CN110718431A - 一种l波段三腔高功率微波器件 - Google Patents

一种l波段三腔高功率微波器件 Download PDF

Info

Publication number
CN110718431A
CN110718431A CN201910924667.3A CN201910924667A CN110718431A CN 110718431 A CN110718431 A CN 110718431A CN 201910924667 A CN201910924667 A CN 201910924667A CN 110718431 A CN110718431 A CN 110718431A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cavity
circular waveguide
microwave device
cathode
waveguide sleeve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910924667.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110718431B (zh
Inventor
丁恩燕
张运俭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Applied Electronics of CAEP
Original Assignee
Institute of Applied Electronics of CAEP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Applied Electronics of CAEP filed Critical Institute of Applied Electronics of CAEP
Priority to CN201910924667.3A priority Critical patent/CN110718431B/zh
Publication of CN110718431A publication Critical patent/CN110718431A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110718431B publication Critical patent/CN110718431B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/36Coupling devices having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube, for introducing or removing wave energy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/24Slow-wave structures, e.g. delay systems

Landscapes

  • Microwave Tubes (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明公开了一种L波段三腔高功率微波器件,包括圆波导套筒及与圆波导套筒同轴的内导体;圆波导套筒内一端设置与圆波导套筒同轴的阴极,阴极的开口为环形,阴极的内直径为60mm,外直径为69mm;圆波导套筒沿电子束传输方向依次设置同内直径的反射腔、谐振腔和提取腔,反射腔、谐振腔和提取腔为设置在圆波导套筒上的环形槽;微波器件轴向长度为130mm,最大直径为150mm,内导体直径为40mm;在400KV电压下阴极发射束流强度为7.0kA,内直径60mm,外直径69mm的环形电子束,环形电子束在0.4T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,一个脉冲时间内辐射产生频率为1.92GHz的L波段高功率微波。采用本发明的一种L波段三腔高功率微波器件,具有小型化,重量轻,易调节的优点。

Description

一种L波段三腔高功率微波器件
技术领域
本发明涉及一种L波段三腔高功率微波器件,属于高功率微波器件技术领域。
背景技术
高功率微波一般是指峰值功率在100MW以上、工作频率为1~300GHz范围内的电磁波。随着高功率微波研究发展,对高功率微波源的系统总效率提出了越来越高的要求。
轴向O型高功率微波器件由于结构带来的电子束易引导及结构的多变组合,使得其一种应用比较广泛的高功率微波器件。目前轴向O型高功率微波器件辐射产生一般需要较长的慢波结构,来达到电子束与微波相速的同步。在现有高功率微波源中,高阻抗器件的束波转换效率较高,但一般需要较强的引导磁场,特别是当微波源运行在重复频率状态时,需要一个体积庞大的、高耗能的螺线管磁体系统。如果器件轴向尺寸尽量缩短,则可以数倍降低磁体系统体积、重量,并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。因此,如何设计出紧凑型高功率微波源,一直是人们追求的目标之一。
发明内容
本发明的发明目的在于:针对上述存在的问题,提供一种L波段三腔高功率微波器件,本发明具有小型化,重量轻,易调节的优点。
本发明采用的技术方案如下:
一种L波段三腔高功率微波器件,包括圆波导套筒及与圆波导套筒同轴的内导体;
圆波导套筒内一端设置与圆波导套筒同轴的阴极,所述阴极的开口为环形,阴极的内直径为60mm,外直径为69mm;
所述圆波导套筒沿电子束传输方向依次设置同内直径的反射腔、谐振腔和提取腔,所述反射腔、谐振腔和提取腔为设置在圆波导套筒上的环形槽;
所述微波器件轴向长度为130mm,最大直径为150mm,所述内导体直径为40mm;
在400KV电压下阴极发射束流强度为7.0kA,内直径60mm,外直径69mm的环形电子束,环形电子束在0.4T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,一个脉冲时间内辐射产生频率为1.92GHz的L波段高功率微波。
在上述方案中,圆波导套筒两端封闭,内部抽真空到毫帕量级,内导体与圆波导套筒相对阴极的另一端相连,环形电子束在微波器件内传输;其中,反射腔能将电子束传输过程中的反向能量进行阻截,提高进入束波转换区的电子束能量;谐振腔会使相位一致的电子束与微波在这一部位发生能量转换;提取腔能将微波与电子束分离。
作为优选,所述反射腔、谐振腔和提取腔为与圆波导套筒同轴且截面呈矩形的环形槽。
作为优选,所述反射腔的外直径为150mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm;谐振腔的外直径为130mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm;提取腔的外直径为150mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm。
作为优选,所述反射腔与谐振腔的轴向间距为10mm;谐振腔与提取腔的轴向间距为30mm。
作为优选,所述微波器件的最大直径与反射腔、谐振腔和提取腔中的最大外直径一致。
上述方案中,反射腔、谐振腔和提取腔的外直径是指腔体槽底圆的直径;反射腔、谐振腔和提取腔的内直径是指腔体开口处圆的直径。
本发明的一种L波段三腔高功率微波器件,采用一种轴向紧凑型的慢波结构产生L波段高功率微波,L波段高功率微波器件结构简单,轴向及径向尺寸非常紧凑,与同频段器件相比,其结构尺寸简洁,具有小型化,重量轻,易调节的优点;能大幅度降低高功率微波源系统体积、重量,并可大幅度降低磁场对电源的能量需求;是一种小型化的L波段高功率微波器件。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:结构简单,尺寸紧凑,具有小型化,重量轻,易调节的优点;能大幅度降低高功率微波源系统体积、重量,并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明,其中:
图1是L波段三腔高功率微波器件剖面结构示意图。
图中标记:1-反射腔、2-谐振腔、3-提取腔、4-外套筒、5-内导体、6-阴极、7-环形电子束。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征,或公开的所有方法或过程中的步骤,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。
本说明书中公开的任一特征,除非特别叙述,均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即,除非特别叙述,每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
如图1所示,本实施例的一种L波段三腔高功率微波器件,包括圆波导套筒及与圆波导套筒同轴的内导体,圆波导套筒两端封闭,内部抽真空到毫帕量级,圆波导套筒内一端设置与圆波导套筒同轴的阴极,阴极的开口为环形,阴极的内直径为60mm,外直径为69mm;内导体与圆波导套筒相对阴极的另一端连接;微波器件最大直径为151mm,内导体直径为40mm。
圆波导套筒沿电子束传输方向依次设置与圆波导套筒同轴的反射腔、谐振腔和提取腔,反射腔、谐振腔和提取腔为设置在圆波导套筒上截面呈矩形的环形槽;反射腔的外直径为150mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm;谐振腔的外直径为130mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm;提取腔的外直径为150mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm;反射腔与谐振腔的轴向间距为10mm,谐振腔与提取腔的轴向间距为30mm。
阴阳极之间施加电压400kV,阴极发射产生内直径为60mm,外直径为69mm,束流强度为7.0kA的环形电子束,环形电子束在0.4T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,环形电子束将能量转交给微波场,一个电压脉冲时间内产生频率为1.92GHz的L波段高功率微波。
综上所述,采用本发明的一种L波段三腔高功率微波器件,结构简单,尺寸紧凑,具有小型化,重量轻,易调节的优点;能大幅度降低高功率微波源系统体积、重量,并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合,以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。

Claims (4)

1.一种L波段三腔高功率微波器件,其特征在于:包括圆波导套筒及与圆波导套筒同轴的内导体;
所述圆波导套筒内一端设置与圆波导套筒同轴的阴极,所述阴极的开口为环形,阴极的内直径为60mm,外直径为69mm;
所述圆波导套筒沿电子束传输方向依次设置同内直径的反射腔、谐振腔和提取腔,所述反射腔、谐振腔和提取腔为设置在圆波导套筒上的环形槽;
所述微波器件轴向长度为130mm,最大直径为150mm,所述内导体直径为40mm;
在400KV电压下阴极发射束流强度为7.0kA,内直径60mm,外直径69mm的环形电子束,环形电子束在0.4T的轴向磁场引导下在微波器件内传输,一个脉冲时间内辐射产生频率为1.92GHz的L波段高功率微波。
2.如权利要求1所述的L波段三腔高功率微波器件,其特征在于:所述反射腔、谐振腔和提取腔为与圆波导套筒同轴且截面呈矩形的环形槽。
3.如权利要求1所述的L波段三腔高功率微波器件,其特征在于:所述反射腔的外直径为150mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm;谐振腔的外直径为130mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm;提取腔的外直径为150mm,内直径为88mm,轴向长度为30mm。
4.如权利要求1所述的L波段三腔高功率微波器件,其特征在于:所述反射腔与谐振腔的轴向间距为10mm;谐振腔与提取腔的轴向间距为30mm。
CN201910924667.3A 2019-09-27 2019-09-27 一种l波段三腔高功率微波器件 Active CN110718431B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910924667.3A CN110718431B (zh) 2019-09-27 2019-09-27 一种l波段三腔高功率微波器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910924667.3A CN110718431B (zh) 2019-09-27 2019-09-27 一种l波段三腔高功率微波器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110718431A true CN110718431A (zh) 2020-01-21
CN110718431B CN110718431B (zh) 2021-11-02

Family

ID=69212007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910924667.3A Active CN110718431B (zh) 2019-09-27 2019-09-27 一种l波段三腔高功率微波器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110718431B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111540659A (zh) * 2020-04-02 2020-08-14 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种4GHz高功率微波器件
CN111540660A (zh) * 2020-04-02 2020-08-14 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种c,x波段双频紧凑型高功率微波器件

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1473598A1 (ru) * 1986-12-24 1991-03-23 Предприятие П/Я А-7094 СВЧ-замедл юща система
CN103237378A (zh) * 2013-05-13 2013-08-07 南京三乐电子信息产业集团有限公司 一种l波段的大功率微波能发生器
CN105551918A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段可调谐无磁场高功率微波器件
CN205488026U (zh) * 2016-01-29 2016-08-17 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段多频可控无磁场高功率微波器件
WO2016174422A2 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 David Rhodes A tuneable tem mode microwave resonator and a tuneable microwave filter
CN109599316A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 中国人民解放军国防科技大学 一种x波段高增益高效率三轴相对论速调管放大器
CN109616393A (zh) * 2018-12-10 2019-04-12 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU1473598A1 (ru) * 1986-12-24 1991-03-23 Предприятие П/Я А-7094 СВЧ-замедл юща система
CN103237378A (zh) * 2013-05-13 2013-08-07 南京三乐电子信息产业集团有限公司 一种l波段的大功率微波能发生器
WO2016174422A2 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 David Rhodes A tuneable tem mode microwave resonator and a tuneable microwave filter
CN105551918A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段可调谐无磁场高功率微波器件
CN205488026U (zh) * 2016-01-29 2016-08-17 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段多频可控无磁场高功率微波器件
CN109599316A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 中国人民解放军国防科技大学 一种x波段高增益高效率三轴相对论速调管放大器
CN109616393A (zh) * 2018-12-10 2019-04-12 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种l波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈代兵,等: "L波段双频磁绝缘线振荡器的实验研究", 《物理学报》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111540659A (zh) * 2020-04-02 2020-08-14 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种4GHz高功率微波器件
CN111540660A (zh) * 2020-04-02 2020-08-14 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种c,x波段双频紧凑型高功率微波器件
CN111540659B (zh) * 2020-04-02 2022-03-29 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种4GHz高功率微波器件

Also Published As

Publication number Publication date
CN110718431B (zh) 2021-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109616393B (zh) 一种l波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
CN108470667B (zh) 轻小型永磁封装Ku波段同轴渡越器件
CN110718429B (zh) 一种双频三腔高功率微波器件
CN109524283B (zh) 一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
CN112885681B (zh) 一种双端发射阴极结构的相对论磁控管
CN110718431B (zh) 一种l波段三腔高功率微波器件
CN111584330B (zh) 一种频率在c、x波段转换的切伦科夫微波发生器
CN110718425B (zh) 一种同轴高频高功率微波器件
CN109148244B (zh) 一种轴向可调谐相对论磁控管
CN110718426B (zh) 一种高频高功率微波器件
CN110718430B (zh) 一种s波段三腔高功率微波器件
CN109585242B (zh) 一种双频高功率微波产生器
CN116365339B (zh) 一种x波段宽带高功率微波放大器
CN105140087B (zh) 一种c波段低压超辐射产生装置
CN109616394B (zh) 一种s波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件
CN108615665B (zh) 一种利用磁体尾场的相对论返波振荡器
CN111540657B (zh) 一种8GHz高功率微波器件
CN115332028A (zh) 一种同轴耦合输出的太赫兹多波切伦科夫发生器
CN111540659B (zh) 一种4GHz高功率微波器件
CN110718427B (zh) 一种同轴高功率微波器件
CN111540656B (zh) 一种s,c波段双频可控高功率微波器件
CN109243944B (zh) 一种可调谐多天线轴向输出相对论磁控管
CN111540660B (zh) 一种c,x波段双频紧凑型高功率微波器件
CN111540658B (zh) 一种c,x波段双频可控紧凑型高功率微波器件
CN114783850B (zh) 一种c波段全腔提取相对论磁控管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant