CN111554426B - 一种硬x射线和光电子屏蔽复合材料 - Google Patents

一种硬x射线和光电子屏蔽复合材料 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，包括X射线屏蔽层和光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层的双面或单面设置光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层采用高Z材料制成，所述光电子屏蔽层采用低Z材料制成。本发明采用高Z材料和低Z材料组成的层叠型功能复合材料，不仅能够有效屏蔽X射线，又能对光电子进行有效屏蔽，减少光电子对电子设备的影响，解决了现有硬X射线屏蔽的屏蔽性能较差的问题。

Description

一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料
技术领域
本发明涉及硬X射线屏蔽技术领域，具体涉及一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料。
背景技术
X射线辐射环境对电子器件和系统造成电离损伤，会造成电子线路功能失效而导致整个系统瘫痪。因此，需要X射线屏蔽材料对X射线进行屏蔽以降低电子器件和系统的电离损伤。
现有的X射线屏蔽材料主要采用高原子序数金属材料(高Z金属材料)，如采用铅、含钨材料等进行抗硬X射线屏蔽以降低在系统中器件上的电离总剂量。
但是现有X射线屏蔽材料在一定重量限制下屏蔽效率较差，同时X射线透过金属屏蔽材料时将产生大量光电子，在电子设备内部产生系统电磁脉冲(SGEMP)，仍可能导致电子系统工作失效或损坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，解决现有硬X射线屏蔽的屏蔽性能较差的问题。
本发明通过下述技术方案实现：
一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，包括X射线屏蔽层和光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层的双面或单面设置光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层采用高Z材料制成，所述光电子屏蔽层采用低Z材料制成。
本发明所述高Z材料为高原子序数材料，所述低Z材料为低原子序数材料，所述双面、单面具体是指与射线穿透方向垂直的面，其中，双面为2个对称面。
本发明所述X射线屏蔽层能够对X射线进行高效屏蔽，所述光电子屏蔽层能够对光电子进行有效屏蔽，因此，本发明采用X射线屏蔽层和光电子屏蔽层的层叠型功能复合材料，既能对X射线进行高效屏蔽，又能对光电子进行有效屏蔽，可应用于电子系统结构屏蔽、封装屏蔽等领域。
其中，本发明的X射线屏蔽层采用高Z材料制成、光电子屏蔽层采用低Z材料制成，其原理是利用X射线与物质作用时，光电吸收截面具有共振吸收特性，即在物质原子的K、L壳层的结合能量点处有较大的光电吸收截面，原子序数愈高的物质对X射线的吸收截面就相对越大，吸收作用就越强，而低原子序数材料有较强的电子阻止能力，且光电吸收截面小，产生光电子数量少。
综上，本发明采用高Z材料和低Z材料组成的层叠型功能复合材料，不仅能够有效屏蔽X射线，又能对光电子进行有效屏蔽，减少光电子对电子设备的影响，解决了现有硬X射线屏蔽的屏蔽性能较差的问题。
申请人利用蒙特卡罗方法研究了可伐、铝钨、铁合金、钽合金对X射线的屏蔽效果，结果表明在面密度相同条件下，对100KeV以下能量X射线，钽钨合金屏蔽X射线效果最好，面密度为0.5g/cm2的TaW屏蔽效能为86％，不同材料的屏蔽效能如图2所示。面密度为0.85g/cm2的TaW合金屏蔽效能为97％，对钨含量的增加屏蔽效果增加不明显，但会增加钽钨合金密度，当钨质量分数为10％～12％时，在密度增加不大情况下，屏蔽效果达到最佳，对40KeV能量X射线的屏蔽效能为99％，对60KeV能量X射线的屏蔽效能为94％。
理想的电子屏蔽材料应满足与光子作用截面小，电子射程小。对于低Z材料的设计选取氮化硼(B4C)、氮化硼(BN)、氧化铍(BeO)和氧化铝(Al2O3)的电子射程和光子反应截面进行了数值计算与分析，几种材料光子作用截面见图3所示；从图3可以看出氮化硼(B4C)的光子作用截面最小，所产生光电子最少，其次是氮化硼(BN)和氧化铍(BeO)；图4为几种低Z材料的电子射程，从图中可以看出B4C的射程最小，Al2O3最大，氮化硼(BN)和氧化铍(BeO)居于之间，因此B4C的电子阻止能力强，其次是氮化硼(BN)和氧化铍(BeO)，即便100keV的电子，4种材料对应的射程也不超过100μm。
进一步地，高Z材料为TaW合金，低Z材料为B4C。
申请人通过对多种高Z材料和低Z材料进行理论计算及试验验证，获得最优屏蔽效果材料组合为TaW合金和B4C，TaW合金和B4C的组合能够同时兼顾工程应用的热力学要求。
参考理论计算结果，设计了实验样件，并通过实验模拟，对样件的性能进行了实验测量和验证。实验样件高Z材料选面密度为0.85g/cm2的TaW合金、AlW、可伐、钨材料，低Z材料厚度分别为100μm、200μm、300μmB4C材料。图5为TaW合金和B4C复合材料截面形貌；在稳态X射线源上，测量不同能量X射线的透过率如图6所示，钽钨合金的屏蔽效能大于94％。在瞬态X射线源上对复合屏蔽材料进行了抑制光电子发射效率试验，测量结果为90％以上。
通过研究表明：以TaW合金材料和B4C设计的复合屏蔽材料对100KeV以下能量段X射线及次生光电子有很好的屏蔽作用。面密度为0.85g/cm2的TaW合金屏蔽效能为94％以上，100μm厚度的B4C材料对次生光电子发射数量屏蔽效果达到90％以上。该技术在有效降低电子器件、模块及系统受X射线电离辐射损伤的同时，对次生光电子进行有效屏蔽，进而大幅减小系统内SGEMP效应强度。
综上，TaW合金和B4C复合材料为最优组合。
进一步地，X射线屏蔽层的厚度为0.3mm～1mm，所述光电子屏蔽层的厚度为50μm～200μm。
X射线屏蔽层的厚度是材料面密度与体密度的比值，材料组分一定，其体密度就是定值，材料的屏蔽性能通常是在某一个相同面密度条件进行比较，即屏蔽相同面积增加的重量相同条件下比较屏蔽效能的大小。
以TaW12合金为例，W占12％，材料体密度是17g/cm3，面密度0.85g/cm2÷体密度17g/cm3＝厚度0.5mm；面密度0.51g/cm2÷体密度17g/cm3＝厚度0.3mm，厚度为0.3mm～0.5mm屏蔽效果在90％以上，再增加厚度屏蔽效果增长趋于平缓，实际应用需在屏蔽增重和屏蔽效果、实现工艺间综合考虑，从增材制造可实现工艺条件来看厚度太薄容易开裂变形。
在TaW基体上做B4C喷涂，理论上是越厚越好，实际实验结果是100μm屏蔽91％电子、200μm屏蔽率93％、300μm屏蔽率94％，厚度的增加屏蔽效果变化不大，但实际应用中厚度增加了一两倍，重量就增加了一两倍，实际应用中希望在较小的增重条件下达到更好屏蔽效果，即效费比高。另外从B4C与TaW基体的结合力实验看，B4C越薄结合力才越强，实验测试结果50μm厚度B4C与TaW结合力是35MPa，150μm厚度B4C与TaW结合力是18MPa。实际应用中结合力是需要考虑的问题。从图4可以看出，即便100keV的电子，4种材料对应的射程也不超过100μm，因此对于能量在100keV以下的电子，选取100μm屏蔽效果为90％满足需求和增重，50μm的厚度下限，满足70％以上屏蔽效果，同时喷涂工艺便于实现。
进一步地，TaW合金中W的质量分数为0％～12％，Ta的质量分数为88％～100％。
进一步地，TaW合金中W的质量分数为10％～12％，Ta的质量分数为88％～90％。
TaW合金W的质量分数为10％-12％，主要是在满足屏蔽效率的同时，需考虑材料力学性能，随着W比例的再增加，材料的力学性能会降低。
进一步地，TaW合金的热导率为47～52W/(m×K)，热膨胀系数为4～6×10-6/K，抗拉强度Rm大于800Mpa，屈服强度Rp0.2大于800Mpa，伸长率A大于8％。
进一步地，B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K(0～100℃)。
进一步地，TaW合金采用增材制造技术制备。
采用增材制造技术的效费比更高，例如：采用基于增材制造TaW合金比采用传统粉末冶金的TaW合金材料效费比更高，加工成本更低，效率更高，力学性能更好。
本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
1、本发明采用高Z材料和低Z材料组成的层叠型功能复合材料，不仅能够有效屏蔽X射线，又能对光电子进行有效屏蔽，减少光电子对电子设备的影响，解决了现有硬X射线屏蔽的屏蔽性能较差的问题。
2、本发明采用TaW合金和B4C复合材料，具有最好的屏蔽效果，且与AlW材料相比力学性能更优。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
图1为实施例1所述屏蔽复合材料的示意图；
图2为不同钽合金和铁合金质量分数屏蔽效能理论计算图；
图3为不同低Z材料的光子作用截面示意图；
图4为不同低Z材料的电子射程示意图；
图5实施例2所述屏蔽复合材料的截面形貌图；
图6为不同高Z材料的透过率测量结果图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
实施例1：
如图1所示，一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，包括X射线屏蔽层和光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层的单面设置光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层采用TaW合金制成，所述光电子屏蔽层采用B4C制成，所述TaW合金的厚度为0.3mm，所述B4C的厚度为50μm，其中，TaW合金W的质量分数为10％，Ta的质量分数为90％。
本实施例中，所述TaW合金的面密度为0.5061g/cm2，体密度为16.87g/cm3,热导率为47W/(m×K)，热膨胀系数为5×10-6/K，抗拉强度Rm 830MPa，屈服强度Rp0.2 840MPa，伸长率A为10％；所述B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K(0～100℃)
本实施例的屏蔽的效果：
0.3mmTaW10屏蔽能量为60KeV的X射线85％，屏蔽40KeV的X射线99％；50μmB4C屏蔽100KeV以下光电子70％。
实施例2：
本实施例基于实施例1，与实施例1的区别在于：
所述TaW合金的厚度为0.5mm，所述B4C的厚度为100μm。
本实施例中，所述TaW合金的面密度为0.8435g/cm2，体密度为16.87g/cm3，热导率为47W/(m×K)，热膨胀系数为5×10-6/K，抗拉强度Rm830MPa，屈服强度Rp0.2840MPa，伸长率A为10％；所述B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K(0～100℃)。
本实施例的屏蔽复合材料的截面形貌图如图5所示。
本实施例的屏蔽的效果：
0.5mmTaW10屏蔽能量为60KeV的X射线94％，屏蔽40KeV的X射线99％；100μmB4C屏蔽100KeV以下光电子91％。
实施例3：
本实施例基于实施例1，与实施例1的区别在于：
所述TaW合金的厚度为0.4mm，所述B4C的厚度为80μm。
本实施例中，所述TaW合金的面密度为0.6748g/cm2的，体密度为16.87g/cm3，热导率为47W/(m×K)，热膨胀系数为5×10-6/K，抗拉强度Rm830MPa，屈服强度Rp0.2840MPa，伸长率A为10％；所述B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K(0～100℃)
本实施例的屏蔽的效果：
0.4mmTaW10屏蔽能量为60KeV的X射线90％，屏蔽40KeV的X射线99％；80μmB4C屏蔽100KeV以下光电子85％。
实施例4：
本实施例基于实施例2，与实施例2的区别在于：
TaW合金W的质量分数为12％，Ta的质量分数为88％。
本实施例中，所述TaW合金的面密度为0.85g/cm2的，体密度为17g/cm3,热导率为52W/(m×K)，热膨胀系数为4×10-6/K，抗拉强度Rm 810MPa，屈服强度Rp0.2 820MPa，伸长率A为8％；所述B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K(0～100℃)
本实施例的屏蔽的效果：
0.5mmTaW12屏蔽能量为60KeV的X射线97％，屏蔽40KeV的X射线99％；100μmB4C屏蔽100KeV以下光电子91％。
实施例5：
本实施例基于实施例2，与实施例2的区别在于：
TaW合金W的质量分数为5％，Ta的质量分数为95％。
本实施例中，所述TaW合金的面密度为0.8355g/cm2，体密度为16.71g/cm3，热导率为47W/(m×K)，热膨胀系数为5.5×10-6/K，抗拉强度Rm835MPa，屈服强度Rp0.2848MPa，伸长率A为16％；所述B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K(0～100℃)。
本实施例的屏蔽的效果：
0.5mmTaW5屏蔽能量为60KeV的X射线93％，屏蔽40KeV的X射线99％；100μmB4C屏蔽100KeV以下光电子91％。
实施例6：
本实施例基于实施例2，与实施例2的区别在于：
TaW合金W的质量分数为1％，Ta的质量分数为99％。
本实施例中，所述TaW合金的面密度为0.8325g/cm2，体密度为16.65g/cm3，热导率为47W/(m×K)，热膨胀系数为6×10-6/K，抗拉强度Rm845MPa，屈服强度Rp0.2853MPa，伸长率A为20％；所述B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K(0～100℃)。
本实施例的屏蔽的效果：
0.5mmTaW1屏蔽能量为60KeV的X射线93％，屏蔽40KeV的X射线99％；100μmB4C屏蔽100KeV以下光电子91％。
实施例7：
本实施例基于实施例1，与实施例1的区别在于：
所述TaW合金的厚度为1mm，所述B4C的厚度为200μm。
本实施例中，所述TaW合金的面密度为1.687g/cm2，体密度为16.87g/cm3,热导率为47W/(m×K)，热膨胀系数为5×10-6/K，抗拉强度Rm 830MPa，屈服强度Rp0.2 840MPa，伸长率A为10％；所述B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K(0～100℃)
本实施例的屏蔽的效果：
1mmTaW10屏蔽能量为60KeV的X射线97％，屏蔽40KeV的X射线99％；200μmB4C屏蔽100KeV以下光电子93％。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，其特征在于，包括X射线屏蔽层和光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层的双面或单面设置光电子屏蔽层，所述X射线屏蔽层采用高Z材料制成，所述光电子屏蔽层采用低Z材料制成；所述高Z材料为TaW合金，低Z材料为B4C；所述TaW合金采用增材制造技术制备；所述TaW合金的热导率为47～52W/(m×K)，热膨胀系数为4～6×10-6/K，抗拉强度Rm大于800Mpa，屈服强度Rp0.2大于800Mpa，伸长率A大于8%。
2.根据权利要求1所述的一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，其特征在于，所述X射线屏蔽层的厚度为0.3mm～1mm，所述光电子屏蔽层的厚度为50μm～200μm。
3.根据权利要求2所述的一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，其特征在于，所述X射线屏蔽层的厚度为0.5mm，所述光电子屏蔽层的厚度为100μm。
4.根据权利要求1所述的一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，其特征在于，所述TaW合金中W的质量分数为0%～12％，Ta的质量分数为88%～100%。
5.根据权利要求4所述的一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，其特征在于，所述TaW合金中W的质量分数为10～12％，Ta的质量分数为88～90%。
6.根据权利要求1所述的一种硬X射线和光电子屏蔽复合材料，其特征在于，所述B4C的热导率为0.68～0.9W/(m×K)，热膨胀系数为3.56×10-6/K（0～100℃）。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113552402B (zh) * 2021-07-09 2022-12-23 清华大学 一种测量耦合电流的装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101253625A (zh) * 2005-06-14 2008-08-27 确比威华有限公司 横跨连接的芯片
JP2010001518A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 耐熱遮光フィルムの製造方法及び耐熱遮光フィルム
CN102490913A (zh) * 2011-11-15 2012-06-13 上海卫星工程研究所 一种抗总剂量屏蔽装置
CN113319292A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 中国工程物理研究院电子工程研究所 基于激光选区熔化成形的钽钨合金制备工艺及钽钨合金

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101253625A (zh) * 2005-06-14 2008-08-27 确比威华有限公司 横跨连接的芯片
JP2010001518A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 耐熱遮光フィルムの製造方法及び耐熱遮光フィルム
CN102490913A (zh) * 2011-11-15 2012-06-13 上海卫星工程研究所 一种抗总剂量屏蔽装置
CN113319292A (zh) * 2021-05-28 2021-08-31 中国工程物理研究院电子工程研究所 基于激光选区熔化成形的钽钨合金制备工艺及钽钨合金

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MC法模拟韧致辐射对屏蔽材料积累因子的影响;刘珉强等;《核电子学与探测技术》;20170531;全文 *
新型3D合金屏蔽效能的MCNP模拟;刘珉强等;《吉林大学学报（理学版）》;20200731;全文 *

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