CN111552122A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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CN111552122A CN202010427267.4A CN202010427267A CN111552122A CN 111552122 A CN111552122 A CN 111552122A CN 202010427267 A CN202010427267 A CN 202010427267A CN 111552122 A CN111552122 A CN 111552122A
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Abstract

本申请提供一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括衬底、多个像素电极、填充结构和配向层，像素电极设置在衬底上，每一像素电极均包括主干电极线和多个连接于主干电极线的分支电极线，分支电极线具有第一折射率；填充结构与像素电极同层设置，且设置在每一分支电极线的周侧，每一分支电极线的侧面贴合于填充结构；配向层设置在像素电极上，配向层具有第二折射率，第二折射率小于第一折射率；其中，填充结构的折射率介于第一折射率和第二折射率之间。本申请降低了暗态时的漏光强度，提高了显示面板的显示质量。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
液晶显示器件以其轻薄小巧和低能耗等优点，被广泛的应用于各种电子产品中。对比度为衡量液晶显示器显示质量的重要参数，对比度越高，黑色画面越纯粹，显示效果越好，目前通常采用降低暗态亮度的方式来提高显示图像的对比度。
在液晶显示面板中，通常通过多畴结构设计改善液晶面板的视野角，多畴结构设计是通过在阵列基板的像素电极上形成周期性的电极图案，以实现不同区域液晶转动方向的不同。然而，由于图案化的像素电极坡度角较大，且像素电极与附着在其上的配向膜的折射率不同，导致从像素电极侧面出射的线偏振光发生强烈的散射，面板在暗态时发生漏光现象，进而使得面板显示时的图像对比度下降，显示质量大大降低。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板，以解决因线偏振光散射而导致的暗态漏光问题。
本申请提供一种阵列基板，其包括：
衬底；
多个像素电极，所述像素电极设置在所述衬底上，每一所述像素电极均包括主干电极线和多个连接于所述主干电极线的分支电极线，所述分支电极线具有第一折射率；
填充结构，所述填充结构与所述像素电极同层设置，且设置在每一所述分支电极线的周侧，每一所述分支电极线的侧面贴合于所述填充结构；以及
配向层，所述配向层设置在所述像素电极上，所述配向层具有第二折射率，所述第二折射率小于所述第一折射率；
其中，所述填充结构的折射率介于所述第一折射率和所述第二折射率之间。
在本申请所述的阵列基板中，所述填充结构的厚度与所述分支电极线的厚度相同。
在本申请所述的阵列基板中，所述填充结构为一层填充层，所述填充层具有第三折射率，所述第三折射率介于所述第一折射率和所述第二折射率之间。
在本申请所述的阵列基板中，所述填充结构包括依次设置的至少两层填充层；
自所述衬底至所述配向层所在的方向，至少两层所述填充层之间的折射率递减。
在本申请所述的阵列基板中，所述填充层为三层，相邻所述填充层之间的折射率之差相同。
在本申请所述的阵列基板中，每一所述填充层的厚度相同。
在本申请所述的阵列基板中，所述填充结构的材料为透明绝缘材料。
在本申请所述的阵列基板中，所述分支电极线为条状。
在本申请所述的阵列基板中，所述分支电极线的延伸方向与所述主干电极线延伸方向的夹角为45度。
本申请还提供一种显示面板，其包括上述的阵列基板。
相较于现有技术中的阵列基板，本申请提供的阵列基板通过在每一分支电极线的周侧设置填充结构，且分支电极线的侧面贴合于填充结构，并使该填充结构的折射率介于分支电极线的折射率和配向层的折射率之间，进而延缓了分支电极线到配向层之间的折射率差异，减缓了线偏振光透过分支电极线后偏振态的改变幅度，降低了线偏振光从分支电极线侧面入射至配向层之后的散射程度，降低了暗态时的漏光强度，从而提高了面板显示时的图像对比度，提高了显示面板的显示质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请第一实施例提供的阵列基板的平面结构示意图；
图2是本申请第一实施例提供的阵列基板中像素电极的平面结构示意图；
图3是本申请第一实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图；
图4是本申请第二实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
可以理解的是，本申请中的阵列基板包括多个阵列排布的子像素，每一子像素均包括一像素电极，本申请附图中像素电极的结构仅为示意，用以方便描述本申请以下各实施例，但不能理解为对本申请的限制。
需要说明的是，本申请中的像素电极可以为两畴、四畴或八畴的像素电极结构，本申请以下各实施例仅以四畴的像素电极结构为例进行说明，但并不限于此。
请参阅图1至图3。本申请第一实施例提供的阵列基板100包括衬底10、多个像素电极11、填充结构12和配向层13。像素电极11设置在衬底10上。每一像素电极11均包括主干电极线111和多个连接于主干电极线111的分支电极线112。分支电极线112具有第一折射率。填充结构12与像素电极11同层设置，且设置在每一分支电极线112的周侧。每一分支电极线112的侧面贴合于填充结构12。配向层13设置在像素电极11上。配向层13具有第二折射率。第二折射率小于第一折射率。其中，填充结构12的折射率介于第一折射率和第二折射率之间。
由此，本申请第一实施例提供的阵列基板100通过在每一分支电极线112的周侧设置填充结构12，且分支电极线112的侧面贴合于填充结构12，并使该填充结构12的折射率介于分支电极线112的折射率和配向层13的折射率之间，进而延缓了分支电极线112到配向层13之间的折射率差异。具体的，本申请第一实施例通过降低与分支电极线112的侧面贴合的填充结构12的折射率，进而降低了该侧面和填充结构12的界面的折射程度，也即，降低了线偏振光经过该界面时的折射幅度，从而减缓了线偏振光透过分支电极线112后偏振态的改变幅度，降低了线偏振光从分支电极线112侧面入射至配向层13之后的散射程度，降低了暗态时的漏光强度，从而提高了面板显示时的图像对比度，提高了显示面板的显示质量。
具体的，衬底10可以是基板，如玻璃基板、塑料基板或可挠式基板，也可以是由基板、薄膜晶体管、扫描线、数据线和绝缘层等组成的器件板。
在本申请第一实施例中，填充结构12的材料为透明绝缘材料。
具体的，该透明绝缘材料可以氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料，并通过化学气相沉积工艺制备得到。另外，该透明绝缘材料也可以为一些有机绝缘材料，并通过喷涂工艺制备得到。填充结构12的具体材料可以根据实际工艺条件进行选择，只要填充结构12的折射率介于第一折射率和第二折射率之间，均在本申请的保护范围内。
需要说明的是，本申请中像素电极11的材料可以为氧化铟锡或其他透明导电材料，配向层13的材料可以为聚酰亚胺或其他等有机材料，本申请第一实施例仅以像素电极11的材料为氧化铟锡、配向层13的材料为聚酰亚胺为例进行说明，但并不限于此。
在本申请第一实施例中，填充结构12的厚度与分支电极线112的厚度相同。该设置使分支电极线112的整个侧面均贴合于填充结构12，进而可以最大程度降低线偏振光从分支电极线112侧面入射至配向层13之后的散射程度，进一步降低暗态时的漏光强度。
在一些实施例中，填充结构12的厚度与分支电极线112的厚度也可以设置为不同，填充结构12的具体厚度可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
在本申请第一实施例中，填充结构12为一层填充层121。填充层121具有第三折射率。第三折射率介于第一折射率和第二折射率之间。填充层121的设置延缓了分支电极线112到配向层13之间的折射率差异，从而可以降低线偏振光从分支电极线112侧面入射至配向层13之后的散射程度。
具体的，像素电极11的材料为氧化铟锡、配向层13的材料为聚酰亚胺时，第一折射率为1.85，第二折射率为1.6，第三折射率可以为1.8、1.75、1.7或1.65等。第三折射率的具体大小可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
在模拟研究实验中发现，当第三折射率为第一折射率和第二折射率之间的中间值，即第三折射率为1.725时，填充层121的折射率分别与分支电极线112和配向层13的折射率之差相同，面板整体膜层的漏光强度得到明显降低，进而大大改善了面板的暗态漏光问题，显著提高了面板显示时的图像对比度。
在本申请第一实施例中，分支电极线112为条状。另外，分支电极线112的具体形状也可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
在本申请第一实施例中，分支电极线112的延伸方向与主干电极线111延伸方向的夹角为45°。在一些实施例中，分支电极线112的延伸方向与主干电极线111延伸方向的夹角还可以为30度、60度或其他角度，具体角度可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
本申请第一实施例提供的阵列基板100通过在每一分支电极线112的周侧设置一层填充层121，且分支电极线112的侧面贴合于填充层121，填充层121的折射率介于分支电极线112的折射率和配向层13的折射率之间，进而延缓了分支电极线112到配向层13之间的折射率差异，从而减缓了线偏振光透过分支电极线112后偏振态的改变幅度，降低了线偏振光从分支电极线112侧面入射至配向层13之后的散射程度，降低了暗态时的漏光强度，从而提高了面板显示时的图像对比度，提高了显示面板的显示质量。
请参阅图4，图4为本申请第二实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图。本申请第二实施例与第一实施例的不同之处在于：填充结构12包括依次设置的至少两层填充层121。自衬底10至配向层13所在的方向，至少两层填充层121之间的折射率递减。
本申请第二实施例通过设置不同填充层121，并使不同填充层121之间的折射率自衬底10至配向层13所在的方向递减，从而进一步延缓了分支电极线112到配向层13之间的折射率差异。具体的，通过设置折射率递减的不同填充层121，进一步降低了线偏振光经过分支电极线112侧面和填充层121的界面时的折射幅度，从而进一步减缓了线偏振光透过分支电极线112后偏振态的改变幅度，降低线偏振光从分支电极线112侧面入射至配向层13之后的散射程度，进一步降低了暗态时的漏光强度。
在本申请第二实施例中，填充层121为三层。相邻填充层121之间的折射率之差相同。具体的，自衬底10至配向层13所在的方向，该三层填充层121的折射率可以分别为1.75、1.7和1.65，也可以为其他数值，具体的折射率大小可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
上述设置通过使填充结构12中相邻填充层121之间的折射率之差相同，当线偏振光透过分支电极线112的侧面，并经由填充结构12入射至配向层13时，线偏振光的偏振态的改变幅度得到明显减缓，由此大幅度降低了面板整体膜层的漏光强度，从而进一步降低了暗态漏光现象的发生几率，进一步提高了面板显示时的图像对比度，提高了显示面板的显示质量。
在一些实施例中，相邻填充层121之间的折射率差异也可以设置为不同，如自衬底10至配向层13所在的方向，该三层填充层121的折射率可以分别为1.8、1.7和1.75，具体折射率大小可以根据实际情况进行设定，在此不再赘述。
在模拟研究中发现，填充层121的层数越多，分支电极线112到配向层13之间的折射率差异越小，暗态时漏光强度的降低效果越好。例如，当填充层121设置为四层或五层时，漏光强度明显进一步降低，面板对比度得到进一步的提升。需要说明的是，填充层121的具体层数可以根据实际情况进行设定，本申请对此不作限定。
进一步的，在本申请第二实施例中。每一填充层121的厚度相同。该设置可以进一步延缓分支电极线112到配向层13之间的折射率差异，从而进一步降低暗态时的漏光强度。
本申请第二实施例提供的阵列基板100通过在每一分支电极线112的周侧设置填充结构12，填充结构12包括三层填充层121，三层填充层121的折射率均介于分支电极线112的折射率和配向层13的折射率之间，且相邻填充层121之间的折射率之差相同，从而进一步延缓了分支电极线112到配向层13之间的折射率差异，减缓了线偏振光透过分支电极线112后偏振态的改变幅度，降低了线偏振光从分支电极线112侧面入射至配向层13之后的散射程度，进一步降低了暗态时的漏光强度，大大提高了面板显示时的图像对比度，提高了显示面板的显示质量。
本申请还提供一种显示面板，该显示面板包括阵列基板100，该阵列基板100为本申请上述实施例中的阵列基板100。其中，阵列基板100的具体结构可参见前述实施例的描述，在此不再赘述。
相较于现有技术中的阵列基板，本申请提供的阵列基板通过在每一分支电极线的周侧设置填充结构，且分支电极线的侧面贴合于填充结构，并使该填充结构的折射率介于分支电极线的折射率和配向层的折射率之间，进而延缓了分支电极线到配向层之间的折射率差异，减缓了线偏振光透过分支电极线后偏振态的改变幅度，降低了线偏振光从分支电极线侧面入射至配向层之后的散射程度，降低了暗态时的漏光强度，从而提高了面板显示时的图像对比度，提高了显示面板的显示质量。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
多个像素电极，所述像素电极设置在所述衬底上，每一所述像素电极均包括主干电极线和多个连接于所述主干电极线的分支电极线，所述分支电极线具有第一折射率；
填充结构，所述填充结构与所述像素电极同层设置，且设置在每一所述分支电极线的周侧，每一所述分支电极线的侧面贴合于所述填充结构；以及
配向层，所述配向层设置在所述像素电极上，所述配向层具有第二折射率，所述第二折射率小于所述第一折射率；
其中，所述填充结构的折射率介于所述第一折射率和所述第二折射率之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述填充结构的厚度与所述分支电极线的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述填充结构为一层填充层，所述填充层具有第三折射率，所述第三折射率介于所述第一折射率和所述第二折射率之间。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述填充结构包括依次设置的至少两层填充层；
自所述衬底至所述配向层所在的方向，至少两层所述填充层之间的折射率递减。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述填充层为三层，相邻所述填充层之间的折射率之差相同。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，每一所述填充层的厚度相同。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述填充结构的材料为透明绝缘材料。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述分支电极线为条状。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述分支电极线的延伸方向与所述主干电极线延伸方向的夹角为45度。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
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