CN111540659A - 一种4GHz高功率微波器件 - Google Patents

一种4GHz高功率微波器件 Download PDF

Info

Publication number
CN111540659A
CN111540659A CN202010255035.5A CN202010255035A CN111540659A CN 111540659 A CN111540659 A CN 111540659A CN 202010255035 A CN202010255035 A CN 202010255035A CN 111540659 A CN111540659 A CN 111540659A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cavity
microwave device
4ghz
outer diameter
high power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010255035.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111540659B (zh
Inventor
丁恩燕
张运俭
金晖
向飞
康强
谭杰
胡进光
王冬
杨周炳
陆巍
张北镇
安海狮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Applied Electronics of CAEP
Original Assignee
Institute of Applied Electronics of CAEP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Applied Electronics of CAEP filed Critical Institute of Applied Electronics of CAEP
Priority to CN202010255035.5A priority Critical patent/CN111540659B/zh
Publication of CN111540659A publication Critical patent/CN111540659A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111540659B publication Critical patent/CN111540659B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/24Slow-wave structures, e.g. delay systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/02Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J23/04Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J25/00Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J25/34Travelling-wave tubes; Tubes in which a travelling wave is simulated at spaced gaps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2223/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J2225/00
    • H01J2223/02Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J2223/04Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2223/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J2225/00
    • H01J2223/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J2223/24Slow-wave structures, e.g. delay systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2225/00Transit-time tubes, e.g. Klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J2225/34Travelling-wave tubes; Tubes in which a travelling wave is simulated at spaced gaps

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明公开了一种4GHz高功率微波器件,具有同轴内导体的四腔微波器件的轴向总长度与辐射微波波长的比值为1.6;所述四腔微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体;所述第一腔体外直径为120mm,轴向长度为15mm;第二腔体外直径为100mm,轴向长度为15mm;第三腔体外直径为110mm,轴向长度为15mm;第四腔体外直径为110mm,轴向长度为15mm;第一腔体与第二腔体之间间隔为15mm;第二腔体与第三腔体之间间隔为35mm;第三腔体与第四腔体之间间隔为10mm;所述内导体直径为30mm。采用本发明的一种4GHz高功率微波器件其轴向结构尺寸极大简洁,具有小型化,轻量化的优点。

Description

一种4GHz高功率微波器件
技术领域
本发明涉及一种4GHz高功率微波器件,属于高功率微波器件技术领域。
背景技术
高功率微波一般是指峰值功率在100MW以上、工作频率为1~300GHz范围内的电磁波。随着高功率微波研究发展,对高功率微波源的系统总效率提出了越来越高的要求。
轴向O型高功率微波器件由于结构带来的电子束易引导及结构的多变组合,使得其一种应用比较广泛的高功率微波器件。目前轴向O型高功率微波器件辐射产生一般需要较长的慢波结构,来达到电子束与微波相速的同步。在现有高功率微波源中,高阻抗器件的束波转换效率较高,但一般需要较强的引导磁场,特别是当微波源运行在重复频率状态时,需要一个体积庞大的、高耗能的螺线管磁体系统。如果器件轴向尺寸尽量缩短,则可以数倍降低磁体系统体积、重量,并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。因此,如何设计出紧凑型高功率微波源,一直是人们追求的目标之一。
发明内容
本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种4GHz高功率微波器件,本发明其轴向结构尺寸极大简洁,具有小型化,轻量化的优点。
本发明采用的技术方案如下:
一种4GHz高功率微波器件,具有同轴内导体的四腔微波器件的轴向总长度与辐射微波波长的比值为1.6;
所述四腔微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体;
所述第一腔体外直径为120mm,轴向长度为15mm;第二腔体外直径为100mm,轴向长度为15mm;第三腔体外直径为110mm,轴向长度为15mm;第四腔体外直径为110mm,轴向长度为15mm;第一腔体与第二腔体之间间隔为15mm;第二腔体与第三腔体之间间隔为35mm;第三腔体与第四腔体之间间隔为10mm;
所述内导体直径为30mm。
在本发明中,圆波导外筒两端封闭,内部抽真空到毫帕量级,圆波导外筒内一端设置发射环形电子束的阴极。
作为优选,电压380kV,电流6kA,内直径为60mm,外直径为70mm的环形电子束在0.63T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,辐射产生4GHz的高功率微波。
作为优选,所述第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体的剖面呈矩形。
作为优选,所述微波器件包括圆波导外筒,设置于圆波导外筒内与其同轴的内导体,内导体与圆波导外筒之间形成真空的电子束传输通道,在电子束传输通道中传输的环形电子束。
作为优选,所述微波器件内部为毫帕量级的真空状态。
作为优选,所述圆波导外筒的材质为无磁不锈钢。
本发明的一种4GHz高功率微波器件,采用一种轴向紧凑型的慢波结构产生4GHz高功率微波,具有结构简单,轴向及径向尺寸非常紧凑,轴向总长度与辐射波长的比值为仅1.6,,与同频段器件相比,其结构尺寸极大简洁,具有小型化,轻量化的优点,并可大幅度降低磁场对电源的能量需求的能量。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
1、大幅度降低高功率微波源系统体积、重量;
2、可大幅度降低磁场对电源的能量需求。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明,其中:
图1是一种4GHz高功率微波器件的结构示意图。
图中标记:1-圆波导外筒、2-内导体、3-电子束传输通道、4-环形电子束、51-第一腔体、52-第二腔体、53-第三腔体、54-第四腔体。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。
本说明书中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
实施例1
如图1所示,本实施例的一种4GHz高功率微波器件,包括圆波导外筒,设置于圆波导外筒内与其同轴的内导体,内导体与圆波导外筒之间形成真空的电子束传输通道,在电子束传输通道中传输的环形电子束;微波器件轴向总长度为辐射微波波长的比值为1.6;
所述微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体;
所述第一腔体外直径为120mm,轴向长度为15mm;第二腔体外直径为100mm,轴向长度为15mm;第三腔体外直径为110mm,轴向长度为15mm;第四腔体外直径为110mm,轴向长度为15mm;第一腔体与第二腔体之间间隔为15mm;第二腔体与第三腔体之间间隔为35mm;第三腔体与第四腔体之间间隔为10mm;
所述内导体直径为30mm。
在实施例中,圆波导外筒两端封闭,内部抽真空到毫帕量级,圆波导外筒内一端设置发射环形电子束的阴极。
作为优选,电压380kV,电流6kA,内直径为60mm,外直径为70mm的环形电子束在0.63T的轴向引导磁场引导下在微波器件内传输,辐射产生4GHz的高功率微波。
作为优选,所述第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体的剖面呈矩形。
作为优选,所述第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体,均与微波器件同轴。
作为优选,所述圆波导外筒的材质为无磁不锈钢。
在实施例中,用真空获得装置将微波器件内真空度处理到毫帕量级。阴阳极之间施加高电压380kV,阴极发射产生内外直径分别为60mm,70mm,束流强度为6kA的环形电子束。环形电子束在0.63T轴向磁场引导下传输进入器件,电子束将能量转交给微波场,一个脉冲时间内可产生频率为4GHz的高功率微波。
综上所述,采用本发明的一种4GHz高功率微波器件,大幅度降低高功率微波源系统体积、重量;可大幅度降低磁场对电源的能量需求。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。

Claims (6)

1.一种4GHz高功率微波器件,其特征在于:具有同轴内导体的四腔微波器件的轴向总长度与辐射微波波长的比值为1.6;
所述四腔微波器件内沿电子束传输方向依次设置环形内直径均为76mm的第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体;
所述第一腔体外直径为120mm,轴向长度为15mm;第二腔体外直径为100mm,轴向长度为15mm;第三腔体外直径为110mm,轴向长度为15mm;
第四腔体外直径为110mm,轴向长度为15mm;第一腔体与第二腔体之间间隔为15mm;第二腔体与第三腔体之间间隔为35mm;第三腔体与第四腔体之间间隔为10mm;
所述内导体直径为30mm。
2.如权利要求1所述的4GHz高功率微波器件,其特征在于:电压380kV,电流6kA,内直径为60mm,外直径为70mm的环形电子束在0.63T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,辐射产生4GHz的高功率微波。
3.如权利要求1所述的4GHz高功率微波器件,其特征在于:所述第一腔体、第二腔体、第三腔体和第四腔体的剖面呈矩形。
4.如权利要求1所述的4GHz高功率微波器件,其特征在于:所述微波器件包括圆波导外筒,设置于圆波导外筒内与其同轴的内导体,内导体与圆波导外筒之间形成真空的电子束传输通道,在电子束传输通道中传输的环形电子束。
5.如权利要求1所述的4GHz高功率微波器件,其特征在于:所述微波器件内部为毫帕量级的真空状态。
6.如权利要求1所述的4GHz高功率微波器件,其特征在于:所述圆波导外筒的材质为无磁不锈钢。
CN202010255035.5A 2020-04-02 2020-04-02 一种4GHz高功率微波器件 Active CN111540659B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010255035.5A CN111540659B (zh) 2020-04-02 2020-04-02 一种4GHz高功率微波器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010255035.5A CN111540659B (zh) 2020-04-02 2020-04-02 一种4GHz高功率微波器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111540659A true CN111540659A (zh) 2020-08-14
CN111540659B CN111540659B (zh) 2022-03-29

Family

ID=71970128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010255035.5A Active CN111540659B (zh) 2020-04-02 2020-04-02 一种4GHz高功率微波器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111540659B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106098510A (zh) * 2016-07-04 2016-11-09 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种重频低磁场轴向c波段高功率微波器件
CN109616393A (zh) * 2018-12-10 2019-04-12 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
CN110718426A (zh) * 2019-09-27 2020-01-21 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种高频高功率微波器件
CN110718431A (zh) * 2019-09-27 2020-01-21 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段三腔高功率微波器件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106098510A (zh) * 2016-07-04 2016-11-09 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种重频低磁场轴向c波段高功率微波器件
CN109616393A (zh) * 2018-12-10 2019-04-12 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
CN110718426A (zh) * 2019-09-27 2020-01-21 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种高频高功率微波器件
CN110718431A (zh) * 2019-09-27 2020-01-21 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段三腔高功率微波器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
白现臣等: "大间隙C波段三轴速调管束流调制模拟研究", 《强激光与粒子束》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN111540659B (zh) 2022-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109616393B (zh) 一种l波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
CN108470667B (zh) 轻小型永磁封装Ku波段同轴渡越器件
CN109524283B (zh) 一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
CN105161390B (zh) 新型超常材料高功率微波源
CN110718429B (zh) 一种双频三腔高功率微波器件
CN105869970A (zh) 一种跨波段双频相对论返波振荡器
CN111584330B (zh) 一种频率在c、x波段转换的切伦科夫微波发生器
CN110718431B (zh) 一种l波段三腔高功率微波器件
CN111540659B (zh) 一种4GHz高功率微波器件
CN110718426B (zh) 一种高频高功率微波器件
CN115332028B (zh) 一种同轴耦合输出的太赫兹多波切伦科夫发生器
CN110718425B (zh) 一种同轴高频高功率微波器件
CN109585242B (zh) 一种双频高功率微波产生器
CN116365339B (zh) 一种x波段宽带高功率微波放大器
CN111540657B (zh) 一种8GHz高功率微波器件
CN108831815B (zh) 一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件
CN110718430B (zh) 一种s波段三腔高功率微波器件
CN111540660B (zh) 一种c,x波段双频紧凑型高功率微波器件
CN109616394B (zh) 一种s波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
CN108807112B (zh) 一种同轴双电介质叉指排列高功率微波器件
CN111540658B (zh) 一种c,x波段双频可控紧凑型高功率微波器件
CN111540656B (zh) 一种s,c波段双频可控高功率微波器件
CN115241719A (zh) 一种基于磁场调谐的跨四波段相对论切伦科夫振荡器
CN110718427B (zh) 一种同轴高功率微波器件
CN108807111B (zh) 一种无磁场电子束自激辐射高功率微波器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant