CN111453691B - 一种mems结构的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种MEMS结构的制造方法，包括：在衬底的正面上方形成压电复合振动层；蚀刻所述衬底的背面直至到达所述压电复合振动层，其中，所述衬底包括外环体和设置于所述外环体内并且与所述外环体间隔设置的第一内环体，所述外环体和所述第一内环体之间以及所述第一内环体内侧具有空腔；蚀刻分割所述压电复合振动层，使所述压电复合振动层包括与所述第一内环体连接的固定端和悬置于所述空腔上方的自由端。本申请提供的MEMS结构的制造方法工艺简易，并且降低了压电复合振动层的膜片翘曲的几率，提高了成品率和器件的稳定性，有效地提高了灵敏度。

Description

一种MEMS结构的制造方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种MEMS(MicroelectroMechanical Systems的简写，即微机电系统)结构的制造方法。
背景技术
MEMS传声器(麦克风)主要包括电容式和压电式两种。MEMS压电传声器是利用微电子机械系统技术和压电薄膜技术制备的传声器，由于采用半导体平面工艺和体硅加工等技术，所以其尺寸小、体积小、一致性好。同时相对于电容传声器还有不需要偏置电压，工作温度范围大，防尘、防水等优点，但其灵敏度比较低，制约着MEMS压电传声器的发展。而且，MEMS压电传声器的膜片尺寸较大时容易造成膜片翘曲。
针对相关技术中如何提高压电式MEMS结构的灵敏度低和膜片容易翘曲的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
针对相关技术中的问题，本申请提出了一种MEMS结构的制造方法，能够降低膜片翘曲的几率，并且提高灵敏度。
本申请的技术方案是这样实现的：
根据本申请的一个方面，提供了一种MEMS结构的制造方法，包括：
在衬底的正面上方形成压电复合振动层；
蚀刻所述衬底的背面直至到达所述压电复合振动层，其中，所述衬底包括外环体和设置于所述外环体内并且与所述外环体间隔设置的第一内环体，所述外环体和所述第一内环体之间以及所述第一内环体内侧具有空腔；
蚀刻分割所述压电复合振动层，使所述压电复合振动层包括与所述第一内环体连接的固定端和悬置于所述空腔上方的自由端。
其中，在形成所述空腔之后，并且在蚀刻分割所述压电复合振动层之前，在所述衬底的背面共形形成牺牲支撑层，所述牺牲支撑层在分割所述压电复合振动层之后被去除。
其中，在蚀刻分割所述压电复合振动层的步骤中，使得所述压电复合振动层包括沿所述第一内环体周向间隔排布的一个或多个第一膜片，所述第一膜片的固定端连接所述第一内环体，所述第一膜片的自由端朝向所述压电复合振动层的中心延伸。
其中，在蚀刻分割所述压电复合振动层的步骤中，使得所述压电复合振动层包括沿所述第一内环体周向间隔排布的一个或多个第二膜片，所述第二膜片的固定端连接所述第一内环体，所述第二膜片的自由端朝远离所述压电复合振动层的中心的方向延伸，所述第二膜片的自由端在振动方向上的投影轮廓位于所述第二内环体内侧。
其中，在蚀刻所述衬底的背面直至到达所述压电复合振动层的步骤中，使得所述衬底还包括一个或多个第一支撑板，所述第一支撑板的第一端与所述外环体连接，所述第一支撑板的第二端与所述第一内环体连接，所述第一支撑板、所述外环体、所述第一内环体形成多个所述空腔。
其中，在蚀刻所述衬底的背面直至到达所述压电复合振动层的步骤中，使得所述衬底还包括第二内环体，所述第二内环体位于所述外环体和所述第一内环体之间。
其中，在蚀刻所述衬底的背面直至到达所述压电复合振动层的步骤中，使得所述第一支撑板的中间端与所述第二内环体连接，其中，所述第一支撑板、所述外环体、所述第一内环体、所述第二内环体形成多个所述空腔。
其中，在蚀刻分割所述压电复合振动层的步骤中，使得所述压电复合振动层包括沿所述第二内环体周向间隔排布的一个或多个第三膜片，所述第三膜片的固定端连接所述第二内环体，所述第三膜片的自由端朝远离所述压电复合振动层的中心的方向延伸。
其中，所述第三膜片的自由端在振动方向上的投影轮廓位于所述外环体内侧。
其中，在蚀刻分割所述压电复合振动层的步骤中，使得所述压电复合振动层具有多个间隙，所述间隙的位置与所述第一支撑板的位置相对应，并且所述间隙的宽度大于所述第一支撑板的厚度。
相比于MEMS结构中不含有内环体的技术方案，本申请通过设置一个或多个内环体，缩短了悬臂梁从固定端到自由端的长度，从而降低了压电复合振动层的膜片翘曲的几率。而且，由于降低了压电复合振动层的膜片的几率，从而降低了MEMS结构的工艺难度，提高了成品率和器件的稳定性。另外，本申请中的MEMS结构中自由地设计了固定端和自由端，使得压电复合振动层中的多个悬臂梁结构有效地提高了灵敏度。总之，本申请提供的MEMS结构的制造方法工艺简易，并且提高了所制造得到的MEMS结构的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了根据一些实施例提供的MEMS结构的爆炸视图；
图2示出了根据一些实施例提供的MEMS结构的剖面立体图；
图3示出了根据一些实施例提供的MEMS结构的立体图；
图4示出了根据一些实施例提供的MEMS结构的剖面立体图；
图5至图9示出了根据图2所提供的形成MEMS结构的中间阶段的截面图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参见图1和图2，根据本申请的实施例，提供了一种MEMS结构，该MEMS结构可以但不限用于传声器或麦克风等传感器，或其他执行器。在一些实施例中，MEMS结构包括衬底10和压电复合振动层20。
衬底10包括外环体11和设置于外环体11内并且与外环体11间隔设置的第一内环体12。外环体11和第一内环体12之间以及第一内环体12内侧具有空腔14。
压电复合振动层20形成在衬底10上方，压电复合振动层20包括与第一内环体12连接的固定端和悬置于空腔14上方的自由端。
在该MEMS结构中，由于衬底10包括外环体11和第一内环体12，并且压电复合振动层20与第一内环体12固定连接从而构成悬臂梁。因此，本申请提供了新的MEMS结构，并且简化了工艺步骤。以下将详细介绍该MEMS结构及其制造方法。
参见图5，步骤S101，在衬底10的正面上方形成压电复合振动层20。衬底10的材料包括硅或任何合适的硅基化合物或衍生物(例如硅晶片、SOI、SiO2)。形成压电复合振动层20的方法包括：
在衬底10上沉积支撑材料形成振动支撑层21。振动支撑层21包括氮化硅(Si3N4)、氧化硅、单晶硅、多晶硅构成的单层或者多层复合膜结构或其他合适的支撑材料。考虑到控制振动支撑层21的应力问题，可以将振动支撑层21设置为多层结构以减小应力。形成振动支撑层21的方法包括热氧化法或化学气相沉积法。在一些实施例中，形成振动支撑层21的步骤可以跳过或省略。
在振动支撑层21上沉积第一电极材料，图案化第一电极材料以形成第一电极层22。
在第一电极层22上方沉积形成压电材料，并且图案化压电材料以形成第一压电层23。在一些实施例中，第一压电层23的材料包括氧化锌、氮化铝、有机压电膜、锆钛酸铅、钙钛矿型压电膜中的一层或多层，或其他合适的材料。形成第一压电层23的方法包括磁控溅射法、沉积或其他合适的方法。
在第一压电层23上方沉积形成第二电极材料，并且图案化第二电极材料以形成第二电极层24。第一电极层22和第二电极层24的材料包括铝、金、铂、钼、钛、铬以及它们组成的复合膜或其他合适的材料。形成第一电极层22和第二电极层24的方法包括物理气相沉积或其他合适的方法。
在此实施例中，第一电极层22、第一压电层23和第二电极层24构成压电复合层。第一压电层23可将施加的压力转换成电压，第一电极层22和第二电极层24可将所产生的电压传送至其他集成电路器件。第一电极层22和第二电极层24具有至少两个相互隔离的分区，相互对应的第一电极层22和第二电极层24的分区构成电极层对，多个电极层对依次串联。
在一些实施例中，在第二电极层24上方形成第二压电层(图中未示出)，在第二压电层上方形成第三电极层(图中未示出)。第二压电层的材料包括氧化锌、氮化铝、有机压电膜、锆钛酸铅、钙钛矿型压电膜中的一层或多层，或其他合适的材料。第二压电层的材料和形成方法与第一压电层23的材料和形成方法可以相同，也可以不同。第三电极层的材料包括铝、金、铂、钼、钛、铬以及它们组成的复合膜或其他合适的材料。第三电极层的材料和形成方法与第一电极层22的材料和形成方法可以相同，也可以不同。并且，在此实施例中，MEMS结构的压电复合层具有第一电极层22、第一压电层23、第二电极层24、第二压电层和第三电极层，从而构成了双晶片结构，提高了MEMS结构的压电转换效率。另外，在没有设置振动支撑层21的实施例中，可以在第二电极层24上方依次形成第二压电层和第三电极层。在设置有振动支撑层21的实施例中，在第二电极层24上方没有第二压电层和第三电极层。值得注意的是，在本申请图5所示的实施例中，压电复合振动层20包括振动支撑层21、第一电极层22、第一压电层23和第二电极层24。
参见图6，步骤S102，蚀刻衬底10的背面直至到达压电复合振动层20，其中，衬底10包括外环体11和设置于外环体11内并且与外环体11间隔设置的第一内环体12，外环体11和第一内环体12之间以及第一内环体12内侧具有空腔14。可以通过DRIE(Deep Reactive IonEtching的缩写，即深反应离子蚀刻)或湿法蚀刻来形成空腔14。
请综合参见图1、图2和图6，在一些实施例中，衬底10可以包括外环体11和第一内环体12。此外，衬底10还包括用于支撑连接外环体11和第一内环体12的一个或多个第一支撑板15。其中，第一支撑板15的第一端与外环体11连接，第一支撑板15的第二端与第一内环体12连接。第一支撑板15、外环体11、第一内环体12形成多个空腔14。在图1所示的实施例中，在第一内环体12内具有第一支撑板15的一部分。在其他实施例中，第一内环体12内可以没有第一支撑板15的一部分。
在一些实施例中，衬底10可以包括外环体11、第一内环体12和第二内环体13。第二内环体13位于外环体11和第一内环体12之间。在此实施例中，第一支撑板15的中间端与第二内环体13连接。其中，第一支撑板15、外环体11、第一内环体12、第二内环体13形成多个空腔14。
在一些实施例中，外环体11的形状与第一内环体12、第二内环体13的形状相似，为圆形、方形或其他多边形形状。图3和图4示出了方形的MEMS结构，此时外环体11为方形。
参见图7，步骤S103，在衬底10的背面共形形成牺牲支撑层30。在后续的步骤中，牺牲支撑层30用于支撑压电复合振动层20。牺牲支撑层30的材料包括铝材料、LTO(LowTemperature Oxide的简称，即低温氧化物)或其他易腐蚀材料。形成牺牲支撑层30的方法包括物理气相沉积、化学气相沉积或其他合适方法。
参见图8，步骤S104，蚀刻分割压电复合振动层20，使压电复合振动层20包括与第一内环体12连接的固定端和悬置于空腔14上方的自由端。
请综合参见图8和图2，在衬底10包括外环体11和第一内环体12的实施例中，压电复合振动层20包括沿第一内环体12周向间隔排布的一个或多个第一膜片20a，第一膜片20a的固定端连接第一内环体12，第一膜片20a的自由端朝向压电复合振动层20的中心延伸。或者，压电复合振动层20包括沿第一内环体12周向间隔排布的一个或多个第二膜片20b，第二膜片20b的固定端连接第一内环体12，第二膜片20b的自由端朝远离压电复合振动层20的中心的方向延伸。第二膜片20b的自由端在振动方向上的投影轮廓位于第二内环体13内侧。在一些实施例中，压电复合振动层20可以只包括第一膜片20a，或者只包括第二膜片20b。在一些实施例中，压电复合振动层20可以具有第一膜片20a和第二膜片20b。
在衬底10包括外环体11、第一内环体12和第二内环体13的实施例中，压电复合振动层20还包括沿第二内环体13周向间隔排布的一个或多个第三膜片20c，第三膜片20c的固定端连接第二内环体13，第三膜片20c的自由端朝远离压电复合振动层20的中心的方向延伸。第三膜片20c的自由端在振动方向上的投影轮廓位于外环体11内侧。
在其他实施例中，衬底10可以包括两个或多个内环体和一个外环体11，压电复合振动层20的固定端连接在内环体上，从而在径向上将压电复合振动层20分割为多个膜片。
参见图9，步骤S105，在分割压电复合振动层20之后去除牺牲支撑层30。在去除牺牲支撑层30之后，压电复合振动层20的第一膜片20a、第二膜片20b、第三膜片20c的自由端处解除了约束，从而形成悬臂梁结构的压电复合振动层20。并且在去除牺牲支撑层30之后，压电复合振动层20具有多个间隙20d，间隙20d的位置与第一支撑板15的位置相对应，并且间隙20d的宽度大于第一支撑板15的厚度。
在基于以上制造方法所形成的MEMS结构中，在衬底10的外环体11内设置了一个或多个内环体，并且将一个或多个内环体作为压电复合振动层20的膜片的悬臂梁的固定端。因此，相比于MEMS结构中不含有内环体的技术方案，本申请通过设置一个或多个内环体，缩短了悬臂梁的从固定端到自由端的长度，从而降低了压电复合振动层20的膜片翘曲的几率。而且，由于降低了压电复合振动层20的膜片翘曲的几率，从而降低了MEMS结构的工艺难度，提高了成品率和器件的稳定性。另外，本申请中的MEMS结构中自由地设计了固定端和自由端，使得压电复合振动层20中的多个悬臂梁结构有效地提高了灵敏度。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种MEMS结构的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底的正面上方形成压电复合振动层；
蚀刻所述衬底的背面直至到达所述压电复合振动层，其中，所述衬底包括外环体和设置于所述外环体内并且与所述外环体间隔设置的第一内环体，所述外环体和所述第一内环体之间以及所述第一内环体内侧具有空腔，并且，使得所述衬底还包括一个或多个第一支撑板，所述第一支撑板的第一端与所述外环体连接，所述第一支撑板的第二端与所述第一内环体连接，所述第一支撑板、所述外环体、所述第一内环体形成多个所述空腔；
在衬底的背面共形形成牺牲支撑层；
蚀刻分割所述压电复合振动层，使所述压电复合振动层包括与所述第一内环体连接的固定端和悬置于所述空腔上方的自由端；
在分割压电复合振动层之后去除牺牲支撑层，形成悬臂梁结构的压电复合振动层。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，在蚀刻分割所述压电复合振动层的步骤中，使得所述压电复合振动层包括沿所述第一内环体周向间隔排布的多个第一膜片，所述第一膜片的固定端连接所述第一内环体，所述第一膜片的自由端朝向所述压电复合振动层的中心延伸。
3.根据权利要求1所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，在蚀刻所述衬底的背面直至到达所述压电复合振动层的步骤中，使得所述衬底还包括第二内环体，所述第二内环体位于所述外环体和所述第一内环体之间。
4.根据权利要求3所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，在蚀刻分割所述压电复合振动层的步骤中，使得所述压电复合振动层包括沿所述第一内环体周向间隔排布的多个第二膜片，所述第二膜片的固定端连接所述第一内环体，所述第二膜片的自由端朝远离所述压电复合振动层的中心的方向延伸，所述第二膜片的自由端在振动方向上的投影轮廓位于所述第二内环体内侧。
5.根据权利要求3所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，在蚀刻所述衬底的背面直至到达所述压电复合振动层的步骤中，使得所述第一支撑板的中间端与所述第二内环体连接，其中，所述第一支撑板、所述外环体、所述第一内环体、所述第二内环体形成多个所述空腔。
6.根据权利要求3所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，在蚀刻分割所述压电复合振动层的步骤中，使得所述压电复合振动层包括沿所述第二内环体周向间隔排布的一个或多个第三膜片，所述第三膜片的固定端连接所述第二内环体，所述第三膜片的自由端朝远离所述压电复合振动层的中心的方向延伸。
7.根据权利要求6所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，所述第三膜片的自由端在振动方向上的投影轮廓位于所述外环体内侧。
8.根据权利要求1所述的MEMS结构的制造方法，其特征在于，在蚀刻分割所述压电复合振动层的步骤中，使得所述压电复合振动层具有多个间隙，所述间隙的位置与所述第一支撑板的位置相对应，并且所述间隙的宽度大于所述第一支撑板的厚度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP5761192B2 (ja) * 2010-07-23 2015-08-12 日本電気株式会社 発振装置および電子機器
CN103759809B (zh) * 2014-01-15 2017-01-04 北京航空航天大学 一种三维压电矢量水听器微结构
KR102547651B1 (ko) * 2016-09-20 2023-06-26 이노비즈 테크놀로지스 엘티디 Lidar 시스템 및 방법
JP6420442B1 (ja) * 2017-10-16 2018-11-07 株式会社ワコー 発電素子
JP2019114958A (ja) * 2017-12-25 2019-07-11 第一精工株式会社 電気音響変換器
JP7004268B2 (ja) * 2018-02-15 2022-01-21 新日本無線株式会社 圧電素子
CN110545514B (zh) * 2019-08-16 2021-01-08 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风
CN110650420B (zh) * 2019-08-16 2021-01-08 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风
CN110545511B (zh) * 2019-08-16 2021-05-07 瑞声声学科技(深圳)有限公司 压电式mems麦克风
CN110636421A (zh) * 2019-09-09 2019-12-31 安徽奥飞声学科技有限公司 一种mems结构及其制造方法

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