CN111490176A - 一种显示面板及其制备方法、电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板及其制备方法、电子装置，显示面板包括基板以及设置在基板上的发光层；发光层包括阳极层、设置在阳极层上的阴极层以及位于阳极层与阴极层之间的发光器件层；其中，显示面板具有对应于光学元件的透光区，阴极层包括对应于透光区的第一部分，第一部分包括透明层，透明层的透光率大于90％。利用透光率较高的透明层替换掉阴极层上与透光区对应的部分，极大的提高透光区的透光率，从而增强光学元件的成像效果。

Description

一种显示面板及其制备方法、电子装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备 方法、电子装置。

背景技术

OLED显示的最大优点是可以实现柔性显示。柔性显示的呈现 方式各种各样，如曲面屏，弯折屏，卷曲屏等。同时提升屏占比也 成为显示技术尤其是移动显示的趋势潮流；其中，用于安装设置光 学元件的透光区的设计及制作难度最大，因为需要将光学元件，例 如摄像头置于透光区下方，因此需要保证透光区具有很高的光透 过率。

但是由于在蒸镀段制程中，阴极的制成材料为透过率很低的 Mg:Ag合金，严重影响透光区光的穿透效果，不利于外界光线穿过 进入光学元件中。

发明内容

本发明提供一种显示面板，以解决现显示面板的透光区的光 透性较差，不利于外界光线穿过进入光学元件中的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

一种显示面板，包括：

基板；

设置在所述基板上的发光层，其包括阳极层、设置在所述阳极 层上的阴极层以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的发光器件 层；

其中，所述显示面板具有对应于光学元件的透光区，所述阴极 层包括对应于所述透光区的第一部分，所述第一部分包括透明层， 所述透明层的透光率大于90％。

进一步的，所述透明层包括第一金属氧化层或/和石墨烯层。

进一步的，所述第一金属氧化层的制成材料为氧化镁、氧化 银、ITO、AZO以及IZO中的一种或多种。

进一步的，所述第一金属氧化层占所述第一部分的质量百分 比大于或等于60％。

进一步的，所述第一部分还包括与所述第一金属氧化层叠层 设置的第一金属导电层，所述第一金属导电层位于所述第一金属 氧化层之上或之下。

进一步的，所述第一金属氧化层中的金属的材料和所述第一 金属导电层的材料至少部分相同。

进一步的，所述第一金属导电层的制成材料为镱、钙、镁以及 银中的一种或多种。

进一步的，所述第一金属氧化层的厚度为5～10纳米。

进一步的，所述透明层包括第一金属氧化层，所述第一金属氧 化层的厚度与所述第一部分的厚度相同。

进一步的，所述显示面板还具有显示区，所述显示区绕所述透 光区设置，所述阴极层还包括对应于所述显示区的第二部分，所述 第一部分的透光率大于所述第二部分的透光率。

进一步的，所述第二部分包括第二金属氧化层，所述第二金属 氧化层占所述第二部分的质量百分比比所述第一金属氧化层占所 述第一部分的质量百分比小。

进一步的，所述第二金属氧化层占所述第二部分的质量百分 比小于0.1％。

本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：

S10、提供一基板；

S20、在所述基板上形成阳极层；

S30、在所述阳极层上形成发光器件层；

S40、在所述发光器件层上形成阴极层，所述阴极层包括对应 于透光区的第一部分，所述第一部分包括透明层，所述透明层的透 光率大于90％。

进一步的，所述步骤S40包括：

S41、在所述发光器件层上形成阴极层；

S42、在所述阴极层上涂布光阻层；

S43、对所述光阻层进行曝光蚀刻，以形成与透光区对应的通 孔；

S44、利用氧离子体对所述阴极层上与所述透光区对应的一部 分进行氧化处理，以形成透明层。

进一步的，所述步骤S40包括：

S41、在所述发光器件层上与所述透光区对应的位置处形成透 明层；

S42、在所述发光器件层上涂布阴极金属材料，形成所述阴极 层。

本发明还提供一种电子装置，包括光学元件以及如上述的显 示面板。

进一步的，所述光学元件位于所述基板远离发光层的一侧。

本发明的有益效果为：通过将阴极层上与透光区对应的第一 部分处设置第一金属氧化层或/和石墨烯层，金属氧化物以及石墨 烯天然具有较高的光穿透度，从而提升阴极层的光穿透度，有利于 外界光线穿过显示面板进入光学元件中，同时不需要在阴极层上进行挖孔操作，大大降低了制程难度并明显提升可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将 对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而 易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域 普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明具体实施方式中显示面板的平面示意图；

图2和图3为本发明实施例一中显示面板的结构示意图；

图4为本发明实施例一中显示面板的制备步骤示意图；

图5至图8为本发明实施例一中显示面板的制备流程示意图 ；

图9为本发明实施二中显示面板的结构示意图；

图10为本发明实施三中显示面板的结构示意图；

图11为本发明实施例四中显示面板的结构示意图；

图12至图14为本发明实施例四中显示面板的制备流程示意 图；

图15为本发明实施例五中显示面板的结构示意图；

图16为本发明实施例六中显示面板的结构示意图；

图17为本发明实施例七中电子装置的结构示意图。

附图标记：

10、基板；20、薄膜晶体管；30、阳极层；40、发光器件层； 50、阴极层；51、第一部分；511、第一金属导电层；512、第一金 属氧化层；513、石墨烯层；52、第二部分；521、第二金属导电层 ；522、第二金属氧化层；60、封装层；70、光学元件；81、透光 区；82、显示区；90、光阻层。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可 用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、 [下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参 考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发 明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标 号表示。

本发明针对现有的蒸镀段制程中，显示面板的透光区的光透 性较差，不利于外界光线穿过进入光学元件中的技术问题。本发明 可以解决上述问题。

实施例一：

一种显示面板，如图1和图2所示，所述显示面板包括基板 10、设置在所述基板10上的薄膜晶体管20、设置在所述薄膜晶 体管20上的发光层以及设置在所述发光层上的封装层60。

其中，所述发光层包括阳极层30、设置在所述阳极层30上 的阴极层50以及位于所述阳极层30与所述阴极层50之间的发光 器件层40。

其中，所述显示面板具有对应于光学元件70的透光区81， 所述阴极层50包括对应于所述透光区81的第一部分51，所述第 一部分包括透明层，所述透明层的透光率大于90％。

需要说明的是，目前，采用金属制成的阴极层50的透光率为 20％～40％，透光率极低，利用透光率较高的透明层替换掉阴极层 50上与透光区81对应的部分，极大的提高透光区81的透光率，从 而增强光学元件的成像效果。

需要说明的是，所述光学元件70可以为摄像头，所述基板10 为透明基板10，所述基板10可以为柔性基板10，也可以为非柔性 基板10。

具体的，所述透明层包括第一金属氧化层512。

相比于金属，由金属被氧化而形成的金属氧化物天然具有较 高的光穿透度，通过在阴极层50与透光区81对应的第一部分51 处设置第一金属氧化层512，从而提升阴极层50的光穿透度，有利 于外界光线穿过显示面板进入光学元件70中，同时不需要在阴 极层50上进行挖孔操作，大大降低了制程难度并明显提升可靠 性。

具体的，所述第一部分51还包括与所述第一金属氧化层512 叠层设置的第一金属导电层511，所述第一金属导电层511位于 所述第一金属氧化层512之下。

阴极层50的第一部分51未被完全氧化，仍保留了具有导电 特性的第一金属导电层511，保证第一部分51具有较好的光穿透 度的同时，可以在与透明区对应的第一部分51处实现像素的显 示，扩大显示面板的可显示面积。

进一步的，所述第一金属氧化层512的厚度为5～10纳米，所 述阴极层50的第一部分51的厚度为10.1～20纳米，并且，所述第 一金属氧化层512占所述第一部分51的质量百分比大于或等于 60％。

进一步的，所述第一金属氧化层512中的金属的材料和所述第 一金属导电层511的材料至少部分相同。

具体的，所述第一金属导电层511的制成材料为镱、钙、镁以 及银中的一种或多种，所述第一金属氧化层512的制成材料为氧化 镁、氧化银、ITO、AZO以及IZO中的一种或多种。

在一实施方式中，所述第一金属导电层511的制成材料优选为 镁或/和银。

具体的，所述显示面板还具有显示区82，所述显示区82绕 所述透光区81设置，所述阴极层50还包括对应于所述显示区82 的第二部分52，所述第一部分51的透光率大于所述第二部分52 的透光率。

在一实施方式中，所述第二部分52与所述第一金属导电层 511的构成材料相同。

在另一实施方式中，如图3所示，所述第二部分52包括第二 金属导电层521和位于所述第二金属导电层521上的第二金属氧 化层522，所述第二金属氧化层522占所述第二部分52的质量百 分比比所述第一金属氧化层512占所述第一部分51的质量百分比 小。

其中，所述第二金属导电层521与所述第一金属导电层511 的构成材料相同，所述第二金属氧化层522与所述第一金属氧化 层512的构成材料相同。

进一步的，所述第二金属氧化层522占所述第二部分52的质 量百分比小于0.1％。

阴极层50的第二部分52作为发光层的阴极，需要具有良好 的电性，在实际实施中，对阴极层50的第一部分51进行氧化处理 以形成第一金属氧化层512的过程中，可能导致第二部分52的表 面也被氧化，通过减少第二金属氧化层522的含量，从而防止降低 阴极层50第二部分52的电性导致影响像素的显示。

基于本实施例所述的显示面板，本发明还提供一种显示面板 的制备方法，如图4所示，包括以下步骤：

S10、提供一基板10；

S20、在所述基板10上形成阳极层30；

S30、在所述阳极层30上形成发光器件层40；

S40、在所述发光器件层40上形成阴极层50，所述阴极层 50包括对应于透光区81的第一部分51，所述第一部分51包括透 明层，所述透明层的透光率大于90％。

具体的，所述步骤S40包括：

S41、在所述发光器件层40上形成阴极层50；

S42、在所述阴极层50上涂布光阻层90；

S43、对所述光阻层90进行曝光蚀刻，以形成与透光区81对 应的通孔；

S44、利用氧离子体对所述阴极层50上与所述透光区81对应 的一部分进行氧化处理，以形成透明层。

其中，光阻层90可以由光刻胶制成。

进一步的，所述透明层包括第一金属氧化层512，所述第一金 属氧化层512占所述第一部分51的质量百分比大于或等于60％。

参见图5至图8，图5至图8为本实施例中所述显示面板的 制备流程示意图。

如图5所示，在所述基板10上形成薄膜晶体管20，所述基 板10为透明基板10，所述基板10可以为柔性基板10，也可以为 非柔性基板10。

如图6所示，在所述薄膜晶体管20基板10上形成阳极层30 ，在所述阳极层30上形成发光器件层40后，在所述发光器件层 40上形成阴极层50。

如图7所示，在所述阴极层50上涂布光阻层90后，对所述 光阻层90进行曝光蚀刻，以形成与透光区81对应的通孔，利用氧 离子体对所述阴极层50上与所述透光区81对应的一部分进行氧 化处理，以形成第一金属氧化层512，所述第一金属氧化层512 的厚度与氧离子体的浓度以及氧化处理的时间成正比。

通过对阴极层50的第一部分51进行氧化处理，从而提高与 透光区81对应的第一部分51的光穿透度，无需在阴极层50上进 行挖孔，制程方便简单，具有很高的可实施性，同时对第一部分 51进行氧化处理时使用光阻防止第二部分52被氧化，防止影响 第二部分52的电性，可靠度高。

如图8所述，去除光阻后，在所述阴极层50上形成封装层60。

实施二：

一种显示面板，如图9所示，其与实施例一的不同之处仅在于 所述第一金属氧化层512的厚度与所述阴极层50的第一部分51 的厚度相同，所述阴极层50的第一部分51的厚度为10～20纳米。

实施例三：

一种显示面板，如图10所示，其与实施例一的不同之处仅 在于所述透明层的构成材料不同。

具体的，在一实施方式中，所述透明层包括第一金属氧化层 512和与所述第一金属氧化层叠层设置的石墨烯层513。

在另一实施方式中，所述透明区包括石墨烯层513。

石墨烯具有良好的导电性能和光透过度，利用石墨烯层513 提高第一部分51的透光率的同时，可以在与透光区81对应的第 一部分51处实现像素的显示，扩大显示面板的可显示面积。

实施例四：

一种显示面板，如图11所示，所述显示面板包括基板10、设置 在所述基板10上的薄膜晶体管20、设置在所述薄膜晶体管20上 的发光层以及设置在所述发光层上的封装层60。

其中，所述发光层包括阳极层30、设置在所述阳极层30上 的阴极层50以及位于所述阳极层30与所述阴极层50之间的发光 器件层40。

其中，所述显示面板具有对应于光学元件70的透光区81， 所述阴极层50包括对应于所述透光区81的第一部分51，所述第 一部分包括透明层，所述透明层的透光率大于90％。

需要说明的是，目前，采用金属制成的阴极层50的透光率为 20％～40％，透光率极低，利用透光率较高的透明层替换掉阴极层 50上与透光区81对应的部分，极大的提高透光区81的透光率，从 而增强光学元件的成像效果。

需要说明的是，所述光学元件70可以为摄像头，所述基板10 为透明基板10，所述基板10可以为柔性基板10，也可以为非柔性 基板10。

具体的，所述透明层包括第一金属氧化层512。

相比于金属，由金属被氧化而形成的金属氧化物天然具有较 高的光穿透度，通过在阴极层50与透光区81对应的第一部分51 处设置第一金属氧化层512，从而提升阴极层50的光穿透度，有利 于外界光线穿过显示面板进入光学元件70中，同时不需要在阴 极层50上进行挖孔操作，大大降低了制程难度并明显提升可靠 性。

具体的，所述第一部分51还包括与所述第一金属氧化层512 叠层设置的第一金属导电层511，所述第一金属导电层511位于 所述第一金属氧化层512之上。

需要说明的是，显示面板的制备过程中，先利用金属氧化物材 料在发光器件层40上与透光区81对应的位置处形成第一金属氧 化层512，或利用金属材料在发光器件层40与透明区对应的位置 处形成金属层后，对金属层进行氧化处理，以形成第一金属氧化层512；形成所述第一金属氧化层512后，再使用阴极金属材料形 成金属导电层，所述金属导电层与所述第一金属氧化层512组成 阴极层50。

第一金属氧化层512与金属导电层分开形成，从而避免对第 一部分51进行氧化处理时导致第二部分52被氧化，防止降低第 二部分52的电性导致影响像素的显示。

进一步的，所述第一金属氧化层512的厚度为5～10纳米，所 述阴极层50的第一部分51的厚度为10.1～20纳米，并且，所述第 一金属氧化层512占所述第一部分51的质量百分比大于或等于 60％。

进一步的，所述第一金属氧化层512中的金属的材料和所述 第一金属导电层511的材料至少部分相同。

具体的，所述第一金属导电层511的制成材料为镱、钙、镁以 及银中的一种或多种，所述第一金属氧化层512的制成材料为氧化 镁、氧化银、ITO、AZO以及IZO中的一种或多种。

在一实施方式中，所述第一金属导电层511的制成材料优选为 镁或/和银。

具体的，所述显示面板还具有显示区82，所述显示区82绕 所述透光区81设置，所述阴极层50还包括对应于所述显示区82 的第二部分52，所述第一部分51的透光率大于所述第二部分52 的透光率。

进一步的，所述第二部分52与所述第一金属导电层511的构 成材料相同。

基于本实施例所述的显示面板，本发明还提供一种显示面板 的制备方法，包括以下步骤：

S10、提供一基板10；

S20、在所述基板10上形成阳极层30；

S30、在所述阳极层30上形成发光器件层40；

S40、在所述发光器件层40上形成阴极层50，所述阴极层 50包括对应于透光区81的第一部分51，所述第一部分51包括透 明层，所述透明层的透光率大于90％。

具体的，所述步骤S40包括：

S41、在所述发光器件层40上与所述透光区81对应的位置处 形成透明层；

S42、在所述发光器件层40上涂布阴极金属材料，形成所述阴 极层50。

进一步的，所述透明层包括第一金属氧化层512，所述第一金 属氧化层512占所述第一部分51的质量百分比大于或等于60％。

参见图12至图14，图12至图14为本实施例中所述显示面 板的制备流程示意图。

如图12所示，在所述基板10上形成薄膜晶体管20，所述基 板10为透明基板10，所述基板10可以为柔性基板10，也可以为 非柔性基板10。

如图13所示，在所述薄膜晶体管20基板10上形成阳极层 30，在所述阳极层30上形成发光器件层40后，在所述发光器件层 40上形成第一金属氧化层512。

需要说明的是，可以利用金属氧化物材料在发光器件层40 上与透光区81对应的位置处形成第一金属氧化层512；也可以利 用金属材料在发光器件层40与透明区对应的位置处形成金属层 后，对金属层进行氧化处理，以形成第一金属氧化层512。

如图14所示，形成所述第一金属氧化层512后，在所述发光 器件层40上涂布阴极金属材料，形成金属导电层，所述金属导 电层与所述第一金属氧化层512组成阴极层50；形成所述阴极层 50后，在所述阴极层50上形成封装层60。

实施例五：

一种显示面板，如图15所示，其与实施例四的不同之处仅 在于所述第一金属氧化层512的厚度与所述阴极层50的第一部 分51的厚度相同，所述阴极层50的第一部分51的厚度为10～ 20纳米。

实施例六：

一种显示面板，如图16所示，其与实施例四的不同之处仅 在于所述透明层的构成材料不同。

具体的，在一实施方式中，所述透明层包括第一金属氧化层 512和与所述第一金属氧化层叠层设置的石墨烯层513。

在另一实施方式中，所述透明区包括石墨烯层513。

石墨烯具有良好的导电性能和光透过度，利用石墨烯层513 提高第一部分51的透光率的同时，可以在与透光区81对应的第 一部分51处实现像素的显示，扩大显示面板的可显示面积。

实施例七：

一种电子装置，如图17所示，包括光学元件70以及上述的显 示面板，所述光学元件70位于所述基板10远离发光层的一侧。

本发明的有益效果为：通过将阴极层50上与透光区81对应 的第一部分51处设置第一金属氧化层512或/和石墨烯层513， 金属氧化物以及石墨烯天然具有较高的光穿透度，从而提升阴极 层50的光穿透度，有利于外界光线穿过显示面板进入光学元件 70中，同时不需要在阴极层50上进行挖孔操作，大大降低了制 程难度并明显提升可靠性。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选 实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本 发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护 范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (17)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

基板；

设置在所述基板上的发光层，其包括阳极层、设置在所述阳极层上的阴极层以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的发光器件层；

其中，所述显示面板具有对应于光学元件的透光区，所述阴极层包括对应于所述透光区的第一部分，所述第一部分包括透明层，所述透明层的透光率大于90％。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述透明层包括第一金属氧化层或/和石墨烯层。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属氧化层的制成材料为氧化镁、氧化银、ITO、AZO以及IZO中的一种或多种。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属氧化层占所述第一部分的质量百分比大于或等于60％。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一部分还包括与所述第一金属氧化层叠层设置的第一金属导电层，所述第一金属导电层位于所述第一金属氧化层之上或之下。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属氧化层中的金属的材料和所述第一金属导电层的材料至少部分相同。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属导电层的制成材料为镱、钙、镁以及银中的一种或多种。

8.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属氧化层的厚度为5～10纳米。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述透明层包括第一金属氧化层，所述第一金属氧化层的厚度与所述第一部分的厚度相同。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还具有显示区，所述显示区绕所述透光区设置，所述阴极层还包括对应于所述显示区的第二部分，所述第一部分的透光率大于所述第二部分的透光率。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第二部分包括第二金属氧化层，所述第二金属氧化层占所述第二部分的质量百分比比所述第一金属氧化层占所述第一部分的质量百分比小。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属氧化层占所述第二部分的质量百分比小于0.1％。

13.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S10、提供一基板；

S20、在所述基板上形成阳极层；

S30、在所述阳极层上形成发光器件层；

S40、在所述发光器件层上形成阴极层，所述阴极层包括对应于透光区的第一部分，所述第一部分包括透明层，所述透明层的透光率大于90％。

14.根据权利要求13所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S40包括：

S41、在所述发光器件层上形成阴极层；

S42、在所述阴极层上涂布光阻层；

S43、对所述光阻层进行曝光蚀刻，以形成与透光区对应的通孔；

S44、利用氧离子体对所述阴极层上与所述透光区对应的一部分进行氧化处理，以形成透明层。

15.根据权利要求13所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述步骤S40包括：

S41、在所述发光器件层上与所述透光区对应的位置处形成透明层；

S42、在所述发光器件层上涂布阴极金属材料，形成所述阴极层。

16.一种电子装置，其特征在于，包括光学元件以及如权利要求1至12中任一项所述的显示面板。

17.根据权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述光学元件位于所述基板远离发光层的一侧。

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