CN111405444A - 一种振膜带孔的电容式麦克风及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种振膜带孔的电容式麦克风，包括衬底、复合振膜和背极板，所述衬底为硅片，所述背极板位于衬底上方，所述复合振膜位于背极板上方，所述复合振膜与背极板之间设有振荡空腔，所述复合振膜包括振膜绝缘层和上电极，所述上电极位于振膜绝缘层的上层，所述复合振膜设有若干声学孔，所述上电极材料和/或背极板材料为镍基合金；本发明还公开了该振膜带孔的电容式麦克风的制造方法；本发明通过在复合振膜上制备声学孔，简化了加工步骤，降低了加工成本，并通过电极金属的改良，大大提高了设计成品率。

Description

一种振膜带孔的电容式麦克风及其制造方法

技术领域

本发明涉及麦克风技术领域，具体涉及一种振膜带孔的电容式麦克风及其制造方法。

背景技术

电容式麦克风包括驻极体式麦克风和电容压缩式麦克风两种类型，驻极体式麦克风利用介质提供静电场，无需外界偏置电压，然而介质会发生电荷泄露的现象，为了保持电荷的稳定性，往往需要对介质进行充电，而且介质的制造要求相对较高，目前驻极体式麦克风正逐渐被电容压缩式麦克风所取代。电容压缩式麦克风制造过程相对简单，早期的电容式麦克风是在两块硅晶片上分别制备振膜和背板，然后通过刻蚀后腔室、键合对准等工艺进行组装，形成一个完整的麦克风；这种早期结构的麦克风加工步骤复杂、成本高、重复性差、性能不稳定，并未得到广泛的推广。在1991年，Scheeper等提出了一种比较完善的单芯片式硅微麦克风，通过加工工艺上的创新，将麦克风的振膜和背极板都在一块硅晶片上制作，该过程不需要对准，简化了加工工艺，可以实现大批量的生产。随后硅微电容式麦克风在结构上和加工工艺上的创新日益多样化，有多家公司从事微机电麦克风的研究和生产，如Lucent、Knowles、Siemens、Bruel&Kjaer和MEMStech等公司，硅微电容式麦克风逐渐取代了传统麦克风的地位。

通过对现有硅微电容式麦克风种类的分析，可知双硅片式结构的麦克风在加工工艺中需要对准的工艺，使得加工过程复杂，而且成品率低，在单硅片结构的麦克风中，目前常见的是背孔式硅微麦克风，这种结构的制作工艺虽比双硅片式的简单，但也存在以下缺点：第一，制作的过程中麦克风振膜的残余应力不易控制；第二，在背极板上制备声学孔会降低它的刚度，当它的刚度降低到和薄膜同样的数量级时，会产生“软极板效应”，严重影响麦克风性能；第三，当外界声压过大或者偏置电压过大时，会造成振膜和背极板粘合，无法形成空气间隙，导致麦克风失效。同时硅微电容式麦克风常用铝Al、钛Ti等作为电极材料，在刻蚀去除牺牲层材料时也会腐蚀去除常用的Al、Ti等电极材料，从而导致器件结构不稳定、电极脱落的问题。

发明内容

针对上述问题，本发明的一个目的是提供一种振膜带孔的电容式麦克风，通过新电极材料的选择，解决了去除牺牲层材料时对电极金属腐蚀导致的器件结构不稳定、电极脱落的问题；通过在振膜上制备声学孔，克服了上述背孔式麦克风的缺点；采用氮化硅作为振膜绝缘层材料、二氧化硅作为牺牲层材料和背极板的支撑材料或采用二氧化硅作为振膜绝缘层材料和背极板的支撑材料、氮化硅作为牺牲层材料，相较于通常选用的聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、多晶硅等材料，其器件的结构更加稳定，寿命更长，不易热变形。

本发明的第二个目的是提供上述一种振膜带孔的电容式麦克风制造方法。

本发明所采用的第一个技术方案是：一种振膜带孔的电容式麦克风，包括衬底、复合振膜和背极板，所述衬底为硅片，所述背极板位于衬底上方，所述复合振膜位于背极板上方，所述复合振膜与背极板之间设有振荡空腔，所述复合振膜包括振膜绝缘层和上电极，所述上电极位于振膜绝缘层的上层，所述复合振膜设有若干声学孔，所述上电极材料和/或背极板材料为镍基合金。

优选的，所述一种振膜带孔的电容式麦克风还包括牺牲层，所述牺牲层位于所述背极板和所述复合振膜之间，对所述背极板和所述复合振膜进行隔离。

优选的，所述一种振膜带孔的电容式麦克风还包括保护层，所述保护层材料为二氧化硅，所述保护层覆于所述衬底的正面和背面，既可以防止硅片衬底发生变形，也可以作为绝缘层将衬底和背极板隔离开，使背极板和复合振膜之间的电容值不受到衬底的影响，提高灵敏度。

优选的，所述二氧化硅保护层厚度为1μm～2μm。

优选的，所述背极板厚度为0.2μm～1μm。

优选的，所述牺牲层厚度为1μm～10μm。

优选的，所述振膜绝缘层厚度为0.2μm～3μm。

优选的，所述上电极厚度为0.2μm～1μm。

优选的，所述镍基合金为镍铜合金或镍铬钼合金。

优选的，所述上电极至少一边的边缘与背极板的边缘不齐平，防止电容边缘效应产生。

本发明所采用的第二个技术方案是：上述一种振膜带孔的电容式麦克风制造方法，包括以下步骤：

1)将硅片衬底正面和背面进行热氧处理，使双面形成二氧化硅保护层；

2)在上层二氧化硅上淀积一层镍基合金薄膜形成背极板；

3)在背极板上层淀积一层牺牲层；

4)在牺牲层上层淀积一层振膜绝缘层；

5)在顶层振膜绝缘层上采用lift-off工艺制备图形化镍基合金上电极，上电极和振膜绝缘层形成复合振膜，上电极至少一边的边缘与背极板的边缘不齐平；

6)用镍基合金上电极做掩膜，采用干刻蚀法刻蚀下层振膜绝缘层，形成声学孔；

7)刻蚀牺牲层，形成振荡空腔和电极触点引线孔；所述电极触点引线孔直径大于金丝球焊焊丝直径；

8)采用金丝球焊通过电极触点引线孔在背极板上制备第一电极触点，在上电极上直接制备第二电极触点，并分别从第一电极触点和第二电极触点引出电极。

优选的，所述牺牲层材料为二氧化硅，所述振膜绝缘层材料为氮化硅。

优选的，所述牺牲层材料为氮化硅，所述振膜绝缘层材料为二氧化硅。

上述技术方案有益效果：

(1)通过选用耐腐蚀合金代替Al、Ti等作为电极材料，解决了去除牺牲层材料时对电极金属腐蚀的问题，避免导致器件结构的不稳定、电极的脱落。

(2)通过在复合振膜上制备声学孔，解决了背孔式麦克风在制作过程中麦克风振膜的残余应力不易控制，在背极板上制备声学孔降低其刚度，导致产生“软极板效应”影响麦克风性能的问题；同时解决了当外界声压过大或者偏置电压过大时，造成振膜和背极板粘合无法形成空气间隙，导致麦克风失效的问题。

(3)采用氮化硅作为振膜绝缘层材料、二氧化硅作为牺牲层材料和背极板的支撑材料或采用二氧化硅作为振膜绝缘层材料和背极板的支撑材料氮化硅作为牺牲层材料，相较于通常选用的聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、多晶硅等材料，其器件的结构更加稳定，寿命更长，不易热变形。

(4)采用lift-off工艺制备图形化镍基合金上电极，结合自对准工艺，减少了刻蚀步骤，简化工艺操作。

(5)基于自对准工艺，直接用图案化的上电极做掩膜，采用干刻蚀法刻蚀下层振膜绝缘层，节省了掩膜的制备，简化工艺操作。

(6)选用金或金合金作为电极触点的材料，电极触点的导电、导热性能好，化学稳定性好，不易氧化，电阻小而稳定；电极触点引线孔直径远大于金丝球焊焊丝直径，金丝球焊可直接引出电极触点，避免了传统MEMS工艺中的电极爬坡、刻蚀步骤。

附图说明

图1为本发明一种振膜带孔的电容式麦克风结构示意图；

图2为本发明一种振膜带孔的电容式麦克风制造方法流程图。

其中，1-衬底，2-背极板，3-牺牲层，4-振膜绝缘层，5-上电极，6-保护层，7-第一电极触点，8-第二电极触点，9-声学孔，10-振荡空腔，11-电极触点引线孔。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。以下实施例的详细描述和附图用于示例性地说明本发明的原理，但不能用来限制本发明的范围，即本发明不限于所描述的优选实施例，本发明的范围由权利要求书限定。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”“下”“内”“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”“相连”“连接”应做广义理解，对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

实施例1

如图1所示，本发明提供的一种振膜带孔的电容式麦克风，包括衬底1、复合振膜、牺牲层3、保护层6和背极板2；衬底1为硅片；复合振膜包括振膜绝缘层4和上电极5，上电极5位于振膜绝缘层4的上层，复合振膜具有较好的张应力和柔韧性；牺牲层3位于背极板2和复合振膜之间，对背极板2和复合振膜进行隔离，在背极板2和复合振膜之间具有振荡空腔10，复合振膜设有若干声学孔9，振膜上的声学孔9连通振荡空腔10；背极板2和复合振膜构成平板电容；保护层6为一层二氧化硅，厚度为2μm的二氧化硅保护层6覆于衬底1的正面和背面，保护衬底1，防止衬底1发生变形的同时将衬底1与背极板2隔开，由于二氧化硅保护层在固态下导电性很弱，故保护层可以作为绝缘层将衬底1和背极板2隔离开，可以使背极板2和复合振膜之间的电容值不会受到衬底1的影响，提高灵敏度；背极板2位于保护层6上层，复合振膜位于牺牲层3上方，上电极5和背极板2材料均为镍基合金，镍基合金上电极5一边的边缘与背极板2的边缘不齐平，防止电容边缘效应产生，同时可以降低成本。

选用金或金合金作为材料，采用金丝球焊通过电极触点引线孔11在背极板2上制备第一电极触点7，电极触点引线孔11直径大于金丝球焊焊丝直径，金丝球焊可直接引出电极触点；金丝球焊在上电极5上直接制备第二电极触点8，并分别从第一电极触点7和第二电极触点8引出电极，作为外围电路的接口。

牺牲层3材料为二氧化硅，牺牲层3厚度为1μm。

镍基合金选用镍铜合金，镍本身具有一定的抗腐蚀能力，尤其是抗氯离子引起的应力腐蚀能力，镍铜合金在强还原性腐蚀环境、复杂的混合酸环境或含有卤素离子的溶液中均具有抗腐蚀优势，同时镍铜合金在无氧和氧化剂的条件下是耐高温氟气、氟化氢和氢氟酸的最好材料。

镍铜合金背极板2厚度为0.2μm；镍铜合金上电极5厚度为0.2μm。

振膜绝缘层4材料为氮化硅，振膜绝缘层4厚度为1.5μm。

本发明通过选用镍铜合金代替Al、Ti等作为电极材料，解决了去除牺牲层材料时对电极金属腐蚀的问题，避免导致器件结构的不稳定、电极的脱落；本发明还通过在复合振膜上制备声学孔，解决了背孔式麦克风在制作过程中麦克风振膜的残余应力不易控制，在背极板上制备声学孔降低其刚度，导致产生“软极板效应”影响麦克风性能的问题；同时解决了当外界声压过大或者偏置电压过大时，造成振膜和背极板粘合无法形成空气间隙，导致麦克风失效的问题。

本发明采用氮化硅作为振膜绝缘层材料、二氧化硅作为牺牲层材料和背极板的支撑材料，相较于通常选用的聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、多晶硅等材料，其器件的结构更加稳定，寿命更长，不易热变形。

本发明选用金或金合金作为电极触点的材料，电极触点的导电、导热性能好，化学稳定性好，不易氧化，电阻小而稳定；电极触点的引线孔直径远大于金丝球焊焊丝直径，金丝球焊可直接引出电极触点，避免了传统MEMS工艺中的电极爬坡、刻蚀步骤。

实施例2

在本实施例中，该振膜带孔的电容式麦克风的结构与实施例1基本相同，主要区别在于牺牲层3的材料及其厚度、振膜绝缘层4的材料及其厚度、背极板2和上电极5的材料及其厚度以及保护层6的厚度。

在本实施例中，牺牲层3材料为氮化硅，牺牲层3厚度为5μm；振膜绝缘层4材料为二氧化硅，振膜绝缘层4厚度为0.2μm；镍基合金选用镍铬钼合金，镍铬钼合金背极板2厚度为0.5μm；镍铬钼合金上电极5厚度为0.5μm；保护层6的厚度为1.5μm。

由于金属镍本身是面心立方结构，晶体学上的稳定性使得它能够比铁容纳更多的合金元素，如铬、钼等，从而达到抵抗各种腐蚀环境的能力，同时镍本身就具有一定的抗腐蚀能力，尤其是抗氯离子引起的应力腐蚀能力，镍铬钼合金在强还原性腐蚀环境、复杂的混合酸环境或含有卤素离子的溶液中均具有很好抗腐蚀能力。

本发明通过选用镍铬钼合金代替Al、Ti等作为电极材料，解决了去除牺牲层材料时对电极金属腐蚀的问题，避免导致器件结构的不稳定、电极的脱落。本发明采用二氧化硅作为振膜绝缘层材料和背极板的支撑材料、氮化硅作为牺牲层材料，相较于通常选用的聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、多晶硅等材料，其器件的结构更加稳定，寿命更长，不易热变形。

实施例3

在本实施例中，该振膜带孔的电容式麦克风的结构与实施例1基本相同，主要区别在于牺牲层3的材料及其厚度、振膜绝缘层4的材料及其厚度、背极板2和上电极5的材料及其厚度以及保护层6的厚度。

在本实施例中，牺牲层3材料为二氧化硅，牺牲层3厚度为10μm；振膜绝缘层4材料为氮化硅，振膜绝缘层4厚度为3μm；镍基合金选用镍铜合金；镍铜合金背极板2厚度为1μm；镍铜合金上电极5厚度为1μm；保护层6的厚度为2μm。

实施例4

如图2所示，本发明提供的一种振膜带孔的电容式麦克风制造方法，包括以下步骤：

(1)提供具有正面和背面的硅片衬底1，将硅片衬底1正面和背面进行热氧化处理，使衬底1双面形成厚度为1μm～2μm的二氧化硅保护层6，通过热氧化得到的二氧化硅层，具有薄膜致密、质量好、覆盖性好的优势；1μm～2μm厚度的二氧化硅保护层6既可以防止硅片衬底1发生变形，也可以作为绝缘层将衬底1和背极板2隔离开，使背极板2和复合振膜之间的电容值不受到衬底1的影响，提高灵敏度；

(2)在上层二氧化硅保护层上均匀淀积一层厚度为0.2μm～1μm的镍基合金薄膜，形成镍基合金背极板2；采用镍基耐蚀合金，主要是哈氏合金作为电极材料，由于金属镍本身是面心立方结构，晶体学上的稳定性使得它能够比铁容纳更多的合金元素，如铬、钼等，从而达到抵抗各种腐蚀环境的能力；同时镍本身就具有一定的抗腐蚀能力，尤其是抗氯离子引起的应力腐蚀能力，在强还原性腐蚀环境、复杂的混合酸环境或含有卤素离子的溶液中，以哈氏合金为代表的镍基耐蚀合金均具有一定的优势，优选镍铜合金和镍铬钼合金，其中，镍铜合金在无氧和氧化剂的条件下是耐高温氟气、氟化氢和氢氟酸的最好材料；镍基合金抗腐蚀性能强，在去除牺牲层材料时不会对背极板2产生腐蚀，避免导致器件结构出现不稳定、电极出现脱落等问题；

(3)在背极板2上层均匀淀积一层厚度为1μm～10μm的牺牲层3，牺牲层3材料选用二氧化硅或氮化硅；在后续工艺中会对牺牲层进行刻蚀处理，使复合振膜和背极板之间形成空腔，复合振膜(上极板)和背极板(下极板)构成电容，牺牲层的厚度决定了电容上下极板间的距离，而电容上下极板间距离的大小直接影响了硅麦克风的灵敏度、可靠性及信噪比等性能，所以控制牺牲层厚度为1μm～10μm，实现控制复合振膜与背极板形成的电容上下极板间的距离，使硅麦克风性能最佳；在选用合理的牺牲层材料时，需考虑牺牲层与相邻结构层之间必须要有较高的刻蚀选择比，从而以后一种材料作为前一种材料的停止层或阻挡层，可以更好的实现刻蚀效果；

(4)在牺牲层3上层淀积一层厚度为0.2μm～3μm的振膜绝缘层4，为了有较高的刻蚀选择比，振膜绝缘层4材料的选用与牺牲层材料的选用相关，当牺牲层3的材料选用二氧化硅时，振膜绝缘层4的材料选用氮化硅；当牺牲层3的材料选用氮化硅时，振膜绝缘层4的材料选用二氧化硅；

(5)在顶层振膜绝缘层4上采用lift-off工艺制备厚度为0.2μm～1μm的图形化镍基合金上电极5，由振膜绝缘层4和镍基合金上电极5组成复合振膜，由厚度为0.2μm～3μm的振膜绝缘层4和厚度为0.2μm～1μm的镍基合金上电极5组成的复合振膜具有较好的张应力和柔韧性；镍基合金上电极5一边的边缘与背极板2的边缘不齐平，可以防止电容边缘效应产生，同时可以降低成本；

(6)用镍基合金上电极5做掩膜，采用干刻蚀法刻蚀下层振膜绝缘层4形成声学孔9，刻蚀后镍基合金上电极5的边缘与其下层振膜绝缘层4的边缘相同，复合振膜一边的边缘与背极板2的边缘不齐平，可以防止电容边缘效应产生；采用镍基合金上电极5做掩膜进行刻蚀，不需要涂光刻胶、也不需要提供掩膜板，从而减少了一次光刻步骤，有利于降低生产成本，减少工艺步骤；声学孔9为阵列设置，声学孔9可以为圆形、方形、椭圆形等任意形状，不同形状的声学孔9，具有不同的性能影响；如圆形声学孔，有利于释放空气压力，更有效减小膜阻尼，但会增加工艺制作的复杂性；方形声学孔容易制作，但方形声学孔容易引起应力集中问题；在复合振膜上开设声学孔9，使复合振膜与背极板2之间产生的气流更容易排出，从而降低麦克风的噪音，提高信噪比；

(7)刻蚀去除无复合振膜处的牺牲层3形成电极触点引线孔11，用于后续在背极板2上制备电极触点及其引线，电极触点的引线孔直径远大于金丝球焊焊丝直径，金丝球焊可直接引出电极触点；刻蚀去除复合振膜下方的部分牺牲层3，刻蚀复合振膜下方的牺牲层形成振荡空腔10，振荡空腔10的形状根据复合振膜的形状进行设计；声学孔9与振荡空腔10相连通；刻蚀液选用气态HF；

(8)选用金或金合金作为材料，采用金丝球焊通过电极触点引线孔11在背极板2上制备第一电极触点7，电极触点引线孔11直径大于金丝球焊焊丝直径，金丝球焊可直接引出电极触点；金丝球焊在上电极5上直接制备第二电极触点8，并分别从第一电极触点7和第二电极触点8引出电极，作为外围电路的接口；选用金或金合金作为电极触点的材料，电极触点的导电、导热性能好，化学稳定性好，不易氧化，电阻小而稳定；电极触点的引线孔直径远大于金丝球焊焊丝直径，金丝球焊可直接引出电极触点，避免了传统MEMS工艺中的电极爬坡、刻蚀步骤。

本发明一种振膜带孔的电容式麦克风在通电工作状态下，复合振膜和背极板会带上极性相反的电荷，形成电容系统，当外部有声波传递到图1所示的电容式麦克风时，声波由声学孔进入复合振膜与背极板形成的振荡空腔，进入振荡空腔的声波会对复合振膜产生作用力，复合振膜的表面受到作用力后会发生形变、产生振动，导致复合振膜与背极板之间的相对距离发生变化，从而导致电容系统的电容值发生变化，这种电容值的变化为外围电路提供一种可供探测的信号，从而实现将声波信号转换为电信号，实现麦克风的相应功能。

本发明通过选用耐腐蚀合金代替Al、Ti等作为电极材料，解决了去除牺牲层材料时对电极金属腐蚀的问题，避免导致器件结构的不稳定、电极的脱落；通过在复合振膜上制备声学孔，解决了背孔式麦克风在制作过程中麦克风振膜的残余应力不易控制，在背极板上制备声学孔降低其刚度，导致产生“软极板效应”影响麦克风性能的问题；同时解决了当外界声压过大或者偏置电压过大时，造成振膜和背极板粘合无法形成空气间隙，导致麦克风失效的问题；采用氮化硅作为振膜绝缘层材料、二氧化硅作为牺牲层材料和背极板的支撑材料或采用二氧化硅作为振膜绝缘层材料和背极板的支撑材料氮化硅作为牺牲层材料，相较于通常选用的聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、多晶硅等材料，其器件的结构更加稳定，寿命更长，不易热变形。

本发明采用lift-off工艺制备图形化镍基合金上电极，结合自对准工艺，减少了刻蚀步骤，简化工艺操作；基于自对准工艺，直接用图案化的上电极做掩膜，采用干刻蚀法刻蚀下层振膜绝缘层，节省了掩膜的制备，简化工艺操作。

选用金或金合金作为电极触点的材料，电极触点的导电、导热性能好，化学稳定性好，不易氧化，电阻小而稳定，电极触点的引线孔直径远大于金丝球焊焊丝直径，金丝球焊可直接引出电极触点，避免了传统MEMS工艺中的电极爬坡、刻蚀步骤。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求范围内的所有技术方案。

Claims (10)

1.一种振膜带孔的电容式麦克风，包括衬底(1)、复合振膜和背极板(2)，所述衬底(1)为硅片，所述背极板(2)位于衬底(1)上方，所述复合振膜位于背极板(2)上方，所述复合振膜与背极板之间设有振荡空腔(10)，其特征在于，所述复合振膜包括振膜绝缘层(4)和上电极(5)，所述上电极(5)位于振膜绝缘层(4)的上层，所述复合振膜设有若干声学孔(9)，所述上电极(5)材料和/或背极板(2)材料为镍基合金。

2.根据权利要求1所述的一种振膜带孔的电容式麦克风，其特征在于，还包括牺牲层(3)，所述牺牲层(3)位于所述背极板(2)和所述复合振膜之间。

3.根据权利要求2所述的一种振膜带孔的电容式麦克风，其特征在于，所述牺牲层(3)厚度为1μm～10μm。

4.根据权利要求1所述的一种振膜带孔的电容式麦克风，其特征在于，所述镍基合金为镍铜合金或镍铬钼合金。

5.根据权利要求1所述的一种振膜带孔的电容式麦克风，其特征在于，所述振膜绝缘层(4)厚度为0.2μm～3μm。

6.根据权利要求1所述的一种振膜带孔的电容式麦克风，其特征在于，所述上电极(5)厚度为0.2μm～1μm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的一种振膜带孔的电容式麦克风，其特征在于，所述上电极(5)至少一边的边缘与背极板(2)的边缘不齐平。

8.一种振膜带孔的电容式麦克风制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将硅片衬底(1)正面和背面进行热氧处理，使双面形成二氧化硅保护层(6)；

2)在上层二氧化硅上淀积一层镍基合金薄膜形成背极板(2)；

3)在背极板(2)上层淀积一层牺牲层(3)；

4)在牺牲层(3)上层淀积一层振膜绝缘层(4)；

5)在顶层振膜绝缘层(4)上采用lift-off工艺制备图形化镍基合金上电极(5)，上电极(5)和振膜绝缘层(4)形成复合振膜，上电极(5)至少一边的边缘与背极板(2)的边缘不齐平；

6)用镍基合金上电极(5)做掩膜，采用干刻蚀法刻蚀下层振膜绝缘层(4)，形成声学孔(9)；

7)刻蚀牺牲层(3)，形成振荡空腔(10)和电极触点引线孔(11)；所述电极触点引线孔(11)直径大于金丝球焊焊丝直径；

8)采用金丝球焊通过电极触点引线孔(11)在背极板(2)上制备第一电极触点(7)，在上电极(5)上直接制备第二电极触点(8)，并分别从第一电极触点(7)和第二电极触点(8)引出电极。

9.根据权利要求8所述的一种振膜带孔的电容式麦克风制造方法，其特征在于，所述牺牲层(3)材料为二氧化硅，所述振膜绝缘层(4)材料为氮化硅。

10.根据权利要求8所述的一种振膜带孔的电容式麦克风制造方法，其特征在于，所述牺牲层(3)材料为氮化硅，所述振膜绝缘层(4)材料为二氧化硅。

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