CN111433318B - 用于填充微米级腔的溶液 - Google Patents
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 104
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 18
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical group CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical group COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 polyalkylacrylates Polymers 0.000 claims description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004412 SrSi2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910004074 SiF6 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 3
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- CRPUJAZIXJMDBK-UHFFFAOYSA-N camphene Chemical compound C1CC2C(=C)C(C)(C)C1C2 CRPUJAZIXJMDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020440 K2SiF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXRCIOIWVGAZEP-UHFFFAOYSA-N Primaeres Camphenhydrat Natural products C1CC2C(O)(C)C(C)(C)C1C2 PXRCIOIWVGAZEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N alpha-Fenchene Natural products C1CC2C(=C)CC1C2(C)C XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229930006739 camphene Natural products 0.000 description 1
- ZYPYEBYNXWUCEA-UHFFFAOYSA-N camphenilone Natural products C1CC2C(=O)C(C)(C)C1C2 ZYPYEBYNXWUCEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- NIEHEMAZEULEKB-UHFFFAOYSA-N ortho-ethylanisole Natural products CCC1=CC=CC=C1OC NIEHEMAZEULEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 description 1
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- C09K11/562—Chalcogenides
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
- C09K11/562—Chalcogenides
- C09K11/567—Chalcogenides with alkaline earth metals
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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Abstract
用于填充微米级腔(10)的溶液，溶液包括第一溶剂、具有第一分子量的第一聚合物(102)、具有第二分子量的第二聚合物(103)、发光体(101)和表面活性剂，第二分子量为大于第一分子量10至50倍。
Description
技术领域和现有技术
本发明涉及用于填充微米级腔的溶液。
本发明还涉及用于从这种溶液中在微米级腔中生产复合材料的方法，所述复合材料包括将发光体分散在其中的聚合物基质。
本发明应用在照明领域中，例如在机动车中的汽车前灯或用于家庭，或此外通常在图像显示领域中，例如用于虚拟眼镜或低能屏幕。
照明或显示设备的发展不断地迈向增加的光通量和迈向更高的发射表面清晰度。例如，在照明的情况下，已经发生从白炽灯泡移动至使用发光二极管(LED)的照明。对于显示，已经发生从阴极射线管移动至液晶屏幕，然后至有机发光二极管屏幕(OLED)。
对这两个平行发展的共同反应是使用微米级LED的像素化阵列(通常地具有大约一微米到几十微米的尺寸)。
常规地LED由氮化镓(GaN)生产，其发射大约450纳米的波长。然而，蓝光在可见光谱中是最活跃的，因此必须在像素尺度上进行转换操作以便获得白光或以便获得例如对应于绿色或红色的特定波长。为了获得白光，可以将GaN与在黄色(与蓝色互补的颜色)范围内发射的光致发光元件组合。两种辐射结合以产生光，其然后对人眼看上去是白色。通常，这涉及YAG：Ce(命名为掺有铈的“钇铝石榴石”的缩写)。
为了生产转换设备，将包含以亚微米级颗粒形式的YAG：Ce的颗粒和聚合物的溶液沉积在位于GaN像素以上的微米级腔(通常小于或等于10μm)中。溶剂蒸发后，获得转换层，所述转换层包含其中分散有YAG：Ce的颗粒的聚合物基质。
然而，用溶液填充具有至多10μm的侧面的腔是技术上的难题。
具体地，系统尺寸的减小伴随着力的等级变化：对于移动系统，在宏观尺度上，重力和惯性力占优势，而在微观尺度上，毛细力和表面力超过了这些。
毛细作用是一种相互作用现象，可在液体和表面之间的界面产生。毛细作用是由于存在的不同相之间的表面张力。由于腔壁上的毛细力，液体的自由表面不是水平的。参照图1，在腔为管的情况下，表面张力F和液体高度h分别由以下方程式定义：
F＝2πrγcosθ和h＝2γcosθ/rρg
其中：
h是管中液体的高度，以m计；
γ是液体的表面张力，以N.m-1计；
θ是液体和管壁之间的接触角；
ρ是液体的密度，以g.cm-3计；
r是管的半径，以mm计；
g是由于重力的加速度，其是具有近似9.81m.s-2的值的常数。
通常，与形成二面体的固体亲液壁接触的液体界面具有趋向于以细丝形式以角度传播的突起。该效果是由于界面的曲率在角度上非常强烈地减小的事实，并且由于拉普拉斯压力在那里较低的事实，导致液体的运动，其以角度前进。当角度中的润湿角小于被称为Concus-Finn极限的极限时形成细丝。在壁润湿的情况下，以立体角表示液体细丝的形成的标准表示由θ<π/2-α表达。
此处的θ是杨氏接触角(两个壁具有相同的性质)，并且α是二面体的半角。
润湿壁引起凹的液体表面，而非润湿壁产生凸的表面。在非润湿壁的情况下，存在一个极限，超过这个极限，液体会完全脱离角度。条件由θ>π/2+α定义。
LED的腔目前用金属壁制成，例如由铜或铝。因此，角度具有或大或小的锐利的程度，即直角、锐角或钝角，并且壁是或多或少程度的润湿。重要的是，液体不能爬到分隔两个腔的壁以上。
此外，用包含溶剂和聚合物的溶液填充腔也带来干燥问题。实际上，随着其蒸发，溶剂将使空气/固体界面变形，从而在材料中建立孔隙。该现象将主要取决于在腔附近的溶剂的蒸汽压，其决定了溶剂的蒸发速率，因此也决定了聚合物在腔中自组织或自致密的能力。
举例来说，图2示出微腔，其中已经沉积了包含YAG：Ce和聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)的溶液。由于毛细现象，沉积主要位于壁上，无法执行所需的转换功能。
发明内容
因此，本发明的目的为提供发光体溶液，其能填充微米级腔(尺寸小于100μm，并且优选地小于20μm)，同时避免毛细作用的问题并且在溶剂蒸发后，在腔中能留下结构良好的固体材料。
上述目的是通过用于填充微米级腔的溶液获得的，溶液包括第一溶剂、具有第一分子量的第一聚合物、具有第二分子量的第二聚合物、发光体和表面活性剂，第二分子量为大于第一分子量10至50倍。
本发明与现有技术的根本不同之处在于存在两种聚合物，一种相对于第二分子量具有低分子量，并且因此具有短链分子，另一种相对于第一分子量具有高分子量，并且因此具有长链分子。大链的存在在沉积和干燥时构造固体材料。发光体和第一聚合物在腔的填充期间被均匀地夹带。填充水平没有降低。大链的存在防止小链和发光体在毛细现象的作用下倒流。在腔中的空气/固体界面弯月面几乎是水平的。在溶剂蒸发期间，最终的固体结构没有塌陷。溶剂蒸发之后，通过包含聚合物基质的复合材料均匀地填充腔，发光体被均匀地分散在聚合物基质中。以这种方式获得的复合材料的质量使得可以执行光转换功能。
有利地，第二分子量为大于第一分子量近似20倍。
有利地，第一聚合物和第二聚合物彼此独立地选自聚(甲基)丙烯酸酯、聚硅氧烷、聚碳酸酯、聚(ε-己内酯)、聚苯乙烯及其共聚物之一中。这些聚合物与发光体不是非常具有反应性。此外，它们具有随着时间良好的稳定性和/或具有良好的耐热性。
有利地，第一聚合物和/或第二聚合物是均聚物。
有利地，第一聚合物和第二聚合物具有相同的化学性质。使用相同性质的聚合物，聚合物的冻结和干燥将更加均匀。聚合物对于制剂的一种或多种溶剂以及对于发光体将具有相同的化学亲和力或相似的化学亲和力。
有利地，第一聚合物和第二聚合物是聚(甲基丙烯酸甲酯)。该聚合物不影响发光体的光物理性能(吸收/发射)，然后能够很好地分散在溶液中，从而改善了填充腔的复合材料的转换性能。
有利地，溶液包括第二溶剂，其沸点比第一溶剂的温度高至少30℃。这使得可以依次除去溶剂。优选地，选择对聚合物具有良好亲和力的第二溶剂和对聚合物具有不太好亲和力的第一溶剂(所谓的中间溶剂)。良好的溶剂将在沉积后首先蒸发。中间溶剂在自身蒸发之前将固定并保留聚合物的结构。
有利地，当第一聚合物和第二聚合物是PMMA时，第一溶剂是丁酮并且第二溶剂是苯甲醚。
有利地，发光体选自如SrSi2O2N2:Eu2+、β-SiAlON、Y3Al5O12:Ce3+、SrSi5N8:Eu2+、(Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+、(Ca,Sr)、AlSiN3:Eu2+、Sr[LiAlN4]:Eu2+、Sr[Mg3SiN4]:Eu2+、Sr1-x CaxS:Eu2+、K2SiF6:Mn4+的荧光粉中和如ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdZnSe、CdTe、PbS、InP、CuInS2、CuGaS2、CuInSe2、CuGaSe2、CuInGaSe2、CuSe、InSe和GaSe的量子点中。这些发光体具有比有机发光体随时间更稳定的转换性能。
有利地，发光体具有的最大尺寸小于1μm，并且优选地小于500nm。
有利地，溶剂/干物质的比例为按质量计40％至60％的范围。在此，干质量意味着聚合物、发光体和表面活性剂。这种范围使得可以获得不太粘的溶液，其能够通过许多液体沉积技术沉积并且在腔中具有足够的材料。以这样的质量比，就发光体而言，溶液充分地润湿以防止聚集，发光体被良好地分离并且光转换更有效。
有利地，发光体/干物质的比例为按质量计在15％至50％的范围内。因此，最终复合材料中有足够的发光体以执行光转换，同时限制使用的试剂的量。
本发明还涉及用于在微米级腔中制备复合材料的方法，所述复合材料包括将发光体分散在其中的聚合物基质，方法包括以下连续的步骤：
-提供包括微米级腔的基材，
-在腔中沉积如上所定义的溶液，腔包括底部、侧壁和敞开的上部，
-蒸发一种或多种溶剂，这样以形成包括将发光体101分散在其中的聚合物基质的复合材料。
有利地，腔的底部由GaN制成。
有利地，腔具有敞开的上部，其具有的最大尺寸在1μm至100μm的范围内并且优选地在1至20μm的范围内，并且腔具有的深度在1至50μm的范围内并且优选地在5至10μm的范围内。
有利地，基材包括具有激活区的发射结构，其适合于在第一波长发射第一可见辐射，沉积在腔中的溶液的发光体，其适合于通过第一可见辐射的转换在第二波长发射第二可见辐射，第二波长大于第一波长。
附图说明
本发明根据以下描述和附图将更好地理解，其中
-图1，先前描述的，是施加在管中液体上的各种力的示意图，
-图2，先前描述的，是根据现有技术用溶液填充的微腔的扫描电子显微镜图像，
-图3是根据本发明的特别的实施方式用溶液填充的微腔的横截面示意图，
-图4是根据本发明的特别的实施方式包含用溶液填充的多个微腔的基材的横截面示意图，
-图5是根据本发明的特别的实施方式包含用溶液填充的多个微腔的基材的横截面示意图，
-图6是用具有单一聚合物的溶液填充的微腔的通过二次电子的扫描电子显微镜图像，
-图7是根据本发明的特别的实施方式用具有两种聚合物的溶液填充的微腔的通过二次电子的扫描电子显微镜图像，
-图8是用具有单一聚合物的溶液填充的微腔的通过反向散射电子的扫描电子显微镜图像，
-图9是根据本发明的特别的实施方式用具有两种聚合物的溶液填充的微腔的通过反向散射电子的扫描电子显微镜图像，
为了使附图更易读，图中所示的各个部分不必按统一的尺度。
应将各种可能性(变体和实施方式)理解为彼此不排斥并且能够组合在一起。
具体实施方式的详细公开内容
根据本发明的溶液旨在填充微米级腔10。溶液包括：
·发光体101，
·表面活性剂，
·低分子量的具有第一分子量的第一聚合物102，
·高分子量的具有第二分子量的第二聚合物103，
·一种或多种溶剂。
如在图3中示出，在一种或多种溶剂蒸发后，腔10通过包括将发光体101均匀地分散在其中的聚合物基质102、103的复合材料100部分地或完全地填充。
发光体101：
发光体101是以颗粒的形式。这里，颗粒意味着微米或纳米尺寸的元素并且具有球形、圆柱形或卵形。
通常，发光体101具有的最大尺寸小于1μm并且优选地小于500nm。
发光体101可为有机荧光团和/或荧光粉和/或量子点。
根据第一有利的实施方式，发光体101可选自荧光粉、无机发光材料中，优选地以颗粒的形式。绿色至黄色荧光粉为SrSi2O2N2:Eu2+、β-SiAlON、Y3Al5O12:Ce3+、YAG:Ce；橙色和红色荧光粉可为SrSi5N8:Eu2+或此外如(Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、Sr[LiAlN4]:Eu2+、Sr[Mg3SiN4]:Eu2+的氮化物或如Sr1-x Cax S:Eu2+的硫化物或此外如K2SiF6:Mn4+的氟化物。这些荧光粉的混合物可被选择以填充腔10。荧光粉具有的最大尺寸在10nm至300nm的范围内，例如大约100nm。
根据第二有利的实施方式，发光体101可为量子点。量子点是半导体纳米晶体。它们可发射紫外线、可见光、近红外光和红外光。某些量子点有利地在非常窄的波长(通常，发射峰半高处的宽度是30nm)发射。量子点具有的最大尺寸在2nm至20nm的范围内，并且优选地1nm至10nm。量子点可选自ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdZnSe、CdTe、PbS、InP、CuInS2、CuGaS2、CuInSe2、CuGaSe2、CuInGaSe2、CuSe、InSe和GaSe中。这些量子点的混合物可被选择以填充腔10。与具有非常低的发光强度的有机荧光团相比，由于它们的吸收性高且它们的发光性强，可以少量使用它们。
优选地，沉积后干物质中的发光体101的填充率按体积计在15％至50％的范围内。
表面活性剂：
表面活性剂确保溶液中发光体101的分散。表面活性剂可部分地或完全地覆盖发光体颗粒101的表面。选择不改变发光体的光学性能的表面活性剂。
表面活性剂优选地为非离子的，换句话说优选地不带电荷。其可为，例如，EvonikResource Efficiency GmbH销售的型表面活性剂之一。为了使设备寿命长，例如选择硅氧烷基/>还可以选择Dow Chemical Company销售的TritonTM系列的表面活性剂。
聚合物102、103：
溶液包括具有第一分子量的第一聚合物102和具有第二分子量的第二聚合物103，第二分子量为大于第一分子量10至50倍，且优选地大于第一分子量15至35倍。
这里，分子量意味着数均分子量Mn，也称为数均摩尔质量，并且对应于由每个长度的链数加权的摩尔质量的平均值。例如，分子量可通过以聚苯乙烯标准品的尺寸排阻色谱法确定。
例如，聚合物源自自由基聚合反应，其中多分散指数I为Mw/Mn＝2。
通常，第一分子量为至少500g/mol且至多50,000g/mol，并且优选地10,000g/mol至25,000g/mol。
通常，第二分子量为至少5000g/mol且至多2,500,000g/mol，并且优选地至少50,000g/mol且至多1,250,000g/mol。
第一聚合物102和第二聚合物103具有不同分子量，因此不同链长度，用作基质以机械保持发光体101。
高分子量聚合物103将通过冻结和保留聚合物的扩展或“溶胀”结构以起纹理剂的作用。低分子量聚合物将收缩以便粘附在高分子量聚合物的骨架上。发光体颗粒保持被捕获在聚合物网络中且不会迁移。这使得可以减少或消除干燥期间的收缩。
在用溶液填充腔时，大链充当聚合物结构的骨架。这些大链将冻结发光体负载和小的聚合物链，其将导致溶液良好的均质性，因此导致发光体在微腔内的良好分布。聚合物的这种结构化对溶剂收缩的控制具有积极影响：由大链形成的骨架将限制并控制与溶剂蒸发相关的收缩影响。
用这种溶液，在溶剂蒸发期间，空气/固体界面没有变形。
为了在干燥期间具有“瞬间”冻结，选择第二分子量为大于第一分子量10至50倍。例如，选择第二分子量为大于第一分子量20倍。
为了选择聚合物102、103，本领域技术人员将特别地考虑溶液的稳定性及其粘度，以便能够通过当前可用的沉积技术将其沉积。
长链和短链之间的比例使得可以控制混合物的初始粘度，并且可以配制具有与例如涂布工艺相容的粘度的溶液。第一低分子量聚合物102优选地占大多数，换句话说，第一聚合物102超过聚合物总质量的50％。所获得的溶液可以通过许多沉积技术沉积，并且随着时间是稳定的，其允许它们随着时间的推移以可重现的方式沉积。
也将选择这样的聚合物，所述聚合物具有不破坏发光体的激发的折射率用于提取发射的光。
因此，聚合物的选择也将考虑溶剂/聚合物/表面活性剂系统分散发光体的能力。
聚合物102、103优选地彼此独立地选自聚甲基丙烯酸烷基酯(如PMMA)、聚甲基丙烯酸芳基酯、多环聚甲基丙烯酸酯(例如聚甲基丙烯酸莰烷酯型的)、聚丙烯酸烷基酯、聚丙烯酸芳基酯、聚芳基硅氧烷和聚烷基硅氧烷中。聚合物也可选自聚碳酸酯、聚(ε-己内酯)和聚苯乙烯中。聚合物优选地为非取代的聚合物。这些聚合物满足上面所列的标准。例如，这些聚合物具有C1-C10碳链。
聚合物102、103可为先前所列举的聚合物的均聚物或共聚物。
可以使用不同化学性质的聚合物102、103，例如PMMA和聚苯乙烯。
还可以使用相同化学性质的聚合物102、103，换句话说相同族的。优选地，两种聚合物102、103为两种不同分子量的PMMA。
溶剂：
溶剂优选地是有机的。
为了具有低粘度，溶液有利地选择为包括至少一种良好的溶剂。该溶液可另外包括中间溶剂。
这里，良好的溶剂意味着它可以允许聚合物链溶胀。聚合物/聚合物的相互作用是不利的。聚合物很好地分散在溶剂中。
这里，中间溶剂意味着它对具有聚合物/聚合物或聚合物/溶剂的相互作用无关紧要。
这里，不良的溶剂意味着有助于聚合物/聚合物的相互作用，聚合物链自身塌陷和/或完全沉淀。
溶剂的选择可使用Hansen参数进行。Hansen参数使得可以确定每种类型的聚合物的溶解度范围(sphere)。每种溶剂也有其自己的Hansen参数。因此，可以将溶剂定位在与研究的聚合物范围相同的参考系中。如果溶剂在范围内，它是聚合物的良好溶剂。如果溶剂不在范围内，则它是聚合物的不良溶剂。这些参数还使得可以计算溶剂混合物的坐标。
举例说明，PMMA的Hansen参数是[17.7,9.1,7.1]，苯甲醚(也称为茴香醚)的是[17.8,4.1,6.7]和甲基乙基酮的(也称为丁酮或MEK)是[16,9,5.1]。前两个对于溶剂的选择是最重要的。MEK是PMMA的良好的溶剂，并且苯甲醚是中间溶剂。
为了限制溶液中聚合物链之间的相互作用并因此保持合理的粘度，还必须使溶剂沸点之间的差为至少三十摄氏度，并且优选地最好的溶剂是最易挥发的。
对于PMMA，因此溶液可选择含有如MEK(沸点：89℃)的良好的溶剂和如苯甲醚(沸点：155.5℃)的中间溶剂。良好的溶剂MEK将在沉积后首先蒸发。为中间溶剂的苯甲醚将固定和保留聚合物的结构。
还可以通过使用Hildebrand溶解度参数确定聚合物/溶剂缔合(associations)。
对于PMMA、甲基乙基酮和苯甲醚的溶解度参数分别为：9.3(cal/cm3)1/2、9.43(cal/cm3)1/2和9.7(cal/cm3)1/2。这确认了使用Hansen参数获得的结果：对于PMMA，MEK比苯甲醚是更好的溶剂。
粘度将取决于湿式沉积技术(例如涂覆、喷墨、旋涂)确定。
选择这样的溶液，所述溶液有充分的润湿性以分散发光体，但又不能过于润湿以免在微腔中造成凸弯月面。
溶剂/干物质的比例优选地按质量计在40％至60％的范围内。
用于以发光体101填充腔10的方法：
用于以发光体101填充微米级腔10的方法包括以下连续步骤：
-提供包括微米级腔10的基材，
-在腔10中沉积如上所定义的溶液，
-蒸发一种或多种溶剂，这样以获得包括将发光体101分散在其中的聚合物基质的干燥复合材料。
如在图4和5中示出，基材包括至少一个待填充的腔10。优选地，基材包括多个腔10。腔10例如被布置形成具有多个行和多个列的腔的阵列。基材的平面中腔的间距为例如近似10μm和100μm之间，并且优选地50μm和100μm之间。
腔10是微米级的，换句话说它们具有的尺寸范围为约一微米至几百微米。这些也称为微腔。
腔10具有封闭的底壁13(或底部)、侧壁12和敞开的上部。底壁和上部可具有相同或不同的形状，例如圆形、椭圆形、正方形、矩形等等。腔为例如正方形或圆形横截面的管。
侧壁12的高度限定腔10的深度。腔10具有的深度范围为几个微米(例如1、2或3μm)至50μm，优选地5μm至10μm。
腔10具有上部，其具有的最大尺寸范围为几微米(例如1、2或3μm)至100μm，并且优选地1μm至20μm，例如大约10μm。
腔10的壁12可以由任何合适的材料形成。
这个可以为如铜或铝的金属壁12或例如由氧化铝制成的金属氧化物壁(图4)。这种壁12可以通过电化学沉积任选地继之以氧化步骤产生。有利地，壁12是反射的和不吸收的。
壁12可由临时材料产生(图5)，换句话说，在腔10中获得复合材料100后，去除壁12。其可为例如树脂。树脂可通过化学方法去除。因此获得由空气分隔的复合材料100的垫片阵列。
腔10的底部13是发光层。其可为例如GaN层。
腔10可在例如由CdSe或InGaN制造或由InGaN/GaN双层制造的支撑体11上产生。
优选地，基材包括具有激活区的发射结构，所述发射结构适合于在第一波长λ1发射第一可见辐射，沉积在腔10中溶液的发光体101，发光体101通过第一可见辐射的转换适合于在第二波长λ2发射第二可见辐射，第二波长λ2满足λ1<λ2的条件。
溶液可以通过任何液体分散技术沉积。举例来说，这可以为通过喷墨、喷涂、浸泡、涂覆(用刮刀或通过旋涂沉积)或3D打印的沉积。
关于包括量子点的转换层，可以具有复合材料100，其具有的厚度范围为例如5至10μm。量子点具有良好的吸收。低量是足够的。
关于包括荧光粉的转换层，可以具有复合材料100，其具有的厚度范围为例如50μm至100μm。
说明性实施例和非限制性实施方式：
以下表格描述各种溶液。溶液S19、S20、S25和S26是根据本发明的溶液和包括两种不同分子量的PMMA。作为比较，已经生产了溶液S17、S18、S23和S24，其仅包含一种PMMA。表面活性剂是Evonik Resource Efficiency GmbH销售的 Dispers 670。
然后这些溶液通过涂覆技术沉积在具有微腔的基材上。腔的壁覆盖铝层。用溶液充满的腔已经通过扫描电子显微镜在二次电子模式(图6和7)和反向散射电子模式(图8和9)中观察到。
根据本发明用溶液填充的腔(图7和9)在腔的整个高度上具有均匀的发光体的分布。比照溶液不是这种情况(图6和8)。
Claims (18)
1.用于填充微米级腔(10)的溶液，所述溶液包括第一溶剂、具有第一分子量的第一聚合物(102)、具有第二分子量的第二聚合物(103)、发光体(101)和表面活性剂，所述第二分子量为大于所述第一分子量10至50倍，
其中所述第一聚合物和所述第二聚合物彼此独立地选自聚甲基丙烯酸烷基酯、聚甲基丙烯酸芳基酯、多环聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸烷基酯、聚丙烯酸芳基酯、聚芳基硅氧烷和聚烷基硅氧烷，并且
其中所述第二分子量为至少50,000g/mol且至多1,250,000g/mol。
2.根据权利要求1所述的溶液，其中所述第二分子量为大于所述第一分子量20倍。
3.根据权利要求1或2所述的溶液，其中所述第一聚合物(102)和/或所述第二聚合物(103)是均聚物。
4.根据权利要求1或2所述的溶液，其中所述第一聚合物和所述第二聚合物具有相同的化学性质。
5.根据权利要求1或2所述的溶液，其中所述第一聚合物(102)和所述第二聚合物(103)是聚(甲基丙烯酸甲酯)。
6.根据权利要求1或2所述的溶液，其中所述溶液包括第二溶剂，其沸点高于所述第一溶剂的沸点至少30℃。
7.根据权利要求6所述的溶液，其中所述第一溶剂是丁酮并且其中所述第二溶剂是苯甲醚。
8.根据权利要求1或2所述的溶液，其中所述发光体(101)选自荧光粉和量子点。
9.根据权利要求8所述的溶液，其中所述荧光粉选自SrSi2O2N2:Eu2+、β-SiAlON、Y3Al5O12:Ce3+、SrSi5N8:Eu2+、(Ba,Sr)2Si5N8:Eu2+、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu2+、Sr[LiAlN4]:Eu2+、Sr[Mg3SiN4]:Eu2+和K2SiF6:Mn4+，并且所述量子点选自ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdZnSe、CdTe、PbS、InP、CuInS2、CuGaS2、CuInSe2、CuGaSe2、CuInGaSe2、CuSe、InSe和GaSe。
10.根据权利要求1或2所述的溶液，其中所述发光体(101)具有的最大尺寸小于1μm。
11.根据权利要求1或2所述的溶液，其中所述发光体(101)具有的最大尺寸小于500nm。
12.根据权利要求1或2所述的溶液，其中溶剂/干物质的比例按质量计在40％至60％范围内，其中干物质意味着第一聚合物、第二聚合物、发光体和表面活性剂。
13.根据权利要求1或2所述的溶液，其中所述发光体(101)/干物质的比例按质量计在15％至50％范围内，其中干物质意味着第一聚合物、第二聚合物、发光体和表面活性剂。
14.在微米级腔中制备复合材料的方法，所述复合材料包括将发光体分散在其中的聚合物基质，所述方法包括以下连续步骤：
-提供包括微米级腔(10)的基材，所述腔包括底部(13)、侧壁(12)和敞开的上部，
-在所述腔(10)中沉积溶液，所述溶液为权利要求1至13中的一项所定义的，
-蒸发一种或多种溶剂，这样以形成包括将发光体101分散在其中的聚合物基质的复合材料(100)。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述腔(10)的底部(13)由GaN制造。
16.根据权利要求14或15所述的方法，其中所述腔(10)具有敞开的上部，所述敞开的上部具有的最大尺寸在1μm至100μm的范围内，并且所述腔(10)具有的深度在1至50μm的范围内。
17.根据权利要求14或15所述的方法，其中所述腔(10)具有敞开的上部，所述敞开的上部具有的最大尺寸在1至20μm的范围内，并且所述腔(10)具有的深度在5至10μm的范围内。
18.根据权利要求14或15所述的方法，其中所述基材包括具有激活区的发射结构，其适合于在第一波长(λ1)发射第一可见辐射，沉积在所述腔(10)中的所述溶液的所述发光体(101)适合于通过所述第一可见辐射的转换在第二波长(λ2)发射第二可见辐射，所述第二波长(λ2)大于所述第一波长(λ1)。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1761672A FR3074495B1 (fr) | 2017-12-05 | 2017-12-05 | Solution destinee a etre utilisee pour remplir des cavites de taille micrometrique |
| FR1761672 | 2017-12-05 | ||
| PCT/FR2018/053094 WO2019110910A1 (fr) | 2017-12-05 | 2018-12-04 | Solution destinée a être utilisée pour remplir des cavités de taille micrométrique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111433318A CN111433318A (zh) | 2020-07-17 |
| CN111433318B true CN111433318B (zh) | 2024-05-31 |
Family
ID=61258406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201880078467.4A Active CN111433318B (zh) | 2017-12-05 | 2018-12-04 | 用于填充微米级腔的溶液 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11667833B2 (zh) |
| EP (1) | EP3720923B1 (zh) |
| KR (1) | KR20200092988A (zh) |
| CN (1) | CN111433318B (zh) |
| FR (1) | FR3074495B1 (zh) |
| WO (1) | WO2019110910A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220149596A (ko) * | 2020-04-08 | 2022-11-08 | 이 잉크 캘리포니아 엘엘씨 | 양자점 필름 |
| FR3119103B1 (fr) * | 2021-01-28 | 2023-12-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d’un materiau composite comprenant un polymere et des nanomateriaux |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2008082609A2 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-10 | David Bruce Geohegan | Transparent conductive nano-composites |
| WO2013088907A1 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | 株式会社セイコーアイ・インフォテック | インクジェット記録用インク、インクカートリッジ、インクジェット記録用インクの製造方法、インクカートリッジの製造方法、記録方法 |
| WO2017180333A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | Dow Global Technologies Llc | Curable resin system containing quantum dots |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030106487A1 (en) * | 2001-12-10 | 2003-06-12 | Wen-Chiang Huang | Photonic crystals and method for producing same |
| KR101319728B1 (ko) | 2012-03-16 | 2013-10-18 | 세종대학교산학협력단 | 마이크로 캡슐형 양자점- 고분자 복합체, 상기 복합체의 제조 방법, 상기 복합체를 포함하는 발광다이오드 패키지, 및 상기 발광다이오드 패키지의 제조방법 |
| US20150054425A1 (en) * | 2013-08-21 | 2015-02-26 | Cree, Inc. | Nanocomposite compositions and methods of making |
| EP3197981A1 (en) * | 2014-09-23 | 2017-08-02 | Philips Lighting Holding B.V. | Encapsulated materials in porous particles |
| CN107474634B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-12-15 | 北京赛腾标识系统股份公司 | 一种双重防伪喷印油墨 |
-
2017
- 2017-12-05 FR FR1761672A patent/FR3074495B1/fr active Active
-
2018
- 2018-12-04 KR KR1020207017480A patent/KR20200092988A/ko not_active IP Right Cessation
- 2018-12-04 CN CN201880078467.4A patent/CN111433318B/zh active Active
- 2018-12-04 WO PCT/FR2018/053094 patent/WO2019110910A1/fr unknown
- 2018-12-04 EP EP18836830.2A patent/EP3720923B1/fr active Active
- 2018-12-04 US US16/769,034 patent/US11667833B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2017180333A1 (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-19 | Dow Global Technologies Llc | Curable resin system containing quantum dots |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3720923B1 (fr) | 2023-11-15 |
| WO2019110910A1 (fr) | 2019-06-13 |
| FR3074495A1 (fr) | 2019-06-07 |
| US11667833B2 (en) | 2023-06-06 |
| KR20200092988A (ko) | 2020-08-04 |
| EP3720923A1 (fr) | 2020-10-14 |
| CN111433318A (zh) | 2020-07-17 |
| FR3074495B1 (fr) | 2020-01-03 |
| US20210032533A1 (en) | 2021-02-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |