CN111403862A - 应用于5g通信的陶瓷介质波导滤波器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，包括陶瓷本体，所述陶瓷本体上设有第一谐振腔和第二谐振腔，所述第一谐振腔和第二谐振腔之间分别设有用于容性耦合的盲孔结构和用于感性耦合的窗口结构。通过调节盲孔结构的大小可以调节容性耦合的大小，通过调节窗口结构的高低可以调节感性耦合的大小，可总体表现为容性耦合，且可通过调整盲孔结构和窗口结构的大小来灵活调整容性耦合的大小，无需加工深盲孔就可实现弱容性耦合。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器。
背景技术
3G/4G通信时代，基站滤波器的选择多以金属同轴腔体滤波器为主。近年来，随着通信行业的高速发展，5G通信时代已经悄然来临。5G通信的一个核心技术就是MassiveMIMO，然而受限于Massive MIMO对大规模天线集成化的要求，滤波器需要更加小型化和集成化。传统的金属同轴腔体滤波器已经不能满足设计的需求，而陶瓷介质波导滤波器具有Q值高、选频特性好、工作频率稳定性好、插入损耗小和体积小等优点，所以陶瓷波导滤波器有望在5G时代成为主流选择。
在陶瓷介质波导滤波器的设计过程中，容性耦合通常采用深盲孔的结构，深盲孔的容性耦合机制通常可以轻易实现较强的容性耦合，对于弱容性耦合却不容易得到，深盲孔的容性耦合机制只有在盲孔深度特别深的时候才能实现弱容性耦合，但是通常盲孔太深会给加工工艺带来极大的考验，这也限制了陶瓷腔体滤波器设计的灵活性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，无需加工深盲孔就可实现弱容性耦合。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：
一种应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，包括陶瓷本体，所述陶瓷本体上设有第一谐振腔和第二谐振腔，所述第一谐振腔和第二谐振腔之间分别设有用于容性耦合的盲孔结构和用于感性耦合的窗口结构。
进一步的，所述盲孔结构的横截面形状为圆形、椭圆形或矩形。
进一步的，所述窗口结构的横截面形状为矩形或弧形。
进一步的，所述第一谐振腔和第二谐振腔的横截面形状均为圆形。
进一步的，所述陶瓷本体的形状为立方体形。
本发明的有益效果在于：通过调节盲孔结构的大小可以调节容性耦合的大小，通过调节窗口结构的高低可以调节感性耦合的大小，由于两种耦合结构的相位相反，所以第一谐振腔和第二谐振腔之间的耦合是两种耦合绝对值的差值，通常情况下容性耦合的绝对值较大，所以本发明的滤波器可总体表现为容性耦合，且可通过调整盲孔结构和窗口结构的大小来灵活调整容性耦合的大小，无需加工深盲孔就可实现弱容性耦合。
附图说明
图1为本发明实施例一的应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器的整体结构示意图；
图2为本发明实施例一的应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器的耦合量随盲孔结构的深度值的变化曲线。
标号说明：
1、陶瓷本体；11、第一谐振腔；12、第二谐振腔；13、盲孔结构；14、窗口结构。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：在第一谐振腔和第二谐振腔之间分别设置用于容性耦合的盲孔结构和用于感性耦合的窗口结构，可灵活调整容性耦合的大小，无需加工深盲孔就可实现弱容性耦合。
请参照图1，一种应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，包括陶瓷本体1，所述陶瓷本体1上设有第一谐振腔11和第二谐振腔12，所述第一谐振腔11和第二谐振腔12之间分别设有用于容性耦合的盲孔结构13和用于感性耦合的窗口结构14。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：通过调节盲孔结构的大小可以调节容性耦合的大小，通过调节窗口结构的高低可以调节感性耦合的大小，由于两种耦合结构的相位相反，所以第一谐振腔和第二谐振腔之间的耦合是两种耦合绝对值的差值，通常情况下容性耦合的绝对值较大，所以本发明的滤波器可总体表现为容性耦合，且可通过调整盲孔结构和窗口结构的大小来灵活调整容性耦合的大小，无需加工深盲孔就可实现弱容性耦合。此外，本发明的滤波器在一定条件下整体还可以实现感性耦合，这是因为当盲孔结构深度较深的时候，容性耦合会变小，在某一深度的时候容性耦合等于感性耦合，当盲孔结构深度继续增大的时候容性耦合会小于感性耦合(绝对值)，这时候整体表现出来感性耦合。
进一步的，所述盲孔结构13的横截面形状为圆形、椭圆形或矩形。
由上述描述可知，盲孔结构的形状可以根据需要进行选择，为了加工方便，优选为圆形盲孔。
进一步的，所述窗口结构14的横截面形状为矩形或弧形。
由上述描述可知，窗口结构的形状可以根据需要进行选择，为了加工方便，优选其横截面形状为矩形。
进一步的，所述第一谐振腔11和第二谐振腔12的横截面形状均为圆形。
进一步的，所述陶瓷本体1的形状为立方体形。
请参照图1及图2，本发明的实施例一为：
一种应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，包括陶瓷本体1，所述陶瓷本体1上设有第一谐振腔11和第二谐振腔12，所述第一谐振腔11和第二谐振腔12之间分别设有用于容性耦合的盲孔结构13和用于感性耦合的窗口结构14。本实施例中，所述第一谐振腔11和第二谐振腔12的横截面形状均为圆形，所述陶瓷本体1的形状为立方体形。所述盲孔结构13的横截面形状为圆形、椭圆形或矩形，当然不限于列举的这些形状，还可以为其他规则或不规则形状，优选的，所述盲孔结构13的横截面的形状为圆形。所述窗口结构14的横截面形状为矩形或弧形，当然不限于列举的这些形状，还可以为其他规则或不规则形状，优选的，所述窗口结构14的横截面的形状为矩形。
图2为本实施例的陶瓷介质波导滤波器的耦合量随盲孔结构的深度值的变化曲线(左边方框表示容性耦合，右边方框表示感性耦合，Couple-H表示盲孔结构的深度值)，从图中可以看出，滤波器整体先为容性耦合，随着盲孔结构的深度加深，容性耦合量变小，继续加深之后整体表现为感性耦合。
因此，本实施例的陶瓷介质波导滤波器可以灵活调整耦合大小，既可实现弱容性耦合，又可实现感性耦合。
综上所述，本发明提供的一种应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，既可实现弱容性耦合，又可实现感性耦合，其结构简单，易于加工。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (5)
1.一种应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，包括陶瓷本体，所述陶瓷本体上设有第一谐振腔和第二谐振腔，其特征在于，所述第一谐振腔和第二谐振腔之间分别设有用于容性耦合的盲孔结构和用于感性耦合的窗口结构。
2.根据权利要求1所述的应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，其特征在于，所述盲孔结构的横截面形状为圆形、椭圆形或矩形。
3.根据权利要求1所述的应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，其特征在于，所述窗口结构的横截面形状为矩形或弧形。
4.根据权利要求1所述的应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，其特征在于，所述第一谐振腔和第二谐振腔的横截面形状均为圆形。
5.根据权利要求1所述的应用于5G通信的陶瓷介质波导滤波器，其特征在于，所述陶瓷本体的形状为立方体形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010257527.8A CN111403862A (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | 应用于5g通信的陶瓷介质波导滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010257527.8A CN111403862A (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | 应用于5g通信的陶瓷介质波导滤波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111403862A true CN111403862A (zh) | 2020-07-10 |
Family
ID=71436837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010257527.8A Pending CN111403862A (zh) | 2020-04-03 | 2020-04-03 | 应用于5g通信的陶瓷介质波导滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111403862A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11081774B1 (en) * | 2020-03-25 | 2021-08-03 | Universal Microwave Technology, Inc. | Negative coupling structure applied in a dielectric waveguide filter |
-
2020
- 2020-04-03 CN CN202010257527.8A patent/CN111403862A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11081774B1 (en) * | 2020-03-25 | 2021-08-03 | Universal Microwave Technology, Inc. | Negative coupling structure applied in a dielectric waveguide filter |
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