CN111564565B - 发光器件、显示装置以及发光器件制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明是关于一种发光器件、显示装置以及发光器件制备方法，涉及显示技术领域。主要采用的技术方案为：发光器件，其包括：包括蓝色子像素，所述蓝色子像素包括：依次层叠设置的第一发光层和第二发光层，所述第一发光层靠近阳极，所述第二发光层靠近阴极，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料；其中，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％‑70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％‑100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为90％‑99％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为1％‑10％；所述客体材料为空穴型材料。所述发光器件有效的提高了蓝色子像素的发光效率，并进一步地提高了发光器件的整体发光效率。

Description

发光器件、显示装置以及发光器件制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种发光器件、显示装置以及发光器件制备方法。
背景技术
有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)具有广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，所以被广泛的应用于高端显示器。
其中，为了进一步的提高有机电致发光显示器的性能，技术人员一直在不断的研究如何进一步提高有机电致发光显示器的RGB三基色的发光效率。但是，由于有机电致发光显示器中电子和空穴很难达到完全平衡，尤其对于蓝光发光单元，电子迁移率远高于空穴迁移率，导致激子复合区主要位于发光层表面位置处，即位于发光层与空穴传输层之间的界面位置，激子复合区域较窄，易引起激子的淬灭，导致有机电致发光显示器的发光效率很难提高。
所以上述的技术问题还需进一步的解决。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种新型结构的发光器件、显示装置以及发光器件制备方法，使其能够进一步提高发光器件中的蓝光单元的发光效率，解决现有的发光器件发光效率很难提高的技术问题。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种发光器件，其包括：包括蓝色子像素，所述蓝色子像素包括：
依次层叠设置的第一发光层和第二发光层，所述第一发光层靠近阳极，所述第二发光层靠近阴极，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料；
其中，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％-70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％-100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为90％-99％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为1％-10％；
所述客体材料为空穴型材料。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
可选地，前述的发光器件，其中所述第一发光层和第二发光层的总厚度为20nm-30nm；
所述第一发光层的厚度小于所述第二发光层的厚度。
可选地，前述的发光器件，其中随着所述第一发光层的客体材料的质量百分比增加，所述第一发光层的厚度减小，所述第二发光层的厚度增大。
可选地，前述的发光器件，其中所述第一发光层的客体材料的质量百分比在30％-90％时，对应所述第一发光层的厚度为0.5nm-5nm；
所述第一发光层的客体材料的质量百分比在90％-100％时，对应所述第一发光层的厚度为0.3nm-0.5nm。
可选地，前述的发光器件，其中所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为95％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为5％，所述第一发光层的厚度为
Figure BDA0002506685010000021
所述第二发光层的厚度为19nm；
或，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为95％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为5％，所述第一发光层的厚度为3nm，所述第二发光层的厚度为17nm。
可选地，前述的发光器件，其还包括：
空穴传输层和电子传输层；
其中，所述阳极、所述空穴传输层、所述第一发光层、所述第二发光层、所述电子传输层、所述阴极依次层叠设置。
可选地，前述的发光器件，其还包括：
电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述空穴传输层和所述第一发光层之间；
和/或，空穴阻挡层，所述空穴阻挡层设置在所述第二发光层和所述电子传输层之间。
可选地，前述的发光器件，其中所述主体材料为包含蒽、芘、萘、菲、苯、联苯、二苯并呋喃、二苯并噻吩中至少一种化学基团，且化学基团中的氢可被氘取代；
所述客体材料为包含芘、芳胺、硼烷、咔唑、荧蒽中至少一种化学基团，且化学基团中的氢可被氘取代。
另外，本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种显示装置，其包括：发光器件；
所述发光器件包括：依次层叠设置的第一发光层和第二发光层，所述第一发光层靠近阳极，所述第二发光层靠近阴极，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料；
其中，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％-70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％-100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为90％-99％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为1％-10％；
所述客体材料为空穴型材料。
另外，本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种发光器件制备方法，其包括：在制备所述发光器件的蓝色子像素时形成两层发光层；
其中，依次层叠的形成第一发光层和第二发光层，所述第一发光层靠近阳极，所述第二发光层靠近阴极，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料；
其中，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％-70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％-100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为90％-99％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为1％-10％；
所述客体材料为空穴型材料。
可选地，前述的方法，其中所述第一发光层和所述第二发光层均通过两源共蒸形成。
借由上述技术方案，本发明发光器件、显示装置以及发光器件制备方法至少具有下列优点：
本发明技术方案中，将发光器件的蓝色子像素的发光层设置为两层，并且将靠近阴极一侧的第一发光层中设置含有较高质量比例的空穴型客体材料，由于主体材料一般选择为电子形材料，电子迁移率高于空穴迁移率，且第一发光层中的客体材料的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular，HOMO)能级比主体材料更深，少量掺杂时相当于空穴陷阱，导致空穴迁移率降低，当掺杂的质量比例增大时，由于客体材料本身的性质，空穴迁移率会提高(具体可见附图1)。所以将第一发光层中的客体材料的质量比例设置的大于30％，可以使激子复合区变宽，使激子复合区主要位于第一发光层和第二发光层构成的发光层中，且可以通过调整第一发光层的客体材料比例和第一发光层的厚度，使激子复合区相对的靠近发光层的中部，进而相对的远离了发光层与空穴传输层之间的界面，避免激子的淬灭，进而有效的提高了发光器件的蓝色子像素的发光效率，并进一步地提高了发光器件的整体发光效率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本发明的实施例一提供的一种发光器件的第一发光层的客体材料质量百分比与空穴迁移率的关系曲线图；
图2是本发明的实施例一提供的一种发光器件的结构示意图；
图3是本发明的实施例一提供的另一种发光器件的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的发光器件、显示装置以及发光器件制备方法，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。
实施例一
如图2和图3所示，本发明的实施例一提出的一种发光器件，包括蓝色子像素，所述蓝色子像素包括：
依次层叠设置的第一发光层1和第二发光层2，所述第一发光层1靠近阳极3，所述第二发光层2靠近阴极4，所述第一发光层1和所述第二发光层2均包括主体材料和客体材料；其中，所述第一发光层1的所述主体材料的质量百分比为0％-70％，所述第一发光层1的所述客体材料的质量百分比为30％-100％，所述第二发光层2的所述主体材料的质量百分比为90％-99％，所述第二发光层2的所述客体材料的质量百分比为1％-10％；所述客体材料为空穴型材料。
具体地，由于发光器件中红色子像素和绿色子像素的发光层均包含两种主体材料，所以红色子像素和绿色子像素的激子的复合区的位置调整，可以直接通过调整红色子像素和绿色子像素的两种主体材料的比例来调整。因此，本发明实施例所解决的技术问题是针对与蓝色子像素的发光效率的问题，本发明实施例提供的发光器件也仅对蓝色子像素进行改进。
其中，蓝色子像素的主体结构可以参照现有技术，即由第一发光层1和第二发光层2形成的发光层在蓝色子像素中的位置可以与现有技术相同，但是需要注意的是第一发光层1需要靠近阳极3侧，第二发光层2需要靠近阴极4层。
第一发光层1和第二发光层2的主体材料均为电子型材料，二者的使用的材料可以不同，但是为了生产工艺的简化，优选的将第一发光层1和第二发光层2的主体材料设置为同一材料。第一发光层1和第二发光层2所使用的客体材料均为空穴型材料，二者使用的材料可以不同，但是为了生产工艺的简化，优选的将第一发光层1和第二发光层2的客体材料设置为同一材料。第一发光层1中客体材料的质量比例较传统的发光层的客体材料的比例高很多，达到30％-100％，第一发光层1的厚度可以设置的相对较薄，设置第一发光层1的主要目的是通过客体材料比例的增加，增加第一发光层1的空穴传输率，进而使激子复合区移至第一发光层1和第二发光层2形成的发光层中。第二发光层2中主体材料和客体材料的比例可以与现有的发光层的比例相同，可选择为主体材料的质量百分比在90％-99％之间，客体材料的质量百分比在1％-10％之间。
其中，上述的第一发光层1中主体材料的质量百分比以及客体材料的质量百分比，是将形成第一发光层1的主体材料和客体材料的总质量看作1，计算主体材料的质量占比得到主体材料的质量百分比，以及计算客体材料的质量占比得到客体材料的质量百分比。
阴极4可采用Mg:Ag合金(Mg-Ag合金)，厚度可以约为10-150nm(可根据器件类型，来选择适合的厚度)。阳极3可采用氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，厚度可以约为10-150nm。
本发明技术方案中，将发光器件的蓝色子像素的发光层设置为两层，并且将靠近阴极4一侧的第一发光层1中设置含有较高质量比例的空穴型客体材料，由于主体材料一般选择为电子形材料，电子迁移率高于空穴迁移率，且第一发光层1中的客体材料的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular，HOMO)能级比主体材料更深，少量掺杂时相当于空穴陷阱，导致空穴迁移率降低，当掺杂的质量比例增大时，由于客体材料本身的性质，空穴迁移率会提高(具体可见附图1)。所以将第一发光层1中的客体材料的质量比例设置的大于30％，可以使激子复合区变宽，使激子复合区主要位于第一发光层1和第二发光层2构成的发光层中，且可以通过调整第一发光层1的客体材料比例和第一发光层1的厚度，使激子复合区相对的靠近发光层的中部，进而相对的远离了发光层与空穴传输层5之间的界面，避免激子的淬灭，进而有效的提高了发光器件的蓝色子像素的发光效率，并进一步地提高了发光器件的整体发光效率。
在具体实施中，其中所述第一发光层1和第二发光层2的总厚度为20nm-30nm；所述第一发光层1的厚度小于所述第二发光层2的厚度。
具体地，由于第一发光层1的设置主要目的是用于提高空穴的迁移率，所以第一发光层1的厚度可以设置的相对第二发光层2薄。
进一步地，随着所述第一发光层1的客体材料的质量百分比增加，所述第一发光层1的厚度减小，所述第二发光层2的厚度增大。
具体地，由图1可知，随着第一发光层1中客体材料比例在30％-100％的范围内逐渐增加时，第一发光层1的空穴迁移率也随之增加，当客体材料的质量百分比达到100％时，空穴迁移率增加到峰值。所以在保证空穴迁移率的同时，以及保证激子的复合区能够位于第一发光层1和第二发光层2靠近中部的位置，当第一发光层1的客体材料质量百分比增加时，可以将第一发光层1的厚度设置的相对较薄，而将第二发光层2的厚度设置的较厚，但是要保证第一发光层1和第二发光层2形成的发光层的总体厚度在20nm-30nm。
在具体实施中，其中所述第一发光层1的客体材料的质量百分比在30％-90％时，对应所述第一发光层1的厚度为0.5nm-5nm；所述第一发光层1的客体材料的质量百分比在90％-100％时，对应所述第一发光层1的厚度为0.3nm-0.5nm。
具体地，上述的第一发光层1的客体材料的质量百分比与第一发光层1的厚度的关系，是经工作人员的经反复试验得到的。其中，第一发光层1的客体材料的质量百分比从30％升至90％的过程中，对应的可以将第一发光层1的厚度从5nm调整到0.5nm，具体的数量关系可以不做限定，可以根据实际性能的需要而定，只要保证上述的变化规律即可；同样，第一发光层1的客体材料的质量百分比从90％升至100％的过程中，对应的可以将第一发光层1的厚度从0.5nm调整到0.3nm，当第一发光层1的客体材料的质量百分比为100％时，第一发光层1的厚度最薄为0.3nm，具体的数量关系可以不做限定，可以根据实际性能的需要而定，只要保证上述的变化规律即可。
在具体实施中，本发明提供了两种较佳的第一发光层1和第二发光层2具体材质和厚度的实施例：
其一、所述第一发光层1的所述主体材料的质量百分比为0％，所述第一发光层1的所述客体材料的质量百分比为100％，所述第二发光层2的所述主体材料的质量百分比为95％，所述第二发光层2的所述客体材料的质量百分比为5％，所述第一发光层1的厚度为
Figure BDA0002506685010000071
所述第二发光层2的厚度为19nm。该客体材料的质量百分比为100％的第一发光层1，既可以作为空穴传输，又可以利用过量的电子形成超薄发光层。
其二、所述第一发光层1的所述主体材料的质量百分比为70％，所述第一发光层1的所述客体材料的质量百分比为30％，所述第二发光层2的所述主体材料的质量百分比为95％，所述第二发光层2的所述客体材料的质量百分比为5％，所述第一发光层1的厚度为3nm，所述第二发光层2的厚度为17nm。
具体地，上述的两个较佳实施例均可以使激子复合区移至第一发光层1和第二发光层2形成的发光层中，且接近或位于第一发光层1和第二发光层2形成的发光层厚度的中间位置，相对远离发光层与空穴传输层5之间的界面位置，解决了激子淬灭的问题，提高了发光效率。
在具体实施中，本发明实施例提供的发光器件，还包括：空穴传输层5和电子传输层6；其中，所述阳极3、所述空穴传输层5、所述第一发光层1、所述第二发光层2、所述电子传输层6、所述阴极4依次层叠设置。
具体地，空穴传输层5的材料可以与第一发光层1的客体材料不同也可以相同。电子传输层6的材料可以与第二发光层2的主体材料相同也可以不同。即空穴传输层5和电子传输层6的材质可以根据发光器件的性能需要具体设置。
进一步地，本发明实施例提供的发光器件，还包括：电子阻挡层7，所述电子阻挡层7设置在所述空穴传输层5和所述第一发光层1之间；和/或，空穴阻挡层8，所述空穴阻挡层8设置在所述第二发光层2和所述电子传输层6之间。
具体地，由于电子阻挡层7的存在，激子复合区主要靠近在电子阻挡层7一侧的5nm内，所以未被复合的电子会攻击电子阻挡层7，使电子阻挡层7失效，降低发光器件寿命。而本发明实施例提供的发光器件设置有第一发光层1，且第一发光层1中具有较高质量比例的空穴型形客体材料，该客体材料的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular，HOMO)能级比主体材料更深，如图1所示当掺杂的质量比例增大时，由于客体材料本身的性质，空穴迁移率会提高，进而使激子复合区移至第一发光层1和第二发光层2构成的发光层中，避免了电子对电子阻挡层7的攻击，有效的延长发光器件的寿命。
在具体实施中，其中所述主体材料为包含蒽、芘、萘、菲、苯、联苯、二苯并呋喃、二苯并噻吩中至少一种化学基团，且化学基团中的氢可被氘取代；所述客体材料为包含芘、芳胺、硼烷、咔唑、荧蒽中至少一种化学基团，且化学基团中的氢可被氘取代。
具体地，上述的主体材料和客体材料为较佳的实施例，并不是对主体材料和客体材料的限制，在满足发光性能的前提下，可以根据需要选择其他的材料。
实施例二
本发明的实施例二提供一种显示装置，包括：发光器件，所述发光器件包括蓝色子像素，所述蓝色子像素包括：
依次层叠设置的第一发光层1和第二发光层2，所述第一发光层1靠近阳极3，所述第二发光层2靠近阴极4，所述第一发光层1和所述第二发光层2均包括主体材料和客体材料；其中，所述第一发光层1的所述主体材料的质量百分比为0％-70％，所述第一发光层1的所述客体材料的质量百分比为30％-100％，所述第二发光层2的所述主体材料的质量百分比为90％-99％，所述第二发光层2的所述客体材料的质量百分比为1％-10％；所述客体材料为空穴型材料。
具体地，本实施例二中所述的发光器件可直接使用上述实施例一提供的发光器件，具体的实现结构可参见上述实施例一中描述的相关内容，此处不再赘述。
本发明技术方案中，将发光器件的蓝色子像素的发光层设置为两层，并且将靠近阴极4一侧的第一发光层1中设置含有较高质量比例的空穴型客体材料，由于主体材料一般选择为电子形材料，电子迁移率高于空穴迁移率，且第一发光层1中的客体材料的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular，HOMO)能级比主体材料更深，少量掺杂时相当于空穴陷阱，导致空穴迁移率降低，当掺杂的质量比例增大时，由于客体材料本身的性质，空穴迁移率会提高(具体可见附图1)。所以将第一发光层1中的客体材料的质量比例设置的大于30％，可以使激子复合区变宽，使激子复合区主要位于第一发光层1和第二发光层2构成的发光层中，且可以通过调整第一发光层1的客体材料比例和第一发光层1的厚度，使激子复合区相对的靠近发光层的中部，进而相对的远离了发光层与空穴传输层5之间的界面，避免激子的淬灭，进而有效的提高了发光器件的蓝色子像素的发光效率，并进一步地提高了发光器件的整体发光效率。
实施例三
本发明的实施例三提供一种适用于上述实施例一的发光器件的制备方法，其包括：在制备所述发光器件的蓝色子像素时形成两层发光层；
其中，依次层叠的形成第一发光层和第二发光层，所述第一发光层靠近阳极，所述第二发光层靠近阴极，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料；其中，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％-70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％-100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为90％-99％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为1％-10％；所述客体材料为空穴型材料。
具体地，所述第一发光层和所述第二发光层均通过两源共蒸形成。即第一发光层是采用主体材料和客体材料同时蒸镀形成，第二发光层也是采用主体材料和客体材料同时蒸镀形成。
其中，所述第一发光层和第二发光层的总厚度为20nm-30nm；所述第一发光层的厚度小于所述第二发光层的厚度。并且随着所述第一发光层的客体材料的质量百分比增加，所述第一发光层的厚度减小，所述第二发光层的厚度增大。
具体地，可以在所述第一发光层的客体材料的质量百分比为从30％升至90％时，对应的将所述第一发光层的厚度设置为从5nm调制0.5nm；也在所述第一发光层的客体材料的质量百分比从90％升至100％时，对应的将所述第一发光层的厚度从0.5nm调整到0.3nm。
具体地，所述主体材料为包含蒽、芘、萘、菲、苯、联苯、二苯并呋喃、二苯并噻吩中至少一种化学基团，且化学基团中的氢可被氘取代；所述客体材料为包含芘、芳胺、硼烷、咔唑、荧蒽中至少一种化学基团，且化学基团中的氢可被氘取代。
通过本发明实施例提供的方法制备的发光器件，其蓝色子像素的发光层设置为两层，并且将靠近阴极一侧的第一发光层中设置含有较高质量比例的空穴型客体材料，由于主体材料一般选择为电子形材料，电子迁移率高于空穴迁移率，且第一发光层中的客体材料的最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular，HOMO)能级比主体材料更深，少量掺杂时相当于空穴陷阱，导致空穴迁移率降低，当掺杂的质量比例增大时，由于客体材料本身的性质，空穴迁移率会提高(具体可见附图1)。所以将第一发光层中的客体材料的质量比例设置的大于30％，可以使激子复合区变宽，使激子复合区主要位于第一发光层和第二发光层构成的发光层中，且可以通过调整第一发光层的客体材料比例和第一发光层的厚度，使激子复合区相对的靠近发光层的中部，进而相对的远离了发光层与空穴传输层之间的界面，避免激子的淬灭，进而有效的提高了发光器件的蓝色子像素的发光效率，并进一步地提高了发光器件的整体发光效率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (11)

1.一种发光器件，包括蓝色子像素，其特征在于，所述蓝色子像素包括：
依次层叠设置的第一发光层和第二发光层，所述第一发光层靠近阳极，所述第二发光层靠近阴极，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料，所述第一发光层和所述第二发光层的所述主体材料均为电子型材料；
其中，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％-70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％-100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为90％-99％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为1％-10％，使激子复合区变宽，使激子复合区主要位于第一发光层和第二发光层构成的发光层中；
所述客体材料为空穴型材料。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一发光层和第二发光层的总厚度为20nm-30nm；
所述第一发光层的厚度小于所述第二发光层的厚度。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，
随着所述第一发光层的客体材料的质量百分比增加，所述第一发光层的厚度减小，所述第二发光层的厚度增大。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，
所述第一发光层的客体材料的质量百分比在30％-90％时，对应所述第一发光层的厚度为0.5nm-5nm；
所述第一发光层的客体材料的质量百分比在90％-100％时，对应所述第一发光层的厚度为0.3nm-0.5nm。
5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，
所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为95％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为5％，所述第一发光层的厚度为
Figure FDA0003908004710000011
所述第二发光层的厚度为19nm；
或，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为95％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为5％，所述第一发光层的厚度为3nm，所述第二发光层的厚度为17nm。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：
空穴传输层和电子传输层；
其中，所述阳极、所述空穴传输层、所述第一发光层、所述第二发光层、所述电子传输层、所述阴极依次层叠设置。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，还包括：
电子阻挡层，所述电子阻挡层设置在所述空穴传输层和所述第一发光层之间；
和/或，空穴阻挡层，所述空穴阻挡层设置在所述第二发光层和所述电子传输层之间。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述主体材料包含蒽、芘、萘、菲、苯、联苯、二苯并呋喃、二苯并噻吩中至少一种化学基团，且化学基团中的氢可被氘取代；
所述客体材料包含芘、芳胺、硼烷、咔唑、荧蒽中至少一种化学基团，且化学基团中的氢可被氘取代。
9.一种显示装置，其特征在于，其包括：
如权利要求1-8中任一所述的发光器件。
10.一种发光器件制备方法，其特征在于，其包括：在制备所述发光器件的蓝色子像素时形成两层发光层；
其中，依次层叠的形成第一发光层和第二发光层，所述第一发光层靠近阳极，所述第二发光层靠近阴极，所述第一发光层和所述第二发光层均包括主体材料和客体材料，所述第一发光层和所述第二发光层的主体材料均为电子型材料；
其中，所述第一发光层的所述主体材料的质量百分比为0％-70％，所述第一发光层的所述客体材料的质量百分比为30％-100％，所述第二发光层的所述主体材料的质量百分比为90％-99％，所述第二发光层的所述客体材料的质量百分比为1％-10％，使激子复合区变宽，使激子复合区主要位于第一发光层和第二发光层构成的发光层中；
所述客体材料为空穴型材料。
11.根据权利要求10所述的发光器件制备方法，其特征在于，所述第一发光层和所述第二发光层均通过两源共蒸形成。
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