CN111462968A - 低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器 - Google Patents
低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于电子元件制作工艺技术领域。本发明的技术方案为:低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,包括第一铁帽、第二铁帽、低温熔断涂层、机硅模压包封材料、电阻丝以及陶瓷骨架,所述陶瓷骨架上涂有低温熔断涂层,所述涂有低温熔断涂层的陶瓷骨架上缠绕有电阻丝,所述陶瓷骨架外部固定设有第一铁帽,所述电阻丝两端焊接于第一铁帽内,涂有低温熔断涂层的陶瓷骨架上包覆有机硅模压包封材料,所述第二铁帽叠套于第一铁帽上。本发明的有益效果是,低功率熔断、具有较高抗雷击特性、绝缘好,满足盐雾试验要求,具有很好的防爆特性、能够很好的保护电路,安全性高。
Description
技术领域
本发明属于电子元件制作工艺技术领域,更具体地说,本发明涉及低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器。
背景技术
随着市场竞争日益激烈,生产成本增加,既要满足产品电性能又要提高相应生产效率,故对线绕熔断电阻器贴片化的需求大大增加。线绕熔断电阻器贴片以其高效和稳定性能取代传统的插孔电子元器件,尤其手机充电器用特殊保险电阻目前仍采用传统有引脚,外加热缩套管方式生产。因此,发明一种低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器来解决上述问题很有必要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,包括第一铁帽、第二铁帽、低温熔断涂层、机硅模压包封材料、电阻丝以及陶瓷骨架,所述陶瓷骨架上涂有低温熔断涂层,所述涂有低温熔断涂层的陶瓷骨架上缠绕有电阻丝,所述陶瓷骨架外部固定设有第一铁帽,所述电阻丝两端焊接于第一铁帽内,涂有低温熔断涂层的陶瓷骨架上包覆有机硅模压包封材料,所述第二铁帽叠套于第一铁帽上。
优选地,有机硅模压包封材料由有机硅树脂配以一定比例的玻璃纤维、石棉、石英粉、滑石粉以及云母组成。
优选地,陶瓷骨架的含铝量为50%。
优选地,第二铁帽经过复镀工序加工。
优选地,所述电阻丝的两端焊接于第一铁帽内侧1/3处。
优选地,所述第一铁帽上内侧1/3处,电阻丝以及涂有低温熔断涂层的陶瓷骨架上包覆有机硅模压包封材料。
优选地,所述第一铁帽和第二铁帽的厚度均为0.25mm。
本发明的技术效果和优点:
1、除了保留RXF线绕熔断电阻器所具有电气特性,同时具备满足特殊需求,即低功率熔断、具有较高抗雷击特性、绝缘好,满足盐雾试验要求(耐高湿、腐蚀、)很好的防爆特性、能够很好的保护电路,安全性高,贴装时无引线制约的便利性,使之成为表面贴装电子元件中的最佳选择;
2、通过电极铁帽厚度设置为0.25mm,采用双帽工艺,有机硅模压厚度0.5mm有利于增加模压包封厚度,提高异常状态下的防爆能力,铁帽经过复镀工序加工,进一步加强端子可焊性。
附图说明
图1为本发明结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本发明提供了的一种无引线线绕熔断电阻器,包括陶瓷骨架6,所述陶瓷骨架6上涂有低温熔断涂层3,所述涂有低温熔断涂层3的陶瓷骨架6上缠绕有电阻丝5,所述陶瓷骨架6外部固定设有第一铁帽1,所述电阻丝5的两端焊接于第一铁帽1内侧1/3处,所述第一铁帽1上内侧约1/3处,电阻丝5以及涂有低温熔断涂层3的陶瓷骨架6上包覆有机硅模压包封材料4,所述第二铁帽2叠套于第一铁帽1上,第二铁帽2经过复镀工序加工,进一步加强端子可焊性。
所述第一铁帽1以及第二铁帽2的厚度均为0.25mm,由于采用双帽工艺,使有机硅模压厚度达到0.5mm,有利于增加模压包封厚度,增强防爆能力,通过烤蓝或烤黑处理后,表面镀镍处理,厚度5μ以上,增加其耐湿,耐腐蚀,耐高温模压能力等严苛使用环境。
所述低温熔断涂层3与高温度系数PTC电阻丝5,50%含铝量的陶瓷骨架6配合下,在较低功率恒流条件下,高温度系数PTC电阻丝5发热后阻值迅速升高,在50%含铝量的陶瓷骨架6低散热系数下,配合低温熔断涂层3介入,达到低功率下短时间熔断效果,能够很好的保护电路,安全性高。
最后应说明的几点是:首先,在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变,则相对位置关系可能发生改变;
其次:本发明公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计,在不冲突情况下,本发明同一实施例及不同实施例可以相互组合;
最后:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,其特征在于:包括第一铁帽(1)、第二铁帽(2)、低温熔断涂层(3)、机硅模压包封材料(4)、电阻丝(5)以及陶瓷骨架(6),所述陶瓷骨架(6)上涂有低温熔断涂层(3),所述涂有低温熔断涂层(3)的陶瓷骨架(6)上缠绕有电阻丝(5),所述陶瓷骨架(6)外部固定设有第一铁帽(1),所述电阻丝(5)两端焊接于第一铁帽(1)内,涂有低温熔断涂层(3)的陶瓷骨架(6)上包覆有机硅模压包封材料(4),所述第二铁帽(2)叠套于第一铁帽(1)上。
2.根据权利要求1所述的低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,其特征在于:有机硅模压包封材料(4)由有机硅树脂配以一定比例的玻璃纤维、石棉、石英粉、滑石粉以及云母组成。
3.根据权利要求1所述的低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,其特征在于:陶瓷骨架(6)的含铝量为50%。
4.根据权利要求1所述的低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,其特征在于:第二铁帽(2)经过复镀工序加工。
5.根据权利要求1所述的低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,其特征在于:所述电阻丝(5)的两端焊接于第一铁帽(1)内侧1/3处。
6.根据权利要求1所述的低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,其特征在于:所述第一铁帽(1)上内侧1/3处,电阻丝(5)以及涂有低温熔断涂层(3)的陶瓷骨架(6)上包覆有机硅模压包封材料(4)。
7.根据权利要求1所述的低功率熔断的抗雷击防爆型模压无引线线绕熔断电阻器,其特征在于:所述第一铁帽(1)和第二铁帽(2)的厚度均为0.25mm。
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KR20070098138A (ko) * | 2006-03-31 | 2007-10-05 | 컴텍주식회사 | 가융 와이어 권취저항 |
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