CN111435638A - 激光结晶装置 - Google Patents
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Abstract
根据本公开的激光结晶装置可包括光源部、第一光学部、第二光学部、阻断部、第三光学部以及工作台。所述光源部可射出第一激光束。所述第一光学部可改变所述第一激光束的路径及大小而将所述第一激光束转换为第二激光束。所述第二光学部可将所述第二激光束分割而转换为分割激光束。所述分割激光束包括中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束，所述阻断部可阻断所述中心激光束中的至少一部分。所述第三光学部可改变所述分割激光束中通过所述阻断部的激光束的路径而将所述激光束转换为第三激光束。所述工作台可与所述第三光学部相对布置。所述第一光学部可基于照射所述在工作台上的所述第三激光束，改变所述第一激光束的所述路径及大小。
Description
技术领域
本公开涉及可靠性提高的激光结晶装置。
背景技术
在基板上制造薄膜晶体管，将其应用于有源矩阵型的显示装置。使用多结晶半导体膜的薄膜晶体管与使用非晶半导体膜的情况相比，具有电子移动率高而可高速工作的优点。因此，正在研究使得在玻璃等绝缘基板上形成的非晶半导体膜结晶而形成具有结晶结构的半导体膜的技术。
作为非晶半导体膜结晶方法，正在探讨使用炉退火的热退火法、快速退火法或激光退火法等，也可以将它们组合使用。其中，激光退火法具有的优点是不用过度改变基板的温度也能够只对结晶区域赋予高能量。
通常，作为用于激光退火的激光束，利用准分子激光(Excimer laser)的脉冲激光。随着激光使用时间增加，脉冲的振荡效率降低而引起振荡能量的不均匀，可能会降低光束形状的均匀性。
发明内容
本公开的目的是提供一种可靠性提高的激光结晶装置。
根据本公开的一实施例的激光结晶装置可包括光源部、第一光学部、第二光学部、阻断部、第三光学部以及工作台。所述光源部可射出第一激光束。所述第一光学部可改变所述第一激光束的路径及大小而将所述第一激光束转换为第二激光束。所述第二光学部可将所述第二激光束分割而转换为分割激光束。所述分割激光束包括中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束，所述阻断部可阻断所述中心激光束中的至少一部分。所述第三光学部可改变所述分割激光束中通过所述阻断部的激光束的路径而将所述激光束转换为第三激光束。所述工作台可与所述第三光学部相对布置。所述第一光学部可基于照射所述在工作台上的所述第三激光束，改变所述第一激光束的所述路径及大小。
所述第一光学部可包括第一长焦距透镜和第二长焦距透镜。所述第一长焦距透镜可布置在所述光源部和所述第二光学部之间。所述第二长焦距透镜可布置在所述第一长焦距透镜和所述第二光学部之间。
所述第二光学部可包括第一透镜阵列和第二透镜阵列。所述第一透镜阵列可布置在所述第一光学部和所述阻断部之间，并包括多个第一透镜。所述第二透镜阵列可布置在所述第一透镜阵列和所述阻断部之间，并包括多个第二透镜。
可以是，所述阻断部布置在所述第二光学部和所述第三光学部之间，并布置为比所述第二光学部更邻近所述第三光学部。
可以是，所述阻断部包括：基底部；反转部：布置在所述基底部之上，以及，光束阻断部，与所述反转部结合。
可以是，所述光束阻断部通过所述反转部能够布置为第一状态或第二状态，所述第一状态是所述光束阻断部阻断所述中心激光束中的一部分的状态，所述第二状态是所述光束阻断部不阻断所述中心激光束的状态。
可以是，所述外围激光束包括将所述中心激光束置于中间沿第一方向隔开的第一外围激光束和将所述中心激光束置于中间沿与所述第一方向交叉的第二方向隔开的第二外围激光束，沿所述第一方向隔开的所述第一外围激光束之间的第一距离比沿所述第二方向隔开的所述第二外围激光束之间的第二距离大，所述光束阻断部还阻断所述第一外围激光束。
可以是，所述外围激光束包括将所述中心激光束置于中间沿第一方向隔开的第一外围激光束和将所述中心激光束置于中间沿与所述第一方向交叉的第二方向隔开的第二外围激光束，沿所述第一方向隔开的所述第一外围激光束之间的第一距离比沿所述第二方向隔开的所述第二外围激光束之间的第二距离大，所述光束阻断部还阻断所述第二外围激光束。
所述光束阻断部可沿所述基底部延伸的方向移动。
可以是，所述阻断部包括：基底部；第一反转部，布置在所述基底部之上；第一光束阻断部，与所述第一反转部结合；第二反转部，与所述第一反转部隔开布置；以及，第二光束阻断部，与所述第二反转部结合。
可以是，所述第一光束阻断部通过所述第一反转部能够布置为第一状态或第二状态，所述第一状态是所述第一光束阻断部阻断所述中心激光束中的一部分的状态，所述第二状态是所述第一光束阻断部不阻断所述中心激光束的状态。
可以是，所述第二光束阻断部通过所述第二反转部能够布置为第三状态或第四状态，所述第三状态是所述第二光束阻断部阻断所述中心激光束中的一部分的状态，所述第四状态是所述第二光束阻断部不阻断所述中心光束的状态。
可以是，所述第三光学部包括布置在所述第二光学部和所述工作台之间的第一聚光透镜和布置在所述第一聚光透镜和所述工作台之间的第二聚光透镜。
可以是，所述工作台包括安装基板的安装区域和所述安装区域周边的周边区域，在所述安装区域定义使所述第三激光束入射的孔。
可以是，所述工作台包括安装基板的安装区域和所述安装区域周边的周边区域，在所述周边区域定义所述第三激光束入射的孔。
可以是，还包括与所述工作台相对布置的测定部。
根据本公开的一实施例的激光结晶装置可包括光源部、第一光学部、第二光学部、阻断部、第三光学部、工作台以及测定部。所述光源部可射出第一激光束。所述第一光学部可改变所述第一激光束的路径及大小而将第一激光束转换为第二激光束，并包括第一长焦距透镜和第二长焦距透镜。所述第二光学部可将所述第二激光束分割而转换为分割激光束。所述阻断部可阻断所述分割激光束中的至少一部分。所述第三光学部可改变所述分割激光束中通过所述阻断部的激光束的路径而将所述激光束转换为第三激光束。所述工作台可与所述第三光学部相对布置。所述测定部可与所述工作台相对布置。可基于照射在所述测定部的所述第三激光束，改变所述第一长焦距透镜的位置和所述第二长焦距透镜的位置。
可以是，所述阻断部包括：基底部；反转部：布置在所述基底部之上，以及，光束阻断部，与所述反转部结合。
可以是，所述分割激光束包括中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束，所述光束阻断部通过所述反转部能够布置为第一状态或第二状态，所述第一状态是所述光束阻断部阻断所述中心激光束中的一部分的状态，所述第二状态是所述光束阻断部不阻断所述中心激光束的状态。
可以是，所述工作台包括安装基板的安装区域和所述安装区域周边的周边区域，在所述安装区域定义使所述第三激光束入射的孔。
根据本公开，激光结晶装置可通过测定部测定根据从光源部射出的激光束的均匀性变化的入射角。第一光学部可改变基于在测定部测定的入射角射出的激光束的路径及大小。即，可调节第一光学部而将入射角保持均匀。因此，激光结晶装置可将基板的结晶均匀度保持一定。本公开能够提供可靠性提高的激光结晶装置。
附图说明
图1是根据本公开的一实施例的激光结晶装置的截面图。
图2是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的一部分的立体图。
图3是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的一部分的截面图。
图4是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的工作方式的流程图。
图5是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的工作状态的俯视图。
图6是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的测定部的工作状态的俯视图。
图7是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的工作状态的俯视图。
图8是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的第一光学部的工作状态的俯视图。
图9是利用根据本公开的一实施例的基板的显示面板的截面图。
图10是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的俯视图。
图11是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的俯视图。
图12是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的俯视图。
图13是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的测定部的俯视图。
附图标记说明
LM：光源部 OT：光学部
L1：第一光学部 L2：第二光学部
L3：第三光学部 BB：阻断部
ST：工作台 CM：测定部
具体实施方式
在本说明书中，当提及某构成要件(或区域、层、部分等)“在”另外构成要件“之上”、“连接于”另外构成要件或“结合于”另外构成要件的情况，表示某构成要件直接配置于另外构成要件、连接于另外构成要件或结合于另外构成要件，或它们之间也可配置有第三构成要件。
相同的附图标记指相同的构成要件。另外，在附图中，构成要件的厚度、比例及尺寸是为了有效说明技术内容而放大的。
“及/或”包括相关的构成所能定义的一个以上的组合。
第一、第二等术语可用于说明多种构成要件，但上述构成要件并不被上述术语所限制。上述术语仅用于将一个构成要件与其他构成要件区分。例如，可在不脱离本公开的权利范围的情况下，第一构成要件可命名为第二构成要件，类似地，第二构成要件也可命名为第一构成要件。除了在文脉上明确表示其他含义以外，单数表达包括复数表达。
另外，“下”、“下侧”、“上”、“上侧”等术语是用于说明附图中示出的各个构成的关联关系。上述术语是相对的概念，以附图中所示方向为基准进行说明。
除非另有定义，本说明书中使用的所有术语(包括技术术语及科学术语)具有与本公开所属技术领域的技术人员通常所理解的含义相同的含义。另外，与通常使用的词典中所定义的术语相同的术语应被解释为具有在相关技术上的脉络上含义相同的含义，除非解释为理想或过于形式化的含义，在此明确定义。
应理解为“包括”或“具有”等术语用于指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、动作、构成要件、部件或它们组合的存在，应理解为并不是预先排除一个或其以上的其他特征、或者数字、步骤、动作、构成要件、部件或它们组合的存在或附加可能性。
以下，参照附图说明本公开的实施例。
图1是根据本公开的一实施例的激光结晶装置的截面图，图2是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的一部分的立体图。
参照图1和图2，激光结晶装置LD可包括：光源部LM，产生第一激光束LS1；光学部OT，将第一激光束LS1进行光转换而转换为第二激光束LS2(参照图3)和第三激光束LS3；工作台ST，装载基板SUB；以及测定部CM。
光源部LM可以是产生未加工的第一激光束LS1的振荡的装置。例如，光源部LM可包括振荡器(oscillator)。第一激光束LS1可包括准分子(excimer)激光、钇铝石榴石(YAG，Yttrium Aluminum Garnet)激光、玻璃激光、钒酸钇(YVO4，Yttrium Orthovanadate)激光、或氩(Ar)激光。
光学部OT可布置在光源部LM照射第一激光束LS1的方向上。光学部OT可将第一激光束LS1加工为具有适合基板SUB的结晶的形状及能量密度的第三激光束LS3。
第三激光束LS3可输出为直角四边形的形状，以能够均匀地照射在基板SUB上。可将所述直角四边形的短边方向定义为短轴，并将长边方向定义为长轴。所述短轴可沿第一方向DR1延伸。所述长轴可沿与第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸。第三激光束LS3可沿第三方向DR3照射在基板SUB上。第三激光束LS3照射在基板SUB上，可引导布置在基板SUB之上的薄膜的相变。例如，第三激光束LS3可使形成在基板SUB上的第一薄膜SUB-1结晶而改变为第二薄膜SUB-2。
另一方面，第一方向DR1、第二方向DR2、第三方向DR3所指的方向为相对概念，可转换为其他方向。以下，第一方向至第三方向是第一方向DR1、第二方向DR2、第三方向DR3各自所指的方向而参照相同的附图标记。此外，在本说明书中，第一方向DR1和第二方向DR2所定义的面定义为平面，“在平面上观察”可定义为在第三方向DR3上观察。
第三方向DR3可以是与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的方向。第一方向DR1、第二方向DR2及第三方向DR3可彼此正交。
基板SUB可包括玻璃基板或硅基板。但是，这仅是例示性的，基板SUB可包括多种基板。例如，基板SUB可包括硅-锗基板。在基板SUB之上可布置第一薄膜SUB-1和第二薄膜SUB-2。
第一薄膜SUB-1可以是第三激光束LS3照射不到的区域。第一薄膜SUB-1可以是非晶硅薄膜。第一薄膜SUB-1可通过低压化学气相蒸镀法、常压化学气相蒸镀法、等离子体增强化学气相蒸镀法(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、喷镀法、真空蒸镀法(vacuum evaporation)等方法形成。
第二薄膜SUB-2可以是第三激光束LS3照射到的区域。第二薄膜SUB-2可以是多晶硅薄膜。第二薄膜SUB-2可以是使第一薄膜SUB-1结晶的第三激光束LS3照射几纳秒(nanosecond)而使第一薄膜SUB-1的温度急剧上升之后冷却从而使第一薄膜SUB-1熔融及再结晶的薄膜。所述多晶硅薄膜可包括多晶硅(Po-Si)，场效应迁移率(Field-Effect Mobility)与非晶硅相比高数百倍，在高频下高信号处理能力也优异，因此可用于有机发光显示装置之类的显示装置。
工作台ST可与光学部OT相对布置。在工作台ST上可安装基板SUB。工作台ST使基板SUB沿箭头方向具有一定方向性地移动，从而可使第三激光束LS3均匀地照射在基板SUB上的第一薄膜SUB-1上。所述箭头方向可以是第一方向DR1。
测定部CM可与工作台ST相对布置。测定部CM可布置在第三激光束LS3延伸的方向上。测定部CM可测定第三激光束LS3照射到的区域的长度。例如，测定部CM可测定第三激光束LS3的所述短轴和所述长轴所具有的长度。
图3是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的一部分的截面图。
参照图3，激光结晶装置LD可包括光源部LM、光学部OT、工作台ST以及测定部CM。
光源部LM可射出第一激光束LS1。第一激光束LS1可具有高斯分布的能量密度。例如，第一激光束LS1可以是中心部能量密度高于周边部能量密度。
光学部OT可包括第一光学部L1、第二光学部L2、阻断部BB以及第三光学部L3。
第一光学部L1可与光源部LM相对布置。第一光学部L1可改变第一激光束LS1的路径及大小，从而将第一激光束LS1转换为第二激光束LS2。例如，第一光学部L1可将第一激光束LS1沿所述短轴方向或所述长轴方向扩大而提高倍率。
第一光学部L1可包括第一长焦距透镜TL1和第二长焦距透镜TL2。
第一长焦距透镜TL1可布置在光源部LM和第二光学部L2之间。第一长焦距透镜TL1可使第一激光束LS1分散。通过第一长焦距透镜TL1的第一激光束LS1分散而可具有多种方向性。通过第一长焦距透镜TL1的第一激光束LS1可包括沿与第一激光束LS1相同的方向行进的激光束。第一长焦距透镜TL1可包括凹透镜或凸透镜。
第二长焦距透镜TL2可布置在第一长焦距透镜TL1和第二光学部L2之间。第二长焦距透镜TL2可将通过第一长焦距透镜TL1的第一激光束LS1转换为具有一定的方向性的第二激光束LS2。第二长焦距透镜TL2可包括凹透镜或凸透镜。
第二光学部L2可与第一光学部L1相对布置。第二光学部L2可分割第二激光束LS2而转换为分割激光束DL。例如，第二光学部L2可使第二激光束LS2均匀而使光束能量密度均匀分布。
第二光学部L2可包括第一透镜阵列HL1和第二透镜阵列HL2。
第一透镜阵列HL1可布置在第一光学部L1和阻断部BB之间。第一透镜阵列HL1可包括多个第一透镜HL1a。多个第一透镜HL1a可分别沿着第一方向DR1和第二方向DR2布置。例如，多个第一透镜HL1a可分别沿着所述短轴方向和所述长轴方向布置。多个第一透镜HL1a可分别包括球面透镜或非球面透镜。入射于第一透镜阵列HL1的第二激光束LS2可被多个第一透镜HL1a分别折射而分割为子激光束。所述子激光束可入射于第二透镜阵列HL2。
第二透镜阵列HL2可布置在第一透镜阵列HL1和阻断部BB之间。第二透镜阵列HL2可包括多个第二透镜HL2a。多个第二透镜HL2a可分别沿着第一方向DR1和第二方向DR2布置。例如，多个第二透镜HL2a可分别沿着所述短轴方向和所述长轴方向布置。多个第二透镜HL2a可分别包括球面透镜或非球面透镜。多个第二透镜HL2a的数量可与多个第一透镜HL1a的数量相同。入射于第二透镜阵列HL2的所述子激光束被多个第二透镜HL2a的每一个折射而分割为分割激光束DL。分割激光束DL可入射于第三光学部L3。
阻断部BB可布置在第二光学部L2和第三光学部L3之间。阻断部BB可布置为比第二光学部L2更邻近第三光学部L3。分割激光束DL可包括中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束。阻断部BB可阻断所述中心激光束中的至少一部分。阻断部BB可不阻断分割激光束DL的所述短轴的末端部分的光束和所述长轴的末端部分的光束中的至少一部分。
第三光学部L3可与第二光学部L2相对布置。第三光学部L3可改变分割激光束DL的路径而将分割激光束DL转换为第三激光束LS3。例如，第三光学部L3可改变分割激光束DL中的通过阻断部BB的激光束的路径而将所述激光束转换为第三激光束LS3。
第三光学部L3可包括第一聚光透镜CL1和第二聚光透镜CL2。
第一聚光透镜CL1可布置在第二光学部L2和工作台ST之间。第二聚光透镜CL2可布置在第一聚光透镜CL1和工作台ST之间。第一聚光透镜CL1和第二聚光透镜CL2可将沿着所述短轴方向和所述长轴方向扩散的分割激光束DL转换为沿着所述短轴方向和所述长轴方向具有均匀的能量密度的第三激光束LS3。
第三激光束LS3可照射在基板SUB(参照图1)上。第三激光束LS3可以以入射角AG照射在基板SUB(参照图1)上。
光源部LM随着激光使用时间增加，脉冲的振荡效率降低，引起振荡能量的不均匀，并降低第一激光束LS1的均匀性。第三激光束LS3的入射角AG可根据从光源部LM射出的第一激光束LS1的均匀性来变化。根据本公开的实施例，激光结晶装置LD可通过测定部CM测定入射角AG，第一光学部L1可基于入射角AG改变第一激光束LS1的路径及大小。因此，激光结晶装置LD能够调节第一光学部L1而将入射角AG保持均匀。因此，激光结晶装置LD能够将结晶均匀度保持一定。其结果，能够提供可靠性提高的激光结晶装置LD。
图4是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的工作方式的流程图，图5是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的工作状态的俯视图。
参照图3至图5，激光结晶装置LD的工作可包括在第一基板结晶步骤T1和第二基板结晶步骤T7之间将入射角AG保持均匀的步骤。
光源部LM可射出第一激光束LS1(T2)。阻断部BB可以是第一状态(T3)。阻断部BB可阻断分割激光束DL中的一部分而使得容易测定入射角AG。阻断部BB可包括基底部BS、反转部FL以及光束阻断部BK。
反转部FL可布置在基底部BS之上。光束阻断部BK可与反转部FL结合。光束阻断部BK可通过反转部FL布置成第一状态。所述第一状态可以是光束阻断部BK在分割激光束DL(参照图3)所包括的中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束中阻断所述中心激光束中的一部分的状态。分割激光束DL可沿第三方向DR3入射。
所述外围激光束可包括将所述中心激光束置于中间沿第一方向DR1隔开的第一外围激光束DLS-1和将所述中心激光束置于中间沿第二方向DR2隔开的第二外围激光束DLS-2。第一外围激光束DLS-1之间的第一距离可比第二外围激光束DLS-2之间的第二距离大。
阻断部BB可使第一外围激光束DLS-1通过而使得容易测定在第三激光束LS3的长轴上形成的入射角AG。
阻断部BB可使第二外围激光束DLS-2通过而使得容易测定在第三激光束LS3(参照图3)的短轴上形成的入射角AG。
图6是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的测定部的工作状态的俯视图。
参照图4和图6，测定部CM可测定入射角AG-1(T4)。
基板SUB可布置在工作台ST之上。工作台ST可包括安装基板SUB的安装区域AN-1和安装区域AN-1周边的周边区域AN-2。在安装区域AN-1可定义使第三激光束LS3入射的孔HA1。在平面上，基板SUB可与孔HA1重叠。第三激光束LS3可以以入射角AG-1入射。测定部CM可布置在工作台ST之下。测定部CM可测定第三激光束LS3。例如，测定部CM可测定第三激光束LS3入射而形成的区域的短轴或长轴的长度A1。测定部CM可测定从第三激光束LS3交叉的点垂直向下位置至第三激光束LS3入射的位置之间的长度A2。
测定部CM可将测定的两个长度A1、A2提供至控制部CU。控制部CU可计算入射角AG-1。入射角AG-1可由以下数学式1表示。
[数学式1]
AG-1＝sin-1((A1/((A22+A32)1/2))*(A3/((A1+A2)2+A32)1/2))
控制部CU可利用在测定部CM测定的两个长度A1、A2和长度A3计算入射角AG-1。长度A3可以是第三激光束LS3交叉的点和测定部CM之间的距离。控制部CU可判断计算的长轴和短轴的入射角AG-1是否与第一基板结晶步骤T1之前测定的长轴和短轴的入射角相同(T5)。
根据本公开，激光结晶装置LD(参照图3)可计算入射角AG并保持均匀。因此，激光结晶装置LD(参照图3)可将基板SUB的结晶均匀度保持一定。本公开可提供可靠性提高的激光结晶装置LD(参照图3)。
图7是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的工作状态的俯视图。
参照图4和图7，激光结晶装置LD(参照图3)在判断为测定的入射角AG-1(参照图6)与第一基板结晶步骤T1之前测定的入射角相同(T5)时，可将阻断部BB布置为第二状态(T6)。光束阻断部BK可通过反转部FL布置为第二状态。所述第二状态可以是光束阻断部BK在分割激光束DL所包括的中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束中不阻断所述中心激光束的状态。例如，所述第二状态可以是分割激光束DL不被阻断部BB阻断的状态。分割激光束DL可沿第三方向DR3入射。
激光结晶装置LD可在入射角AG-1(参照图6)与第一基板结晶步骤T1之前测定的入射角相同时进行第二基板结晶步骤(T7)。
根据本公开，激光结晶装置LD(参照图3)可将所述第一基板和所述第二基板的结晶均匀度保持一定。本公开可提供可靠性提高的激光结晶装置LD(参照图3)。
图8是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的第一光学部的工作状态的俯视图。
参照图4和图8，激光结晶装置LD(参照图3)在判断为测定的入射角AG-1(参照图6)与第一基板结晶步骤T1之前测定的入射角不同(T5)时，可控制第一光学部L1(T8)。控制部CU可连接于第一光学部L1而控制第一光学部L1。例如，控制部CU可分别连接于第一长焦距透镜TL1和第二长焦距透镜TL2而分别控制第一长焦距透镜TL1和第二长焦距透镜TL2。
第一长焦距透镜TL1可沿第一方向DR1、第二方向DR2、第三方向DR3移动。第二长焦距透镜TL2可沿第一方向DR1、第二方向DR2、第三方向DR3移动。
在控制部CU计算的入射角AG-1(参照图6)可能会与第一基板结晶步骤T1之前测定的入射角不同。根据本公开，控制部CU可改变第一激光束LS1的路径及大小而控制第一光学部L1射出第二激光束LS2。控制部CU可调节第一激光束LS1的路径及大小而使长轴和短轴的入射角AG-1(参照图6)与第一基板结晶步骤T1之前测定的长轴和短轴的入射角保持相同。因此，激光结晶装置LD(参照图3)可将基板的结晶均匀度保持一定。本公开可提供可靠性提高的激光结晶装置LD(参照图3)。
图9是利用根据本公开的一实施例的基板的显示面板的截面图。
参照图9，基板SUB可由玻璃材质构成。但是，基板SUB不限于此，可由塑料材质形成。
缓冲膜BFL在基板SUB上方形成平滑的面，可阻断从基板SUB向第一薄膜SUB-1(参照图1)渗透杂质元素。在本公开的一实施例中，缓冲膜BFL可选择性地布置/省略。
在缓冲膜BFL上可布置作为非晶硅层的第一薄膜SUB-1(参照图1)。激光结晶装置LD(参照图3)可向布置在基板SUB之上的第一薄膜SUB-1(参照图1)提供激光而形成作为多晶硅层的第二薄膜SUB-2(参照图1)。第二薄膜SUB-2(参照图1)可用作半导体层。
在本实施例中，电路元件层ML可包括作为无机膜的缓冲膜BFL、第一中间无机膜10及第二中间无机膜20，并包括作为有机膜的中间有机膜30。无机膜和有机膜的材料不受特殊限制。
在缓冲膜BFL上可布置第一晶体管TR1的第一半导体图案OSP1、第二晶体管TR2的第二半导体图案OSP2。第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2可以是多晶硅。
在第一半导体图案OSP1和第二半导体图案OSP2上可布置第一中间无机膜10。在第一中间无机膜10上可布置第一晶体管TR1的第一控制电极GE1和第二晶体管TR2的第二控制电极GE2。
在第一中间无机膜10上可布置覆盖第一控制电极GE1和第二控制电极GE2的第二中间无机膜20。在第二中间无机膜20上可布置第一晶体管TR1的第一输入电极DE1和第一输出电极SE1、第二晶体管TR2的第二输入电极DE2和第二输出电极SE2。
第一输入电极DE1和第一输出电极SE1可分别通过贯通第一中间无机膜10和第二中间无机膜20的第一贯通孔CH1和第二贯通孔CH2连接于第一半导体图案OSP1。第二输入电极DE2和第二输出电极SE2可分别通过贯通第一中间无机膜10和第二中间无机膜20的第三贯通孔CH3和第四贯通孔CH4连接于第二半导体图案OSP2。另一方面，在本公开的另一实施例中，第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的一部分可变形为底栅结构来实施。
在第二中间无机膜20上可布置覆盖第一输入电极DE1、第二输入电极DE2、第一输出电极SE1以及第二输出电极SE2的中间有机膜30。中间有机膜30可提供平坦面。
在中间有机膜30上可布置显示元件层IML。显示元件层IML可包括像素定义膜PDL和有机发光二极管OLED。像素定义膜PDL可包括有机物质。在中间有机膜30上可布置第一电极AE。第一电极AE可通过贯通中间有机膜30的第五贯通孔CH5连接于第二输出电极SE2。在像素定义膜PDL定义开口部OP。像素定义膜PDL的开口部OP可使第一电极AE的至少一部分暴露。在本公开的一实施例中，像素定义膜PDL可省略。
在本公开的一实施例中，发光区域PXA可重叠于第一晶体管TR1和第二晶体管TR2中的至少一个。开口部OP可更宽，第一电极AE和发光层EML也可更宽大。
空穴控制层HCL可共同布置在发光区域PXA和不发光区域NPXA。在空穴控制层HCL上可布置发光层EML。发光层EML可布置在对应于开口部OP的区域。发光层EML可包括有机物质及/或无机物质。发光层EML可生成预定的有色光。
在发光层EML上可布置电子控制层ECL。在电子控制层ECL上可布置第二电极CE。
在第二电极CE上可布置薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE可覆盖第二电极CE。薄膜封装层TFE和第二电极CE之间可还布置覆盖第二电极CE的封盖层。此时，薄膜封装层TFE可直接覆盖封盖层。
图10是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的俯视图。
参照图10，阻断部BB-1可包括基底部BS-1、第一反转部FL1、第一光束阻断部BK1、第二反转部FL2以及第二光束阻断部BK2。
第一反转部FL1可布置在基底部BS-1之上。第一光束阻断部BK1可与第一反转部FL1结合。第一光束阻断部BK1可通过第一反转部FL1布置为第三状态或第四状态。所述第三状态可以是第一光束阻断部BK1在分割激光束DL(参照图3)所包括的中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束中阻断所述中心激光束中的一部分的状态。所述第四状态可以是第一光束阻断部BK1不阻断所述中心激光束的状态。
第二反转部FL2可布置在基底部BS-1之上。第二反转部FL2可从第一反转部FL1沿第一方向DR1隔开布置。第二光束阻断部BK2可与第二反转部FL2结合。第二光束阻断部BK2可通过第二反转部FL2布置为第三状态或第四状态。所述第三状态可以是第二光束阻断部BK2阻断所述中心激光束中的一部分的状态。所述第四状态可以是第二光束阻断部BK2不阻断所述中心激光束的状态。分割激光束DL(参照图3)可沿第三方向DR3入射。
第一反转部FL1和第二反转部FL2可独立工作而分别调节第一光束阻断部BK1和第二光束阻断部BK2的布置。
阻断部BB-1可使第一外围激光束DLS-1通过而使得容易测定在第三激光束LS3(参照图3)的长轴上形成的入射角AG(参照图3)。
阻断部BB-1可使第二外围激光束DLS-2通过而使得容易测定在第三激光束LS3(参照图3)的短轴上形成的入射角AG(参照图3)。
图11是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的俯视图。
参照图11，阻断部BB-2可包括基底部BS-2、反转部FL-2以及光束阻断部BK-2。
反转部FL-2可布置在基底部BS-2之上。光束阻断部BK-2可与反转部FL-2结合。光束阻断部BK-2可通过反转部FL-2布置为第五状态或第六状态。所述第五状态可以是光束阻断部BK-2阻断分割激光束DL(参照图3)中的一部分的状态。所述第六状态可以是光束阻断部BK-2不阻断分割激光束DL(参照图3)的状态。
阻断部BB-2可阻断第一外围激光束DLS-1(参照图5)并使第二外围激光束DLS-2通过而使得容易测定在第三激光束LS3(参照图3)的短轴上形成的入射角AG(参照图3)。
图12是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的阻断部的俯视图。
参照图12，阻断部BB-3可包括基底部BS-3、反转部FL-3以及光束阻断部BK-3。
反转部FL-3可布置在基底部BS-3之上。光束阻断部BK-3可与反转部FL-3结合。光束阻断部BK-3可通过反转部FL-3布置为第七状态或第八状态。所述第七状态可以是光束阻断部BK-3阻断分割激光束DL(参照图3)中的一部分的状态。所述第八状态可以是光束阻断部BK-3不阻断分割激光束DL(参照图3)的状态。
阻断部BB-3可使第一外围激光束DLS-1通过并阻断第二外围激光束DLS-2(参照图5)而使得容易测定在第三激光束LS3(参照图3)的长轴上形成的入射角AG(参照图3)。
在本公开的一实施例中，反转部FL-3可沿基底部BS-3延伸的方向移动。例如，反转部FL-3可沿第一方向DR1移动。
光束阻断部BK-3还可以沿第一方向DR1移动而阻断左侧外围激光束DLS-11。阻断部BB-3可使右侧外围激光束DLS-12通过而使得容易测定在第三激光束LS3(参照图3)的短轴或长轴上形成的入射角AG(参照图3)。
光束阻断部BK-3还可以沿第一方向DR1移动而阻断右侧外围激光束DLS-12。阻断部BB-3可使左侧外围激光束DLS-11通过而使得容易测定在第三激光束LS3(参照图3)的短轴或长轴上形成的入射角AG(参照图3)。
图13是示出根据本公开的一实施例的激光结晶装置的测定部的俯视图。针对通过图1至图9说明的构成要件标记相同的附图标记，省略对其说明。
参照图6和图13，激光结晶装置LD可在测定部CM测定入射角AG-1。工作台ST可包括安装基板SUB的安装区域AN1和安装区域AN1周边的周边区域AN2。在周边区域AN2可定义使第三激光束LS3入射的孔HA2。在平面上，基板SUB可与孔HA2不重叠。第三激光束LS3可以以入射角AG-1入射。
根据本公开的一实施例，即使在第一基板的结晶步骤T1(参照图4)结束后为了第二基板的结晶步骤T7(参照图4)而去除所述第一基板，由于第三激光束LS3不受影响，因此测定部CM可继续测定入射角AG-1。激光结晶装置LD可节省工艺所需的时间。因此，激光结晶装置LD可提高基板SUB的结晶工艺的收益率及生产率。
以上，参照本公开的优选实施例进行了说明，但本技术领域的熟练技术人员或具有本技术领域中通常的知识的人员的话，应该能理解在不脱离本公开思想及技术领域的范围内可以对本公开进行各种修改及变更。由此，本公开的技术范围不应限定于说明书中详细说明所记载的内容。
Claims (10)
1.一种激光结晶装置，其中，包括：
光源部：射出第一激光束；
第一光学部，改变所述第一激光束的路径及大小而将所述第一激光束转换为第二激光束；
第二光学部，将所述第二激光束分割而转换为分割激光束；
阻断部，所述分割激光束包括中心激光束和包围所述中心激光束的外围激光束，所述阻断部阻断所述中心激光束中的至少一部分；
第三光学部，改变所述分割激光束中通过所述阻断部的激光束的路径而将所述激光束转换为第三激光束；以及，
工作台，与所述第三光学部相对布置，
所述第一光学部基于照射在所述工作台上的所述第三激光束，改变所述第一激光束的所述路径及大小。
2.根据权利要求1所述的激光结晶装置，其中，
所述阻断部包括：
基底部；
反转部，布置在所述基底部之上；以及，
光束阻断部，与所述反转部结合。
3.根据权利要求2所述的激光结晶装置，其中，
所述光束阻断部通过所述反转部能够布置为第一状态或第二状态，所述第一状态是所述光束阻断部阻断所述中心激光束中的一部分的状态，所述第二状态是所述光束阻断部不阻断所述中心激光束的状态。
4.根据权利要求3所述的激光结晶装置，其中，
所述外围激光束包括将所述中心激光束置于中间沿第一方向隔开的第一外围激光束和将所述中心激光束置于中间沿与所述第一方向交叉的第二方向隔开的第二外围激光束，
沿所述第一方向隔开的所述第一外围激光束之间的第一距离比沿所述第二方向隔开的所述第二外围激光束之间的第二距离大，
所述光束阻断部还阻断所述第一外围激光束。
5.根据权利要求2所述的激光结晶装置，其中，
所述外围激光束包括将所述中心激光束置于中间沿第一方向隔开的第一外围激光束和将所述中心激光束置于中间沿与所述第一方向交叉的第二方向隔开的第二外围激光束，
沿所述第一方向隔开的所述第一外围激光束之间的第一距离比沿所述第二方向隔开的所述第二外围激光束之间的第二距离大，
所述光束阻断部还阻断所述第二外围激光束。
6.根据权利要求1所述的激光结晶装置，其中，
所述阻断部包括：
基底部；
第一反转部，布置在所述基底部之上；
第一光束阻断部，与所述第一反转部结合；
第二反转部，与所述第一反转部隔开布置；以及，
第二光束阻断部，与所述第二反转部结合。
7.根据权利要求6所述的激光结晶装置，其中，
所述第一光束阻断部通过所述第一反转部能够布置为第一状态或第二状态，所述第一状态是所述第一光束阻断部阻断所述中心激光束中的一部分的状态，所述第二状态是所述第一光束阻断部不阻断所述中心激光束的状态。
8.根据权利要求6所述的激光结晶装置，其中，
所述第二光束阻断部通过所述第二反转部能够布置为第三状态或第四状态，所述第三状态是所述第二光束阻断部阻断所述中心激光束中的一部分的状态，所述第四状态是所述第二光束阻断部不阻断所述中心激光束的状态。
9.根据权利要求1所述的激光结晶装置，其中，
所述工作台包括安装基板的安装区域和所述安装区域周边的周边区域，
在所述安装区域定义使所述第三激光束入射的孔。
10.根据权利要求1所述的激光结晶装置，其中，
所述工作台包括安装基板的安装区域和所述安装区域周边的周边区域，
在所述周边区域定义使所述第三激光束入射的孔。
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Patent Citations (4)
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| JP2009016541A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザアニール装置及びレーザアニール方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |