CN111524951B - 显示装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种显示装置及电子设备，显示装置包括相互连接的第一显示区和第二显示区，第一显示区包括第一像素密度的第一像素，第一像素具有第一发光效率，第二显示区包括第二像素密度的第二像素，第二像素具有第二发光效率。其中，第二像素密度大于第一像素密度，第二发光效率小于第一发光效率，以使得第一显示区和第二显示区的亮度相等。基于此，第一显示区内的第一像素的数量较少，可以提高第一显示区的光透光率；同时，在较低的第二发光效率的影响下，第二显示区内所有第二像素最终的发光亮度可以与第一显示区内所有第一像素最终的发光亮度相等，从而使得第二显示区和第一显示区不会出现明显的显示界限。

Description

显示装置及电子设备

技术领域

本申请涉及电子技术领域，特别涉及一种显示装置及电子设备。

背景技术

随着通信技术的发展，诸如智能手机等电子设备越来越普及。在电子设备的使用过程中，电子设备可以采用其显示装置显示画面。

为了更好的显示效果以及更多显示内容，需要提高电子设备的屏占比。相关技术中，将采光元件例如采光元件设置在显示装置的显示背面，显示装置对应采光元件设置第一显示区，采光元件用于获取通过第一显示区的光信号。

但是，为了提高第一显示区的光透过率，第一显示区的像素密度往往会小于第二显示区的像素密度，从而第一显示区的亮度会小于正常显示区的亮度，显示装置的第一显示区与第二显示区在显示信息时会出现明显的边界感。

发明内容

本申请实施例提供了一种显示装置和电子设备，可以使第一显示区和第二显示区不存在明显的边界感。

第一方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：

第一显示区，所述第一显示区包括第一像素密度的第一像素，所述第一像素具有第一发光效率；及

第二显示区，所述第二显示区与所述第一显示区相互连接，所述第二显示区包括第二像素密度的第二像素，所述第二像素具有第二发光效率；

其中，所述第二像素密度大于所述第一像素密度，所述第二发光效率小于所述第一发光效率，以使得所述第一显示区和所述第二显示区的亮度相等。

第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括：

显示装置，所述显示装置如上所述的显示装置；及

采光元件，所述采光元件的采光面朝向所述第一显示区设置，所述采光元件用于获取透过所述第一显示区的外部光信号。

本申请实施例提供的显示装置和电子设备，显示装置的第一显示区的第一像素的第一像素密度小于第二显示区的第二像素的第二像素密度，第一显示区内的第一像素的数量较少，可以提高第一显示区的光透光率。同时，第二显示区内第二像素的第二发光效率小于第一显示区内第一像素的第一发光效率，从而即使第二显示区内第二像素的数量大于第一显示区内第一像素的数量，在较低的第二发光效率的影响下，第二显示区内所有的第二像素的最终发光亮度也可以与第一显示区内所有的第一像素的最终发光亮度相等，从而使得第二显示区和第一显示区不会出现明显的显示界限。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的电子设备的第一种结构示意图。

图2为本申请实施例提供的电子设备的第二种结构示意图。

图3为本申请实施例提供的显示装置的第一种结构示意图。

图4为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第一种剖视图。

图5为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第二种剖视图。

图6为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第三种剖视图。

图7为本申请实施例提供的FMM的第一种结构示意图。

图8为本申请实施例提供的FMM的第二种结构示意图。

图9为本申请实施例提供的FMM的第三种结构示意图。

图10为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第四种剖视图。

图11为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第五种剖视图。

图12为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第六种剖视图。

图13为图4所示的第一传输层和第二传输层的结构示意图。

图14为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第七种剖视图。

图15为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第八种剖视图。

图16为本申请实施例提供的CMM的第一种结构示意图。

图17为本申请实施例提供的CMM的第二种结构示意图。

图18为图3所示的显示装置沿P1至P2方向的第九种剖视图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请的保护范围。

本申请实施例提供一种显示装置及电子设备。显示装置应用于电子设备，电子设备可以是手机、平板电脑等移动终端设备，还可以是游戏设备、增强现实(AugmentedReality，AR)设备、虚拟现实(Virtual Reality，VR)设备、车载电脑、笔记本电脑、数据存储装置、音频播放装置、视频播放装置、可穿戴设备等具有显示装置的设备，其中可穿戴设备可以是智能手环、智能眼镜等。

请参阅图1，图1为本申请实施例提供的电子设备的第一种结构示意图。图1示出了电子设备100为手机的示例，其中，电子设备100包括显示装置10、壳体20和采光元件30

壳体20可以包括后盖(图中未示出)和边框21，边框21围绕后盖的周缘设置。显示装置10可以设置于边框21内，显示装置10和后盖可以作为电子设备100的相对的两面。采光元件30设置在壳体20的后盖和显示装置10之间。显示装置10上还可以设置有盖板(图中未示出)。盖板覆盖显示装置10，以对显示装置10进行保护，防止显示装置10被刮伤或者被水损坏。其中，盖板可以为透明玻璃盖板，从而用户可以透过盖板观察到显示装置10显示的信息。例如，盖板可以为蓝宝石材质的玻璃盖板。

显示装置10可以为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置。显示装置10可以为全面屏，即，显示装置10的显示面基本全部都是显示区域。显示装置10可以包括相互连接的第一显示区11和第二显示区12。第二显示区12可以围绕或部分围绕第一显示区11。示例性地，第一显示区11可以位于第二显示区12的中间，第一显示区11的周缘都是第二显示区12。另一示例中，第一显示区11可以位于显示装置10的边缘，第一显示区11至少一侧可以与第二显示区12的边缘连接。

可以理解的是，第一显示区11和第二显示区12的位置关系并不局限于上述举例，其他可使显示装置10包括第二显示区12和第一显示区11的方案均在本申请的保护范围。

其中，第二显示区12和第一显示区11都可以用于显示文字或图像，第二显示区12和第一显示区11可以共同显示同一图像，例如，第二显示区12显示预设图像的一部分，第一显示区11显示预设图像剩下的部分。第二显示区12和第一显示区11也可以显示不同的图像，例如，第二显示区12显示预设图像，第一显示区11显示任务栏图像。

其中，本申请实施例中的第二显示区12可以为主动式驱动(AMOLED)显示区，第一显示区11可以为主动式驱动(AMOLED)显示区或被动式驱动(PMOLED)显示区。第二显示区12可以作为显示装置10的主要显示区，第一显示区11可以作为显示装置10的辅助显示区。PMOLED的显示效果虽然低于AMOLED，但是因为第一显示区11的面积很小，显示的内容也很少，显示的内容的重要性较低，所以第一显示区11可以采用PMOLED。被动式驱动的第一显示区11只需要一个薄膜晶体管(TFT)驱动，不透光的薄膜晶体管数量极少，可以极大的提升第一显示区11的透光率。

采光元件30可以是摄像头、传感器等需要采光的元器件。采光元件30的镜头朝向第一显示区11设置，采光元件30用于获取透过第一显示区11的外界光信号进行成像。也可以理解为，采光元件30设置在显示装置10第一显示区11下方，采光元件30可以用于获取透过显示装置10第一显示区11的光信号，并根据获取的外界光信号成像或者进行接近/距离检测。

采光元件30可以是电子设备100的前置摄像头，前置摄像头可以用于透过显示装置10第一显示区11获取用户的自拍照等图像。采光元件30也可以是电子设备100的接近传感器，接近传感器可以用于通过显示装置10第一显示区11获取遇障碍物反射会的光信号等。可以理解的是，本申请实施例的采光元件30并不局限于上述举例，其他需要通过第一显示区11进行采光的元器件都在本申请实施例的保护范围内。

请参阅图2，图2为本申请实施例提供的电子设备100的第二种结构示意图。电子设备100还可以包括电路板40、电池50和中板(图中未示出)。边框21围绕中板设置，其中，边框21可以与中板形成电子设备100的中框。中板和边框21在中板两侧各形成一个容纳腔，其中一个容纳腔用于容置显示装置10，另一个容纳腔用于容置电路板40、电池50和电子设备100的其他电子元件或功能组件。

其中，中板可以为薄板状或薄片状的结构，也可以为中空的框体结构。中框用于为电子设备100中的电子元件或功能组件提供支撑作用，以将电子设备100中的电子元件、功能组件安装到一起。电子设备100的摄像头、受话器、电池50等功能组件都可以安装到中框或电路板40上以进行固定。可以理解的，中框的材质可以包括金属或塑胶等。

电路板40可以安装在中框上。电路板40可以为电子设备100的主板。其中，电路板40上可以集成有麦克风、扬声器、受话器、耳机接口、加速度传感器、陀螺仪以及处理器等功能组件中的一个或多个。同时，显示装置10可以电连接至电路板40，以通过电路板40上的处理器对显示装置10的显示进行控制。显示装置10和采光元件30可以均与处理器电性连接；当处理器接收到采光指令时，处理器控制透光区关闭显示，并控制采光元件30透过第一显示区11采集光线；当处理器未接收到采光指令，且接收到显示图像指令时，处理器控制第二显示区12和/或第一显示区11显示图像。

电池50可以安装在中框上。同时，电池50电连接至电路板40，以实现电池50为电子设备100供电。其中，电路板40上可以设置有电源管理电路。电源管理电路用于将电池50提供的电压分配到电子设备100中的各个电子元件。

为了更加全面的理解本申请实施例的显示装置10。下面对本申请实施例的显示装置10进行详细说明。

请参阅图3，图3为本申请实施例提供的显示装置的第一种结构示意图。本申请实施例中的显示装置10可以包括相互连接的第一显示区11和第二显示区12。第一显示区11包括第一像素密度的第一像素110，第一像素110具有第一发光效率。第二显示区12包括第二像素密度的第二像素120，第二像素120具有第二发光效率。其中，第二像素密度大于第一像素密度，第二发光效率小于第一发光效率，以使得第一显示区11和第二显示区12的亮度相等。

本申请实施例的显示装置10，第一显示区11的第一像素110的第一像素密度小于第二显示区12的第二像素120的第二像素密度，第一显示区11内的第一像素110的数量较少，可以降低第一显示区11内的第一像素110对光线的阻挡，提高第一显示区11的透光率。进而，显示装置10不需要额外设置光通过孔，显示装置10的显示区域完整，可以提高显示装置10的屏占比。同时，由于本申请实施例中第二显示区12内第二像素120的第二发光效率小于第一显示区11内第一像素110的第一发光效率，即使第二显示区12内第二像素120的数量大于第一显示区11内第一像素110的数量，在较低的第二发光效率的影响下，第二显示区12内所有的第二像素120的最终发光亮度也可以与第一显示区11内所有的第一像素110的最终发光亮度相等，从而使得第二显示区12和第一显示区11不会出现明显的显示界限。

其中，发光效率是指像素产生的光子量与透过显示装置10达到外部的光子量的比值。当单个第二像素120和单个第一像素110产生相同的光子量时，发光效率较大的单个第一像素110最终传输至外部的光子量更多，从而，高发光效率可以弥补像素密度上的不足，最终可以使第一显示区11和第二显示区12的亮度相同。

其中，像素密度(Pixels Per Inch简称PPI)是指对角线长为1英寸的正方形面积的显示区内所拥有的像素数量。示例性的，如图3所示，在对角线长为1英寸的正方形显示区域面积a内，第一显示区11内可以设置一组第一像素110而第二显示区12可以设置四组第二像素120，则此时第一显示区11的第一像素密度为1PPI，第二显示区12的第二像素密度为4PPI，第二显示区12的第二像素密度是第一显示区11的第一像素密度的四倍，第二显示区12的第二像素密度大于第一显示区11的第一像素密度。

当第一显示区11内第一像素110的第一像素密度小于第二显示区12的第二像素120的第二像素密度时，如果电子设备100向第一像素110和第二像素120传输相同大小的电流时，则第一显示区11内所有的第一像素110的发光亮度总和L1也会小于第二显示区12内所有的第二像素120的发光亮度总和L2。示例性地，在图3所示的显示装置10中，第一显示区11内所有的第一像素110的发光亮度总和L1＝k1·L_a1，第二显示区12内所有的第二像素120的发光亮度总和L2＝k2·L_a2。其中，k1为第一显示区11的总显示面积S1与面积a的比值，k2为第二显示区12的总显示面积S2与面积a的比值；L_a1是第一显示区11内显示面积a区域的发光亮度，L_a2是第二显示区12内显示面积a区域的发光亮度，L_a2＝4·L_a1。

基于此，第二显示区12内所有的第二像素120的发光亮度总和L2＝4·(S2/S1)·L1。由于S2与S1的比值一般远大于1，那么第二显示区12内所有的第二像素120的发光亮度总和L2至少是第一显示区11内所有的第一像素110的发光亮度总和L1的四倍。如果第二像素120和第一像素110的发光效率相同，则第一显示区11与第二显示区12会存在明显的亮度差，第一显示区11和第二显示区12会存在明显的界限，导致显示装置10存在残影现象。

相关技术中为了解决上述残影问题，往往是通过增大第一显示区11内第一像素110的电流，由于像素的亮度与其电流成正比，在图3所示的显示装置10中，相关技术的方案可以将第一像素110的电流I1至少设置为第二像素120的电流I的四倍，也即，I1≥4·I2。但是，受到像素电流上限的限制，该方案无法满足实际电流需求。相关技术中也有增大第一像素110开口面积的方案，增大像素的开口面积使得像素在相同电流下可以发出更强的亮度。但是增大第一像素110的开口面积使得显示装置10内第一像素110和第二像素120的横截面不一致，显示装置10在蒸镀工艺中所用的掩膜版(在薄膜、塑料或玻璃基板上制作各种功能图形并精准定位的结构)在第一显示区11内的开口大小和在第二显示区12内的开口大小也不一致，掩膜版在蒸镀过程中受力不一致，容易导致混色等不良影响。

而本申请实施例的方案，通过降低第二显示区12的第二像素120的第二发光效率，使第二像素120的第二发光效率小于第一像素110的第一发光效率。在第二像素120和第一像素110的电流基本一致的情况下，虽然第二显示区12内的所有第二像素120产生的光子量大于第一显示区11内的所有第一像素110产生的光子量，但是由于第二像素120的第二发光效率小于第一像素110的第一发光效率，最终可以透过第二显示区12的光子量和最终可以透过第一显示区11的光子量基本一致，从而可以实现第二显示区12和第一显示区11的亮度一致。并且，像素的使用寿命衰减情况与像素的电流有关，本申请实施例的显示装置10在显示的过程中，第二像素120和第一像素110的电流可以基本保持一致，第二像素120和第一像素110的寿命衰减曲线也可保持一致，本申请实施例的方案也能提高显示装置10的使用寿命。

并且，根据亮度等于发光效率与电流的乘积的计算公式，本申请实施例的上述方案，在第二显示区12与第一显示区11亮度一致的前提下，第二像素120的电流密度可以与第一像素110的电流密度的比值可以在预设范围内。其中，电流密度是指流经一个像素的电流与其开口面积的比值，像素开口面积是指像素的横截面积，当第二像素120和第一像素110的开口面积一致时，第二像素120和第一像素110的电流密度比值即为流经第二像素120和第一像素110的电流。

当第二显示区12与第一显示区11亮度一致时，根据以下公式可以计算出透光小光110和第二像素120的电流关系：

L1＝N·U1·I1＝L2＝M·U2·I2

其中，LI表示整个第二显示区12的最终亮度，L2表示整个第一显示区11的最终亮度。U1和U2分别为单个第二像素120、第一像素110的发光效率，I1和I2分别为每一个第二像素120、每一个第一像素110的电流；N表示整个第二显示区12内第二像素120的个数；M表示整个第一显示区11内第一像素110的个数。基于此，根据上述公式最终可以得出：

I1/I2＝(M/N)·(U2/U1)

而(M/N)＝(S1/S2)·(P1/P2)。其中，(S1/S2)为第一显示区11与第二显示区12的面积比，该比值一般远小于1；(P1/P2)为第一像素110的第一像素密度与第二像素120的第二像素密度的比值，该比值也小于1，从而使得(M/N)也小于1。同时，(U2/U1)为第一像素110的第一发光效率与第二像素120的第二发光效率的比值，该比值大于1，从而，由上述公式可以看出，本申请实施例中，在第二显示区12和第一显示区11亮度一致的前提下，第二像素120和第一像素110的电流比值可以在预设范围内，该预设范围可以是0.5至1.5。此时，第二像素120和第一像素110的电流可以基本相等。由于像素的电流会影响像素的使用寿命衰减情况，当第二像素120和第一像素110的电流基本相等时，第二像素120和第一像素110的使用寿命衰减曲线可以基本一致，整个显示装置10内的第一像素110和第二像素120的寿命衰减相差不大，进而可以提高整个显示装置10的使用寿命。

并且，当第二像素120和第一像素110的电流比值在0.5至1.5之间时，由于第一像素110的第一像素密度与第二像素120的第二像素密度的比值一般在1/4至1/2之间，从而，第一像素110的第一发光效率与第二像素120的第二发光效率的比值可以在2-6之间。在实际生产中通过调整第一显示区11与第二显示区12的各个层级的厚度可以得到第一像素110与第二像素120的前述发光效率比值。

可以理解的是，根据上述公式，当第一显示区11和第二显示区12的面积一定的情况下，已知上述第二像素120和第一像素110的电流比值、第一像素110与第二像素120的像素密度比值、第二像素120与第一像素110的发光效率比值中的任一两个即可以计算出另一比值大小，从而在实际生产中可以准确控制显示装置10的上述参数。

需要理解的是，在本申请的描述中，诸如“第一”、“第二”等术语仅用于区分类似的对象，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

下面将结合具体的实施例来详细阐述本申请实施例的第一显示区11和第二显示区12。

请参考图4，图4为图3所示的显示装置10沿P1至P2方向的第一种剖视图。第一显示区11可以包括基板130、第一阳极层111、第一传输层112、第一发光层113和第一阴极层114。第一传输层112和第一发光层113可以设置在第一阳极层111和第一阴极层114之间。如图4所示，第一传输层112可以位于第一发光层113和第一阳极层111之间。当然，第一传输层112也可以位于第一发光层113和第一阴极层114之间。第一传输层112还可以部分位于第一发光层113和第一阳极层111之间、另外部分位于第一发光层113和第一阴极层114之间。

第二显示区12可以包括基板130、第二阳极层121、第二传输层122、第二发光层123和第二阴极层124。第二传输层122和第二发光层123可以设置在第二阳极层121和第二阴极层124之间。如图4所示，第二传输层122可以位于第二发光层123和第二阳极层121之间。当然，第二传输层122也可以位于第二发光层123和第二阴极层124之间，第二传输层122还可以部分位于第二发光层123和第二阳极层121之间、另外部分位于第二发光层123和第二阴极层124之间。

当在第一阳极层111与第一阴极层114之间、第二阳极层121与第二阴极层124之间通过电流时，第一阳极层111和第二阳极层121可以消除显示装置10的电子从而产生空穴，第一阴极层114和第二阴极层124可以产生电子。第一阳极层111、第二阳极层121产生的空穴和第一阴极层114、第二阴极层124产生的电子会发生在第一传输层112和第二传输层122中移动，并迁移至第一发光层113和第二发光层123，当空穴和电子在第一发光层113、第二发光层123相遇时，有机发光材料产生能量激子并激发出光子最终产生可见光。

其中，基于上述显示装置10的结构，本申请实施例的显示装置10，可以通过改变第二显示区12和第一显示区11的有机发光层的厚度，使第二显示区12的第二发光效率小于第一显示区11的第一发光效率。由于有机发光层的厚度与发光效率之间并不是正相关或负相关的映射关系，因此，在实际生产中需要根据显示装置10的具体结构来设置第二发光层123的厚度，使第二发光层123的厚度大于或小于第一发光层113的厚度。

例如，发光效率、有机发光层的厚度以及空穴传输层的厚度三者之间可能存在一定联系，当显示装置10的空穴传输层的厚度在阈值范围以下时，有机发光层的厚度增加，像素的发光效率降低；当显示装置10的空穴传输层的厚度在阈值范围以上时，有机发光层的厚度增加，像素的发光效率增加。

基于此，如图5所示，图5为图3所示的显示装置10沿P1至P2方向的第二种剖视图。当第一显示区11和第二显示区12的空穴传输层的厚度均在阈值范围以上时，降低第二发光层123的厚度，使第二发光层123的厚度小于第一发光层113的厚度而第二像素120的第二发光效率小于第一像素110的第一发光效率。

如图6所示，图6为图3所示的显示装置10沿P1至P2方向的第三种剖视图。当第一显示区11和第二显示区12的空穴传输层的厚度均在阈值范围以下时，增加第二发光层123的厚度，使第二发光层123的厚度大于第一发光层113的厚度而第二像素120的第二发光效率小于第一像素110的第一发光效率。

可以理解的是，由于有机发光层的厚度与发光效率之间的关系较为复杂，第二发光层123与第一发光层113的厚度关系需要根据实际情况设置，且并不局限于上述举例。通过设置第二发光层123的厚度不同于第一发光层113的厚度可以使第二发光效率小于第一像素110的第一发光效率。

其中，第一发光层113和第二发光层123在生产加工过程中，可以将发光有机材料通过金属掩膜版蒸镀在第二显示区12和第一显示区11上，并形成第二像素120和第一像素110。

当前述方案中第二发光层123的厚度小于第一发光层113的厚度时，实际生产中可以先对第二显示区12和第一显示区11通过第一块金属掩膜版进行第一次有机发光材料蒸镀，然后再将第二显示区12遮挡住并通过第二块金属掩膜版对第一显示区11进行第二次有机发光材料蒸镀。由于第一显示区11进行了两次有机发光材料蒸镀而第二显示区12仅进行了一次蒸镀，从而可使第二发光层123的厚度小于第一发光层113的厚度。

当前述方案中第二发光层123的厚度大于第一发光层113的厚度时，实际生产中可以先对第二显示区12和第一显示区11通过第一块金属掩膜版进行第一次有机发光材料蒸镀，然后再将第一显示区11遮挡住并通过第二块金属掩膜版对第二显示区12进行第二次有机发光材料蒸镀。由于第二显示区12进行了两次有机发光材料蒸镀而第一显示区11进行了一次有机发光材料蒸镀，从而可使第二发光层123的厚度大于第一发光层113的厚度。

可以理解的是，第二显示区12内第二像素120的开口面积可以等于第一显示区11内第一像素110的开口面积，这样在第一次蒸镀的过程中，第一块金属掩膜版可以采用同一开口尺寸，在蒸镀的过程中，金属掩膜版受力更均匀，金属掩膜版具有较优的张网力，不易导致混色。

可以理解的是，如图4至图6所示，多个第一像素110在第一发光层113内是间隔设置的，同理，第二像素120在第二发光层123内也是间隔设置的。因此，在生产工艺上，往往会采用精细金属掩膜版200(Fine metal mask简称FMM)来进行蒸镀。请参考图7，图7为本申请实施例提供的FMM的第一种结构示意图。FMM包括第一边框区域210和第一蒸镀区域220，第一蒸镀区域220内的阴影部分为支架，第一蒸镀区域220内的空白区域为FMM的网孔，有机发光材料通过一个个网孔被蒸镀到显示装置10的第二显示区12和第一显示区11。

请参考图8，图8为本申请实施例提供的FMM的第二种结构示意图，当前述方案中第二发光层123的厚度大于第一发光层113的厚度时，由于需要遮挡第一显示区11而对第二显示区12进行第二次蒸镀，此时第二金属掩膜版上需要额外设置一第一遮挡物230来遮挡第一显示区11。为了使FMM的张网受力均匀，较优的方案是第一显示区11位于第二显示区12的中间，使得第二显示区12围设在第一显示区11的边缘，且第一显示区11与第二显示区12的中心重叠设置。此时，第一遮挡物230可以位于FMM蒸镀区域的中心，从而可以使FMM的张网受力均匀。

请参考图9，图9为本申请实施例提供的FMM的第三种结构示意图。当前述方案中第二发光层123的厚度小于第一发光层113的厚度时，由于需要遮挡第二显示区12而对第一显示区11进行第二次蒸镀，此时第二金属掩膜版上需要额外设置一第一遮挡物230来遮挡第二显示区12。为了使FMM的张网受力均匀，较优的方案是也是第一显示区11位于第二显示区12的中间，使得第二显示区12围设在第一显示区11的边缘，且第一显示区11与第二显示区12的中心重叠设置。此时，第一遮挡物230可以围绕FMM蒸镀区域的中心对称设置，从而可以使FMM的张网受力均匀。

基于上述显示装置10的结构，本申请实施例的显示装置10，还可以通过改变第二显示区12或第一显示区11内阳极层、阴极层、传输层的厚度，使得第二显示区12的厚度可以大于第一显示区11的厚度，并使第二显示区12的第二发光效率小于第一显示区11的第一发光效率。当第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度时，第二显示区12内像素产生的光子在第二显示区12内传递时的路径损耗更多，第二显示区12到达外界的光量子减少，从而可以降低第二显示区12内第二像素120的发光效率。

请参考图10，图10为图3所示的显示装置10沿P1至P方向的第四种剖视图。图10所示的显示装置10中，第二阳极层121的厚度可以大于第一阳极层111的厚度，以使第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度。在显示装置10的生产工艺过程中，可以通过光刻技术将导电性能好、透射率高的阳极材料例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，光刻在同一块基板130上。例如，可以先在基板130对应第一显示区11和第二显示区12的部位光刻一层阳极材料，实现第一次光刻。然后将基板130上对应第一显示区11的部位遮挡住，并仅对基板130上对应第二显示区12的部位进行第二次光刻，由于第二显示区12进行了两次光刻，可以使第二阳极层121的厚度大于第一阳极层111的厚度。

本申请实施例的显示装置10，第二阳极层121的厚度大于第一阳极层111的厚度，可以影响光子的反射效率并使第二发光效率小于第一发光效率。并且，阳极层仅仅通过光刻工艺即可形成在基板130上，其工艺相较于蒸镀工艺而言更简单。

其中，如图11所示，图11为图3所示的显示装置10沿P1至P2方向的第五种剖视图。第二阴极层124的厚度可以大于第一阴极层114的厚度，以使第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度。在显示装置10的生产工艺过程中，可以通过蒸镀工艺将阴极材料例如铝镁合金、铝锂合金等蒸镀在显示装置10上。例如，可以先通过第一块金属掩膜版将阴极材料蒸镀在第一显示区11和第二显示区12，以实现第一次蒸镀。然后将第一显示区11遮挡住，在通过第二块金属掩膜版对第二显示区12进行第二次蒸镀。由于第二显示区12进行了两次蒸镀，可以使第二阴极层124的厚度大于第一阴极层114的厚度。

本申请实施例的显示装置10，由于阴极材料大多为非透明材料，当第二阴极层124的厚度大于第一阴极层114的厚度，光子在第二阴极层124内的路径损耗大于在第一阴极层114内的路径损耗，从而使第二发光效率小于第一发光效率。并且，由于阴极层一般位于显示装置10层状结构的外部，即使第二阴极层124的厚度大于第一阴极层114的厚度，第一显示区11内第二阴极层124下方的区域厚度与第二显示区12内第一阴极层114下方的区域厚度依然是一致的，从而可以使显示装置10的层状结构更稳定。

如图12所示，图12为图3所示的显示装置10沿P1至P2方向的第六种剖视图。第二传输层122的厚度可以大于第一传输层112的厚度，以使第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度。在显示装置10的生产工艺过程中，可以通过蒸镀工艺将有机传输材料蒸镀在第一阳极层111和第二阳极层121上。例如，可以先通过第一金属掩膜版将有机材料蒸镀在第一显示区11和第二显示区12，以实现第一次蒸镀。然后将第一显示区11遮挡住，再通过第二金属掩膜版对第二显示区12进行第二次蒸镀。由于第二显示区12进行了两次蒸镀，可以使第二传输层122的厚度大于第一传输层112的厚度。

本申请实施例的显示装置10，第二传输层122的厚度大于第一传输层112的厚度，可以使第二发光效率小于第一发光效率。并且，由于第一传输层112和第二传输层122可以用于供空穴和电子传输，其厚度可以直接影响光子的路径损耗，进而对第二传输层122的厚度进行改变可以大幅度改变第二像素120的发光效率。

其中，如图13所示，图13为图4所示的第一传输层和第二传输层的结构示意图。第一传输层112可以包括第一空穴注入层1121、第一空穴传输层1122、第一空穴阻挡层1123、第一电子传输层1124、第一电子注入层1125和第一电子阻挡层1126中的一层或多层。第二传输二层可以包括第二空穴注入层1221、第二空穴传输层1222、第二空穴阻挡层1223、第二电子传输层1224、第二电子注入层1225和第二电子阻挡层1226中的一层或多层。

第一空穴注入层1121、第二空穴注入层1221可以降低空穴自阳极注入有机层的能障。第一空穴传输层1122和第二空穴传输层1222可以传输空穴。第一空穴阻挡层1123和第二空穴阻挡层1223可以将空穴阻隔在第一发光层113、第二发光层123与第一电子传输层1124、第二电子传输层1224的界面上，增加电子和空穴再结合的机会，以提高发光效率。第一电子注入层1125和第二电子注入层1225增加电子注入的效率。第一电子传输层1124和第二电子传输层1224可以用于传输电子。第一电子阻挡层1126和第二电子阻挡层1226可以用于将电子阻挡在第一发光层113、第二发光层123与第一空穴传输层1122、第二空穴传输层1222的界面上，增加电子和空穴再结合的机会，以提高发光效率。实际工艺中可以根据显示装置10的尺寸、透光率、像素要求而灵活设置第一传输层112和第二传输层122的具体结构。

下面以第一传输层112包括第一空穴传输层1122、第一电子传输层1124，第二传输层122包括第二空穴传输层1222、第二电子传输层1224为例，来介绍本申请的显示装置10。

请参考图14，图14为图3所示的显示装置10沿P1至P2方向的第七种剖视图。第一显示区11可以依次包括第一阳极层111、第一空穴传输层1122、第一发光层113、第一电子传输层1124和第一阴极层114。第二显示区12可以依次包括第二阳极层121、第二空穴传输层1222、第二发光层123、第二电子传输层1224和第二阴极层124。如图14所示，第二空穴传输层1222的厚度可以大于第一空穴传输层1122的厚度，以使得第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度。

在显示装置10的生产工艺过程中，可以通过蒸镀工艺将空穴传输材料蒸镀在第一阳极层111和第二阳极层121上。例如，可以先通过第一块金属掩膜版将空穴材料蒸镀在第一显示区11和第二显示区12，以实现第一次蒸镀。然后将第一显示区11遮挡住，再通过第二金属掩膜版对第二显示区12进行第二次蒸镀。由于第二显示区12进行了两次蒸镀，可以使第二空穴传输层1222的厚度大于第一空穴传输层1122的厚度。

请参考图15，图15为图3所示的显示装置10沿P1至P2方向的第八种剖视图。第一显示区11可以依次包括第一阳极层111、第一空穴传输层1122、第一发光层113、第一电子传输层1124和第一阴极层114。第二显示区12可以依次包括第二阳极层121、第二空穴传输层1222、第二发光层123、第二电子传输层1224和第二阴极层124。如图15所示，第二电子传输层1224的厚度可以大于第一电子传输层1124的厚度，以使得第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度。

在显示装置10的生产工艺过程中，可以通过蒸镀工艺将电子传输材料蒸镀在第一发光层113和第二发光层123上。例如，可以先通过第一金属掩膜版将电子传输材料蒸镀在第一显示区11和第二显示区12，以实现第一次蒸镀。然后将第一显示区11遮挡住，再通过第二金属掩膜版对第二显示区12进行第二次蒸镀。由于第二显示区12进行了两次蒸镀，可以使第二电子传输层1224的厚度大于第一电子传输层1124的厚度。

可以理解的是，上述使第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度的方案中，往往需要对第二显示区12除第二发光层123外的其他层进行两次蒸镀。在两次蒸镀工艺中，可以使用两块共同金属掩膜版300(Common metal mask简称CMM)来进行蒸镀。请参考图16和17，图16为本申请实施例提供的CMM的第一种结构示意图，图17为本申请实施例提供的CMM的第二种结构示意图。

CMM包括第二边框区域310和第二蒸镀区域320，如图16所示，第二蒸镀区域320内均为空白区域，阴极材料及传输材料可以通过该空白区域蒸镀到显示装置10的第二显示区12和第一显示区11。如图17所示，第二蒸镀区域320内除了空白区域还包括一第二遮挡物330，该第二遮挡物330可以遮挡阴极材料及传输材料蒸镀到第一显示区11。当通过如图16所示的CMM进行第一次蒸镀时，第一显示区11和第二显示区12可以同时蒸镀一层阴极材料或传输材料。当通如图17所示的CMM进行第二次蒸镀时，第二显示区12可以单独再蒸镀一层，从而使第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度。

如图16和17所示，由于CMM的蒸镀区域为一整片空白区域，此时为了便于设置第二遮挡物330，可以如图17所示，CMM将第二遮挡物330设置在蒸镀区域的边缘，对应的，第一显示区11可以位于第二显示区12的边缘，第一显示区11与第二显示区12的边缘连接。本申请实施例将第一显示区11设置在第二显示区12的边缘，第二显示区12进行第二次蒸镀所用的CMM，可以直接将第二遮挡物330设置在CMM的蒸镀区域的边缘，从而使CMM设计更简单。

可以理解的是，以上实施例的方案，通过改变显示装置10第一显示区11和第二显示区12内层状结构的厚度来调节第一显示区11的第一发光效率和第二显示区12的第二发光效率的大小。并且，第一显示区11和第二显示区12内层状结构的厚度的改变，往往为纳米级别，其并不会影响掩膜版的蒸镀工艺。

请参考图18、图18为图3所示的显示装置10沿P1至P方向的第九种剖视图。本申请实施例可以在第二显示区12内额外再设置一层遮光层125来降低第二像素120的第二发光效率。

第一显示区11可以依次包括基板130、第一阳极层111、第一空穴传输层1122、第一发光层113、第一电子传输层1124和第一阴极层114。第二显示区12可以依次包括基板130、第二阳极层121、第二空穴传输层1222、第二发光层123、第二电子传输层1224、第二阴极层124和遮光层125。其中，遮光层125用于遮挡第二像素120发射光线的传输。

本申请实施例的显示装置10，由于第二显示区12相较于第一显示区11多了一层遮光层125，第二显示区12内的第二像素120激发的光子穿透遮光层125后，到达显示装置10外界的光子数量远小于第一显示区11内第一像素110激发的光子到达显示装置10外界的光子数量，从而可以使第二像素120的第二发光效率小于第一像素110的第一发光效率。

如图18所示，遮光层125可以设置在第二阴极层124远离第二电子传输层1224的一侧。也即，遮光层125设置在第二阴极层124的上方，遮光层125不用设置在第二阳极层121与第二阴极层124之间，遮光层125不会影响电子与空穴的结合，遮光层125对光子的遮光效率不用受到电子与空穴结合数量的影响，从而遮光层125的遮光效率更容易计算。当然，遮光层125也可以设置在第二阳极层121和第二阴极层124之间的其他位置，此时需要通过实验来确定遮光层125的遮光效率与第二像素120的第二发光效率之间的关系。可以理解的是本申请对遮光层125的具体位置不作限定。

可以理解的是，遮光层125和显示装置10可以单独制作最后组装在一起，使得生产工艺更简单。当然，遮光层125也可以通过蒸镀工艺直接将遮光材料蒸镀在第二阴极层124上。此时，可也可以通过如图17所示的CMM将遮光材料仅蒸镀在第二显示区12。

可以理解的是，以上实施例中仅示出了改变第二显示区12内某一层厚度的方案。在实际生产中，还可以对第二显示区12内的多层进行厚度调节以最终实现第二显示区12的厚度大于第一显示区11的厚度。当然，在实际生产中，还可以对第一显示区11的一层或多层进行厚度调节以最终实现第一显示区11的厚度小于第二显示区12的厚度。

可以理解的是，以上实施例再不冲突的情况下，多个实施例可以进行任意组合，本申请实施例保护的范围并不局限于上述实施例。

以上对本申请实施例提供显示装置及电子设备进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

第一显示区，所述第一显示区包括第一像素密度的第一像素，所述第一像素具有第一发光效率；及

第一阳极层，所述第一阳极层位于所述第一显示区；

第二显示区，所述第二显示区与所述第一显示区相互连接，所述第二显示区包括第二像素密度的第二像素，所述第二像素具有第二发光效率；及

第二阳极层，所述第二阳极层位于所述第二显示区；

其中，所述第二像素密度大于所述第一像素密度，所述第二阳极层的厚度大于所述第一阳极层的厚度以使所述第二显示区沿所述显示装置的厚度方向的总厚度大于所述第一显示区的沿所述厚度方向的总厚度，使得所述第二发光效率小于所述第一发光效率，所述第一显示区和所述第二显示区的亮度相等。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一像素的开口面积等于所述第二像素的开口面积，所述第二像素的厚度不同于所述第一像素的厚度，以使所述第二发光效率小于所述第一发光效率。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第二显示区围绕所述第一显示区的周缘设置，所述第一显示区的中心与所述第二显示区的中心重叠设置。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：

第一阴极层，所述第一阴极层位于所述第一显示区；及

第二阴极层，所述第二阴极层位于所述第二显示区，所述第二阴极层的厚度大于所述第一阴极层的厚度，以使所述第二显示区沿所述厚度方向的总厚度大于所述第一显示区沿所述厚度方向的总厚度。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：

第一传输层，所述第一传输层位于所述第一显示区，所述第一传输层位于所述第一阳极层与第一阴极层之间；及

第二传输层，所述第二传输层位于所述第二显示区，所述第二传输层位于所述第二阳极层与所述第二阴极层之间，所述第二传输层的厚度大于所述第一传输层的厚度，以使所述第二显示区沿所述厚度方向的总厚度大于所述第一显示区沿所述厚度方向的总厚度。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第一传输层包括第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一空穴阻挡层、第一电子传输层、第一电子注入层和第一电子阻挡层中的一层或多层。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第二传输层包括第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二空穴阻挡层、第二电子传输层、第二电子注入层和第二电子阻挡层中的一层或多层。

8.根据权利要求4至7任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一显示区位于所述第二显示区的边缘。

9.根据权利要求1至7任一项所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括：

遮光层，所述遮光层位于所述第二显示区，所述遮光层用于降低所述第二像素的第二发光效率。

10.根据权利要求1至7任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第二像素的电流密度与所述第一像素的电流密度的比值在0.5至1.5之间。

11.一种电子设备，其特征在于，包括：

显示装置，所述显示装置如权利要求1至10任一项所述的显示装置；及

采光元件，所述采光元件的采光面朝向所述第一显示区设置，所述采光元件用于获取透过所述第一显示区的外部光信号。