CN111524811A - 一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用 - Google Patents
一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111524811A CN111524811A CN202010326667.6A CN202010326667A CN111524811A CN 111524811 A CN111524811 A CN 111524811A CN 202010326667 A CN202010326667 A CN 202010326667A CN 111524811 A CN111524811 A CN 111524811A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gold
- graphene
- bonding wire
- cerium
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 217
- 239000010931 gold Substances 0.000 title claims abstract description 217
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 36
- ARNJDXAPUCHUQL-UHFFFAOYSA-N [Ce].[Au] Chemical compound [Ce].[Au] ARNJDXAPUCHUQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- SVLCJURZLIRYOT-UHFFFAOYSA-N gold lanthanum Chemical compound [La].[Au].[Au] SVLCJURZLIRYOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 32
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 32
- 229910000636 Ce alloy Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 25
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical group O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000007531 graphite casting Methods 0.000 claims description 16
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 15
- 238000009749 continuous casting Methods 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004513 sizing Methods 0.000 claims description 10
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 10
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005058 metal casting Methods 0.000 claims description 8
- 229910003771 Gold(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 7
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 238000007670 refining Methods 0.000 claims description 6
- 229910003803 Gold(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 claims description 3
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 10
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 16
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4885—Wire-like parts or pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
本发明提供一种石墨烯‑金键合丝及其制备方法和应用,石墨烯‑金键合丝,以质量百分比计包含:石墨烯0.05%~1.0%,镧0.0005%~0.001%,铈0.0005%~0.010%,金60%~80%,银19%~39.94%,余量为不可避免的杂质。本发明的石墨烯‑金键合丝用于集成电路封装中,可作为键合金丝的替代品,成本低,焊线效果好。
Description
技术领域
本发明涉及封装用键合丝技术领域,具体是涉及一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用。
背景技术
微电子引线键合,是一种使用微细金属线,利用热、压力、超声波能量为使金属引线与基板焊盘紧密焊合,实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。在理想控制条件下,引线和基板间会发生电子共享或原子的相互扩散,从而使两种金属间实现原子量级上的键合。
目前在中高端LED、COB及多引脚IC集成电路封装中,键合线多用键合金丝及金合金丝。其中,键合金丝中金的含量达到99.99%以上,是所有键合线中最顶端的产品,但是键合金丝价格偏高,导致封装成本增加。金合金丝价格相对较低,但在高端LED、COB及多引脚IC集成电路封装技术中,会出现键合氧化、推拉力不足、焊点共晶不好等缺陷。
为了解决上述技术问题,公开号为CN107768338A的中国发明专利申请文件公开了一种银-锡-石墨烯复合键合丝及其制备方法,其中,银-锡-石墨烯复合键合丝,以重量百分比计,包括:石墨烯0.05%~1.5%、锡5%~10%、银88.5~94.95%及不可避免的杂质。
然而,上述银-锡-石墨烯复合键合丝中银的含量高达88.5~94.95%,由于银容易被氧化,该银-锡-石墨烯复合键合丝在焊线过程中很容易产烧小球、滑球现象,严重影响了其键合性能。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种键合性能优良,在焊线过程中不会产烧小球、滑球现象的石墨烯-金键合丝。
本发明的第二目的是提供一种上述石墨烯-金键合丝的制备方法。
本发明的第三目的是提供一种上述石墨烯-金键合丝的应用。
为了实现上述的第一目的,本发明提供石墨烯-金键合丝,以质量百分比计包含:石墨烯0.05%~1.0%,镧0.0005%~0.001%,铈0.0005%~0.010%,金60%~80%,银19%~39.94%,余量为不可避免的杂质。
优选地,石墨烯0.05%,镧0.0005%,铈0.0005%,金60%,银39.947%,余量为不可避免的杂质;
优选地,石墨烯0.1%,镧0.0008%,铈0.0010%,金70%,银29.898%,余量为不可避免的杂质;
优选地,石墨烯0.90%,镧0.0010%,铈0.0100%,金80%,银19.086%,余量为不可避免的杂质;
优选地,将石墨烯-金键合丝进行复绕分装。
为了实现上述的第二目的,本发明提供石墨烯-金键合丝的制备方法:采用化学沉积方法获得石墨烯-金复合粉末材料,通过金属熔铸的方法获得金-镧、金-铈的合金材料,将金、石墨烯-金复合粉末材料、合金材料、银通过金属熔铸和定向凝固法获得复合材料棒材,最后通过对复合材料棒材拉伸获得石墨烯-金键合丝。
进一步的方案是,本发明的石墨烯-金键合丝的制备方法具体包括以下步骤:S1、制备石墨烯-金复合粉末材料:配制一定浓度的AuCl3水溶液,将一定量的石墨烯置于AuCl3水溶液中,搅拌、分散后,调节溶液的PH值为10~15,在反应温度为60℃~90℃的条件下,滴入还原剂,反应完毕后用去离子水冲洗并过滤,将收集的反应产物置于干燥箱烘干,得到石墨烯-金复合粉末材料;S2、制备金-镧合金片材:按重量百分比,将0.1%~0.5%的镧和99.9%~99.5%的金通过金属熔铸的方法得到块状的金-镧合金铸锭,再将金-镧合金铸锭轧制成金-镧合金片材;S3、制备金-铈合金片材:按重量百分比,将0.1%~0.5%的铈和99.9%~99.5%的金通过金属熔铸的方法得到块状的金-铈合金铸锭,再将金-铈合金铸锭轧制成金-铈合金片材片材;S4、制备石墨烯-金复合棒材:将一定量的金、石墨烯-金复合材料粉末、金-镧合金片材、金-铈合金片材、银完全熔化后,经过保温、搅拌、精炼后,采用定向凝固法,下拉连铸得到石墨烯-金复合棒材;S5、制备石墨烯-金键合丝:将石墨烯-金复合棒材经多次拉伸得到石墨烯-金键合丝。
进一步的方案是,步骤S1中AuCl3水溶液的浓度为0.12mol/L至0.15mol/L,体积为5L至10L,石墨烯的添加量为8g至15g,还原剂为甲醛或水合联氨。
进一步的方案是,步骤S2具体为:将镧和金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-镧合金铸锭,分道次将金-镧合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-镧合金片材。
优选地,金为纯度≥99.99%金锭。
进一步的方案是,步骤S3具体为:将铈和金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-铈合金铸锭,分道次将金-铈合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-铈片材。
优选地,步骤S4具体为:将金、石墨烯-金复合材料粉末、金-镧合金片材、金-铈合金片材、银,放于高纯石墨坩锅内,并置于真空下拉连铸炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,保温15min~60min,并进行搅拌,搅拌后精炼30min~60min,采用定向凝固法,下拉连铸得到石墨烯-金复合棒材;
优选地,银为纯度≥99.99%的银粉。
进一步的方案是,步骤S5具体为:粗拉伸:将石墨烯-金复合棒材粗拉伸成直径φ1.5mm的线材;表面清洗:将经过粗拉的直径φ1.5mm的线材先用浓度为5%~10%氢氧化纳溶液清洗,再用去离子水冲清洗并烘干;中拉伸:将表面清洗后的直径φ1.5mm的线材中拉伸成直径φ0.2mm的线材;细拉伸:将直径φ0.2mm的线材细拉伸成直径φ0.08mm~φ0.10mm的丝材;去应力退火:将φ0.08mm~φ0.1mm的丝材置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度400℃~750℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理,去除内应力;微拉伸:将退火处理后的丝材进行微拉伸,拉伸成直径φ0.015mm~φ0.050mm的石墨烯-金键合丝;热处理:将φ0.015mm~φ0.05mm的石墨烯-金键合丝置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度300℃~600℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理。
更进一步的方案是,本发明的石墨烯-金键合丝的制备方法还包括复绕分装:将石墨烯-金键合丝单卷定尺,控制张力0.8g~8.0g,单卷500m或1000m定尺。
为了实现上述的第三目的,本发明提供一种上述石墨烯-金键合丝在集成电路封装中的应用。
本发明的有益效果是:
1、本发明的石墨烯-金键合丝用于集成电路封装中,其焊线参数与键合金丝接近,可作为键合金丝的替代品实用,用于高端LED、COB及多引脚IC集成电路封装,无烧小球、滑球现象,使用本发明的石墨烯-金键合丝成本仅为键合金线的3/5至4/5。
2、本明的石墨烯-金键合丝电阻率低,25℃室温条件下,直径为25um的丝材样品电阻率仅为2.6Ω·cm至3.0Ω·cm,比普通的金合金键合丝低了0.80Ω·cm至1.2Ω·cm,与键合金丝的电阻率相近。
3、本发明的石墨烯-金键合丝抗拉强度高,25℃室温条件下,直径为25um的丝材样品断裂力达到10cN至12cN,而同等直径的普通键合金丝的断裂力为9.0cN左右,普通金合金键合丝的断裂力为9.5cN左右。
4、本发明的石墨烯-金键合丝内部晶体结构,组织排列均匀一致,材料中石墨烯呈点片状分布且均匀,未见界面脱粘和孔洞,这使得材料密度相对较高,同时材料中的银含量较低,焊线时避免了烧小球、滑球等现象,从而了改善键合性能。
5、本发明的石墨烯-金键合丝进行封装后线材与芯片、线材与引线框架镀层共晶得到保障,在封装后进行破坏性耐冷热冲击实验,表明本发明的石墨烯-金键合丝耐热冷冲击性能好。
附图说明
图1是本发明实施例一与对比例一的石墨烯-金键合丝的IC封装对比图。
图2是本发明实施例一与对比例一的石墨烯-金键合丝的高端LED封装的焊点对比图。
图3是本发明实施例一的石墨烯-金键合丝在扫描电镜下的微观组织图。
图4是本发明实施例一的石墨烯-金键合丝在扫描电镜下的表面相貌图。
图5是普通金合金键合丝在扫描电镜下的表面相貌图。
以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明。
具体实施方式
【实施例一】
一种石墨烯-金键合丝,以质量百分比计包含:石墨烯0.05%,镧0.0005%,铈0.0005%,金60%,银39.947%,余量为不可避免的杂质。
上述石墨烯-金键合丝的制备方法,包括以下步骤:
S11、制备石墨烯-金复合粉末材料:
配制浓度为0.12mol/L的AuCl3水溶液5L。
将质量为8g的石墨烯置于配制好的AuCl3水溶液中,同时施以电磁搅拌和超声波分散,用浓度为20wt%的氨水调节溶液的PH值为13,在反应温度为60℃~90℃的条件下,滴入浓度为15wt%的甲醛还原剂进行还原,反应完毕后用去离子水冲洗并过滤,将收集的反应产物置于干燥箱烘干,得到石墨烯的含量为3%的石墨烯-金复合粉末材料。
S12、制备金-镧合金片材:
按重量百分比,将0.1%的镧和99.9%的金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-镧合金铸锭,分道次将金-镧合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-镧合金片材。
优选地,上述高纯石墨坩锅和石墨铸型中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
S13、制备金-铈合金片材:
按重量百分比,将0.1%的铈和99.9%的金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-铈合金铸锭,分道次将金-铈合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-铈片材。
优选地,上述高纯石墨坩锅和石墨铸型中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
S14、制备石墨烯-金复合棒材:
将573.843g的金、16.667g的石墨烯-金复合材料粉末、5g的金-镧合金片材、5g的金-铈合金片材、399.49g的银放于高纯石墨坩锅内,并置于真空下拉连铸炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,保温15min~60min,并进行搅拌,搅拌后精炼30min~60min,采用定向凝固法,下拉连铸得到石墨烯-金复合棒材。
优选地,上述高纯石墨坩锅中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
优选地,该步骤中使用的金为纯度≥99.99%金锭,银为纯度≥99.99%的银粉。
优选地,石墨烯-金复合棒材的直径为φ8mm。
S15、制备石墨烯-金键合丝:
将石墨烯-金复合棒材经多次拉伸得到石墨烯-金键合丝。
粗拉伸:将石墨烯-金复合棒材粗拉伸成直径φ1.5mm的线材;
表面清洗:将经过粗拉的直径φ1.5mm的线材先用浓度为5%~10%氢氧化纳溶液清洗,再用去离子水冲清洗并烘干;
中拉伸:将表面清洗后的直径φ1.5mm的线材中拉伸成直径φ0.2mm的线材;
细拉伸:将直径φ0.2mm的线材细拉伸成直径φ0.08mm~φ0.10mm的丝材;
去应力退火:将φ0.08mm~φ0.1mm的丝材置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度400℃~750℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理,去除内应力;
微拉伸:将退火处理后的丝材进行微拉伸,拉伸成直径φ0.015mm~φ0.050mm的石墨烯-金键合丝;
热处理:将φ0.015mm~φ0.05mm的石墨烯-金键合丝置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度300℃~600℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理。
最后,将制备的石墨烯-金键合丝进行复绕分装:将石墨烯-金键合丝单卷定尺,控制张力0.8g~8.0g,单卷500m或1000m定尺。
【实施例二】
一种石墨烯-金键合丝,以质量百分比计包含:石墨烯0.1%,镧0.0008%,铈0.0010%,金70%,银29.898%,余量为不可避免的杂质。
上述石墨烯-金键合丝的制备方法,包括以下步骤:
S21、制备石墨烯-金复合粉末材料:
配制浓度为0.13mol/L的AuCl3水溶液8L。
将质量为10g的石墨烯置于配制好的AuCl3水溶液中,同时施以电磁搅拌和超声波分散,用浓度为30wt%的氨水调节溶液的PH值为14,在反应温度为60℃~90℃的条件下,滴入浓度为30wt%的甲醛还原剂进行还原,反应完毕后用去离子水冲洗并过滤,将收集的反应产物置于干燥箱烘干,得到石墨烯的含量为5%的石墨烯-金复合粉末材料。
在其他实施方式中,上述甲醛还原剂可用水合联氨替代。
S22、制备金-镧合金片材:
按重量百分比,将0.3%的镧和99.7%的金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-镧合金铸锭,分道次将金-镧合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-镧合金片材。
优选地,上述高纯石墨坩锅和石墨铸型中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
S23、制备金-铈合金片材:
按重量百分比,将0.3%的铈和99.7%的金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-铈合金铸锭,分道次将金-铈合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-铈片材。
优选地,上述高纯石墨坩锅和石墨铸型中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
S24、制备石墨烯-金复合棒材:
将675.018g的金、20g的石墨烯-金复合材料粉末、2.667g的金-镧合金片材、3.333g的金-铈合金片材、298.982g的银放于高纯石墨坩锅内,并置于真空下拉连铸炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,保温15min~60min,并进行搅拌,搅拌后精炼30min~60min,采用定向凝固法,下拉连铸得到石墨烯-金复合棒材。
优选地,上述高纯石墨坩锅中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
优选地,该步骤中使用的金为纯度≥99.99%金锭,银为纯度≥99.99%的银粉。
优选地,石墨烯-金复合棒材的直径为φ8mm。
S25、制备石墨烯-金键合丝:
将石墨烯-金复合棒材经多次拉伸得到石墨烯-金键合丝。
粗拉伸:将石墨烯-金复合棒材粗拉伸成直径φ1.5mm的线材;
表面清洗:将经过粗拉的直径φ1.5mm的线材先用浓度为5%~10%氢氧化纳溶液清洗,再用去离子水冲清洗并烘干;
中拉伸:将表面清洗后的直径φ1.5mm的线材中拉伸成直径φ0.2mm的线材;
细拉伸:将直径φ0.2mm的线材细拉伸成直径φ0.08mm~φ0.10mm的丝材;
去应力退火:将φ0.08mm~φ0.1mm的丝材置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度400℃~750℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理,去除内应力;
微拉伸:将退火处理后的丝材进行微拉伸,拉伸成直径φ0.015mm~φ0.050mm的石墨烯-金键合丝;
热处理:将φ0.015mm~φ0.05mm的石墨烯-金键合丝置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度300℃~600℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理。
最后,将制备的石墨烯-金键合丝进行复绕分装:将石墨烯-金键合丝单卷定尺,控制张力0.8g~8.0g,单卷500m或1000m定尺。
【实施例三】
一种石墨烯-金键合丝,以质量百分比计包含:石墨烯0.90%,镧0.0010%,铈0.0100%,金80%,银19.086%,余量为不可避免的杂质。
上述石墨烯-金键合丝的制备方法,包括以下步骤:
S31、制备石墨烯-金复合粉末材料:
配制浓度为0.15mol/L的AuCl3水溶液10L。
将质量为15g的石墨烯置于配制好的AuCl3水溶液中,同时施以电磁搅拌和超声波分散,用浓度为20wt%的氨水调节溶液的PH值为13,在反应温度为60℃~90℃的条件下,滴入浓度为40wt%的甲醛还原剂进行还原,反应完毕后用去离子水冲洗并过滤,将收集的反应产物置于干燥箱烘干,得到石墨烯的含量为8%的石墨烯-金复合粉末材料。
S32、制备金-镧合金片材:
按重量百分比,将0.5%的镧和99.5%的金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-镧合金铸锭,分道次将金-镧合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-镧合金片材。
优选地,上述高纯石墨坩锅和石墨铸型中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
S33、制备金-铈合金片材:
按重量百分比,将0.5%的铈和99.5%的金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-铈合金铸锭,分道次将金-铈合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-铈片材。
优选地,上述高纯石墨坩锅和石墨铸型中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
S34、制备石墨烯-金复合棒材:
将674.61g的金、112.5g的石墨烯-金复合材料粉末、2g的金-镧合金片材、20g的金-铈合金片材、190.89g的银放于高纯石墨坩锅内,并置于真空下拉连铸炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,保温15min~60min,并进行搅拌,搅拌后精炼30min~60min,采用定向凝固法,下拉连铸得到石墨烯-金复合棒材。
优选地,上述高纯石墨坩锅中,石墨密度度≥1.65g/cm3,灰粉≤100ppm。
优选地,该步骤中使用的金为纯度≥99.99%金锭,银为纯度≥99.99%的银粉。
优选地,石墨烯-金复合棒材的直径为φ8mm。
S35、制备石墨烯-金键合丝:
将石墨烯-金复合棒材经多次拉伸得到石墨烯-金键合丝。
粗拉伸:将石墨烯-金复合棒材粗拉伸成直径φ1.5mm的线材;
表面清洗:将经过粗拉的直径φ1.5mm的线材先用浓度为5%~10%氢氧化纳溶液清洗,再用去离子水冲清洗并烘干;
中拉伸:将表面清洗后的直径φ1.5mm的线材中拉伸成直径φ0.2mm的线材;
细拉伸:将直径φ0.2mm的线材细拉伸成直径φ0.08mm~φ0.10mm的丝材;
去应力退火:将φ0.08mm~φ0.1mm的丝材置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度400℃~750℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理,去除内应力;
微拉伸:将退火处理后的丝材进行微拉伸,拉伸成直径φ0.015mm~φ0.050mm的石墨烯-金键合丝;
热处理:将φ0.015mm~φ0.05mm的石墨烯-金键合丝置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度300℃~600℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理。
最后,将制备的石墨烯-金键合丝进行复绕分装:将石墨烯-金键合丝单卷定尺,控制张力0.8g~8.0g,单卷500m或1000m定尺。
【对比例一】
一种石墨烯-金键合丝,以质量百分比计包含:石墨烯0.05%,金60%,银39.947%,余量为不可避免的杂质。
上述石墨烯-金键合丝的制备方法,包括以下步骤:
S41、制备石墨烯-金复合粉末材料:参照实施例一的方法。
S42、制备石墨烯-金复合棒材:
将573.843g的金、16.667g的石墨烯-金复合材料粉末、399.49g的银放于高纯石墨坩锅内,并置于真空下拉连铸炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,保温15min~60min,并进行搅拌,搅拌后精炼30min~60min,采用定向凝固法,下拉连铸得到石墨烯-金复合棒材。
优选地,该步骤中使用的金为纯度≥99.99%金锭,银为纯度≥99.99%的银粉。
优选地,石墨烯-金复合棒材的直径为φ8mm。
S43、制备石墨烯-金键合丝:
将石墨烯-金复合棒材经多次拉伸得到石墨烯-金键合丝,具体方法参照实施例一。
参见图1,图1是本发明实施例一与对比例一的石墨烯-金键合丝的IC封装对比图,图1a为对比例一的封装图,图1b为实施例一的封装图。图1a的圈内的芯片表面的焊点超出了芯片的区域,出现了高尔夫球现象;图1b的芯片表面的焊点均处于芯片的区域内,无高尔夫球现象。由此可以看出,采用本发明实施例一的石墨烯-金键合丝进行焊线,焊点表面光滑,球形规则,无高尔夫球现象。本发明的石墨烯-金键合丝中添加了稀土元素镧和铈后,材料在超声焊线时,材料原子介入更均匀和顺畅,特别是在IC封装焊线时改善了键合性能,使焊点表面光滑,球形规则,无高尔夫球现象。
参见图2,图2是本发明实施例一与对比例一的石墨烯-金键合丝的高端LED封装的焊点对比图,图2a为对比例一的焊点图,图2b为实施例一的焊点图。图2a的焊点出现滑球现象,焊点不规则,焊点附近出现烧小球;图2b的焊点无滑球现象,焊点规则。可见,本发明的实施例一添加稀土元素镧和铈后有效解决了焊点滑球现象。采用本发明的石墨烯-金键合丝进行高端LED封装焊线时,本发明的石墨烯-金键合丝与芯片镀金层或芯片镀银层能更好的材料共晶,有效消除了焊点烧小球、滑球现象,使焊点球形更规则,从而提高了焊点的推拉力。
参见图3,图3是本发明实施例一的石墨烯-金键合丝在扫描电镜下的微观组织图,从图3可以看出,材料中石墨烯呈点状分布且均匀,未见界面脱粘和孔洞,这使得材料密度相对较高,材料组织均匀。
参见图4和图5,图4是本发明实施例一的石墨烯-金键合丝在扫描电镜下的表面相貌图,图5是普通金合金键合丝在扫描电镜下的表面相貌图。从图4和图5对比可以看出,本发明的石墨烯-金键合丝的表面光滑,表面光洁度高,可以避免焊线时虚焊、假焊等键合缺陷。
【焊接实验】
材料:直径φ0.023mm的三种键合线;
焊线方式:三晶串联;
芯片为:三安10*28,PN PAD:70um;
支架:良友PCT308/60um;
焊线机:ASM AB380;
瓷嘴:1520-12-T52-CZ3;
实验结果参见表1
表1
从表1的数据可以看出,本发明的石墨烯-金键合丝的焊线参数接近于键合金丝,优于普通金合金键合丝,本发明的石墨烯-金键合丝可作为键合金丝替代品使用,成本仅为键合金线的3/5至4/5。
【电阻率】
25℃室温条件下,取直径为25um的普通金合金键合丝、键合金丝、实施例一至三的石墨烯-金键合丝,测量电阻率,结果见表2。
表2
从表2可以看出,本发明的石墨烯-金键合丝的电阻率为2.6Ω·cm至3.0Ω·cm,小于普通金合金键合丝的电阻率,接近于键合金丝的电阻率,电阻率越小,导电性能越好。
【抗拉强度】
25℃室温条件下,取直径为25um的普通金合金键合丝、键合金丝、实施例一至三的石墨烯-金键合丝,进行抗拉强度实验,结果见表3。
表3
材料 | 断裂力 |
普通金合金键合丝 | 9.5cN |
键合金丝 | 9.0cN |
实施例一的石墨烯-金键合丝 | 12.0cN |
实施例二的石墨烯-金键合丝 | 11.0cN |
实施例三的石墨烯-金键合丝 | 10.0cN |
从表3可以看出,本发明的石墨烯-金键合丝的抗拉强度优于普通金合金键合丝和键合金丝。
【耐冷热冲击实验】
取直径为25um的普通金合金键合丝、键合金丝、实施例一至三的石墨烯-金键合丝封装后,耐冷热冲击实验,结果见表4。
实验条件:在-40℃~100℃,间隔时间为20min。
表4
材料 | 冲击次数 |
普通金合金键合丝 | 500 |
键合金丝 | 800 |
实施例一的石墨烯-金键合丝 | 650 |
实施例二的石墨烯-金键合丝 | 800 |
实施例三的石墨烯-金键合丝 | 1100 |
从表4可以看出,本发明的石墨烯-金键合丝在20min内从-40℃升温至100℃的条件下经受冷热冲击次数达到650-1100次,高于普通金合金键合丝的耐冷热冲击次数,实施例三的石墨烯-金键合丝耐冷热冲击次数还远高于键合金丝。
由上述焊接实验、电阻率、抗拉强度和耐冷热冲击实验情况来看,本发明的石墨烯-金键合丝完全可以作为键合金丝的替代品来使用,且成本大大降低。
最后需要强调的是,以上所述仅为本发明的优选实施例,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种变化和更改,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种石墨烯-金键合丝,其特征在于,以质量百分比计包含:
石墨烯0.05%~1.0%,镧0.0005%~0.001%,铈0.0005%~0.010%,金60%~80%,银19%~39.94%,余量为不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的石墨烯-金键合丝,其特征在于:
石墨烯0.05%,镧0.0005%,铈0.0005%,金60%,银39.947%,余量为不可避免的杂质;
优选地,石墨烯0.1%,镧0.0008%,铈0.0010%,金70%,银29.898%,余量为不可避免的杂质;
优选地,石墨烯0.90%,镧0.0010%,铈0.0100%,金80%,银19.086%,余量为不可避免的杂质;
优选地,将所述石墨烯-金键合丝进行复绕分装。
3.如权利要求1或2所述的石墨烯-金键合丝的制备方法,其特征在于:
采用化学沉积方法获得石墨烯-金复合粉末材料,通过金属熔铸的方法获得金-镧、金-铈的合金材料,将金、所述石墨烯-金复合粉末材料、所述合金材料、银通过金属熔铸和定向凝固法获得复合材料棒材,最后通过对所述复合材料棒材拉伸获得所述石墨烯-金键合丝。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
S1、制备石墨烯-金复合粉末材料:配制一定浓度的AuCl3水溶液,将一定量的石墨烯置于所述AuCl3水溶液中,搅拌、分散后,调节溶液的PH值为10~15,在反应温度为60℃~90℃的条件下,滴入还原剂,反应完毕后用去离子水冲洗并过滤,将收集的反应产物置于干燥箱烘干,得到石墨烯-金复合粉末材料;
S2、制备金-镧合金片材:按重量百分比,将0.1%~0.5%的镧和99.9%~99.5%的金通过金属熔铸的方法得到块状的金-镧合金铸锭,再将所述金-镧合金铸锭轧制成金-镧合金片材;
S3、制备金-铈合金片材:按重量百分比,将0.1%~0.5%的铈和99.9%~99.5%的金通过金属熔铸的方法得到块状的金-铈合金铸锭,再将所述金-铈合金铸锭轧制成金-铈合金片材片材;
S4、制备石墨烯-金复合棒材:将一定量的金、所述石墨烯-金复合材料粉末、所述金-镧合金片材、所述金-铈合金片材、银完全熔化后,经过保温、搅拌、精炼后,采用定向凝固法,下拉连铸得到所述石墨烯-金复合棒材;
S5、制备石墨烯-金键合丝:将所述石墨烯-金复合棒材经多次拉伸得到所述石墨烯-金键合丝。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:
步骤S1中AuCl3水溶液的浓度为0.12mol/L至0.15mol/L,体积为5L至10L,所述石墨烯的添加量为8g至15g,所述还原剂为甲醛或水合联氨。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:
步骤S2具体为:将所述镧和所述金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-镧合金铸锭,分道次将所述金-镧合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-镧合金片材;
优选地,所述金为纯度≥99.99%金锭。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:
步骤S3具体为:将所述铈和所述金放入高纯石墨坩锅内,并置于真空合金炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,充入高纯氩气保护,保温30min~90min,将合金熔体倒入石墨铸型中,得到块状的金-铈合金铸锭,分道次将所述金-铈合金铸锭轧制成厚度0.2mm~0.5mm的金-铈片材;
优选地,步骤S4具体为:将所述金、石墨烯-金复合材料粉末、金-镧合金片材、金-铈合金片材、银,放于高纯石墨坩锅内,并置于真空下拉连铸炉中,抽真空加热至1100℃~1300℃,待材料完全熔化后,保温15min~60min,并进行搅拌,搅拌后精炼30min~60min,采用定向凝固法,下拉连铸得到所述石墨烯-金复合棒材;
优选地,所述银为纯度≥99.99%的银粉。
8.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:
步骤S5具体为:
粗拉伸:将所述石墨烯-金复合棒材粗拉伸成直径φ1.5mm的线材;
表面清洗:将经过粗拉的直径φ1.5mm的线材先用浓度为5%~10%氢氧化纳溶液清洗,再用去离子水冲清洗并烘干;
中拉伸:将表面清洗后的直径φ1.5mm的线材中拉伸成直径φ0.2mm的线材;
细拉伸:将直径φ0.2mm的线材细拉伸成直径φ0.08mm~φ0.10mm的丝材;
去应力退火:将φ0.08mm~φ0.1mm的丝材置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度400℃~750℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理,去除内应力;
微拉伸:将退火处理后的丝材进行微拉伸,拉伸成直径φ0.015mm~φ0.050mm的石墨烯-金键合丝;
热处理:将φ0.015mm~φ0.05mm的石墨烯-金键合丝置于连续退火系统中,采用高纯氮气做为保护气体,温度300℃~600℃,速度40m/min~80m/min进行连续退火处理。
9.根据权利要求4至8任一项所述的制备方法,其特征在于:
还包括复绕分装:将石墨烯-金键合丝单卷定尺,控制张力0.8g~8.0g,单卷500m或1000m定尺。
10.如权利要求1所述的石墨烯-金键合丝在集成电路封装中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010326667.6A CN111524811B (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010326667.6A CN111524811B (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111524811A true CN111524811A (zh) | 2020-08-11 |
CN111524811B CN111524811B (zh) | 2021-08-31 |
Family
ID=71903670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010326667.6A Expired - Fee Related CN111524811B (zh) | 2020-04-23 | 2020-04-23 | 一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111524811B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112503494A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-03-16 | 江西森通新材料科技有限公司 | 一种led散热器用散热片及其制备方法 |
CN115673007A (zh) * | 2022-02-22 | 2023-02-03 | 深圳中宝新材科技有限公司 | 一种用于集成电路双层叠加封装的绝缘键合金丝制造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130171470A1 (en) * | 2012-01-02 | 2013-07-04 | Jun-Der LEE | Alloy wire and methods for manufacturing the same |
CN105950895A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-09-21 | 河南优克电子材料有限公司 | 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 |
CN106011516A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-12 | 河北德田半导体材料有限公司 | 一种掺杂金合金键合丝及其深冷处理制备方法 |
CN107768338A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-03-06 | 四川威纳尔特种电子材料有限公司 | 银‑锡‑石墨烯复合键合丝及其制备方法 |
-
2020
- 2020-04-23 CN CN202010326667.6A patent/CN111524811B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130171470A1 (en) * | 2012-01-02 | 2013-07-04 | Jun-Der LEE | Alloy wire and methods for manufacturing the same |
CN105950895A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-09-21 | 河南优克电子材料有限公司 | 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 |
CN106011516A (zh) * | 2016-05-31 | 2016-10-12 | 河北德田半导体材料有限公司 | 一种掺杂金合金键合丝及其深冷处理制备方法 |
CN107768338A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-03-06 | 四川威纳尔特种电子材料有限公司 | 银‑锡‑石墨烯复合键合丝及其制备方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112503494A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-03-16 | 江西森通新材料科技有限公司 | 一种led散热器用散热片及其制备方法 |
CN112503494B (zh) * | 2020-10-30 | 2023-05-23 | 裕鑫丰(广东)照明科技有限公司 | 一种led散热器用散热片及其制备方法 |
CN115673007A (zh) * | 2022-02-22 | 2023-02-03 | 深圳中宝新材科技有限公司 | 一种用于集成电路双层叠加封装的绝缘键合金丝制造方法 |
CN115673007B (zh) * | 2022-02-22 | 2023-04-18 | 深圳中宝新材科技有限公司 | 一种用于集成电路双层叠加封装的绝缘键合金丝制造方法 |
WO2023160730A1 (zh) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | 深圳中宝新材科技有限公司 | 一种用于集成电路双层叠加封装的绝缘键合金丝制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111524811B (zh) | 2021-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI304006B (en) | Tin/indium lead-free solders for low stress chip attachment | |
JP5413926B2 (ja) | 半導体実装用半田ボール及び電子部材 | |
CN111524811B (zh) | 一种石墨烯-金键合丝及其制备方法和应用 | |
CN107799496B (zh) | 一种电子封装用高可靠性铜合金键合丝及其制备方法 | |
CN201975388U (zh) | 防氧化铜基键合丝 | |
TWI273140B (en) | Phase change lead-free super plastic solders | |
CN106992164A (zh) | 一种微电子封装用铜合金单晶键合丝及其制备方法 | |
CN102776405A (zh) | 一种键合金银合金丝的制备方法 | |
CN105132735A (zh) | 一种微电子封装用超细铜合金键合丝及其制备方法 | |
CN111254311A (zh) | 一种可拉丝加工至φ6微米的4N键合金丝及其制备方法 | |
CN104835797B (zh) | 一种铜钯银合金键合引线及其制备方法 | |
CN106011516A (zh) | 一种掺杂金合金键合丝及其深冷处理制备方法 | |
CN106282646A (zh) | 一种半导体焊接用铜线的加工方法 | |
CN115148419B (zh) | 一种高导电抗氧微合金化铜合金键合丝及其制备方法 | |
CN115519277A (zh) | 一种AgCuTi活性钎料的制备方法 | |
CN107768338B (zh) | 银-锡-石墨烯复合键合丝及其制备方法 | |
CN110284023B (zh) | 一种铜合金键合丝及其制备方法和应用 | |
CN105834612B (zh) | 一种适用于电子封装的高尺寸稳定性Sn‑Ag‑Cu焊料 | |
CN104752235A (zh) | 一种铜钯银合金高精超细键合引线制造方法 | |
CN109848606A (zh) | 一种高界面结合强度的Sn-Ag-Cu无铅焊料及其制备方法 | |
JP5187832B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN107195608A (zh) | 一种铜微合金键合线及其制备方法 | |
JPH0555580B2 (zh) | ||
CN102978429B (zh) | 一种制造支架的铜合金 | |
CN102978431B (zh) | 一种用于引线支架的铜铁合金的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20210831 |