CN111562527A - 一种提高磁力计敏感性的方法 - Google Patents

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CN111562527A CN202010232578.5A CN202010232578A CN111562527A CN 111562527 A CN111562527 A CN 111562527A CN 202010232578 A CN202010232578 A CN 202010232578A CN 111562527 A CN111562527 A CN 111562527A
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Abstract

本发明提供一种增强磁力计灵敏性的方法,在纯磁性系统中,根据在奇异点上的非厄米简并会产生对外部扰动的非线性响应,来提高磁力计的灵敏度。奇异点处两个或更多的特征值及其对应的特征向量被同时合并,在奇异点处有微扰时,本征频率偏移服从外部扰动的1/N次幂,其中N是奇异点的阶数。包含以下步骤:(1)构建一个具有PT对称性的三层铁磁单自旋模型;(2)考虑外加磁场,各向异性场和层间交换作用,用LLG方程得到单自旋模型的特征值方程,利用盛金公式求解特征值方程,得到三阶奇异点的条件;(3)利用上面计算得到的奇异点条件,使模型处在三阶奇异点处。施加微扰后合并的特征频率会分裂,可以通过频率的分离来评估微扰的大小。

Description

一种提高磁力计敏感性的方法
技术领域
本发明属于磁器件技术领域,具体涉及到具有PT对称性结构的纯磁性系统中利用三阶奇 异点提高磁力计敏感性的方法。
背景技术
磁力计是测量磁场强度和方向的仪器的统称。测量地磁场强度的磁力计可分为绝对磁力 计和相对磁力计两类。主要用途是进行磁异常数据采集以及测定岩石磁参数。磁力计首先是 由Carl Friedrich Gauss于1833年发明的,并在19世纪有了迅速发展。现在它已用于矿物勘 探、加速剂物理、考古学、移动电话等。磁力计从传统的矿产、石油行业的应用逐渐发展至 高精尖的航空磁测、太空宇宙飞船探测行星中,所以磁力计被要求满足更高需求,需要更高 的灵敏度。
许多物理知识应用于磁力计上。例如,磁通门磁力计利用某些高磁导率的软磁材料在外 场作用下的电磁感应现象测定外场。磁阻器件由其电阻随磁场变化而变化的坡莫合金(镍铁 磁性薄膜)的薄带制成,参数的变化从外部场的变化线性地变化。以上应用均基于线性关系 的变化来探测外场。在实际应用场景中需要在极端温度或低频率极限工作时,要求超高灵敏 度的磁流量计(如超导量子干涉装置)。最近的研究提供了一种磁力计能够解决以上问题, 即利用非厄米简并性质增强了磁力计的灵敏度。
奇偶时间(PT)对称系统是一类非厄米哈密顿系统,它在奇偶算子P和时间反转算子T的 联合作用下是对称的,由于有趣的基本性质和有前途的应用,它得到了大量的关注。在量子 力学、光学、电子电路和磁系统等许多领域中研究了此系统。PT对称非厄米哈密顿量可以表 现出全实数的谐波和自发的对称的破缺,伴随着在奇异点(EP)的实数与复数同时存在的谐波 相变。EP是参数空间中的波谱奇异点,其中两个或更多的特征值及其对应的特征向量被同时 合并。在EP附近,本征频率差服从外部扰动的1/N次幂指数关系,其中N是EP的阶数,即 有合并的特征值个数为N,此理论在光学和电子电路中通过实验验证。
近年来磁性系统中的EPS引起了人们的兴趣,然而在纯磁系统中对高阶EP的研究尚未 得到解决,这促使我们发掘一些新技术来解决这个问题。
发明内容:
鉴于以上所述现有技术的缺点,本文研究了纯磁性系统中高阶奇异点的存在条件,然后 利用奇异点处本征频率差服从外部扰动的1/N次幂指数关系,以提高敏感性的应用。为实现 上述发明目的,本发明技术方案如下:
一种在纯磁性系统中利用三阶奇异点提高磁力计敏感性的方法,首先构建模型,具有PT 对称性的非厄米系统,然后计算奇异点的存在条件,通过调节参数使系统处在奇异点状态, 当微扰作用于模型上时,通过探测微扰导致的频率分裂差值来计算微扰值;
所述设计方案包含以下步骤:
第一步:
构建一个由三个单自旋构成的三层铁磁模型,第一层是增益层,第二层是中性层,第三 层是损耗层,三层之间相互耦合,增益层和中性层、中性层和损耗层之间相互耦合,并且耦 合系数相同;假设第一层和第三层取相同材料参数,增益层和损耗层有数量相等、符号相反 的增益系数和损耗系数,即阻尼;中间中性层无阻尼,材料不与第一层和第三层材料相同, 使此系统具有PT对称性,三层磁矩方向均与水平面平行;
第二步:
此模型是一个基本的纯磁性结构,其磁矩运动满足LLG方程;此模型中,考虑静磁场各 向异性场和层间交换作用,假设磁矩方向为x方向,静磁场方向为x方向和各项异性方向为x 轴;
第一层和第三层用相同的材料参数,除了吉尔伯特阻尼,两层阻尼取值数值相等,符号 相反以保证系统具有PT对称性,求解得出了支持三阶奇异点的约束条件:
Figure BDA0002429754760000021
其中ωB1=γ(B+K1/M1+λμ0M2),ωB2=γ(B+K2/M2+2λμ0M1),ωλ1=γλμ0M1, ωλ2=γλμ0M2;其中,B是磁场沿x方向的静磁场,Mn是第n层磁矩的饱和磁化强度,Kn>0 是第n层的各向异性常数,λ是层间交换常数,λ>0表示层间是铁磁耦合交换作用,μ0是真空 磁导率,γ是旋磁比,α>0;
根据此方程,带入上述两种材料的各向异性常数和饱和磁化强度,计算得到三阶奇异点 需要的条件,通过调节层间交换作用λ,阻尼参数α,外场B等来得到三阶奇异点;计算发 现调节层间交换作用λ,阻尼参数α,外场B也能得到二阶奇异点;
在奇异点附近的扰动,引起特征值的分裂,用来探测微扰,并且有较强灵敏性;
第三步:
根据上面求得的结果调整参数,使系统处在奇异点处,然后研究微扰对系统的影响,假 设微扰为ε,该微扰相当于在系统上施加了外场Bε,ε=γBελ2;分别考虑微扰在增益层和 整个结构中的结果;
一般微扰的量级在10-10到10-2,当参数取值在二阶奇异点时,在增益层施加微扰ε,微扰 使得合并的频率发生分裂,引起特征值以1/2指数形式劈裂;当参数取值在三阶奇异点时, 微扰使得合并的频率发生分裂,引起特征值以微扰的1/3指数形式劈裂;其中Ω1、Ω2和Ω3, 此为从大到小排列的特征值;理论分析和数值计算表明,Ω2和Ω3的实部之间的频率差与ε1/3成正比,并且相较于Ω1-Ω2、Ω1-Ω3两组频率差,Ω23这组是最佳选择,因此在测量时系 统的频率分裂成3个值,灵敏度通过监测Ω2和Ω3谱线的分离来评估,将遵循公式:
Figure BDA0002429754760000031
其中c=Re(c21-c31);
然后考虑微扰施加在整个结构的情况;因为磁场通常存在于整个空间内,会影响整个磁 性系统;
考虑微扰施加在整个结构中,在二阶奇异点时,对于ε>0,频率的解包含一个实数根和 一对共轭复根,即正向微扰使得系统二阶奇异点的实部合并没有发生劈裂,所以不存在频率 差,因此没有消除二阶奇异点的简并性;对于ε<0,有三个实数根,即反向微扰系统发生劈 裂,频率差与微扰的1/2次方成正比;在三阶奇异点时,正负方向微扰都会使特征值以1/3 指数形式劈裂;
所以,通过测量三阶奇异点处的模型的特征频率的分裂值根据公式(2)来评估微扰的大小。
作为优选方式,权利要求1所述的提高磁力计敏感性的方法,还包括如下步骤:
第四步:
对于薄膜材料,考虑层内的交换作用,将单自旋模型扩展到铁磁三层模型,在上述模型 中增加层内交换耦合作用;假设磁矩方向为x方向,静磁场方向和各项异性方向均为x方向, 利用盛金公式来求解,得出了支持三阶奇异点的约束条件:
Figure BDA0002429754760000032
其中
Figure BDA0002429754760000033
Figure BDA0002429754760000034
ωλ1=γλμ0M1,ωλ2=γλμ0M2;Jn>0是第n层的铁磁交换耦合常数,kx,ky是x方向,y方向的波矢,B是磁场沿x方向的静磁场,Mn是第 n层磁矩的饱和磁化强度,Kn>0是第n层的各向异性常数,λ是层间交换常数,λ>0表示层 间是铁磁耦合交换作用,μ0是真空磁导率,γ是旋磁比,α>0;
从公式中可以看出,三阶奇异点的出现与
Figure BDA0002429754760000035
有关,当
Figure BDA0002429754760000036
确定时,获得一组 参数kx,ky;特殊的是当kx=ky=0,
Figure BDA0002429754760000037
结果与单自旋模型相同;
布里渊光散射技术能激发单模自旋波,获得单模自旋波后,调节层间间距得到交换作用, 用自旋转移力矩得到阻尼,调节外部磁场得到想要的外场B,这样来得到三阶奇异点,即用 来探测微扰。
相比于其他磁力计,本发明具有以下几个优点:本发明为纯磁性结构,结构简单;一般 微扰的量级在10-10到10-2之间,频率差与微扰是1/N指数关系,与传统的基于磁隧穿结的磁传 感器相比,敏感性提高了3个数量级。
附图说明
图1是三层单自旋铁磁模型图。
图2是实例中三阶奇异点处静磁场和层间交换作用的关系图。
图3是实例中三阶奇异点处吉尔伯特阻尼和层间交换作用的关系图。
图4是实例中确定层间交换作用和外场得到增益损耗参数α和特征频率的关系图。
图5是实例中考虑微扰施加在增益层时,考虑FMR、二阶奇异点,三阶奇异点的频率分 裂图。
图6是实例中考虑微扰施加在整个结构的结果图。
图7是敏感性抑制因子F0和x0的函数图。
图8是三层铁磁薄膜模型图。
图9是考虑层内交换作用时,三阶奇异点处参数关系图以及增益损耗参数α和特征频率 的关系图。
图10是依赖于自旋波模式的临界增益损耗参数的等值线图。
图11是铁磁-反铁磁(FM-AFM)相图。
具体实施方式
实施例1
第一步:
构建一个由三个单自旋构成的三层铁磁模型,第一层是增益层,第二层是中性层,第三 层是损耗层,三层之间相互耦合,增益层和中性层、中性层和损耗层之间相互耦合,并且耦 合系数相同;假设第一层和第三层取相同材料参数,增益层和损耗层有数量相等、符号相反 的增益系数和损耗系数,即阻尼;中间中性层无阻尼,材料不与第一层和第三层材料相同, 使此系统具有PT对称性,三层磁矩方向均与水平面平行;
第二步:
此模型是一个基本的纯磁性结构,其磁矩运动满足LLG方程;此模型中考虑静磁场,各 向异性场和层间交换作用,假设磁矩方向为x方向,静磁场方向和各项异性方向均为x方向, 这个系统的哈密顿量如下所示:
Figure BDA0002429754760000041
其中,
Figure BDA0002429754760000042
是施加在整个结构的外加静磁场,磁场沿x方向,B是磁场大小,Mn是第n层 磁矩,mn=Mn/Mn,mn是第n层磁矩的单位矢量,n=1,2,3,Mn是第n层磁矩的饱和磁化强度,
Figure BDA0002429754760000043
是第n层磁矩x方向的分量,Kn>0是第n层的各向异性常数,λ是层间交换常数,λ>0表示层间是铁磁耦合交换作用,μ0是真空磁导率;
第一层和第三层用相同的材料参数,除了吉尔伯特阻尼,两层阻尼取值数值相等,符号 相反以保证系统具有PT对称性,第一(三)层选定材料为退火的Co40Fe40B20,它的饱和磁 化强度1.098×106A/m,各向异性4.36×105J/m3,中间材料选取沉积的Co40Fe40B20,它的饱和 磁化强度1.003×106A/m,各向异性1.07×105J/m3;有效场由哈密顿量求得
Figure BDA0002429754760000051
则有效场具体的表达式如下:
Figure BDA0002429754760000052
LLG方程具体的表达式如下:
Figure BDA0002429754760000053
其中γ是旋磁比,α>0,+α表示增益,-α表示损耗;
自旋波是磁矩偏离平衡位置产生的非同相运动,因此磁矩是小角度进动的,用小量展开 进行公式的推导,假设
Figure RE-GDA0002580756600000053
并且
Figure RE-GDA0002580756600000054
假设波函数ψn
Figure RE-GDA0002580756600000055
将公式(2)代入公式(3)中,可以得到如下的表达式:
Figure BDA0002429754760000057
其中ωB1=γ(B+K1/M1+λμ0M2),ωB2=γ(B+K2/M2+2λμ0M1),ωλ1=γλμ0M1, ωλ2=γλμ0M2,假设磁矩运动的波函数是ψn=φnexp(-iωt),我们得到下面的方程:
ωφ=Hφ (8)
其中φ=(φ123)T,H矩阵:
Figure BDA0002429754760000058
对于一个一元三次方程来说,三阶奇异点是指此三次方程有三重根,表示有三个特征频 率重合,所以是实数解,利用盛金公式来求解,首先一元三次方程的形式是:
3+bω2+cω+d=0 (10)
其中a=-(1+α2)<0,b=2ωB1+(1+α2B2,c=2ωλ1ωλ2B1 2-2ωB1ωB2, d=ωB1 2ωB2-2ωB1ωλ1ωλ2;三阶奇异点是指此一元三次方程有三重根,表示有三个特征频率重 合,下面利用盛金公式来求解,盛金公式的重根判别式是:
Figure BDA0002429754760000061
总判别式是Δ=B2-4AC,当且仅当A=B=0时,方程有一个三重根,因此得出了支持 三阶奇异点的约束条件:
Figure BDA0002429754760000062
根据此方程,带入上述两种材料的各向异性常数和饱和磁化强度,计算得到三阶奇异点 需要的条件,通过调节层间交换作用λ,阻尼参数α,外场B等来得到三阶奇异点,并且考 虑实际意义,阻尼必须是大于0的实数,为保证磁矩能稳定在x方向,需要满足以下条件: B>max{-K1/M1-λμ0M2,-K2/M2-2λμ0M1},所以在此约束条件下可以合理的取值范围会 限制在灰色区域内,如图2和图3所示;选取层间交换作用的值λ=0.18,外场B=29.2mT 时,采用数值解法得到增益损耗参数α和特征频率的关系,通过计算发现调节增益损耗参数 可以得到三阶奇异点,或者二阶奇异点,如图4所示;
第三步:
根据上面的结果取一组确定参数进行计算分析,层间交换作用的值λ=0.18,外场B= 29.2mT,增益损耗参数取值α二阶奇异点=0.399或α三阶奇异点=0.652来进行下面的计算,使系统处 在二阶或三阶奇异点处,然后研究微扰对系统的影响,假设微扰为ε,该微扰相当于在系统 上施加了外场Bε,ε=γBελ2;分别考虑微扰在增益层和整个结构中的结果;
首先考虑微扰在增益层的结果,考虑微扰ε施加在增益层的结果,得到公式:
Ωφ=Hεφ (12)
其中Hε矩阵:
Figure BDA0002429754760000071
本实施例中,一般微扰的量级在10-10到10-2,单层铁磁体上施加微扰,铁磁共振(FMR) 频率相对于扰动是线性变化,当参数取值在二阶奇异点时,在增益层施加微扰ε,微扰使得 合并的频率发生分裂,引起特征值以1/2指数形式劈裂;当参数取值在三阶奇异点时,在增 益层施加微扰,微扰使得合并的频率发生分裂,引起特征值以微扰的1/3指数形式劈裂,如 图5所示;
本实施例中,为了更加直观的显示奇异点提高敏感性的效果,假设∈=0.005,根据计算 得到对应的精确的频率差值,其中FMR中的值是0.03GHz,二阶奇异点处是0.14GHz,三阶 奇异点处是1.23GHz,相应的比单一FMR模式来说,二阶奇异点提高了4.8倍,三阶奇异点 提高了40倍,可见奇异点能够显著提高磁力计的敏感性;
为了进一步分析,通过求解公式(11)的特征多项式,从理论上详细解析三阶奇异点附近的 频率分裂解析解,方程的形式是:a′Ω3+b′Ω2+c′Ω+d′=0,利用Newton-Puiseux级数可以得到 解如下:
Figure BDA0002429754760000072
其中Ω1、Ω2和Ω3为从大到小排列的特征值,它们之间的频率差如下:
Figure BDA0002429754760000073
理论分析和数值计算表明,Ω2和Ω3的实部之间的频率差与ε1/3成正比,并且相较于其他 两组频率差这组符合程度最好,因此在测量时,灵敏度通过监测Ω2和Ω3谱线的分离来评估, 预计将遵循公式:
Figure BDA0002429754760000081
其中c是Re(Ω2λ23λ2)中ε1/3的系数。
本实施例中,因为磁场通常存在于整个空间内,会影响三层磁性系统,因此,需要考虑 微扰施加在整个模型的情况,假设ωφ=H'εφ,矩阵H'ε如下:
Figure BDA0002429754760000082
考虑微扰施加在整个结构中,在二阶奇异点时,ε>0,总判别式Δ>0,方程的解包含一 个实数根和一对共轭复根,即正向微扰使得系统二阶奇异点的实部合并没有发生劈裂,所以 不存在频率差,因此没有消除二阶奇异点的简并性;对于ε<0,总判别式Δ<0,我们有三 个不相等的实数根,即反向微扰系统发生劈裂,频率差与微扰的1/2次方成正比;在三阶奇 异点时,正负方向微扰都会使特征值以1/3指数形式劈裂,如图6所示;
考虑到频率分辨率,其中是半高宽,在这种情况下,考虑阻尼为|ΔΩ三阶奇异点|≈κ,其中κ是 半高宽,在这种情况下,考虑阻尼为0.001,铁磁共振频率为5GHz,那么κ≈0.005GHz,交 换相互作用ωλ2=6.35GHz,我们得到磁场最小位移:
Figure BDA0002429754760000083
其中δB=κ3/(γc3ωλ2 2)C;通过计算,敏感性数值接近3×10-13T Hz-1/2,与传统的基于磁隧穿 结的磁传感器相比,提高了3个数量级;
本实施例中,考虑噪声对系统的影响,假设扰动服从高斯分布,也就是下面的公式:
Figure BDA0002429754760000084
其中信号ε0可以检测得到,σ是噪声。可通过以下方法获得可预测的平均灵敏度:
Figure BDA0002429754760000085
其中x=(ε-ε0)/σ,x0=ε0/σ,在在较小和较大的信号噪声比取值极限下,得到如下结果:
Figure RE-GDA0002580756600000091
对于较大的信号噪音比<ΔΩEP3>的值与公式(14)相同。通过定义敏感性抑制因子
Figure BDA0002429754760000092
可以判断噪声对灵敏度的影响,如图7所示,当x0>1时,敏感性表现良好。
实施例2
对于薄膜材料,考虑层内的交换作用,将单自旋模型扩展到铁磁三层模型,考虑静磁能、 各向异性能、单层内和层间的交换耦合作用;假设磁矩方向为x方向,静磁场方向和各项异 性方向均为x方向,系统的哈密顿量是:
Figure BDA0002429754760000093
其中<i,j>是在平面上的所有最近邻位点上的总和,Jn>0是第n层的铁磁交换耦合常数,mn,i是第n层、第i个单位磁矩,mn,i=Mn,i/Mn,i,n=1,2,3,Mn,i是第n层磁矩的饱和磁化强度, Mn,i是第n层、第i个磁矩,
Figure BDA0002429754760000094
是施加在第n层、第i个位置的静磁场,方向沿x轴, 即磁矩方向。
Figure BDA0002429754760000095
是第n层、第i个磁矩x方向的分量,Kn>0是第n层的各向异性常数,使用与单自旋系统相同的材料参数,第一层和第三层取退火的Co40Fe40B20,中间材料选取沉积的Co40Fe40B20,层内交换耦合常数J1,2,3=J=2.44×107J/m3,外场B1,i=B2,i=B3,i=B,有效场具体的表达式如下:
Figure BDA0002429754760000096
其中Jn<i,j>mn,i表示
Figure BDA0002429754760000097
其中(ixa,iya)作为第 i个单位自旋向量的坐标,ix(y)是整数,a是晶格常数,假设
Figure BDA0002429754760000098
并且
Figure BDA0002429754760000099
磁矩波函数
Figure BDA00024297547600000910
波函数的形式为ψn,i=φn,iexp(ik·r-iωt),同样处理 方式得到三阶奇异点的条件,得到下面特征方程:
ωφi=Hiφ (23)
其中φi=(φ1,i2,i3,i)T,Hi矩阵为:
Figure BDA0002429754760000101
其中
Figure BDA0002429754760000102
Figure BDA0002429754760000103
ωλ1=γλμ0M1,ωλ2=γλμ0M2
特征频率由公式(16)的特征多项式的零点决定,得到一个一元三次方程,同样利用盛金公式 来求解,得出了支持三阶奇异点的约束条件:
Figure BDA0002429754760000104
从公式中可以看出,三阶奇异点的出现与
Figure BDA0002429754760000105
有关,当
Figure BDA0002429754760000106
确定时,获得一组 参数kx,ky;特殊的是当kx=ky=0,
Figure BDA0002429754760000107
结果与单自旋模型相同;
单模自旋波通过布里渊光散射技术激发,获得单模后,可以通过调节层间交换作用λ,阻 尼参数α,外场B等来得到三阶奇异点,即用来探测微扰;
当取值为
Figure BDA0002429754760000108
Figure BDA0002429754760000109
时,在三阶奇异点处,外部磁场和增益损耗参数与 层间耦合强度的关系分别如图9(a),(b)和(c),(d)所示,灰色区域标志着合理的区域;图9(e) 描述在
Figure BDA00024297547600001010
时,当参数值λ=0.175、外场B=99mT时增益损失参数α和特征值的 演化;图9(f)描述在
Figure BDA00024297547600001011
时,当参数值λ=0.158、外场B=170mT时增益损失参数α 和特征值的演化。当
Figure BDA00024297547600001012
增加时,三阶奇异点的取值的区域增大,如图9所示;
通过布里渊光散射技术激发单模自旋波,即得到确定的
Figure BDA00024297547600001013
在选择合理的参数条 件下时,系统会存在三阶奇异点,即可探测微扰;
而二阶奇异点出现在所有自旋波模式下,对于给定的
Figure BDA00024297547600001014
在布里渊带的边界 k=(±π/a,±π/a)处出现临界增益损耗参数αc的最小值,超过这个参数,PT对称性就会被打 破;图10中给出了临界增益损耗参数与自旋波模式k之间的关系。中间圆圈表示可以此组波 矢下除了二阶奇异点,还会有三阶奇异点出现,这取决于增益损耗参数的取值;
本实施例中,发现此三层结构中也会有铁磁-反铁磁相变,考虑的三层铁磁模型中,我们 计算k=(±π/a,±π/a)时,不同层间交换常数λ对应的临界增益-损耗参数αc之间的关系,经 过计算得到此三层结构的相变的临界增益损耗参数表达式如下所示:
Figure BDA00024297547600001015
其中:
Figure BDA0002429754760000111
其中:
Figure BDA0002429754760000112
当去掉三层结构中的中间层,使第一层和第三层直接交换,构成具有PT对称性的两层 铁磁结构,它的FM-AFM相图为图11中的虚线所示;其临界增益损耗参数表达式为:
Figure BDA0002429754760000113
本实施例中,损耗层的损耗系数,是材料固有的性质,而增益层可以用自旋传递转矩、 参数驱动、铁磁铁电异质结构和磁系统与环境之间的相互作用这些方法来实现。

Claims (2)

1.一种提高磁力计敏感性的方法,其特征在于包括如下步骤:
第一步:
构建一个由三个单自旋构成的三层铁磁模型,第一层是增益层,第二层是中性层,第三层是损耗层,三层之间相互耦合,增益层和中性层、中性层和损耗层之间相互耦合,并且耦合系数相同;假设第一层和第三层取相同材料参数,增益层和损耗层有数量相等、符号相反的增益系数和损耗系数,即阻尼;中间中性层无阻尼,材料不与第一层和第三层材料相同,使此系统具有PT对称性,三层磁矩方向均与水平面平行;
第二步:
此模型是一个基本的纯磁性结构,其磁矩运动满足LLG方程;此模型中,考虑静磁场各向异性场和层间交换作用,假设磁矩方向为x方向,静磁场方向为x方向和各项异性方向为x轴;
第一层和第三层用相同的材料参数,除了吉尔伯特阻尼,两层阻尼取值数值相等,符号相反以保证系统具有PT对称性,求解得出了支持三阶奇异点的约束条件:
Figure FDA0002429754750000011
其中ωB1=γ(B+K1/M1+λμ0M2),ωB2=γ(B+K2/M2+2λμ0M1),ωλ1=γλμ0M1,ωλ2=γλμ0M2;其中,B是磁场沿x方向的静磁场,Mn是第n层磁矩的饱和磁化强度,Kn>0是第n层的各向异性常数,λ是层间交换常数,λ>0表示层间是铁磁耦合交换作用,μ0是真空磁导率,γ是旋磁比,α>0是阻尼;
根据此方程,带入上述两种材料的各向异性常数和饱和磁化强度,计算得到三阶奇异点需要的条件,通过调节层间交换作用λ,阻尼参数α,外场B等来得到三阶奇异点;计算发现调节层间交换作用λ,阻尼参数α,外场B也能得到二阶奇异点;
在奇异点附近的扰动,引起特征值的分裂,用来探测微扰,并且有较强灵敏性;
第三步:
根据上面求得的结果调整参数,使系统处在奇异点处,然后研究微扰对系统的影响,假设微扰为ε,该微扰相当于在系统上施加了外场Bε,ε=γBελ2;分别考虑微扰在增益层和整个结构中的结果;
一般微扰的量级在10-10到10-2,当参数取值在二阶奇异点时,在增益层施加微扰ε,微扰使得合并的频率发生分裂,引起特征值以1/2指数形式劈裂;当参数取值在三阶奇异点时,微扰使得合并的频率发生分裂,引起特征值以微扰的1/3指数形式劈裂;其中Ω1、Ω2和Ω3,此为从大到小排列的特征值;理论分析和数值计算表明,Ω2和Ω3的实部之间的频率差与ε1/3成正比,并且相较于Ω1-Ω2、Ω1-Ω3两组频率差,Ω23这组是最佳选择,因此在测量时系统的频率分裂成3个值,灵敏度通过监测Ω2和Ω3谱线的分离来评估,将遵循公式:
Figure FDA0002429754750000021
其中c=Re(c21-c31);
然后考虑微扰施加在整个结构的情况;因为磁场通常存在于整个空间内,会影响整个磁性系统;
考虑微扰施加在整个结构中,在二阶奇异点时,对于ε>0,频率的解包含一个实数根和一对共轭复根,即正向微扰使得系统二阶奇异点的实部合并没有发生劈裂,所以不存在频率差,因此没有消除二阶奇异点的简并性;对于ε<0,有三个实数根,即反向微扰系统发生劈裂,频率差与微扰的1/2次方成正比;在三阶奇异点时,正负方向微扰都会使特征值以1/3指数形式劈裂;
所以,通过测量三阶奇异点处的模型的特征频率的分裂值根据公式(2)来评估微扰的大小。
2.根据权利要求1所述的提高磁力计敏感性的方法,其特征在于还包括如下步骤:
第四步:
对于薄膜材料,考虑层内的交换作用,将单自旋模型扩展到铁磁三层模型,在上述模型中增加层内交换耦合作用;假设磁矩方向为x方向,静磁场方向和各项异性方向均为x方向,利用盛金公式来求解,得出了支持三阶奇异点的约束条件:
Figure FDA0002429754750000022
其中
Figure FDA0002429754750000023
Figure FDA0002429754750000024
ωλ1=γλμ0M1,ωλ2=γλμ0M2;Jn>0是第n层的铁磁交换耦合常数,kx,ky是x方向,y方向的波矢,B是磁场沿x方向的静磁场,Mn是第n层磁矩的饱和磁化强度,Kn>0是第n层的各向异性常数,λ是层间交换常数,λ>0表示层间是铁磁耦合交换作用,μ0是真空磁导率,γ是旋磁比,α>0;
从公式中可以看出,三阶奇异点的出现与
Figure FDA0002429754750000025
有关,当
Figure FDA0002429754750000026
确定时,获得一组参数kx,ky;特殊的是当kx=ky=0,
Figure FDA0002429754750000027
结果与单自旋模型相同;
布里渊光散射技术能激发单模自旋波,获得单模自旋波后,调节层间间距得到交换作用,用自旋转移力矩得到阻尼,调节外部磁场得到想要的外场B,这样来得到三阶奇异点,即用来探测微扰。
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