CN111492486A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111492486A CN111492486A CN201880081547.5A CN201880081547A CN111492486A CN 111492486 A CN111492486 A CN 111492486A CN 201880081547 A CN201880081547 A CN 201880081547A CN 111492486 A CN111492486 A CN 111492486A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- wavelength
- blue
- light emitting
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 23
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 61
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- KBJQPSPKRGXBTH-UHFFFAOYSA-L cadmium(2+);selenite Chemical compound [Cd+2].[O-][Se]([O-])=O KBJQPSPKRGXBTH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2003—Display of colours
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0242—Compensation of deficiencies in the appearance of colours
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一种显示装置包括:蓝色发光元件,被配置为发射蓝色;红色发光元件,被配置为发射红光;以及绿色发光元件,被配置为发射绿光。所述蓝色发光元件可以包括:第一发光二极管,被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及蓝色滤光器,被配置为透射具有蓝色波长的光。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种包括发光二极管的显示装置。
背景技术
在相关技术中,显示装置是指将从接收到的或存储的图像信息转换成的视觉信息显示给用户的输出装置,并且已经广泛地用于各种应用领域,例如单个家庭或营业场所。
例如,显示装置可以是连接到个人计算机或服务器计算机的监视设备、便携式计算机设备、导航设备、电视(TV)、互联网协议电视(IPTV)、便携式终端(例如智能手机、平板个人计算机(PC)、个人数字助理(PDA)或蜂窝电话)、或用于播放工业领域中的广告或电影或各种类型的音频/视频系统的各种显示装置。
显示装置可以使用各种类型的显示面板来显示图像。例如,显示装置可以包括发光二极管(LED)面板、有机发光二极管(OLED)面板、液晶显示(LCD)面板等。
在各种显示面板中,最近已经开发了使用尺寸为100um(微米)×100um或更小的发光二极管的微型LED面板。
发明内容
【技术问题】
本公开的一方面在于提供一种包括多个微型LED的显示装置。
本公开的另一方面在于最小化从包括在显示装置中的多个像素发射的光的波长偏差。
本公开的另一方面在于最小化从包括在显示装置中的多个微型LED发射的光的波长偏差。
【技术方案】
本公开的一方面提供了一种显示装置,包括:被配置为发射蓝色的蓝色发射元件;被配置为发射红光的红色发光元件;以及被配置为发射绿光的绿色发光元件。所述蓝色发光元件可以包括:第一发光二极管,被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及蓝色滤光器被配置为透射具有蓝色波长的光。
第一发光二极管可以被配置为发射在比蓝色波长小15nm(纳米)至25nm的波长中的任一波长处具有最大强度的光。
第一发光二极管可以被配置为发射在440nm至450nm中的任一波长处具有最大强度的光。蓝色滤光器可以被配置为阻挡具有比465nm短的波长的光。
第一发光二极管可以被配置为发射在440nm至450nm中的任一波长处具有最大强度的光。蓝色滤光器的透射率可以被配置为在465nm处迅速降低。
第一发光二极管可以被配置为发射在440nm至450nm中的任一波长处具有最大强度的光。蓝色滤光器的阻挡特性曲线可以被配置为在465nm处与所述第一发光二极管的光谱曲线交叉。
蓝色发光元件还可以包括透明树脂层,透明树脂层设置在第一发光二极管和蓝色滤光器之间,被配置为透射从第一发光二极管发射的光。
蓝色发光元件还可以包括布置在第一发光二极管和蓝色滤光器之间的黄色量子点材料层,黄色量子点材料层被配置为吸收从第一发光二极管发射的光并且发射具有比蓝色波长短的波长的光、具有红色波长的光和具有绿色波长的光。
显示装置还可以包括:驱动电路,被配置为向蓝色发光元件提供驱动电流;以及补偿电路,用于补偿从蓝色发光元件发射的光的亮度。
补偿电路可以被配置为控制驱动电流,使得从蓝色发光元件发射预定的亮度的光。
红色发光元件可以包括第二发光二极管,第二发光二极管被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及红色量子点材料层,被配置为吸收从第二发光二极管发射的光并发射具有红色波长的光。
红色发光元件可以包括第二发光二极管,第二发光二极管被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及黄色量子点材料层,被配置为吸收从第二发光二极管发射的光并且发射具有比蓝色波长短的波长的光,具有红色波长的光和具有绿色波长的光;红色滤光器被配置为使具有红色波长的光通过。
红色发光元件可以包括第二发光二极管,第二发光二极管被配置为发射在比红色波长短的波长处具有最大强度的光;以及红色滤光器被配置为阻挡波长比红色波长短的光。
所述绿色发光元件可以包括第三发光二极管,所述第三发光二极管被配置为发射在比所述蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及绿色量子点材料层,被配置为吸收从第三发光二极管发射的光并发射具有绿色波长的光。
所述绿色发光元件可以包括第三发光二极管,所述第三发光二极管被配置为发射在比所述蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及黄色量子点材料层,被配置为吸收从第三发光二极管发射的光并且发射具有比蓝色波长短的波长的光、具有红色波长的光和具有绿色波长的光;绿色滤光器,被配置为使具有绿色波长的光通过。
所述绿色发光元件可以包括第二发光二极管,所述第二发光二极管被配置为发射在比绿色波长短的波长处具有最大强度的光;以及绿色滤光器,被配置为阻挡具有比绿色波长短的波长的光。
本公开的另一方面提供一种显示装置,包括:第一发光元件,被配置为发射具有第一波长的光;以及第二发光元件,被配置为发射具有第二波长的光;第三发光元件,被配置为发射具有第三波长的光。所述第一发光元件可以包括:第一发光二极管,被配置为发射在比所述第一波长短的波长处具有最大强度的光;以及第一滤光器,被配置为透射具有第一波长的光。
第一发光发光二极管可以被配置为发射在440nm至450nm中的任一波长处具有最大强度的光。第一滤光器可以被配置为阻挡具有比465nm短的波长的光。
第一发光元件还可以包括第一量子点材料层,第一量子点材料层被配置为吸收从第一发光二极管发射的光并且发射具有比第一波长短的波长的光、具有第二波长的光和具有第三波长的光。
第二发光元件可以包括第二发光二极管,第二发光二极管被配置为发射在比第一波长短的波长处具有最大强度的光;以及第二量子点材料层,被配置为吸收从第二发光二极管发射的光并且发射具有比第一波长短的波长的光和具有第二波长的光;以及第二滤光器,被配置为阻挡具有比第一波长短的波长的光并且使具有第二波长的光通过。此外,第三发光元件可以包括第三发光二极管,第三发光二极管被配置为发射在比第一波长短的波长处具有最大强度的光;第三量子点材料层,被配置为吸收从第三发光二极管发射的光并且发射具有比第一波长短的波长的光和具有第三波长的光;以及第三滤光器,被配置为阻挡具有比第一波长短的波长的光并使具有第三波长的光通过。
第二发光元件可以包括第二发光二极管,第二发光二极管被配置为发射在比第一波长短的波长处具有最大强度的光;第二量子点材料层,被配置为吸收从第二发光二极管发射的光并且发射具有比第一波长短的波长的光、具有第二波长的光和具有第三波长的光;第二滤光器,被配置为阻挡具有比第一波长短的波长的光和具有第三波长的光,并使具有第二波长的光通过。此外,第三发光元件可以包括第三发光二极管,第三发光二极管被配置为发射在比第一波长短的波长处具有最大强度的光;第三量子点材料层,被配置为吸收从第三发光二极管发射的光并且发射具有比第一波长短的波长的光、具有第二波长的光和具有第三波长的光;以及第三滤光器,被配置为阻挡具有比第一波长短的波长的光和具有第二波长的光,并使具有第三波长的光通过。
【有益效果】
根据实施例的一个方面,可以提供一种包括多个微型LED的显示装置。
根据实施例的另一方面,可以最小化从包括在显示装置中的多个像素发射的光的波长偏差。
根据实施例的另一方面,可以最小化从包括在显示装置中的多个微型LED发射的光的波长偏差。
附图说明
图1是示出根据实施例的显示装置的外观的视图。
图2是示出根据实施例的显示装置的分解图。
图3是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光二极管面板和驱动器IC的视图。
图4是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光二极管面板的等效电路的视图。
图5是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光元件的示例的视图。
图6是示出图5所示的包括在显示装置中的红色发光元件的结构和从红色发光元件输出的光的光谱的视图。
图7是示出图5所示的包括在显示装置中的绿色发光元件的结构和从绿色发光元件输出的光的光谱的图。
图8是示出图5所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件的结构和从蓝色发光元件输出的光的光谱的图。
图9和图10是示出从图5所示的包括在显示装置中的蓝色发光二极管输出的光的波长偏差的视图。
图11、图12和图13是示出从图5所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件输出的光的波长偏差的视图。
图14是示出制造图5所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件的过程的视图。
图15是示出制造图5中示出的红色发光元件的过程的视图。
图16是示出制造图5中示出的绿色发光元件的过程的视图。
图17是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光元件的另一示例的视图。
图18是示出图17所示的包括在显示装置中的红色发光元件的结构和从红色发光元件输出的光的光谱的视图。
图19是示出图17所示的包括在显示装置中的绿色发光元件的结构和从绿色发光元件输出的光的光谱的视图。
图20是示出图17所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件的结构和从蓝色发光元件输出的光的光谱的视图。
图21是示出制造图17所示的红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的过程的视图。
图22是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光元件的另一示例的视图。
图23是示出图22所示的包括在显示装置中的红色发光元件的结构和从红色发光元件输出的光的光谱的图。
图24是示出图22所示的包括在显示装置中的绿色发光元件的结构和从绿色发光元件输出的光的光谱的图。
图25是示出图22所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件的结构和从蓝色发光元件输出的光的光谱的图。
具体实施方式
在整个说明书中,相同的附图标记指代相同的元件。不描述本公开的实施例的所有元件,并且将省略对本领域中公知的或在实施例中彼此重叠的描述。在整个说明书中使用的术语,例如“~部分”、“~模块”、“~件”、“~块”等,可以用软件和/或硬件来实现,而多个“~部分”、“~模块”、“~件”或“~块”可以在单个元件中实现,或者单个“~部分”、“~模块”、“~件”或“~块”可以包括多个元件。
将理解的是,当一个元件被称为“连接”到另一个元件时,它可以直接或间接地连接到另一个元件,其中间接连接包括经由无线通信网络的“连接”。
此外,当部分“包括”或“包含”元件时,除非有与之相反的特定描述,否则该部件还可以包括其他元件,而不排除其他元件。
此外,当描述层在另一层或衬底“上”时,该层可以直接在另一层或衬底上,或者可以在其间设置第三层。
将理解,尽管术语第一、第二、第三等在本文中可用于描述各种元件,但是不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元素和另一个元素。
如本文中所使用的,单数形式“一”、“一个”和“该”也意图包括复数形式,除非上下文另外明确指出。
为了便于描述,使用了识别码,但并不旨在说明每个步骤的顺序。除非上下文另外明确指出,否则每个步骤可以以与示出的顺序不同的顺序来实施。
应将表述“A、B和C中的至少一个”解释为包括仅A、仅B、仅C、A和B两者、B和C两者、C和A两者或全部A、B和C。
在下文中,将参照附图描述本公开的操作原理和实施例。
图1是示出根据实施例的显示装置的外观的视图。
显示装置100是能够处理从外部(例如,外部图像源)接收到的图像信号并可视地显示处理后的图像的装置。如图1所示,显示装置100可以被实现为TV,但是显示装置100的实施例不限于此。例如,显示装置100可以被实现为计算机的监视器,或者可以被包括在导航终端设备或各种便携式终端设备中。在此,便携式终端设备可以是台式计算机、膝上型计算机、智能电话、平板个人计算机(PC)、可穿戴计算设备或个人数字助理(PDA)。
此外,显示装置100可以是安装在户外例如建筑物屋顶或公共汽车站上的大型显示器(LFD)。户外不一定限于外部,而应理解为包括大量人可以进出的场所的概念,甚至包括地铁站、购物中心、电影院、公司、商店等。
显示装置100可以从各种内容源接收视频信号和音频信号,并且可以输出与视频信号和音频信号相对应的视频和音频。例如,显示装置100可以通过广播接收天线或电缆来接收电视广播内容,从内容再现设备接收内容,或者从内容提供商的内容提供服务器接收内容。
如图1所示,显示装置100可以包括:主体101,容纳用于显示图像I的多个组件;以及屏幕S,设置在主体101的一个表面上以显示图像I。
主体101可以形成显示装置100的外观,并且可以在主体101的内部设置用于通过显示装置100显示图像I的组件。图1所示的主体101可以是平板的形式,但是主体101的形状不限于图1所示的形状。例如,主体101可以具有左右两端向前方突出的形状以及中心部分弯曲成凹形。
屏幕S可以形成在主体101的前表面上,并且屏幕S可以显示图像I作为视觉信息。例如,可以在屏幕S上显示静止图像或运动图像,并且可以显示二维平面图像或三维立体图像。
可以在屏幕S上形成多个像素P,并且可以通过从多个像素P发射的光的组合来形成在屏幕S上显示的图像I。例如,单个图像I可以通过将多个像素P发射的光与马赛克(mosaic)相结合而形成在屏幕S上。
多个像素P中的每个可以发射各种亮度和各种颜色的光。
多个像素P中的每个可以包括能够直接发射光以便发射各种亮度的光的构造(例如,有机发光二极管),或者能够透射或阻挡由背光单元等发射的光发构造(例如,液晶面板)。
为了发射各种颜色的光,多个像素P中的每个可以包括子像素PR、PG和PB。
子像素PR、PG和PB可以发光。红色子像素PR可以发射红光,绿色子像素PG可以发射绿光,并且蓝色子像素PB可以发射蓝色。例如,红色子像素PR可以发射具有大约620nm(纳米,十亿分之一米)到750nm的波长的红光,绿色子像素PG可以发射具有大约495nm到570nm的波长的绿光,蓝色子像素PB可以发射具有大约450nm至495nm的波长的蓝色。
通过红色子像素PR的红光、绿色子像素PG的绿光和蓝色子像素PB的蓝色的组合,多个像素P中的每个可以发射各种亮度和各种颜色的光。
可以以如图1所示的平板形状来设置屏幕S,但是,屏幕S的形状不限于图1所示的形状。可以设置为两端向前突出并且中心部分弯曲的形状以根据主体101的形状凹入。
显示装置100可以包括用于显示图像的各种类型的显示面板。例如,显示装置100可以包括用于使用自发光的元件来显示图像的发光显示面板。发光显示面板可以包括发光二极管(LED)面板或有机发光二极管(OLED)面板。此外,显示装置100可以包括非发光显示面板,该非发光显示面板用于通过使从光源(背光单元)发射的光通过或阻挡来显示图像。非发光显示面板可以包括液晶显示(LCD)面板。
在下文中,描述了包括LED面板的显示装置100。
图2是示出根据实施例的显示装置的分解图。
如图2所示,可以在主体101中设置用于在屏幕S上生成图像I的各种组件。
例如,主体101可以包括:用于向前发射光以生成图像的发光二极管面板103,安装有用于控制发光二极管面板103的操作的配置的控制组件106,安装有用于向发光二极管面板103和控制组件106供电的配置的电源组件107,用于支撑/固定控制组件106和电源组件107的底架108,以及用于防止发光二极管面板103、控制组件106和电源组件107暴露于外部的边框102和后盖70。
发光二极管面板103可以包括多个发光元件103a,并且多个发光元件103a可以各自包括发光二极管。发光二极管可以表示当供电时发射预定波长的光的半导体元件。发光二极管具有与普通二极管相同的极性,并且当在阴极和阳极之间施加电压时,流过发光二极管的电流流动并发光。发光二极管可以具有各种尺寸,并且具有100μm(微米)×100μm或更小的尺寸的发光二极管可以被称为微型发光二极管。发光二极管面板103可以包括例如微型发光二极管。
多个发光元件103a的每个可以发射各种颜色和各种亮度的光。多个发光元件103a的每个中包括的发光二极管可以根据组成材料发射具有不同波长(不同颜色)的光。例如,包括砷化铝镓(AlGaAs)、砷化镓磷(GaAsP)和磷化镓(GaP)的发光二极管可以发射波长为大约620nm至750nm的红光,发光二极管氮化铟镓镓(InGaN)可以发射具有约495nm至570nm的波长的绿光,并且包括氮化镓(GaN)的发光二极管可以发射具有约450nm至495nm的波长的蓝色。
此外,多个发光元件103a可以根据所提供的电流的幅值来发射不同强度的光。随着所提供的驱动电流的增加,多个发光元件103a的每个中包括的发光二极管可以发射具有较强强度的光。
可以通过将从多个发光元件103a的每个发射的光的组合来形成图像。例如,图像可以由从红色发光二极管发射的红光、从绿色发光二极管发射的绿光和从蓝色发光二极管发射的蓝色的组合形成。
发光二极管面板103的前表面(在其上发光的表面)可以形成上述显示装置100的屏幕S,并且多个发光元件103a的每个可以形成像素P或上述子像素PR、PG和PB。
在发光二极管面板103的一侧上,可以设置用于将图像数据传输到发光二极管面板103的电缆103b,以及用于处理数字图像数据并输出模拟图像信号的显示驱动器集成电路(DDI)104(以下称为“驱动器IC”)。
电缆103b可以电连接在上述控制组件106和电源组件107与驱动器IC 104之间,并且还可以电连接在驱动器IC 104和发光二极管面板103之间。电缆103b可以包括:可以弯曲的柔性扁平电缆或薄膜电缆。
驱动器IC 104可以通过电缆103b从控制组件106和电源组件107接收图像数据和电力,并且可以通过电缆103b将图像信号和驱动电流提供给发光二极管面板103。
电缆103b和驱动器IC 104可以一体地实现为膜电缆、膜上芯片(COF)、带载数据包(TCP)等。换句话说,驱动器IC 104可以布置在电缆103b上。然而,本公开不限于此,并且驱动器IC 104可以布置在发光二极管面板103或控制组件106上。
控制组件106可以包括控制发光二极管面板103的操作的控制电路。控制电路可以处理从外部内容源接收到的图像数据,并将图像数据传输到发光二极管面板103,使得多个发光元件103a发射具有不同颜色和不同亮度的光。
电源组件107可以将电力提供给发光二极管面板103,使得多个发光元件103a发射具有不同颜色和不同亮度的光。
控制组件106和电源组件107可以用印刷电路板和安装在印刷电路板上的各种电路来实现。例如,电源电路可以包括电容器、线圈、电阻元件、微处理器等,以及其上安装有它们的电源电路板。此外,控制电路可以包括存储器、微处理器和其上安装存储器、微处理器的控制电路板。
图3是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光二极管面板和驱动器IC的视图,并且图4是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光二极管面板的等效电路的图。
如图3至图4所示,显示装置100可以包括数据驱动器104a、扫描驱动器104b和发光二极管面板103。
发光二极管面板103可以包括多个像素P,并且多个像素P中的每个可以包括红色子像素PR、绿色子像素PG和蓝色子像素PB。
多个子像素PR、PG和PB可以二维布置在发光二极管面板103上。例如,多个子像素PR、PG和PB可以以矩阵形式布置在发光二极管面板103上。换句话说,多个子像素PR、PG和PB可以布置成行和列。
可以在多个子像素PR、PG和PB之间设置多条数据线D1、D2和D3以及多条扫描线S1和S2。多条扫描线S1和S2可以连接到扫描驱动器104b,并且多条数据线D1、D2和D3可以连接到数据驱动器104a。
数据驱动器104a可以从控制组件106的控制电路接收红色/绿色/蓝色图像数据(以下称为“RGB图像数据”)和数据控制信号,并且可以根据数据控制信号将RGB图像数据输出至发光二极管面板103。特别地,数据驱动器104a可以接收数字RGB图像数据,将数字RGB图像数据转换为模拟RGB图像信号,并且将模拟RGB图像信号输出至发光二极管面板103。
设置在数据驱动器104a中的多个输出中的每个可连接至发光二极管面板103的多条数据线D1、D2和D3。数据驱动器104a可将RGB图像信号通过多条数据线D1、D2和D3输出至多个子像素PR、PG和PB中的每个。例如,数据驱动器104a可以同时将RGB图像信号输出到发光二极管面板103上的一行中包括的多个子像素PR、PG和PB中的每个。
扫描驱动器104b可以从控制组件106的控制电路接收扫描控制信号,并且可以根据扫描控制信号激活包括在多行中的任何一行中的多个子像素PR、PG和PB。例如,扫描驱动器104b可以根据扫描控制信号向多个扫描线S1和S2中的任何一条输出激活信号。
扫描驱动器104b可以选择多条扫描线S1和S2中的任何一条,以便将RGB图像提供给属于以矩阵形式布置的多个子像素PR、PG和PB中的适当行的子像素PR、PG和PB。此外,数据驱动器104a可以通过多条数据线D1、D2和D3输出RGB图像信号,并且数据驱动器104a输出的RGB图像信号可以被提供给属于扫描驱动器104b选择的行的子像素PR、PG和PB。
这样,数据驱动器104a和扫描驱动器104b可以顺序地将RGB图像信号提供给发光二极管面板103中包括的多个子像素PR、PG和PB。
多个子像素PR、PG和PB中的每个可以包括扫描晶体管201、301和401、驱动晶体管202、302和402、存储电容器203、303和403以及发光元件200、300和400。
扫描晶体管201、301和401可以是薄膜晶体管(TFT),包括控制端子(栅极)T1和第一和第二输入/输出端子(源极,漏极)T2和T3。扫描晶体管201、301和401可以根据输入到控制端子T1的控制信号来允许电流在第一和第二输入/输出端子T2和T3之间流动(导通),或者可以阻止电流在第一和第二输入/输出端子T2和T3之间流动(关断)。
可以根据从扫描驱动器104b输出的扫描控制信号来导通或关断扫描晶体管201、301和401。例如,扫描晶体管201、301、401的控制端子T1可以连接至扫描线S1和S2,并且扫描晶体管201、301和401的第一输入/输出端子T2可以连接至数据线D1、D2和D3。
当从扫描驱动器104b接收到去向控制端子T1的激活信号时,扫描晶体管201、301和401可以导通。扫描晶体管201、301和401可以通过第一输入/输出端子T2接收数据线D1、D2和D3的RGB图像信号,并且可以通过第二输入/输出端子T3输出数据线D1、D2和D3的RGB图像信号。此外,当没有接收到从扫描驱动器104b到控制端子T1的激活信号时,可以关断扫描晶体管201、301和401。
驱动晶体管202、302和402可以是包括控制端子T4以及第一和第二输入/输出端子T5和T6的薄膜晶体管。驱动晶体管202、302和402可以根据输入到控制端子T4的控制信号来允许电流在第一和第二输入/输出端子T5和T6之间流动(导通),或者可以阻止电流在第一和第二输入/输出端子T5和T6之间流动(关断)。
驱动晶体管202、302和402可以根据从数据驱动器104a输出并经过扫描晶体管201、301和401的RGB图像信号,将驱动电流输出到发光元件200、300和400。
例如,驱动晶体管202、302和402的控制端子T4可以连接到扫描晶体管201、301和401的第二输入/输出端子T3,驱动晶体管202、302和402的第一输入/输出端子T5可以连接到电源VDD,并且扫描晶体管201、301和401的第二输入/输出端子T6可以连接到发光元件200、300和400。驱动晶体管202、302和402可以根据输入到控制端子T4的RGB图像信号来控制在第一输入/输出端子T5和第二输入/输出端子T6之间流动的电流的幅值。换句话说,驱动晶体管202、302和402可以根据RGB图像信号来控制提供给发光元件200、300和400的电流的幅值。
存储电容器203、303和403存储从数据驱动器104a通过扫描晶体管201、301和401输入到驱动晶体管202、302和402的RGB图像信号,并且可以输出与RGB图像信号对应的电压。例如,存储电容器203、303和403可以连接在驱动晶体管202、302和402的控制端子T4与第二输入/输出端子T6之间,并且与RGB图像信号相对应的电压可以是驱动晶体管202、302和402的控制端子T4和第二输入/输出端子T6之间的输出。驱动晶体管202、302和402可以根据存储在存储电容器203、303和403中的RGB图像信号的电压来控制提供给发光元件200、300和400的电流的幅值。
发光元件200、300和400可以根据从驱动晶体管202、302和402提供的电流的大小来输出不同强度的光。换句话说,发光元件200、300和400可以根据从数据驱动器104a输出的RGB图像信号输出不同强度的光。
此外,取决于构成材料,发光元件200、300和400可以发射具有不同波长(不同颜色)的光。例如,发光二极管面板103可以包括发射红光的红色发光元件200、发射绿光的绿色发光元件300以及发射蓝色的蓝色发光元件400。
红色发光元件200,绿色发光元件300和蓝色发光元件400可以分别设置在与红色子像素PR、绿色子像素PG和蓝色子像素PB相对应的位置处。
红色发光元件200可以根据从数据驱动器104a输出的红色图像信号(以下称为“R图像信号”)输出具有不同强度的红光,绿色发光元件300可以根据从数据驱动器104a输出的绿色图像信号(以下称为“G图像信号”)输出具有不同强度的绿光,并且蓝色发光元件400可以根据从数据驱动器104a输出的蓝色图像信号(以下称为“B图像信号”)输出具有不同强度的蓝色。
发光元件200、300和400可以包括各自具有100um×100um或更小的尺寸的微型发光二极管。
如上所述,显示装置100可以包括具有红色发光元件200、绿色发光元件300和蓝色发光元件400的发光二极管面板103。
红色发光元件200、绿色发光元件300和蓝色发光元件400可以具有分别发射红光、绿光和蓝色的各种结构。
在下文中,可以描述红色发光元件200、绿色发光元件300和蓝色发光元件400的结构。
图5是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光元件的示例的视图。图6是示出图5所示的包括在显示装置中的红色发光元件的结构和从红色发光元件输出的光的光谱的视图。图7是示出图5所示的包括在显示装置中的绿色发光元件的结构和从绿色发光元件输出的光的光谱的图。图8是示出图5所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件的结构和从蓝色发光元件输出的光的光谱的图。
图5的(a)示出了显示装置100中包括的一个像素,并且图5的(b)示出了图5的(a)所示的截面A-A′。
如图5的(a)所示,像素P可以包括红色子像素PR、绿色子像素PG和蓝色子像素PB。红色子像素PR、绿色子像素PG和蓝色子像素PB可以并排布置。
此外,红色子像素PR可以包括红色发光元件200,绿色子像素PG可以包括绿色发光元件300,并且蓝色子像素PB可以包括蓝色发光元件400。
如图5的(b)和图6的(a)所示,红色发光元件200可以包括第一发光二极管210、红光转换层220和红色滤光器230。
第一发光二极管210可以包括阴极端子211和阳极端子212,并且可以通过阴极端子211和阳极端子212连接到驱动电路。驱动电路可以包括扫描晶体管201、301和401,驱动晶体管202、302和402以及存储电容器203、303和403,如上面图4所示。第一发光二极管210可以通过阴极端子211和阳极端子212从驱动电路接收驱动电流并发光。例如,如图6的(b)所示,第一发光二极管210可以发射在与蓝色波长相似的波长λB1(以下称为“具有与蓝色波长相似的波长的光”)处具有最大强度的光。
红光转换层220可以吸收从第一发光二极管210发射的光,并且可以发射在红色波长λR处具有最大强度的光(以下称为“具有红色波长的光”)。换句话说,红光转换层220可以将具有与蓝色波长相似的波长λB1的光转换为具有红色波长λR的光。
例如,红光转换层220可以包括用于改变入射光的波长的量子点。量子点可以指的是纳米尺寸(nm,1,000,000,000分之一米)的小球形半导体颗粒,并且可以具有大约2nm至10nm的尺寸。量子点可以由由亚硒化镉(CdSe)、碲化镉(CdTe)、硫化镉(CdS)等构成的核以及由硫化锌(ZnS)构成的壳构成。
量子点可以具有与相同材料的块状材料不同的光学特性。例如,量子点可以在施加电压时发光,或者在光入射时发射特定波长的光。换句话说,量子点可以输出具有与入射光不同的波长的光。
量子点输出的光的波长可以根据量子点的大小而变化。价带和导带之间的能带隙可以根据量子点的尺寸而变化,并且从量子点发射的光的波长可以根据量子点的尺寸而变化。
例如,在亚硒酸镉(CdSe)量子点的情况下,当量子点的直径为约10nm或更小时,可以通过量子限制效应来增加能带隙。随着能带隙的增加,从量子点发射的光的波长可以缩短(从量子点发射的光的频率可以增加)。换句话说,亚硒化镉(CdSe)块可能会发射红光,但是随着其尺寸的减小,亚硒化镉(CdSe)量子点可能会发射黄光、绿光和蓝色。
这样,量子点可以根据尺寸发射不同波长(不同颜色)的光。例如,具有大约2.5nm的直径的量子点可以发射大约蓝色,并且具有大约4nm的直径的量子点可以发射大约绿光。此外,直径大约为7nm的量子点可能会发射大约红色的光。
红光转换层220可以包括能够发射红光的量子点。例如,红光转换层220可以包括具有大约7nm的直径的量子点。
此外,红光转换层220可以包括红色荧光材料,红色荧光材料将具有与蓝色波长相似的波长λB1的光转换为具有红色波长λR的光。
如图6的(c)所示,从红光转换层220发射的光可以包括从第一发光二极管210发射并通过红光转换层220的光(具有与蓝红色波长相似的波长的光)和波长被红光转换层220转换的光(具有蓝色波长的光)。
红色滤光器230可以使入射光中的具有红色波长λR的光通过,并且可以阻挡具有与红光不同的波长的光。特别地,红色滤光器230可以使具有红色波长λR的光通过并且阻挡具有与蓝色波长相似的波长λB1的光。
红色滤光器230不限于使具有红色波长λR的光通过的光学滤光器。例如,如图6的(d)所示,红色滤光器230可以包括阻挡具有比红色波长λR短的波长的光(例如,蓝色)并且使具有比红色波长λR长的波长的光通过的光学滤光器。
从包括在红色发光元件200中的第一发光二极管210发射的一部分光(颜色类似于蓝色的光)可以在通过红光转换层220时变为红光,并且从第一发光二极管210发射的另一部分光(颜色类似于蓝色的光)可以被红色滤光器230阻挡。结果,如图6的(e)所示,红色发光元件200可以发射在红色波长λR处具有最大强度的光。
此时,从红色发光元件200发射的红光的波长偏差可能非常小(可以为大约2nm或更小)。如上所述,从第一发光二极管210发射的蓝色可以被红光转换层220转换成红光,并且从红光转换层220发射的光的波长可以取决于量子点的尺寸。红色量子点的尺寸可以非常精确地调节,并且量子点之间的尺寸变化非常小。因此,从红光转换层220发射的光的波长偏差也可以非常小。
如图5的(b)和图7的(a)所示,绿色发光元件300可以包括第二发光二极管310、绿光转换层320和绿色滤光器330。
第二发光二极管310可以通过阴极端子311和阳极端子312从驱动电路接收驱动电流。例如,如图7的(b)所示,第二发光二极管310可以发射与蓝色波长相似的波长λB1的光。
绿光转换层320可以吸收从第二发光二极管310发射的光(具有与蓝色波长相似的波长的光),并且可以发射在绿光波长λG处具有最大强度的光(以下称为“具有绿色波长的光”)。换句话说,红光转换层220可以将具有与蓝色波长相似的波长λB1的光转换为具有绿色波长λG的光。
绿光转换层320可以包括能够发射绿光的量子点。例如,绿光转换层320可以包括具有大约4nm的直径的量子点。
此外,绿光转换层320可以包括绿色荧光材料,绿色荧光材料将具有与蓝色波长相似的波长λB1的光转换为具有绿色波长λG的光。
如图7的(c)所示,从绿光转换层320发射的光可以包括从第二发光二极管310发射并通过绿光转换层320的光(具有与蓝色波长相似的波长的光)以及波长被绿光转换层320转换的光(具有绿色波长的光)。
绿色滤光器330可以使入射光中的具有绿色波长λG的光通过,并且可以阻挡具有与绿光不同的波长的光。特别地,绿色滤光器330可以使具有被绿光转换层320转换的波长的绿色波长λG的光通过,并且可以阻挡具有与通过绿光转换层320的蓝色波长相似的波长λB1的光。
绿色滤光器330不限于使对应于绿光的波长通过的光学滤光器。例如,如图7的(d)所示,绿色滤光器330可以包括阻挡具有比绿色波长λG短的波长的光(例如,蓝色)并且使具有比绿色波长λG长的波长的光通过的光学滤光器。
从绿色发光元件300中包括的第二发光二极管310发射的与蓝色相似的颜色的光的一部分可以在通过绿光转换层320的同时变为绿色,而另一部分光的一部分可以被绿色滤光器330阻挡。结果,如图7的(e)所示,绿色发光元件300可以发射在绿色波长λG处具有最大强度的光。
此时,从绿色发光元件300发射的绿光的波长偏差可能非常小(可以为大约2nm或更小)。这是因为绿色量子点的尺寸可以非常精确地调节,并且量子点之间的尺寸变化非常小。
如图5的(b)和图8的(a)所示,蓝色发光元件400可以包括第三发光二极管410、透明树脂层420和蓝色滤光器430。
第三发光二极管410可以通过阴极端子411和阳极端子412从驱动电路接收驱动电流。例如,如图8的(b)所示,第三发光二极管410可以发射具有与蓝色波长相似的波长λB1的光。
透明树脂层420可以使从第三发光二极管410发射的光(具有与蓝色波长相似的波长的光)通过。透明树脂层420可以由诸如PC(聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PVA(聚乙烯醇)和PI(聚酰亚胺)之类的各种透明树脂组成。
如图8的(c)所示,蓝色滤光器430可以使入射光中的具有蓝色波长λB的光通过,并且阻挡具有与蓝色不同的波长的光。特别地,蓝色滤光器430可以使从第三发光二极管410发射的光中的具有蓝色波长λB的光通过,并且阻挡具有与蓝色波长相似的波长λB1的光。
蓝色滤光器430可以减小从第三发光二极管410发射的光(具有与蓝色波长相似的波长的光)的波长偏差。
从第三发光二极管410发射的光的波长偏差可以相对较大(大约10nm或更大)。作为发光二极管,可以使用诸如砷化镓(GaAs)、氮化铟镓(InGaN)和氮化镓(GaN)的混合半导体。可以通过在衬底上生长包含第一杂质的第一外延层,然后生长包含第二杂质的第二外延层来制造发光二极管。可以在包括第一杂质的第一外延层与包括第二杂质的第二外延层之间的边界(PN结)处发射光。
此时,可以根据基础材料Ga、As、In、N等的混合比,第一外延层中包含的第一杂质的浓度和/或第二外延层中包含的第二杂质的浓度来改变从发光二极管发射的光的波长。已知由于第一杂质的浓度变化和/或第二杂质的浓度变化,蓝色发光二极管具有大约10nm或更大的波长偏差。
从第三发光二极管410发射的光(具有与蓝色波长相似的波长的光)具有大约10nm或更大的波长偏差,因此,可以在校正波长偏差之后减小显示装置100的色域以增加显示颜色均匀性。
为了减小从第三发光二极管410发射的蓝色的波长偏差,第三发光二极管410可以输出在比蓝色波长(大约465nm)短的波长(大约440nm至450nm)处具有最大强度的光。蓝色滤光器430可以阻挡具有比蓝色波长(大约465nm)短的波长的光。
结果,通过蓝色滤光器430的光可以在大约蓝色波长(大约465nm)处具有最大强度。此外,通过蓝色滤光器430的光的波长偏差可以减小到大约2nm或更小。换句话说,从蓝色发光元件400发射的蓝色的波长偏差可以为大约2nm或更小。
在下文中,将更详细地描述减小从蓝色发光元件400发射的蓝色的波长偏差。
图9和图10是示出从图5所示的包括在显示装置中的蓝色发光二极管输出的光的波长偏差的视图。图11、图12和图13是示出从图5所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件输出的光的波长偏差的视图。
如图9所示,可以在单个晶片W上制造多个蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3,...和410-n。例如,蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3,...和410-n可以由氮化镓(GaN)构成,并且可以发射在与蓝色波长相似的波长处具有最大强度的光。
特别地,可以通过在形成衬底的晶片W上生长包含第一杂质的第一外延层,然后生长包含第二杂质的第二外延层来形成PN结。可以通过将形成有PN结的晶片W切割成预定尺寸来制造PN结二极管,并且该PN结二极管可以变成能够发光的蓝色发光二极管。
例如,通过切割形成有PN结的晶片W,可以从单个晶片W制造第一蓝色发光二极管410-1、第二蓝色发光二极管410-2、第三蓝色发光二极管410-3和第n个蓝色发光二极管410-n。
这时,取决于单个晶片W中的位置,基材Ga和N的混合比,衬底中包含的第一杂质的浓度和/或第二外延层中包含的第二杂质的浓度可以彼此不同。此外,从发光二极管发射的光的波长可以根据基础材料Ga和N的混合比、第一外延层中包含的第一杂质的浓度和/或第二外延层中包含的第二杂质的浓度而改变。
结果,在单个晶片W上制造的蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n可以发射不同波长的光。换句话说,从在单个晶片W上制造的蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n发射的光的波长可能产生偏差。众所周知,蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、…和410-n之间的波长偏差约为10nm。
例如,如图10所示,从由单个晶片W制造的第一蓝色发光二极管410-1发射的光的波长λ1、从第二蓝色发光二极管410-2发射的光的波长λ2、从第三蓝色发光二极管410-3发射的光λ3和从第n蓝色发光二极管410-n发射的光的波长λn可以彼此不同。
此外,从第一至第n蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n发射的光的波长λ1、λ2、λ3、…和λn之间的偏差可以是大约10nm。特别地,第一至第n蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n可以发射具有440nm至450nm的波长的光。
这样,由单个晶片W制造的多个蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n可以发射具有与蓝色相似的波长的光,并且在从多个蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n发射的光的波长之间可能存在偏差。此外,从多个蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、,...和410-n发射的光可以具有440nm至450nm的任何波长。
此外,显示装置100可以包括多个蓝色发光元件400,并且多个蓝色发光元件400可以分别包括多个蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n以及多个蓝色滤光器430。
蓝色滤光器430可以使具有近似蓝色波长的光或具有比近似蓝色波长λB的波长长的光通过,并且可以阻挡具有小于近似蓝色波长λB的波长的光。
例如,蓝色滤光器430可以具有如图11所示的特性曲线。特别地,蓝色滤光器430在大约462nm处具有大约20%的透射率,在大约466nm处具有大约40%的透射率,在约470nm处具有大约60%的透射率,在约474nm处具有大约80%的透射率。特别地,蓝色滤光器430的特性曲线可以在大约465nm的波长处与蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n的光谱曲线相交。
结果,通过蓝色滤光器430的光可以在大约465nm处具有最大强度,如图12所示。此外,具有通过蓝色滤光器430的光的最大强度的波长偏差可以减少到大约2nm。
如上所述,多个蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n中的每个可以发射在比蓝色波长短的波长(约440nm至450nm)处具有最大强度的光。此外,蓝色滤光器430可以阻挡具有波长比蓝色波长(大约465nm)短的光并且使波长长于蓝色波长(大约465nm)的光通过,并且透射率可以在蓝色波长(约465nm)处快速增加。
结果,与从多个蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n发射的光的波长偏差相比,通过蓝色滤光器430的光的波长偏差可以显著减小。换句话说,与从多个蓝色发光二极管410-1、410-2、410-3、...和410-n发射的光的波长偏差相比,从多个蓝色发光元件400发射的光的波长偏差可以显著减小。
此外,可以执行亮度校正处理以减小从多个蓝色发光元件400发射的光的亮度偏差。
例如,可以将驱动电流提供给蓝色发光元件400,并且可以使用单独提供的亮度计(未示出)来测量蓝色发光元件400的亮度。可以控制提供给蓝色发光元件400的驱动电流,使得由亮度计测量的蓝色发光元件400的亮度具有预定的亮度值。
如图4所示,多个像素P中的每个还可以包括用于补偿向蓝色发光元件400提供的驱动电流的补偿电路,以及向蓝色发光元件400提供驱动电流的驱动电路。
通过在多个像素P中设置的补偿电路,多个蓝色发光元件400可以发射具有预定亮度值的光,如图13所示。结果,从多个蓝色发光元件400发出的光的亮度偏差可以减小。
如上所述,蓝色发光元件可以包括蓝色发光二极管和蓝色滤光器。蓝色发光二极管可以发射具有比蓝色波长短的波长的光,并且蓝色滤光器可以阻挡具有比蓝色波长短的波长的光。结果,与从蓝色发光二极管发射的光的波长偏差相比,可以减小从多个蓝色发光元件发射的蓝色的波长偏差。
红色发光元件可以包括蓝色发光二极管和红光转换层。红光转换层可以吸收从蓝色发光二极管发射的光并且发射具有红色波长的光。与从蓝色发光二极管发射的光的波长偏差相比,可以减小从红光转换层发射的红光的波长偏差。
此外,绿色发光元件可以包括蓝色发光二极管和绿光转换层。绿光转换层可以吸收从蓝色发光二极管发射的光并且发射具有绿色波长的光。与从蓝色发射二极管发射的光的波长偏差相比,可以减小从绿光转换层发射的绿光的波长偏差。
图14是示出制造图5所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件的过程的图。图15是示出制造图5所示的包括在显示装置中的红色发光元件的过程的图。图16是示出制造图5所示的包括在显示装置中的绿色发光元件的过程的视图。
蓝色发光元件400可以包括蓝色发光二极管、透明树脂层和蓝色滤光器。
如图14的(a)所示,可以提供晶片W,并且可以在晶片W上形成多个发光二极管。例如,可以通过在形成衬底的晶片W上生长包含第一杂质的第一外延层,然后生长包含第二杂质的第二外延层来形成多个PN结。多个PN结中的每个可以是发光二极管。
此后,如图14的(b)所示,透明树脂层420可以形成在其上形成有多个发光二极管的晶片W上。例如,透明树脂层420可以通过在晶片W上施加(或涂覆)液体透明树脂并使液体透明树脂固化而形成。透明树脂层420可以由诸如PC、PES、PMMA、PVA和PI的各种透明树脂形成。
其后,如图14的(c)所示,可以在形成有透明树脂层420的晶片W上形成蓝色滤光器430。例如,可以通过在透明树脂层420上施加(或涂覆)液体蓝色颜料并使液体蓝色颜料固化来形成蓝色滤光器430。
此后,可以通过将形成有透明树脂层420和蓝色滤光器430的晶片W切割成适当的尺寸来制造蓝色发光元件400。
红色发光元件200可以包括蓝色发光二极管、红光转换层和红色滤光器。
如图15的(a)所示,可以提供晶片W,并且可以在晶片W上形成多个发光二极管。其上形成有多个发光二极管的晶片W可以与图14的(a)所示的晶片W相同。
随后,如图15的(b)所示,可以在其上形成有多个蓝色发光二极管的晶片W上形成红光转换层220。例如,红光转换层220可以通过在晶片W上施加(或涂覆)直径约7nm的量子点与液体透明树脂混合的材料,并使量子点与透明树脂混合的材料固化来形成。
此后,如图15的(c)所示,可以在形成有红光转换层220的晶片W上形成红色滤光器230。例如,红色滤光器230可以通过在红光转换层220上施加(或涂覆)液体红色颜料并使液体红色颜料固化而形成。
绿色发光元件300可以包括蓝色发光二极管、绿光转换层和绿色滤光器。
如图16的(a)所示,可以提供晶片W,并且可以在晶片W上形成多个发光二极管。其上形成有多个发光二极管的晶片W可以与图14的(a)所示的晶片W相同。
随后,如图16的(b)所示,可以在其上形成有多个蓝色发光二极管的晶片W上形成绿光转换层320。例如,绿光转换层320可以通过在晶片W上施加(或涂覆)直径约4nm的量子点和液体透明树脂混合的材料并且使其上混合有量子点和透明树脂的材料固化来形成。
此后,如图16的(c)所示,可以在形成有绿光转换层320的晶片W上形成绿色滤光器330。例如,绿色滤光器330可以通过在绿光转换层320上施加(或涂覆)液态绿色颜料并且使液态绿色颜料固化来形成。
图17是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光元件的另一示例的视图。图18是示出图17所示的包括在显示装置中的红色发光元件的结构和从红色发光元件输出的光的光谱的图。图19是示出图17所示的包括在显示装置中的绿色发光元件的结构和从绿色发光元件输出的光的光谱的图。图20是示出图17所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件的结构和从蓝色发光元件输出的光的光谱的图。
如图17所示,像素P可以包括红色发光元件200、绿色发光元件300和蓝色发光元件400。
如图17和图18的(a)所示,红色发光元件200可以包括第一发光二极管210、第一黄光转换层240和红色滤光器230。
第一发光二极管210可以通过阴极端子211和阳极端子212从驱动电路接收驱动电流。例如,如图18的(b)所示,可以发射在比蓝色波长短的波长λB1处具有最大强度的光(以下称为“波长比蓝色波长短的光”)。
第一黄光转换层240可以吸收具有比从第二发光二极管310发射的蓝色波长短的波长λB1的光,并且可以发射在红色波长λR处具有最大强度的光(具有红色波长的光)和在绿色波长λG处具有最大强度的光(具有绿色波长的光)。换句话说,第一黄光转换层240可以将具有比蓝色波长短的波长λB1的光转换为具有红色波长λR的光和具有绿色波长λG的光。
例如,第一黄光转换层240可以包括能够发射红光的量子点和能够发射绿光的量子点。
此外,第一黄光转换层240可以包括能够发射红光的荧光材料和能够发射绿光的荧光材料。
如图18的(c)所示,从第一黄光转换层240发射的光可以包括具有比已通过第一黄光转换层240的蓝色波长短的波长λB1的光,以及波长被第一黄光转换层240转换的红色波长λR的光和具有绿色波长λG的光。
如图18的(d)所示,红色滤光器230可以使入射光中的具有红色波长λR的光通过,并阻挡具有与红色波长λR不同的波长的光。特别地,红色滤光器230可以使具有红色波长λR的光通过并且阻挡具有比蓝色波长短的波长λB1的光和具有绿色波长λG的光。
结果,如图18的(e)所示,红色发光元件200可以发射在红色波长λR处具有最大强度的光。此外,可以通过第一黄光转换层240减小从第一发光二极管210发射的光的波长偏差。
如图17和图19的(a)所示,绿色发光元件300可以包括第二发光二极管310、第二黄光转换层340和绿色滤光器330。
第二发光二极管310和第二黄光转换层340可以与图18中所示的第一发光二极管210和第一黄光转换层240相同。特别地,第二发光二极管310可以发射具有比蓝色波长短的波长λB1的光,如图19的(b)所示。此外,第二黄光转换层340可以将比蓝色波长短的波长λB1转换为具有红色波长λR的光和具有绿色波长λG的光。如图19的(c)所示,第二黄光转换层340可以发射具有比蓝色波长短的波长λB1的光、具有红色波长λR的光和具有绿色波长λG的光。
如图19的(d)所示,绿色滤光器330可以使入射光中的具有绿色波长λB的光通过,并且可以阻挡具有与绿光不同的波长的光。特别地,绿色滤光器330可以使具有绿色波长λG的光通过,并且可以阻挡具有比蓝色波长短的波长λB1的光和具有红色波长λR的光。
结果,如图19的(e)所示,绿色发光元件300可以发射在绿色波长λG处具有最大强度的光。此外,可以通过第二黄光转换层340减小从第二发光二极管310发射的波长偏差。
如图17和图20的(a)所示,蓝色发光元件400可以包括第三发光二极管410、第三黄光转换层440和蓝色滤光器430。
第三发光二极管410和第三黄光转换层440可以与图18所示的第一发光二极管210和第一黄光转换层240相同。特别地,第三发光二极管410可以发射具有比蓝色波长短的波长λB1的光,如图20的(b)所示。此外,第三黄光转换层440可以将比蓝色波长短的波长λB1转换为具有红色波长λR的光和具有绿色波长λG的光。如图20的(c)所示,第三黄光转换层440可以发射具有比蓝色波长短的波长λB1的光、具有红色波长λR的光和具有绿色波长λG的光。
如图20的(d)所示,蓝色滤光器430可以使入射光中的具有蓝色波长λB的光通过,并且可以阻挡具有与蓝色不同的波长的光。特别地,蓝色滤光器430可以使具有蓝色波长λB的光通过,并且可以阻挡具有红色波长λR的光和具有绿色波长λG的光。
此外,第三发光二极管410可以发射具有比蓝色波长λB短的波长λB1的光,并且蓝色滤光器430可以阻挡具有比蓝色波长λB短的波长的光,并且可以使波长比蓝色波长λB长的光通过。
结果,如图20的(e)所示,蓝色发光元件400可以发射在蓝色波长λB处具有最大强度的光。此外,蓝色滤光器430可以减小从第三发光二极管410发射的波长偏差。
图21是示出制造图17所示的红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的过程的视图。
如图21的(a)所示,可以提供晶片W,并且可以在晶片W上形成多个蓝色发光二极管。例如,可以通过在形成衬底的晶片W上生长包含第一杂质的第一外延层,然后生长包含第二杂质的第二外延层来形成多个PN结。多个PN结中的每个可以是蓝色发光二极管。
此后,如图21的(b)所示,可以在其上形成有多个蓝色发光二极管的晶片W上形成黄光转换层240、340和440。例如,红色光转换层220可以在晶片W上施加(或涂覆)其上混合了直径大约7nm的量子点、直径大约4nm的量子点和液体透明树脂的材料,并且可以通过固化其中混合了量子点和透明树脂的材料来形成。
此后,如图21的(c)所示,可以在其上形成有黄光转换层240、340和440的晶片W上形成颜色滤光器230、330和430。颜色滤光器230、330和430可以包括红色滤光器230、绿色滤光器330和蓝色滤光器430。红色滤光器230、绿色滤光器330和蓝色滤光器430可以并排布置在黄光转换层240、340和440上。例如,颜色滤光器230、330和430可以将液体红色颜料、绿色颜料和蓝色颜料施加(或涂覆)在黄光转换层240、340和440上,并且可以通过固化液体颜料形成。
图22是示出根据实施例的包括在显示装置中的发光元件的另一示例的视图。图23是示出图22所示的包括在显示装置中的红色发光元件的结构和从红色发光元件输出的光的光谱的图。图24是示出图22所示的包括在显示装置中的绿色发光元件的结构和从绿色发光元件输出的光的光谱的图。图25是示出图22所示的包括在显示装置中的蓝色发光元件的结构和从蓝色发光元件输出的光的光谱的图。
如图22所示,显示装置100可以包括红色发光元件200、绿色发光元件300和蓝色发光元件400。
如图22和图23的(a)所示,红色发光元件200可以包括红色发光二极管250和红色滤光器230。
可以通过阴极端子251和阳极端子252从驱动电路向红色发光二极管250提供驱动电流。例如,如图23的(b)所示,红色发光二极管250可以发射在与红色波长λR相似但比红色波长λR短的波长λR1处具有最大强度的光。
红色滤光器230可以阻挡具有比红色波长λR短的波长的光,并使具有比红色波长λR长的波长的光通过。在从红色发光二极管250发射的光中,具有比红色波长λR更长的波长的光可以通过红色滤光器230,并且因此,通过红色滤光器230的光可以在红色波长λR处具有最大强度。
结果,如图23的(c)所示,红色发光元件200可以发射在红色波长λR处具有最大强度的光。此外,可以通过红色滤光器230减小从红色发光二极管250发射的光的波长偏差。
如图22和图24的(a)所示,绿色发光元件300可以包括绿色发光二极管350和绿色滤光器330。
可以通过阴极端子351和阳极端子352向绿色发光二极管350提供来自驱动电路的驱动电流。例如,如图24的(b)所示,绿色发光二极管350可以发射在与绿色波长λG相似但比绿色波长λG短的波长λG1处具有最大强度的光。
绿色滤光器330可以阻挡具有比绿色波长λG短的波长的光,并使具有比绿色波长λG长的波长的光通过。在从绿色发光二极管350发射的光中,具有比绿色波长λG更长的波长的光可以通过绿色滤光器330,并且因此通过绿色滤光器330的光可以在绿色波长λG处具有最大强度。
结果,如图24的(c)所示,绿色发光元件300可以发射在绿色波长λG处具有最大强度的光。此外,可以通过绿色滤光器330减小从绿色发光二极管350发射的光的波长偏差。
如图22和图25的(a)所示,蓝色发光元件400可以包括蓝色发光二极管450和蓝色滤光器430。
可以通过阴极端子451和阳极端子452从驱动电路向蓝色发光二极管450提供驱动电流。例如,如图25的(b)所示,蓝色发光二极管450可以发射在与蓝色波长λB相似但比蓝色波长λB短的波长λB1处具有最大强度的光。
蓝色滤光器430可以阻挡具有比蓝色波长λB短的波长的光,并使具有比蓝色波长λB长的波长的光通过。在从蓝色发光二极管450发射的光中,具有比蓝色波长λB更长的波长的光可以通过蓝色滤光器430,因此,通过蓝色滤光器430的光可以在蓝色波长λB处具有最大强度。
结果,如图25的(c)所示,蓝色发光元件400可以发射在蓝色波长λB处具有最大强度的光。此外,可以通过蓝色滤光器430减小从蓝色发光二极管450发射的光的波长偏差。
同时,可以以存储可由计算机执行的指令的记录介质的形式来实现所公开的实施例。指令可以以程序代码的形式存储,并且当由处理器执行时,指令可以生成程序模块以执行所公开的实施例的操作。记录介质可以被实现为计算机可读记录介质。
计算机可读记录介质可以包括存储可以由计算机解释的命令的所有种类的记录介质。例如,计算机可读记录介质可以是ROM、RAM、磁带、磁盘、闪存、光学数据存储设备等。
至此,已经参考附图描述了本公开的实施例和示例。对于本领域普通技术人员将清楚是,可以以除上述实施例之外的其他形式来实践本公开,而不改变本公开的技术思想或基本特征。上面的实施例仅是示例性的,并且不应在限定的意义上进行解释。
Claims (15)
1.一种显示装置,包括:
蓝色发光元件,被配置为发射蓝光;
红色发光元件,被配置为发射红光;以及
绿色发光元件,被配置为发射绿光,
其中,所述蓝色发光元件包括:
第一发光二极管,被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及
蓝色滤光器,被配置为透射具有蓝色波长的光。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一发光二极管被配置为发射在比蓝色波长小15nm(纳米)至25nm的波长中的任一波长处具有最大强度的光。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一发光二极管被配置为发射在440nm至450nm中的任一波长处具有最大强度的光,并且
其中,所述蓝色滤光器被配置为阻挡具有比465nm短的波长的光。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一发光二极管被配置为发射在440nm至450nm中的任一波长处具有最大强度的光,并且
其中所述蓝色滤光器的透光率被配置为在465nm处迅速降低。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一发光二极管被配置为发射在440nm至450nm中的任一波长处具有最大强度的光,并且
其中,所述蓝色滤光器的阻挡特性曲线被配置为在465nm处与所述第一发光二极管的光谱曲线交叉。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述蓝色发光元件还包括透明树脂层,所述透明树脂层设置在所述第一发光二极管和所述蓝色滤光器之间,所述透明树脂层被配置为透射从所述第一发光二极管发射的光。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述蓝色发光元件还包括黄色量子点材料层,所述黄色量子点材料层设置在所述第一发光二极管和所述蓝色滤光器之间,所述黄色量子点材料层被配置为吸收从所述第一发光二极管发射的光并发射具有比蓝色波长短的波长的光、具有红色波长的光和具有绿色波长的光。
8.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
驱动电路,被配置为向所述蓝色发光元件提供驱动电流;以及
补偿电路,被配置为补偿从所述蓝色发光元件发射的光的亮度。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述补偿电路被配置为控制所述驱动电流,使得从所述蓝色发光元件发射预定亮度的光。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述红色发光元件包括:
第二发光二极管,被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及
红色量子点材料层,被配置为吸收从所述第二发光二极管发射的光并且发射具有红色波长的光。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述红色发光元件包括:
第二发光二极管,被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;
黄色量子点材料层,被配置为吸收从所述第二发光二极管发射的光并且发射具有比蓝色波长短的波长的光、具有红色波长的光和具有绿色波长的光;以及
红色滤光器,被配置为使具有红色波长的光通过。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述红色发光元件包括:
第二发光二极管,被配置为发射在比红色波长短的波长处具有最大强度的光;以及
红色滤光器,被配置为阻挡具有比红色波长短的波长的光。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述绿色发光元件包括:
第三发光二极管,被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;以及
绿色量子点材料层,被配置为吸收从所述第三发光二极管发射的光并且发射具有绿色波长的光。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述绿色发光元件包括:
第三发光二极管,被配置为发射在比蓝色波长短的波长处具有最大强度的光;
黄色量子点材料层,被配置为吸收从所述第三发光二极管发射的光并且发射具有比蓝色波长短的波长的光、具有红色波长的光和具有绿色波长的光;以及
绿色滤光器,被配置为使具有绿色波长的光通过。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述绿色发光元件包括:
第二发光二极管,被配置为发射在比绿色波长短的波长处具有最大强度的光;以及
绿色滤光器,被配置为阻挡具有比绿色波长短的波长的光。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170174156A KR102519929B1 (ko) | 2017-12-18 | 2017-12-18 | 디스플레이 장치 |
KR10-2017-0174156 | 2017-12-18 | ||
PCT/KR2018/015915 WO2019124883A1 (ko) | 2017-12-18 | 2018-12-14 | 디스플레이 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111492486A true CN111492486A (zh) | 2020-08-04 |
Family
ID=66994140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201880081547.5A Pending CN111492486A (zh) | 2017-12-18 | 2018-12-14 | 显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11521955B2 (zh) |
EP (1) | EP3703133A4 (zh) |
KR (1) | KR102519929B1 (zh) |
CN (1) | CN111492486A (zh) |
WO (1) | WO2019124883A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4024126A4 (en) * | 2019-08-20 | 2023-08-02 | Shenzhen TCL New Technology Co., Ltd. | LIGHT SOURCE UNIT, BACKLIGHT MODULE AND DISPLAY DEVICE |
CN112953633A (zh) * | 2019-12-11 | 2021-06-11 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子设备的通信装置及电子设备 |
US11588078B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-02-21 | Lextar Electronics Corporation | Light emitting device and module |
US11574953B2 (en) * | 2020-08-31 | 2023-02-07 | A.U. Vista, Inc. | Mosaic active matrix driven light emitting diode (LED) display panel |
KR102541836B1 (ko) * | 2020-09-02 | 2023-06-09 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
JP2022060047A (ja) * | 2020-10-02 | 2022-04-14 | 伯仁 ▲呉▼ | ディスプレイパネルおよびディスプレイパネル作製方法 |
TWI759132B (zh) * | 2021-03-11 | 2022-03-21 | 聚積科技股份有限公司 | 解耦合發光顯示設備及其解耦合驅動裝置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG98413A1 (en) * | 1999-07-08 | 2003-09-19 | Nichia Corp | Image display apparatus and its method of operation |
KR20100089606A (ko) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | 한국기계연구원 | 컬러 변환층으로 반도체 나노 양자점을 포함하는 디스플레이소자 |
US9658520B2 (en) * | 2012-10-01 | 2017-05-23 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converting element comprising ceramic capsule |
US9035286B2 (en) * | 2013-02-19 | 2015-05-19 | Au Optronics Corporation | Multi-color light emitting diode and method for making same |
WO2016098954A1 (ko) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
WO2017007770A2 (en) * | 2015-07-07 | 2017-01-12 | Sxaymiq Technologies Llc | Quantum dot integration schemes |
CN105096749B (zh) | 2015-08-04 | 2017-07-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制备方法 |
US10068884B2 (en) | 2016-04-01 | 2018-09-04 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display apparatus and manufacturing method thereof |
WO2017217703A1 (en) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd | Display apparatus and manufacturing method thereof |
-
2017
- 2017-12-18 KR KR1020170174156A patent/KR102519929B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-12-14 EP EP18893087.9A patent/EP3703133A4/en active Pending
- 2018-12-14 WO PCT/KR2018/015915 patent/WO2019124883A1/ko unknown
- 2018-12-14 CN CN201880081547.5A patent/CN111492486A/zh active Pending
- 2018-12-14 US US16/955,505 patent/US11521955B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11521955B2 (en) | 2022-12-06 |
WO2019124883A1 (ko) | 2019-06-27 |
EP3703133A4 (en) | 2020-10-07 |
US20200321322A1 (en) | 2020-10-08 |
KR102519929B1 (ko) | 2023-04-10 |
EP3703133A1 (en) | 2020-09-02 |
KR20190072965A (ko) | 2019-06-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11521955B2 (en) | Display apparatus | |
US10481431B2 (en) | Display device | |
US10797115B2 (en) | Display panel and display apparatus using the same | |
US9966365B2 (en) | Display device and fabricating method | |
US7687812B2 (en) | Light-emitting diode arrays and methods of manufacture | |
US11917886B2 (en) | Electronic device | |
US20080308819A1 (en) | Light-Emitting Diode Arrays and Methods of Manufacture | |
KR20220103550A (ko) | 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
US20220223577A1 (en) | Display module, display apparatus, and method of manufacturing the same | |
KR102639698B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제어방법 | |
KR102514878B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
KR102299857B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
KR20220103551A (ko) | 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
US20210167123A1 (en) | Micro led display device | |
US20230387144A1 (en) | Display module, display apparatus and method for manufacturing same | |
US20230055132A1 (en) | Display apparatus and backlight unit | |
Liu et al. | Decoding Micro-LED's Current Driving Methods | |
KR20230026128A (ko) | 디스플레이 장치 및 백라이트 유닛 | |
Kumar et al. | Putting microLED technology on display | |
CN114141807A (zh) | 显示面板及显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |