CN111534787A

CN111534787A - 掩模组件

Info

Publication number: CN111534787A
Application number: CN202010079540.9A
Authority: CN
Inventors: 文在晳; 安鼎铉; 金宗范; 李丞赈
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2019-02-07
Filing date: 2020-02-04
Publication date: 2020-08-14
Also published as: US20230058121A1; US20200259126A1; KR20200097375A; EP3693491A1

Abstract

提供了一种掩模组件，所述掩模组件包括：框架，其中限定有开口；支撑部分，位于框架上并与开口叠置；以及掩模，位于支撑部分上并覆盖开口的至少一部分。支撑部分可以包括：中心层；第一外层，位于中心层的第一表面上；以及第二外层，位于中心层的第二表面上，第二表面与第一表面相对。

Description

掩模组件

本申请要求于2019年2月7日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0014491号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的实施例的方面涉及一种掩模组件和一种制造该掩模组件的方法。

背景技术

显示装置可以包括多个像素。多个像素中的每个可以包括设置在相对的电极之间的发射层(或发光层)。发射层可以通过各种方法中的至少一种形成。例如，发射层可以通过使用掩模的沉积方法形成。然而，在使用掩模形成发射层的工艺中，支撑掩模的支撑部分的形状会变形，以造成发射层的沉积可靠性降低。

发明内容

根据本公开的实施例的方面，提供了一种能够改善沉积可靠性的掩模组件。根据本公开的实施例的另一方面，提供了一种能够减小形状由于温度的变形的掩模组件。

根据本公开的实施例的另一方面，提供了一种制造能够改善沉积可靠性的掩模组件的方法。

根据发明构思的一个或更多个实施例，一种掩模组件可以包括：框架，其中限定有开口；支撑部分，位于框架上并与开口叠置；以及掩模，位于支撑部分上并覆盖开口的至少一部分。支撑部分可以包括：中心层；第一外层，位于中心层的第一表面上；以及第二外层，位于中心层的第二表面上，第二表面与第一表面相对。

在实施例中，第一表面可以与第一外层直接接触，并且第二表面可以与第二外层直接接触。

在实施例中，中心层可以与第一外层金属接合，并且中心层可以与第二外层金属接合。

在实施例中，中心层可以包括与第一外层和第二外层不同的材料，并且第一外层和第二外层可以包括相同的材料。

在实施例中，中心层的热膨胀系数可以与第一外层的热膨胀系数不同。

在实施例中，中心层的磁力可以比第一外层和第二外层中的每个外层的磁力大。

在实施例中，中心层可以包括因瓦合金，并且第一外层和第二外层中的每个外层可以包括不锈钢。

在实施例中，支撑部分可以设置为多个支撑部分，并且所述多个支撑部分可以在第一方向上延伸并可以在与第一方向交叉的第二方向上布置。

在实施例中，支撑部分可以设置为多个支撑部分，所述多个支撑部分中的一些支撑部分可以在第一方向上延伸并可以在与第一方向交叉的第二方向上布置，并且所述多个支撑部分中的其他支撑部分可以在第二方向上延伸并可以在第一方向上布置。

在实施例中，掩模可以设置为多个掩模，所述多个掩模可以在第一方向上延伸并可以在第二方向上布置，并且多个开口图案可以限定在每个掩模中。

在实施例中，框架和掩模中的每者可以包括因瓦合金。

在实施例中，支撑部分可以具有相对于中心层的对称结构。

在实施例中，第一外层和第二外层可以具有相同的厚度。

在实施例中，第一外层和第二外层可以具有相同的热膨胀系数。

根据发明构思的一个或更多个实施例，一种掩模组件可以包括：框架，其中限定有开口；支撑部分，位于框架上并与开口叠置；以及掩模，位于支撑部分上并覆盖开口的至少一部分。支撑部分可以包括奇数个基体层，并且基体层可以具有相对于基体层的中心层的对称的热膨胀系数。

在实施例中，支撑部分可以包括基体层中的位于中心层与框架之间的第一外层以及基体层中的位于中心层与掩模之间的第二外层。第一外层和第二外层中的每个外层的磁力可以小于中心层的磁力。

根据发明构思的一个或更多个实施例，一种制造掩模组件的方法可以包括：提供其中限定有开口的框架；形成布置在框架上并与开口叠置的支撑部分；以及提供布置在支撑部分上并覆盖开口的至少一部分的掩模。形成支撑部分的步骤可以包括：准备2n+1个基体构件，其中，n是1或更大的自然数；以及通过向基体构件施加压力而将基体构件彼此接合。

在实施例中，形成支撑部分的步骤还可以包括：刮擦每个基体构件的表面中的面向另一基体构件的表面。

在实施例中，接合基体构件的步骤可以重复多次。

附图说明

附图被包括以提供对发明构思的进一步理解，并且被包含在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了发明构思的一些示例实施例，并且与描述一起用于解释发明构思的原理。在附图中：

图1是示出根据发明构思的实施例的掩模组件的分解透视图；

图2是示出根据发明构思的实施例的沉积设备的剖视图；

图3是示出根据发明构思的实施例的基底和掩模的剖视图；

图4是示出根据发明构思的实施例的支撑部分的平面图；

图5是示出根据发明构思的实施例的支撑部分的剖视图；

图6是示出根据发明构思的实施例的支撑部分的剖视图；

图7是示出根据发明构思的实施例的支撑部分的剖视图；

图8A是示出根据发明构思的实施例的掩模组件的分解透视图；

图8B是示出根据发明构思的实施例的掩模组件的分解透视图；

图9是示出根据发明构思的实施例的制造掩模组件的方法的流程图；

图10是示出根据发明构思的实施例的制造支撑部分的方法的流程图；以及

图11A至图11D是示意性地示出根据发明构思的实施例的制造支撑部分的方法的一些工艺的剖视图。

具体实施方式

这里将参照其中示出了各种示例实施例的附图更充分地描述发明构思。然而，可以以许多不同的形式来实施发明构思，并且不应被解释为局限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达发明构思的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。

将理解的是，当诸如层、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者可以存在一个或更多个中间元件。相反，术语“直接”表示不存在中间元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。

这里使用的术语是用于描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如这里所使用的，单数形式“一个(种/者)”和“所述(该)”意图包括包含“至少一个”的复数形式，除非内容清楚地另有表示。“或”表示“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。还将理解的是，术语“包括”、“包含”和/或其变型用在本说明书中时，表明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

为了易于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果翻转附图中的装置，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包含上方和下方的方位二者。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。

将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语被用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，下面所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离这里的教导。

考虑到谈及的测量和与特定量的测量相关的误差(例如，测量系统的限制)，如这里所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值并意味着在如由本领域普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受范围内。

这里可以参照可以作为理想化的示例性图的剖视图和/或平面图来描述示例实施例。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。因此，将预料由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状变化。因此，示例实施例不应被解释为局限于这里所示的区域的形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，示出为矩形的蚀刻区域通常将具有倒圆或弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图限制示例实施例的范围。

除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的含义来解释，除非这里明确地如此定义。

这里，将参照附图更详细地描述发明构思的一些示例实施例。

图1是示出根据发明构思的实施例的掩模组件的分解透视图。

参照图1，掩模组件MA可以用在沉积沉积材料的工艺中。在发明构思的实施例中，掩模组件MA可以包括框架FR、支撑部分SP和掩模MK。

当在平面图中观看时，框架FR可以具有环形状或圈形状。换句话说，开口OP可以设置在框架FR的区域(诸如包括中心的区域)中。开口OP可以是从框架FR的顶表面到框架FR的底表面穿透框架FR的孔。

在图1中，矩形环形状被示出为框架FR的形状的示例。然而，框架FR的形状不限于此。在某些实施例中，框架FR可以具有其他各种形状(诸如圆环形状和多边形环形状)中的至少一种。

支撑部分SP可以设置在框架FR上。支撑部分SP可以与框架FR的开口OP的至少一部分叠置。支撑部分SP可以将开口OP分成多个区域。

在实施例中，支撑部分SP可以设置为多个，并且这里将描述支撑部分SP。

支撑部分SP可以包括第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2。第一支撑部分SP1中的每个可以在第一方向DR1上延伸。第一支撑部分SP1可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上彼此分隔开并布置。第二支撑部分SP2中的每个可以在第二方向DR2上延伸。第二支撑部分SP2可以在第一方向DR1上彼此分隔开并布置。第一支撑部分SP1之间的距离和第二支撑部分SP2之间的距离可以根据其中将沉积沉积材料的区域的尺寸和形状来调节。

在图1中，作为示例示出了两个第一支撑部分SP1和两个第二支撑部分SP2。然而，第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2中的每者的数量不限于此。在某些实施例中，第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2中的每者的数量可以是一个或者三个或更多个。

在实施例中，如图1中所示，第一支撑部分SP1中的每个的在第二方向DR2上的第一宽度等于第二支撑部分SP2中的每个的在第一方向DR1上的第二宽度。然而，发明构思的实施例不限于此。在某些实施例中，第一宽度可以与第二宽度不同。例如，在实施例中，具有更长长度的第一支撑部分SP1中的每个的第一宽度可以大于第二宽度。

第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2可以结合到框架FR。例如，第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2可以通过焊接方法结合到框架FR。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2可以通过结合构件(未示出)结合到框架FR，并且结合构件可以包括具有粘合性质的材料。在又一实施例中，凹槽(未示出)可以设置在框架FR的顶表面处。凹槽可以从框架FR的顶表面凹入，并且第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2可以插入凹槽中。换句话说，第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2可以与框架FR啮合。

掩模MK可以设置在支撑部分SP上。在实施例中，掩模MK可以设置为多个，并且这里将描述掩模MK。

掩模MK可以由支撑部分SP支撑。在实施例中，第一支撑部分SP1可以支撑掩模MK之间的边界，并且第二支撑部分SP2可以支撑掩模MK中的每个的部分区域。

在实施例中，掩模MK中的每个可以在第一方向DR1上延伸，并且掩模MK可以在第二方向DR2上布置。

多个开口图案OPP可以限定在掩模MK中的每个中。当在平面图中观看时，多个开口图案OPP可以不与支撑部分SP叠置并可以与开口OP叠置。开口图案OPP可以是从掩模MK的顶表面到掩模MK的底表面穿透掩模MK的通孔。

掩模MK可以结合到支撑部分SP。例如，掩模MK可以通过焊接方法结合到相应的支撑部分SP。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，掩模MK可以通过结合构件(例如，粘合剂)结合到支撑部分SP。

图2是示出了根据发明构思的实施例的沉积设备的剖视图。

参照图2，沉积设备DPD可以包括腔室CHB、沉积源S、台STG、移动板PP和掩模组件MA。

腔室CHB可以提供封闭或密封的空间。沉积源S、台STG、移动板PP和掩模组件MA可以设置在腔室CHB中。腔室CHB可以具有至少一个门GT。腔室CHB可以通过门GT来打开/关闭。目标基底SUB可以通过腔室CHB的门GT进入和离开腔室CHB。

沉积源S可以包括沉积材料。沉积材料可以包括能够升华或蒸发的材料(例如，无机材料、金属和有机材料中的至少一种)。在实施例中，沉积源S可以包括用于形成有机发光元件(未示出)的有机材料。

台STG可以设置在沉积源S之上。掩模组件MA可以放置在台STG上。掩模组件MA可以面向沉积源S。台STG可以与掩模组件MA的框架FR叠置并可以支撑掩模组件MA。台STG可以不与框架FR的开口OP叠置。换句话说，台STG可以设置在从沉积源S向目标基底SUB供应的沉积材料的移动路径之外。

目标基底SUB可以设置在掩模组件MA上。沉积材料可以通过开口图案OPP沉积到目标基底SUB。

移动板PP可以将目标基底SUB在掩模组件MA上对准。例如，移动板PP可以产生静电力或磁力以移动目标基底SUB。移动板PP可以是可上下移动或左右移动的。

在另一实施例中，移动板PP可以将目标基底SUB固定在掩模组件MA上。由于目标基底SUB通过移动板PP被固定在掩模组件MA上，因此可以改善沉积工艺的精度。

图3是示出根据发明构思的实施例的目标基底和掩模的部分的放大剖视图。

参照图3，在实施例中，掩模MK可以与目标基底SUB接触。沉积材料可以沉积在通过掩模MK的开口图案OPP暴露的目标基底SUB上。

例如，在实施例中，目标基底SUB可以包括基体层BS、第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50和第六绝缘层60、晶体管TR以及第一电极E1。

在实施例中，基体层BS可以是硅基底、塑料基底、玻璃基底、绝缘膜或包括多个绝缘层的堆叠结构。

第一绝缘层10可以设置在基体层BS上。第一绝缘层10可以包括阻挡层11和缓冲层12。

阻挡层11可以包括无机材料。阻挡层11可以防止或基本防止氧或湿气通过基体层BS渗透到像素中。缓冲层12可以包括无机材料。缓冲层12可以向像素提供比基体层BS的表面能低的表面能，使得像素稳定地形成在基体层BS上。在图3中，阻挡层11和缓冲层12中的每者被示出为单层。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，阻挡层11和缓冲层12中的每者可以设置为多个，阻挡层11和缓冲层12可以交替地堆叠。在其他实施例中，阻挡层11和缓冲层12中的至少一者可以设置为多个或者可以省略。

像素中的每个可以包括像素电路和发光元件。像素电路可以包括晶体管TR和电容器。在图3中，作为示例示出了一个晶体管TR。

晶体管TR可以设置在第一绝缘层10上。晶体管TR可以包括半导体图案SM、控制电极CE、输入电极IE和输出电极OE。半导体图案SM可以设置在第一绝缘层10上。半导体图案SM可以包括半导体材料。控制电极CE可以与半导体图案SM分隔开，第二绝缘层20置于控制电极CE与半导体图案SM之间。

输入电极IE和输出电极OE可以与控制电极CE分隔开，第三绝缘层30和第四绝缘层40置于输入电极IE和输出电极OE与控制电极CE之间。输入电极IE和输出电极OE可以穿透第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40，以分别连接到半导体图案SM的一个侧部和另一侧部。

上电极UE可以设置在第三绝缘层30与第四绝缘层40之间。上电极UE可以连接到电容器的电极。电容器的另一电极可以电连接到控制电极CE。

第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上，以覆盖输入电极IE和输出电极OE。

第一电极E1可以设置在第五绝缘层50上。第一电极E1可以穿透第五绝缘层50以电连接到晶体管TR。

第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。开口可以限定在第六绝缘层60中，并且开口可以使第一电极E1的至少一部分暴露。第六绝缘层60可以是像素限定层。

掩模MK可以与第六绝缘层60接触。当在平面图中观看时，掩模MK的开口图案OPP可以与第六绝缘层60的开口叠置。沉积材料可以穿过掩模MK的开口图案OPP，然后可以沉积在第一电极E1上。例如，发射层EL可以形成在第一电极E1上。沉积材料可以是形成发射层EL的材料。换句话说，发射层EL可以是沉积在目标基底SUB上的沉积材料。

发射层EL可以包括发光材料。例如，发射层EL可以包括用于发射红光、绿光和蓝光的材料中的至少一种。发射层EL可以包括荧光材料或磷光材料。发射层EL可以包括有机发光材料或无机发光材料。

图4是示出根据发明构思的实施例的支撑部分的平面图。

参照图4，第一支撑部分SP1中的每个可以在第一方向DR1上具有第一长度LT1，并且第二支撑部分SP2中的每个可以在第二方向DR2上具有第二长度LT2。

第一长度LT1和第二长度LT2可以根据腔室CHB(见图2)的内部的温度的改变而改变。如果第一长度LT1和第二长度LT2中的每个增大一定长度(例如，预定长度)或更多，则第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2中的每个会在重力的方向上下垂。这会造成沉积可靠性的劣化。

再次参照图1，可以根据掩模MK的开口图案OPP的分辨率、框架FR的尺寸、掩模MK的尺寸或重量、第一长度LT1和/或第二长度LT2来改变或选择热膨胀系数的适当范围。

根据发明构思的实施例，可以提供具有一定范围(例如，预定范围)的热膨胀系数的第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2。因此，能够防止或基本防止沉积可靠性由于第一支撑部分SP1和第二支撑部分SP2的形状的变形而被劣化。可以使用热机械分析仪(TMA)来测量热膨胀系数。可以基于样品的长度的改变来测量热膨胀系数，该样品的长度随着其从室温改变到特定温度而改变。

图5是示出根据发明构思的实施例的支撑部分的剖视图。图5可以是沿着图4的线I-I'截取的剖视图。

参照图5，第一支撑部分SP1的支撑部分厚度TkS可以比框架FR(见图2)的框架厚度TkF(见图2)小得多。例如，在实施例中，框架厚度TkF(见图2)可以在从几厘米到几十厘米的范围内，并且支撑部分厚度TkS可以在从几微米到几百微米的范围内。例如，支撑部分厚度TkS可以在从10微米到200微米的范围内。第一支撑部分SP1会比框架FR更容易因热膨胀而形状变形。根据发明构思的实施例，第一支撑部分SP1可以被控制为具有一定范围(例如，预定范围)的热膨胀系数，因此，第一支撑部分SP1的形状变形可以被最小化或减小。在实施例中，第二支撑部分SP2(见图2)可以具有与第一支撑部分SP1的结构基本相同的结构，因此，将省略第二支撑部分SP2的进一步描述。

根据发明构思的实施例，第一支撑部分SP1可以是包覆结构(clad structure)。第一支撑部分SP1可以包括奇数个基体层，例如，中心层CL、第一外层OL1和第二外层OL2。

中心层CL可以是设置在第一支撑部分SP1的中心处的层。中心层CL可以包括第一表面SF1和第二表面SF2。第一表面SF1和第二表面SF2可以彼此相对。

第一外层OL1可以设置在第一表面SF1上，第二外层OL2可以设置在第二表面SF2上。在实施例中，第一表面SF1可以与第一外层OL1直接接触，并且第二表面SF2可以与第二外层OL2直接接触。换句话说，其他组件不会设置在中心层CL与第一外层OL1之间以及中心层CL与第二外层OL2之间。因此，第一支撑部分SP1可以是通过第一外层OL1、中心层CL和第二外层OL2的表面的组合而一体地形成的复合件。

中心层CL可以包括与第一外层OL1和第二外层OL2的材料不同的材料。在实施例中，第一外层OL1和第二外层OL2可以包括相同的材料。例如，第一外层OL1和第二外层OL2可以具有相同的热膨胀系数，并且中心层CL可以包括具有与第一外层OL1和第二外层OL2的热膨胀系数不同的热膨胀系数的材料。

由于中心层CL、第一外层OL1和第二外层OL2构成了第一支撑部分SP1，所以可以容易地调节整个第一支撑部分SP1的热膨胀系数。例如，当中心层CL包括特定材料(例如，预定材料)时，可以通过改变第一外层OL1和第二外层OL2的材料来调节整个第一支撑部分SP1的热膨胀系数。另一方面，当第一外层OL1和第二外层OL2包括特定材料(例如，预定材料)时，可以通过改变中心层CL的材料来调节整个第一支撑部分SP1的热膨胀系数。

在实施例中，中心层CL的第一厚度Tk1、第一外层OL1的第二厚度Tk2和第二外层OL2的第三厚度Tk3可以彼此相等(相等或基本相等)。在实施例中，可以通过调节第一厚度Tk1、第二厚度Tk2和第三厚度Tk3中的每个来调节第一支撑部分SP1的热膨胀系数。

例如，第一厚度Tk1可以具有支撑厚度TkS的10％至90％的厚度。第二厚度Tk2和第三厚度Tk3中的每个可以基于第一厚度Tk1相对于支撑厚度TkS具有比例。例如，第二厚度Tk2和第三厚度Tk3中的每个可以具有支撑厚度TkS的5％至45％的厚度。

在实施例中，第二厚度Tk2和第三厚度Tk3可以彼此相等(相等或基本相等)。例如，即使第一外层OL1和第二外层OL2可以包括相同的材料，如果第二厚度Tk2与第三厚度Tk3不同，则第一外层OL1的长度因温度而改变的量会与第二外层OL2的长度因温度而改变的量不同。在这种情况下，第一支撑部分SP1会在一个方向上翘曲。然而，当第二厚度Tk2基本等于第三厚度Tk3时，第一外层OL1的长度因温度而改变的量会基本等于第二外层OL2的长度因温度而改变的量。因此，能够防止或基本防止第一支撑部分SP1在特定方向上翘曲的现象。

在实施例中，第一支撑部分SP1可以具有相对于中心层CL对称的结构。例如，第一外层OL1的第二厚度Tk2和第二外层OL2的第三厚度Tk3可以相对于中心层CL彼此相等(相等或基本相等)。此外，第一外层OL1的热膨胀系数和第二外层OL2的热膨胀系数可以相对于中心层CL彼此相等。

在实施例中，中心层CL的磁力可以比第一外层OL1和第二外层OL2的磁力大。在实施例中，第一外层OL1和第二外层OL2中的每个的磁力可以接近于零。例如，第一外层OL1和第二外层OL2可以包括非磁性材料。由于第一支撑部分SP1的外层可以由非磁性材料形成，所以能够最小化或减小在工艺中产生的静电力或磁力对第一支撑部分SP1的影响。可以通过磁性质测量系统(MPMS)或物理性质测量系统(PPMS)来测量磁力。可以通过B-H曲线或M-H曲线来对磁力进行估算。

在实施例中，中心层CL可以包括因瓦合金(Invar)，并且第一外层OL1和第二外层OL2中的每个可以包括不锈钢。不锈钢可以是SUS301、SUS304或SUS316。然而，中心层CL以及第一外层OL1和第二外层OL2的材料不限于以上示例。在另一实施例中，中心层CL可以包括不锈钢，并且第一外层OL1和第二外层OL2中的每个可以包括因瓦合金。

中心层CL和第一外层OL1可以彼此金属接合，并且中心层CL和第二外层OL2可以彼此金属接合。金属接合可以表示在中心层CL与第一外层OL1之间的接合界面以及中心层CL与第二外层OL2之间的接合界面处形成合金。

图6是示出根据发明构思的实施例的支撑部分的剖视图。

参照图6，作为示例示出了第一支撑部分SP1-1的剖面。在实施例中，第一支撑部分SP1-1可以是包覆结构。第一支撑部分SP1-1可以包括中心层CL-1、第一外层OL1-1和第二外层OL2-1。

第一支撑部分SP1-1可以具有相对于中心层CL-1对称的结构和相对于中心层CL-1对称的热膨胀系数。

中心层CL-1的第一厚度Tk1-1可以与第一外层OL1-1的第二厚度Tk2-1和第二外层OL2-1的第三厚度Tk3-1不同。第二厚度Tk2-1可以等于(等于或基本等于)第三厚度Tk3-1。

在实施例中，如图6中所示，第一厚度Tk1-1比第二厚度Tk2-1和第三厚度Tk3-1大。然而，发明构思的实施例不限于此。在另一实施例中，第二厚度Tk2-1和第三厚度Tk3-1可以大于第一厚度Tk1-1。

图7是示出根据发明构思的实施例的支撑部分的剖视图。

参照图7，作为示例示出了第一支撑部分SP1-2的剖面。

在实施例中，第一支撑部分SP1-2可以是包覆结构。第一支撑部分SP1-2可以包括中心层CL-2、第一外层OL1-2、第二外层OL2-2、第三外层OL3-2和第四外层OL4-2。第一支撑部分SP1-2可以具有相对于中心层CL-2对称的结构和相对于中心层CL-2对称的热膨胀系数。

在实施例中，第一支撑部分可以包括2n+1个基体层，其中，n是1或更大的自然数。例如，参照图5和图6描述的第一支撑部分SP1和SP1-1中的每个包括三个基体层。在图7中，作为示例示出了包括五个基体层的第一支撑部分SP1-2。

通过图5至图7描述了第一支撑部分。然而，与第一支撑部分相同，图4中所示的第二支撑部分SP2也可以包括2n+1个基体层，其中，n是1或更大的自然数。此外，第二支撑部SP2也可以是包覆结构。

图8A是示出根据发明构思的实施例的掩模组件的分解透视图。

参照图8A，掩模组件MA-1可以包括框架FR、支撑部分SP-1和掩模MK。在实施例中，支撑部分SP-1中的每个可以是包覆结构，并且可以包括2n+1个基体层，其中，n是1或更大的自然数。

掩模MK可以在第一方向DR1上延伸并可以在第二方向DR2上布置。支撑部分SP-1可以在第一方向DR1上延伸并可以在第二方向DR2上布置。

支撑部分SP-1中的一个可以与两个相邻的掩模MK叠置。换句话说，一个支撑部分可以支撑两个掩模。

图8B是示出根据发明构思的实施例的掩模组件的分解透视图。

参照图8B，掩模组件MA-2可以包括框架FR、支撑部分SP-2和掩模MK。在实施例中，支撑部分SP-2中的每个可以是包覆结构并可以包括2n+1个基体层，其中，n是1或更大的自然数。

掩模MK可以在第一方向DR1上延伸并可以在第二方向DR2上布置。支撑部分SP-2可以在第二方向DR2上延伸并可以在第一方向DR1上布置。支撑部分SP-2中的每个的延伸方向可以与掩模MK中的每个的延伸方向交叉。在实施例中，支撑部分SP-2中的每个可以支撑所有掩模MK。

当在平面图中观看时，支撑部分SP-2可以不与掩模MK的有效区域叠置。有效区域可以表示沉积材料经其穿过的区域。在图8B中，其中设置有开口图案OPP的区域可以被限定为有效区域。因此，当在平面图中观看时，支撑部分SP-2可以不与开口图案OPP叠置。

图9是示出根据发明构思的实施例的制造掩模组件的方法的流程图。

参照图1和图9，可以形成或提供框架FR(S100)。开口OP可以限定在框架FR中。在实施例中，框架FR可以包括因瓦合金。在实施例中，框架FR和掩模MK中的每个可以包括因瓦合金。

可以形成支撑部分SP(S200)。支撑部分SP可以设置在框架FR上。支撑部分SP可以设置在框架FR上以与开口OP叠置。在实施例中，支撑部分SP可以包括至少两种材料或更多种材料。

可以形成或提供掩模MK(S300)。开口图案OPP可以限定在掩模MK中。掩模MK可以设置在支撑部分SP上。当在平面图中观看时，开口图案OPP可以不与支撑部分SP叠置，而可以与开口OP叠置。

可以通过将框架FR、支撑部分SP和掩模MK彼此结合来形成掩模组件MA(S400)。

图10是示出根据发明构思的实施例的制造支撑部分的方法的流程图(对应于图9中的S200)。图11A至图11D是示意性地示出根据发明构思的实施例的制造支撑部分的方法的一些工艺的剖视图。

参照图10和图11A，可以准备奇数个基体构件BM1、BM2和BM3(S210)。在图11A中，作为示例示出了三个基体构件BM1、BM2和BM3。三个基体构件BM1、BM2和BM3可以包括第一基体构件BM1、第二基体构件BM2和第三基体构件BM3。

第一基体构件BM1可以包括第一表面SF1a和第二表面SF1b，第二基体构件BM2可以包括第一表面SF2a和第二表面SF2b，第三基体构件BM3可以包括第一表面SF3a和第二表面SF3b。可以在一个方向上顺序布置第二基体构件BM2、第一基体构件BM1和第三基体构件BM3。第一表面SF1a可以面向第二表面SF2b，第二表面SF1b可以面向第一表面SF3a。

第一基体构件BM1可以具有第一厚度Tk-B1，第二基体构件BM2可以具有第二厚度Tk-B2，第三基体构件BM3可以具有第三厚度Tk-B3。在实施例中，第二厚度Tk-B2和第三厚度Tk-B3可以彼此相等。可以不同地调节第二厚度Tk-B2和第三厚度Tk-B3中的每个与第一厚度Tk-B1的比例。例如，可以根据热膨胀系数的设定范围来调节该比例，使得热膨胀系数在热膨胀系数的设定范围内。

参照图10和图11B，可以刮擦三个基体构件BM1、BM2和BM3中的每个的表面中的面向其他基体构件的表面的至少一部分(S220)。例如，可以刮擦第一表面SF1a、第二表面SF1b、第二表面SF2b和第一表面SF3a的至少一部分。例如，可以使用刮擦构件SKM刮擦第一表面SF1a。可以在第一表面SF1a的其中刮擦构件SKM经过的区域中形成粗糙表面PTT。可以通过粗糙表面PTT容易地将三个基体构件BM1、BM2和BM3彼此接合或结合。

在一些实施例中，可以使用刮擦构件SKM刮擦第一表面SF1a、第二表面SF1b、第二表面SF2b和第一表面SF3a中的所有表面，或者可以使用刮擦构件SKM刮擦第一表面SF1a、第二表面SF1b、第二表面SF2b和第一表面SF3a中的一个表面或一些表面。在另一实施例中，可以省略通过使用刮擦构件SKM刮擦第一表面SF1a、第二表面SF1b、第二表面SF2b和第一表面SF3a的工艺。

参照图10和图11C，在实施例中，三个基体构件BM1、BM2和BM3可以设置在接合辊BR之间。接合辊BR可以向三个基体构件BM1、BM2和BM3施加压力，以使三个基体构件BM1、BM2和BM3彼此接合(S230)。

在实施例中，可以多次重复通过使用接合辊BR接合基体构件BM1、BM2和BM3的工艺。参照图11D，可以形成具有支撑部分厚度TkS的第一支撑部分SP1。

在实施例中，可以向接合辊BR施加热。例如，接合辊BR可以向基体构件BM1、BM2和BM3施加热和压力。在实施例中，通过使用接合辊BR压基体构件BM1、BM2和BM3的环境可以具有预定的温度范围。在这种情况下，基体构件BM1、BM2和BM3可以在具有预定温度范围的环境中彼此接合。换句话说，在施加热的同时向基体构件BM1、BM2和BM3施加压力的工艺可以被称为热轧工艺。

使用基体构件BM1、BM2和BM3形成第一支撑部分SP1的工艺还可以包括冷轧工艺。冷轧工艺可以是在室温下向基体构件BM1、BM2和BM3施加压力的工艺。

在一些实施例中，形成第一支撑部分SP1的工艺可以包括冷轧工艺和热轧工艺两者，或者可以仅包括冷轧工艺或仅包括热轧工艺。

根据发明构思的实施例，掩模组件可以包括支撑掩模的支撑部分。支撑部分可以包括多个基体层。可以通过改变或选择基体层中的每个的材料和/或厚度来调节支撑部分的热膨胀系数。因此，可以将支撑部分的热膨胀系数设定在能够最小化或减小支撑部分的形状变形的范围内。结果，可以改善沉积可靠性。

虽然已参照一些示例实施例描述了发明构思，但是对于本领域技术人员来说将明显的是，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应理解的是，上述实施例不是限制性的，而是说明性的。因此，发明构思的范围将由权利要求及其等同物的最广泛的可允许解释来确定，并且不应受前面描述的局限或限制。

Claims

1.一种掩模组件，所述掩模组件包括：

框架，其中限定有开口；

支撑部分，位于所述框架上并与所述开口叠置；以及

掩模，位于所述支撑部分上并覆盖所述开口的至少一部分，

其中，所述支撑部分包括：

中心层；

第一外层，位于所述中心层的第一表面上；以及

第二外层，位于所述中心层的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相对。

2.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述第一表面与所述第一外层直接接触，并且所述第二表面与所述第二外层直接接触。

3.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述中心层与所述第一外层金属接合，并且所述中心层与所述第二外层金属接合。

4.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述中心层包括与所述第一外层和所述第二外层不同的材料，并且所述第一外层和所述第二外层包括相同的材料。

5.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述中心层的热膨胀系数与所述第一外层的热膨胀系数不同。

6.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述中心层的磁力比所述第一外层和所述第二外层中的每个外层的磁力大。

7.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述中心层包括因瓦合金，并且所述第一外层和所述第二外层中的每个外层包括不锈钢。

8.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述支撑部分设置为多个支撑部分，并且所述多个支撑部分在第一方向上延伸并在与所述第一方向交叉的第二方向上布置。

9.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述支撑部分设置为多个支撑部分；所述多个支撑部分中的一些支撑部分在第一方向上延伸并在与所述第一方向交叉的第二方向上布置；并且所述多个支撑部分中的其他支撑部分在所述第二方向上延伸并在所述第一方向上布置。

10.如权利要求9所述的掩模组件，其中，所述掩模设置为多个掩模，所述多个掩模在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上布置；并且多个开口图案限定在所述多个掩模中的每个中。

11.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述框架和所述掩模中的每者包括因瓦合金。

12.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述支撑部分具有相对于所述中心层的对称结构。

13.如权利要求12所述的掩模组件，其中，所述第一外层和所述第二外层具有相同的厚度。

14.如权利要求12所述的掩模组件，其中，所述第一外层和所述第二外层具有相同的热膨胀系数。