长、成本高，不便于在实际工程应用。

复合类相变材料主要包括与金属复合的相变复合材料、与陶瓷复合的相变复合材料和与碳质纳米材料复合的相变复合材料。金属基主要包括铝基(泡沫铝)和镍基等,相变储能材料主要包括各类熔融盐和碱。金属作为强化材料可以提高材料的导热性能,但是金属在高温下化学活性比较强,容易与容器发生反应,并且成本比较高,所以只能用于特殊的用途。与陶瓷复合提高相变储能复合材料导热性能陶瓷基相变储能复合材料主要是将相变材料分布于陶瓷基体的超微多孔网络中,相变材料受热熔化时吸收潜热,而液态相变材料受陶瓷基体毛细张力的作用不会流出,从而使相变前后维持复合材料原来的形状。主要优点有:可供选择的无机盐种类多；可同时利用显热和潜热,蓄热密度大；无需封装,不存在腐蚀问题；不存在过冷和相分离的问题。无机盐/陶瓷基复合相变储能材料，具有独特的蓄热性能和机械性能,可用于工业余热回收、太阳能、电力调峰等领域。

相变温控技术作为一种新兴热控技术因其具有性能可靠、重量轻、不耗能等优点而受到的广泛关注的相变材料是相变温控技术的核心和基础，但目前被大量使用的石蜡类和无机盐类相变材料存在密度小、导热性能差、热稳定性差等缺点，制约着相变材料在温控领域的应用。。为提高有机类相变材料的热导率，目前广泛采用的办法是在有机类相变材料中加入金属、陶瓷材料和热解石墨等导热系数高的填料。相变材料中，填料通常有以下结构形式:粉末、纤维、肋片及蜂窝可得到合适的相变温度点，同时加快导热速度。但添加粉末、纤维填料会导致导热系数增加程度有限。在相变材料中添加粉末、纤维填料，很难保证填料始终均匀分布在相变材料中，长期运行会导致聚集、沉淀等不良后果，导致其强化传热性能逐渐降低，并使得相变热控装置的温度均匀性变差。添加肋片、蜂窝填料会导致相变材料的充装性差。使用填料增加相变材料导热性能，需保证相变材料的可充装性。使用肋片、蜂窝填料时，由于每个肋片或蜂窝间没有空隙，相变材料充装时非常困难，只有采取打孔或预留空间等办法解决，但会影响装置的强度及传热性能，效果不好；肋片、蜂窝填料与相变热控装置壳体热阻大。由于肋片、蜂窝填料是由很薄的金属片制成，无法用焊接工艺将它和壳体金属板联接，只能采用胶粘的方法，显然，这将增加接触热阻，降低装置传热性能。泡沫金属、金属固体和金属翅片、膨胀石墨泡沫金属是一种内部充满气泡的金属制品，既有金属特性又有气泡特性。且仍能保持致密固体的大部分强度，具有比表面积大、导热系数高等优点。但是相变温控组件相变材料灌注过程难大，相变材料在泡沫金属内部的填充率难以控制，容易在相变材料内部产生气泡，而影响相变温控组件的热响应速率。并且泡沫铜与封装盒体之间采用过盈配合,通过挤压的方式将泡沫铜嵌入后再把上盖压合焊接,形成储热装置的结构件.在进行相变材料灌注时,由于泡沫铜孔径很小,普通灌注方法由于石蜡的粘性会使得泡沫铜通孔内残留大量气泡,这样不仅大大减少了储热装置中相变材料的含有量,并且残留的气泡还会造成较大热阻,降低储热装置传热性能。

发明内容

本发明的目的在于针对现有相变温控组件的不足，提供一种充装性可靠、相变效率高、灌注过程可控相变材料灌注的方法，以解决现有技术相变温控组件相变材料灌注过程难以控制的问题。

为实现上述目的，本发明提供的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，具有如下技术特征：以孔隙率＞92％的泡沫金属与石蜡及其它材料的组合作为填充材料的相变复合材料储热单元18；为提高热流体的比热容，在石蜡及其它材料的组合中添加纳米相变热流体液态工质，并采用绝热棉包裹封闭在囊状壳体内形成潜热微封装材料，制备成2种或2种以上兼具有无机相变材料和有机相变材料的相变储热材料3；将制有面向相变复合材料储热单元18方向凸台的上压盖板14，通过固定螺栓13连接的立柱筒，将装配在密封腔体19中的相变复合材料储热单元18固定在上压盖板14与下座板20之间，利用固定螺栓13螺紧压力密封形成相变温控组件毛坯密封腔体6；然后将相变温控组件毛坯密封腔体6置于真空熔灌烘箱11的底端，并通过真空连接管10和真空控制阀9连接真空发生器7，同时通过带有灌注控制阀4的灌注管道5连通注入压缩空气的灌注容器2；然后通过真空熔灌烘箱11的温度加热注入灌注容器2中的相变储热材料3至全部融化为液态；真空发生器7利用正压气源喷管高速喷射压缩空气产生卷吸流动，在卷吸作用下，吸附腔在管道内通正压气体而产生负压，形成一定真空度；通过真空减压阀1控制通入压缩空气的灌注容器2，将相变储热材料3注入相变温控组件毛坯密封腔体6内参与相变。

本发明相比于现有技术具有如下有益效果：

充装性可靠。本发明采用以孔隙率＞92％的泡沫金属与石蜡及其他材料的组合作为填充材料的相变储热材料，得到2种或2种以上的相变复合材料储热单元；热控将不会使相变装置的重量及储能量有太大变化，由于所采用的泡沫铝为通孔型，相变材料很容易充满整个装置，不会产生死角，金属泡沫相变热控充装性能好。另外，由于金属泡沫的孔隙率大于90％以上，相变传热装置使用的泡沫铝重量轻，试验侧试结果表明泡沫功能材料增加了相变材料的导热系数，提高了相变储热单元的传热性能，提高了相变热控装置的温度均匀性、可充装性及可靠性。例如，孔隙率为90％以上的泡沫铝与石蜡的组合表观导热系数可达5W/m.K以上，导热系数提高了30倍以上。相变过程中增加了储能和释能时间，降低了热控系统的效率，通过相变复合材料储热单元中的金属泡沫的高连通性和较高的真空度，保证了相变材料填充的均匀度。

相变效率高。本发明采用绝热棉包裹封闭在囊状壳体内形成潜热微封装材料，并将其添加到纳米相变热流体液态工质中提高热流体的比热容，制备成兼具有无机相变材料和有机相变材料的定形相变贮热材料；将相变材料包裹在微胶囊状的壳体内形成潜热微封装材料，并将其添加到液体工质中，使胶囊表面积与体积的比率增大，有利于提高相变材料的传热速率；可提高热流体的比热容，从而起到强化传热的作用。同时，在使用过程中还可大大降低长时间使用时粒子之间碰撞破坏的可能性。此外，功能热流体的输送泵功也将减小，并大大降低长时间运行时粒子之间碰撞破坏的可能性，相变材料的相变效率也将提高。相变复合材料储热单元在微胶囊中发生相变的物质被封闭在球形胶囊中，从而可有效解决相变材料的泄漏、相分离以及腐蚀性等问题，有利于改善相变材料的应用性能。结果表明，所采用的泡沫石墨的孔径为3mm，孔隙率为98％，加入铝粉末后储热时间大约缩短了60％。

灌注过程可控。本发明采用制有面向相变复合材料储热单元18方向台阶凸台的上压盖板14和固定在密封腔体19的下座板20，通过连接固定螺栓13的立柱筒，将装配在密封腔体19中的相变复合材料储热单元18固定在的上压盖板14与下座板20之间，利用固定螺栓13密封形成相变温控组件毛坯密封腔体6；并通过设置真空熔灌烘箱11的温度并加热至内部相变材料3全部融化为液态；真空发生器产生真空环境，可以根据需要设置相变温控组件毛坯密封腔体6内部的真空度，在灌注过程中也同时利用真空减压阀产生负压环境，从而在相变材料3两端产生压力差，随着真空减压阀中气体的不断进入，推动相变材料3进入相变复合材料储热单元18内部，当真空连接管10中有相变材料时表示相变复合材料储热单元18内部已被灌满，整个灌注过程可控，利用真空发生器实现相变温控组件相变材料3在泡沫材料内18内部的致密灌注，能够保证相变材料3全部进入相变复合材料储热单元18内部，使得同一时刻有更多的相变材料参与相变，改善了传热性能。解决了现有技术相变温控组件相变材料灌注过程难以控制的问题。

附图说明

图1是本发明电子器件相变温控组件相变材料的真空灌注装置示意图。

图2是本发明通过工装实现相变温控组件毛坯的组装示意图。

图中：1真空减压阀，2灌注容器，3相变储热材料，4灌注控制阀，5灌注管道，6相变温控组件毛坯密封腔体，7真空发生器，8气压表，9真空控制阀，10真空连接管出口管路，11真空熔灌烘箱，12第一密封垫，13固定螺栓，14上压盖板，15调节垫片，16端封垫板，17立柱筒，18相变复合材料储热单元，19密封腔体，20下座板。

以下结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

具体实施方式

参阅图1及图2。根据本发明，以孔隙率＞92％的泡沫金属与石蜡及其它材料的组合作为填充材料的相变复合材料储热单元18；为提高热流体的比热容，在石蜡及其它材料的组合中添加纳米相变热流体液态工质，并采用绝热棉包裹封闭在囊状壳体内形成潜热微封装材料，制备成2种或2种以上兼具有无机相变材料和有机相变材料的相变储热材料3；将制有面向相变复合材料储热单元18方向凸台的上压盖板14，通过固定螺栓13连接的立柱筒，将装配在密封腔体19中的相变复合材料储热单元18固定在上压盖板14与下座板20之间，利用固定螺栓13螺紧压力密封形成相变温控组件毛坯密封腔体6；然后将相变温控组件毛坯密封腔体6置于真空熔灌烘箱11的底端，并通过真空连接管10和真空控制阀9连接真空发生器7，同时通过带有灌注控制阀4的灌注管道5连通注入压缩空气的灌注容器2；然后通过真空熔灌烘箱11的温度加热注入灌注容器2中的相变储热材料3至全部融化为液态；真空发生器7利用正压气源喷管高速喷射压缩空气产生卷吸流动，在卷吸作用下，吸附腔在管道内通正压气体而产生负压，形成一定真空度；通过真空减压阀1控制通入压缩空气的灌注容器2，将相变储热材料3注入相变温控组件毛坯密封腔体6内参与相变。

真空减压阀1出口处的压力与真空发生器7所产生的负压值一致，相变温控组件毛坯密封腔体6相变完成后，打开灌注控制阀4使真空发生器7中有液态相变材料溢出；关闭灌注控制阀4和真空控制阀9，待相变温控组件毛坯密封腔体6冷却后取出。

优选地，所采用的相变复合材料储热单元18包含的金属泡沫，包括：石墨、泡沫铝、泡沫铜、Al-Si、Al-Si-Mg、Al-Si-Cu和Zn-A1系的一些合金泡沫中至少一种组合。

优选地，所采用的相变复合材料储热单元18中包含的泡沫金属与密封腔体19之间的连接方式为直接连接、粘接或焊接中的一种。

优选地，所采用的相变温控组件毛坯密封腔体6可由铝合金或铜合金制成。

优选地，相变材料的灌注过程采用真空发生器产生低压环境，并同时利用真空减压阀产生的低压环境以完成相变材料在密封腔体中的灌注。

优选地，所采用的真空熔灌烘箱的温度设置为相变材料的相变温度为20℃～30℃。

优选地，所采用的灌注管道和相变温控组件毛坯密封腔体6之间，采用防止灌注过程中相变材料溢出的密封垫。

在可选的实施例中，相变温控组件毛坯密封腔体6以石蜡为相变材料，辅以膨胀石墨导热流体包围的腔体来提高其热导率，改善导热性的碳纤维和具有合适相变温度的加强导热率纳米流体石蜡相变胶囊构成，以解决相变时体积变化导致泄漏、导热面积减小引起热阻增大的问题。相变材料是由多组分构成的主储剂、相变点调整剂、防过剂、防相分离剂、相变促进剂组分，并在在石蜡中添加纳米胶囊相变材料，得到功能纳米相变热流体，为改善相变材料导热性能，在相变材料中加入金属、陶瓷材料和热解石墨等导热系数高的填料，填料以粉末、纤维、肋片及蜂窝结构形式存在；利用2种或者3种相变温度不同的材料按相变温度高低顺序进行放置，得到合适的相变温度点，同时加快导热速度。克服单纯相变储能材料存在的导热系数低,有腐蚀性等缺点。为了提高其石蜡相变材料导热性能，可以在石蜡相变材料中加入粒径为80μm、质量分数为0.5％的铝粉末，所采用的石蜡的相变温度为80℃，导热率为0.1W/m·K，相变焓值为200J/cm³，真空熔灌烘箱的加热温度为100℃。

压盖板14的下端面设有端封垫板16和台阶凸台的圆锥密封垫12，实现与灌注管道5、真空连接管10密封连接，固定螺栓13通过上压盖板14下端镙接孔下方连接的调节垫片15，将密封腔体19和金属泡沫材料装配成相变温控组件毛坯密封腔体6。

压盖板14下端面设有密封相变复合材料储热单元18和密封腔体19的端封垫板16，台阶凸台上制有连通相变复合材料储热单元18的漏斗通道和设置在所述漏斗通道的圆锥密封垫1，并通过圆锥密封垫12实现与灌注管道5、真空连接管10密封连接。

连接压盖板14和下座板20的立柱筒17上设有调节垫片15，立柱筒17固联下座板20，并通过板体上的四周固定螺栓13连接立柱筒17，固定螺栓13通过立柱筒17施加的压力，压迫压盖板14，将密封腔体19固定在上压盖板14台阶凸台与下座板15下陷槽中，同时将相变复合材料储热单元18压入密封腔体19台阶槽中，装配成相变温控组件毛坯密封腔体6。

以上结合附图对本发明进行了详细描述，但需要指出的是，上述实施例所描述的是仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化，比如将本发明的测试频率范围扩展，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，具有如下技术特征：以孔隙率＞92％的泡沫金属与石蜡及其它材料的组合作为填充材料的相变复合材料储热单元(18)；为提高热流体的比热容，在石蜡及其它材料的组合中添加纳米相变热流体液态工质，并采用绝热棉包裹封闭在囊状壳体内形成潜热微封装材料，制备成2种或2种以上兼具有无机相变材料和有机相变材料的相变储热材料(3)；将制有面向相变复合材料储热单元(18)方向凸台的上压盖板(14)，通过固定螺栓(13)连接的立柱筒，将装配在密封腔体(19)中的相变复合材料储热单元(18)固定在上压盖板(14)与下座板(20)之间，利用固定螺栓(13)螺紧压力密封形成相变温控组件毛坯密封腔体(6)；然后将相变温控组件毛坯密封腔体(6)置于真空熔灌烘箱(11)的底端，并通过真空连接管(10)和真空控制阀(9)连接真空发生器(7)，同时通过带有灌注控制阀(4)的灌注管道(5)连通注入压缩空气的灌注容器(2)；然后通过真空熔灌烘箱(11)的温度加热注入灌注容器(2)中的相变储热材料(3)至全部融化为液态；真空发生器(7)利用正压气源喷管高速喷射压缩空气产生卷吸流动，在卷吸作用下，吸附腔在管道内通正压气体而产生负压，形成一定真空度；通过真空减压阀(1)控制通入压缩空气的灌注容器(2)，将相变储热材料(3)注入相变温控组件密封腔体(6)内参与相变。

2.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：相变复合材料储热单元(18)包含的金属泡沫，包括：石墨、泡沫铝、泡沫铜、Al-Si、Al-Si-Mg、Al-Si-Cu和Zn-A1系的一些合金泡沫中至少一种组合。

3.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：相变复合材料储热单元(18)中包含的泡沫金属与密封腔体(19)之间的连接方式为直接连接、粘接或焊接中的一种。

4.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：相变材料的灌注过程采用真空发生器产生低压环境，真空熔灌烘箱的温度设置为相变材料的相变温度为20℃～30℃，灌注管道和相变温控组件毛坯密封腔体(6)之间，采用防止灌注过程中相变材料溢出的密封垫，并同时利用真空减压阀产生的低压环境以完成相变材料在密封腔体中的灌注。

5.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：相变温控组件密封腔体(6)以石蜡为相变材料，辅以膨胀石墨导热流体包围的腔体来提高其热导率，以及改善导热性的碳纤维和具有合适相变温度的加强导热率纳米流体石蜡相变胶囊构成。

6.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：相变材料是由多组分构成的主储剂、相变点调整剂、防过剂、防相分离剂、相变促进剂组分，并在在石蜡中添加纳米胶囊相变材料，得到功能纳米相变热流体，为改善相变材料导热性能，在相变材料中加入金属、陶瓷材料和热解石墨等导热系数高的填料，填料以粉末、纤维、肋片及蜂窝结构形式存在；利用2种或者3种相变温度不同的材料按相变温度高低顺序进行放置，得到合适的相变温度点，同时加快导热速度。

7.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：为了提高其石蜡相变材料导热性能，在石蜡相变材料中加入粒径为80μm、质量分数为0.5％的铝粉末，并且所采用的石蜡的相变温度为80℃，导热率为0.1W/m·K，相变焓值为200J/cm³，真空熔灌烘箱的加热温度为100℃。

8.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：上压盖板(14)的下端面设有端封垫板(16)和台阶凸台的圆锥密封垫(12)，实现与灌注管道(5)、真空连接管(10)密封连接，固定螺栓(13)通过上压盖板(14)下端镙接孔下方连接的调节垫片(15)，将密封腔体(19)和金属泡沫材料装配成相变温控组件毛坯密封腔体(6)。

9.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：压盖板(14)下端面设有密封相变复合材料储热单元(18)和密封腔体(19)的端封垫板(16)，台阶凸台上制有连通相变复合材料储热单元(18)的漏斗通道和设置在所述漏斗通道的圆锥密封垫，并通过圆锥密封垫(12)实现与灌注管道(5)、真空连接管(10)密封连接。

10.如权利要求1所述的一种电子器件相变温控组件相变材料的灌注方法，其特征在于：连接压盖板(14)和下座板(20)的立柱筒(17)上设有调节垫片(15)，立柱筒(17)固联下座板(20)，并通过板体上的四周固定螺栓(13)连接立柱筒(17)，固定螺栓(13)通过立柱筒(17)施加的压力，压迫压盖板(14)，将密封腔体(19)固定在上压盖板(14)台阶凸台与下座板(15)下陷槽中，同时将相变复合材料储热单元(18)压入密封腔体(19)台阶槽中，装配成相变温控组件毛坯密封腔体(6)。

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