CN111384575A - 一种介质滤波器、通信设备、介质谐振器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种介质滤波器、通信设备、介质谐振器及其制备方法，该介质谐振器包括：介质本体，设置有至少一个盲孔；金属层，覆盖在介质本体的表面上；第一螺母，设置在盲孔内；第一调节螺杆，通过第一螺母设置在盲孔内；其中，所述介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。本申请能够减小介质谐振器的厚度，进而减小介质谐振器的体积。

Description

一种介质滤波器、通信设备、介质谐振器及其制备方法

技术领域

本申请涉及通信的技术领域，涉及一种应用于5G通信系统的介质滤波器、通信设备、介质谐振器及其制备方法。

背景技术

目前无线通信技术快速发展，无线通信系统需要高性能介质滤波器，介质滤波器的主要性能是选频和滤波。在5G通信系统中，由于收发信道数量由原来4G通信系统的8个增加到64甚至128个，因此5G通信系统的介质滤波器具有小型化、高性能等特点。

本申请的发明人在长期的研发工作中发现，现有介质滤波器包括介质本体、盖板、螺钉和螺母，介质本体设置有盲孔，盖板安装在介质本体设置盲孔的表面上，盖板设置有与盲孔对应的通孔，螺母设置在通孔内，螺钉通过通孔伸入盲孔，由于该介质滤波器需要在介质本体上设置盖板以及凸出盖板的螺钉和螺母，因此导致介质滤波器的厚度增加。

发明内容

为了解决现有技术的介质滤波器存在的上述问题，本申请提供一种应用于5G通信系统的介质滤波器、通信设备、介质谐振器及其制备方法。

为解决上述问题，本申请实施例提供了一种介质谐振器，其包括：

介质本体，设置有至少一个盲孔；

金属层，覆盖在所述介质本体的表面上；

第一螺母，设置在所述盲孔内；

第一调节螺杆，通过所述第一螺母设置在所述盲孔内；其中，所述介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。

为解决上述技术问题，本发还提供一种制备介质谐振器的方法，所述方法包括：

提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料；

添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；

将所述一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；

粉碎所述陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；

将所述二次球磨得到的料浆烘干；

将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；

在与所述介质谐振器的形状匹配的模具中干压成型；以及

去除粘结剂并再次烧结，以得到所述介质本体；

在所述介质本体的表面上覆盖金属层，以得到所述介质谐振器。

为解决上述技术问题，本发还提供一种介质滤波器，其包括至少两个上述的介质谐振器，相邻的两个所述介质谐振器之间设置有耦合结构。

为解决上述技术问题，本发还提供一种通信设备，其包括天线及上述的介质滤波器，所述天线与所述介质滤波器耦接。

与现有技术相比，本申请的介质谐振器至少包括介质本体、金属层、第一螺母和第一调节螺杆，第一螺母设置在盲孔内，第一调节螺杆通过第一螺母设置在盲孔内，避免第一螺母和第一调节螺杆凸出于介质本体，减小介质谐振器的厚度，进而减小介质谐振器的体积；此外，所述介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛，具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数，能够改善的介质谐振器的介电性能。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请第一实施例的介质谐振器的结构示意图；

图2是图1中第一螺母设置在第一孔段内的结构示意图；

图3是图1中第一螺母设置在第一承载台上的结构示意图；

图4是本申请第二实施例的介质谐振器的结构示意图；

图5是图4中第一调节螺杆的结构示意图；

图6是本申请第三实施例的介质谐振器的结构示意图；

图7是本申请第四实施例的介质谐振器的结构示意图；

图8是本申请第五实施例的介质谐振器的结构示意图；

图9是图8中介质谐振器的其他实施例的结构示意图；

图10示例性地示出了本申请提供的陶瓷的微波介电性能的测试结果；

图11是本申请第一实施例的制备介质谐振器的方法的流程示意图；

图12是本申请第一实施例的介质滤波器的结构示意图；

图13是本申请第一实施例的通信设备的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例，例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

请参见图1所示，图1是本申请第一实施例的介质谐振器的结构示意图。本申请的介质谐振器10应用于5G通信系统，该介质谐振器10包括介质本体11、金属层12、第一螺母131和第一调节螺杆141。

其中，介质本体11设置有至少一个盲孔111，盲孔111沿介质本体11的表面向介质本体11的内部延伸。具体地，介质本体11可以设置一个盲孔111，以使得介质本体11的结构产生改变，以使在介质本体11内的电磁场产生改变，进而可以改变介质谐振器10的频率。该盲孔111可以从介质本体11的表面向介质本体11的内部进行垂直延伸；在其他实施例中，盲孔111可以通过其他延伸方式从介质本体11的表面向介质本体11的内部延伸，例如弓字形延伸。

金属层12覆盖在介质本体11的表面上，金属层12的切线电场为零，因此金属层12用于将电磁场限制在介质本体11内，以形成驻波振荡。金属层12的材料可以为银、铜、铝、钛或金等金属材料；例如：金属层12的材料可以为银，将银浆通过电喷在介质本体11的表面上，以在介质本体11的表面上形成金属层12；或者，金属层12的材料可以为金属薄膜，如银薄膜，通过电焊将银薄膜焊接在介质本体11的表面上，以在介质本体11的表面上形成金属层12。

其中，第一螺母131设置在盲孔111内，如图1所示，即第一螺母131可以通过电焊或者粘胶等方式固定在盲孔111的侧壁上。第一调节螺杆141通过第一螺母131设置在盲孔111内，即第一调节螺杆141相对于第一螺母131转动，以调整第一调节螺杆141在盲孔111的长度。

如图2所示，盲孔111的轴线A可以为盲孔111的中心线。盲孔111至少包括沿轴线A设置的第一孔段112和第二孔段113，第一孔段112垂直于轴线A的横截面积大于第二孔段113垂直于轴线A的横截面积，即盲孔111沿着轴线A的截面形状可以为阶梯形状。在其他实施例中，盲孔111沿着轴线A可以设置其他数量的孔段，例如3个孔段、5个孔段。由于第一孔段112垂直于轴线A的横截面积大于第二孔段113垂直于轴线A的横截面积，因此第一孔段112和第二孔段113的连接处形成第一承载台115。

第一螺母131设置在第一孔段112内，第一螺母131可以设置在第一承载台115的上方，即第一螺母131可以通过电焊或者粘胶等方式固定在第一孔段112的侧壁上。第一调节螺杆141通过第一螺母131设置在盲孔111内，即第一调节螺杆141相对于第一螺母131转动，以调整第一调节螺杆141在第二孔段113的长度。

在其他实施例中，如图3所示，第一螺母131可以设置在第一承载台115上，第一螺母131可以通过电焊或者粘胶等方式固定在第一承载台115上。

第一螺母131垂直于轴线A的横截面积可以等于或者小于第一孔段112的横截面积，第一螺母131的横截面的形状可以和第一孔段112的横截面的形状相同，例如第一螺母131的横截面的形状为六角形或者圆形。在其他实施例中，第一螺母131的横截面的形状和第一孔段112的横截面的形状不相同，例如第一孔段112的横截面的形状为圆形，第一螺母131的横截面的形状为六角形。

本实施例可以分别调整第一孔段112的横截面积和第二孔段113的横截面积，以实现调整介质谐振器10的参数。在第一孔段112的横截面积和第二孔段113的横截面积为固定值时，需要通过第一调节螺杆141调节介质谐振器10的参数。其中，第一调节螺杆141位于第二孔段113内的长度越长，介质谐振器10的谐振频率越低；第一调节螺杆141位于第二孔段113内的长度越短，介质谐振器10的谐振频率越高。

为了避免电磁场从第一孔段112泄露出去，金属层12进一步覆盖第一孔段112。由于需要调节第一调节螺杆141位于第二孔段113内的长度，因此第二孔段113无需覆盖金属层12。

本实施例的介质谐振器10至少包括介质本体11、金属层12、第一螺母131和第一调节螺杆141，介质本体11设置有一盲孔111，盲孔111至少包括沿轴线A设置的第一孔段112和第二孔段113，第一螺母131设置在第一孔段112内，第一调节螺杆141通过第一螺母131设置在盲孔111内，避免第一螺母131和第一调节螺杆141凸出于介质本体11，减小介质谐振器10的厚度，进而减小介质谐振器10的体积。

本申请提供第二实施例的介质谐振器，其在第一实施例的介质谐振器10基础上进行描述。如图4所示，介质谐振器的第一调节螺杆241包括沿轴线A设置的第一杆段242和第二杆段243，第一杆段242垂直于轴线A的横截面积小于第二杆段243垂直于轴线A的横截面积。相对于等径的调节螺杆，本实施例将第二杆段243的横截面积设置大于第一杆段242的横截面积，进而减小第二杆段243与第二孔段113之间的间隙，可以减小电磁场的泄露。

如图5所示，第一调节螺杆241表面的材料可以为金属材料，具体可以为银、铜、铝、钛或金等金属材料，以防止介质谐振器10内的电磁场通过第一调节螺杆241泄露，提高介质谐振器的性能。进一步，第一调节螺杆241的其他区域的材料可以为非金属材料，例如塑料等。与现有的调节螺杆全部由金属材料制成相对比，本申请的第一调节螺杆241的表面的材料为金属材料，其他区域为非金属材料，以降低成本。

其中，第二杆段243垂直于轴线A的横截面积可以等于第二孔段113垂直于轴线A的横截面积，能够进一步减小第二杆段243与第二孔段113之间的间隙，可以避免介质谐振器的电磁场的泄露。

第一杆段242设置有螺纹，第二杆段243可以采用光滑设计，即第二杆段243的外表面光滑，以使得第二杆段243与第二孔段113紧密配合，能够避免第一调节螺杆241的螺纹对盲孔111的内壁产生磨损，改善介质滤波器的性能指标。

此外，第一杆段242可以部分设置有螺纹，即第一杆段242靠近第一螺母131的一端设置螺纹，第一杆段242靠近第二杆段243的一端采用光滑设计，进而保证第一杆段242的螺纹不会伸入第二孔段113。

本申请提供第三实施例的介质谐振器，如图6所示，介质谐振器的盲孔111进一步包括第三孔段114，第二孔段113垂直于轴线A的横截面积大于所述第三孔段114垂直于轴线A的横截面积，因此第二孔段113和第三孔段114的连接处形成第二承载台116。

其中，介质谐振器进一步包括第二螺母132和第二调节螺杆142，第二螺母132设置在第二承载台116上，第二调节螺杆142通过第二螺母132设置在盲孔111内，其中，第二螺母132和上述第一螺母131相同，第二调节螺杆142和上述第一调节螺杆141相同，在此不再赘述。

在介质谐振器装配过程中，首先将第二螺母132设置在第二承载台116上，第二调节螺杆142通过第二螺母132设置在盲孔111内，并调节第二调节螺杆142；然后将第一螺母131设置在第一承载台115上，第一调节螺杆141通过第一螺母131设置在盲孔111内，并调节第一调节螺杆141。

本申请提供第四实施例的介质谐振器，如图7所示，第一孔段112设置有第一螺纹1121，第二孔段113设置有第二螺纹1131，第三孔段114设置有第三螺纹1141，介质谐振器进一步包括第一调节螺杆731、第二调节螺杆732和第三调节螺杆733，第三调节螺杆733通过第三螺纹1141设置在第三孔段114内，第二调节螺杆732通过第二螺纹1131设置在第二孔段113内，第一调节螺杆731通过第一螺纹1121设置在第一孔段112内。

在介质谐振器装配过程中，首先将第三调节螺杆733通过第三螺纹1141设置在第三孔段114内，调整第三调节螺杆733的位置；然后将第二调节螺杆732通过第二螺纹1131设置在第二孔段113内，调整第二调节螺杆732的位置；最后将第一调节螺杆731通过第一螺纹1121设置在第一孔段112内，并调整第一调节螺杆731的位置。

相对于上述实施例的介质谐振器，本实施例的介质谐振器无需额外设置螺母，能够降低介质谐振器的成本。

本申请提供第五实施例的介质谐振器，如图8所示，至少一个盲孔111包括第一盲孔117和第二盲孔118，其中第一盲孔117的尺寸与第二盲孔118的尺寸不相等。第一盲孔117和第二盲孔118可以为上述实施例所揭示的盲孔111，在此不再赘述。

其中，第一盲孔117和第二盲孔118可以设置在介质本体11的同一表面上。通过设置第一盲孔117垂直于轴线A的截面面积和第二盲孔118垂直于轴线A的截面面积，以调整介质谐振器的谐振频率。

在其他实施例中，如图9所示，第一盲孔117设置在介质本体11的第一表面，第二盲孔118设置在介质本体11的第二表面，其中介质本体11的第一表面与介质本体11的第二表面相对设置。

上述实施例所揭示的介质谐振器的材料可以为陶瓷，该陶瓷可以包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。即该陶瓷材料主要由上述组分组成，可以理解，该陶瓷材料还可以含有少量或微量的其他物质。

在一些实施例中，碳酸锶在其中所占的摩尔百分比为48％～62％。

在一些实施例中，三氧化二钐在其中所占的摩尔百分比为10％～24％。

在一些实施例中，三氧化二铝在其中所占的摩尔百分比为10％～24％。

在一些实施例中，二氧化钛在其中所占的摩尔百分比为4％～18％。

其中，摩尔百分比指的是物质的量的百分比。例如将1mol的物质A与4mol的物质B混合后，物质A的摩尔百分比等于1/(1+4)＝20％，而物质B的摩尔百分比等于4/(1+4)＝80％。

该陶瓷的化学组成可以表示为aCaCO₃-bSm₂O₃-cAl₂O₃-dTiO₂，其中a、b、c和d的比例为0.48～0.62:0.1～0.24:0.1～0.24:0.04～0.18。例如，若将a、b、c和d的值分别取为0.5、0.2、0.2和0.1，则该陶瓷的化学组成可表示为0.5CaCO₃-0.2Sm₂O₃-0.2Al₂O₃-0.1TiO₂。当然，a、b、c和d的取值还可以取该范围内的其他值。通过改变该陶瓷的各化学组分之间的比例，可以对该陶瓷的微波介电性能进一步进行调整。

在一些实施例中，该陶瓷还可包括改性添加剂，即能够改善该陶瓷性能的添加剂。应当理解，该改性添加剂不一定为液态，也可以为固态等形式。具体地，该改性添加剂可以Ta₂O₅、Bi₂O₃或SiO₂中的一个或多个的组合，也就是说，该改性添加剂可只包括Ta₂O₅、Bi₂O₃或SiO₂中的一种，也可以包括其中的两种或三种。可选地，该改性添加剂的占比可以为0.01mol％～1mol％。也就是说，该改性添加剂占整个材料的摩尔数的百分比为0.01％～1％。

根据测试结果，该陶瓷的介电常数为18～22，Q*f值为43000～76000GHz，温度系数为-11～+23ppm/℃。例如，采用网络分析仪(Agilent5071C)在6.5GHz的测试频率下测试该陶瓷的微波介电性能，得到该陶瓷的微波介电性能为：介电常数ε_r＝18～22，介电损耗Q*f＝43000～76000GHz，温度系数τ_f＝-11～+23ppm/℃。图10示例性地示出了本申请提供的陶瓷的微波介电性能的测试结果。

本申请提供的陶瓷主要由碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛组成，其具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数。因此，通过实施本申请提供的陶瓷具有改善的微波介电性能。

本申请进一步提供第一实施例的制备介质谐振器的方法，上述实施例所揭示介质谐振器均采用该制备介质谐振器的方法制成，如图11所示，该方法包括以下步骤：

S201：提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料。

在一些实施例中，对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料可以是对应金属元素的氧化物或碳酸盐。其中，金属元素的氧化物直接与待制备的介质谐振器的组分对应，而一些金属元素的碳酸盐可在受热等情况下转变为该金属元素的氧化物，因此同样可以作为原料。在另一些实施例中，该原材料还可以是对应金属元素的醇化物，在这种情况下可使用适当的化学处理方法将该金属的醇化物转化为所需要的氧化物。其具体方法为本领域内的习知技术，在此不再赘述。

本实施例中，对应碳酸锶的原材料的摩尔百分比为48％～62％，对应三氧化二钐的原材料的摩尔百分比为10％～24％，对应三氧化二铝的原材料的摩尔百分比为10％～24％，对应二氧化钛的原材料的摩尔百分比为4％～18％。应当理解，上述摩尔百分比是指除去原材料中的杂质后的摩尔百分比。

本实施例中，可按照该介质谐振器的各组分的占比准备原材料。在已知各组分的摩尔百分比的情况下，可根据各组分的分子量、原材料的纯度等参数计算得到所需要的原材料的质量。根据各组分所需的摩尔数和分子量计算各组分所需的质量，再根据各组分所需的质量和上述原材料的纯度计算得到所需的原材料的质量。这样就可以根据计算得到的结果准备相应重量的原材料。

在一些实施例中，还可向原材料中添加改性添加剂。该改性添加剂可以为Ta₂O₅、Bi₂O₃或SiO₂中的一个或多个。改性添加剂占所有原材料的总摩尔数的比例可为0.01％～0.1％。

S202：添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨。

在步骤S202中，可选用去离子水、酒精、丙酮等作为有机溶剂，选用锆球、玛瑙球等作为磨球，选用陶瓷、聚氨酯或尼龙等材质的磨罐，并采用行星磨、搅拌磨、滚磨、振动磨等方式进行一次球磨。其中，为了提高球磨的效果还可添加适当的分散剂或者调节料浆的PH值。

在一些实施例中，可以使用去离子水作为有机溶剂，并使用氧化锆磨球或玛瑙磨球，将称量好的原材料装入聚氨酯球磨罐内并加入有机溶剂和磨球进行混合。在步骤S202中，将准确称量的各原料倒入球磨罐内，加入去离子水和ZrO₂磨球，使原材料、磨球和去离子水的重量比为1:2～4:1～2(例如，1:3:1.5或1:2:1.5)，并球磨20～30小时(例如，24～26小时)。

S203：将一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体。

将球磨后的材料混合均匀后出料并烘干，例如，可在100～120℃条件下将材料烘干。

球磨结束并烘干后得到的混合物需要在一定温度下煅烧以合成陶瓷体，其煅烧温度及保温时间取决于所对应的配方。例如，在本实施例中，可将球磨后烘干的料浆放入氧化铝坩埚内，在1100～1300℃下煅烧1～5小时(例如，2～4小时)以合成陶瓷体。

S204：粉碎陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨。

将合成好的上述陶瓷体用粉碎。本申请对粉碎的方法不作限制，例如，可以使用研体将其研碎。在一些实施例中，还可将粉碎后的陶瓷体过筛(例如，过40目筛)。

将粉碎后的陶瓷体再次倒入球磨罐中进行二次球磨，二次球磨的过程可与一次球磨的过程类似。例如，可保持料、磨球和去离子水的比例不变，并对粉碎后的陶瓷体二次球磨20～30小时(例如，24～26小时)。应当理解，二次球磨的过程也可与一次球磨不同，例如，二次球磨的时间可小于(或大于)一次球磨的时间，或者二次球磨时料、磨球和去离子水的比例可与一次球磨不同，例如可以为1:2:1.5。

S205：将二次球磨得到的料浆烘干。

类似得，可将球磨后的材料混合均匀后出料并烘干。在一些实施例中，还可将烘干后的料浆过筛(例如，过40目筛)。

S206：将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒。

在一些实施例中，粘结剂可选用5wt％～11wt％(例如5wt％～8wt％)的聚乙烯醇溶液(即该粘结剂中聚乙烯醇的质量百分比为5％～11％)。粘结剂可占混合后的浆料的总质量的10％～15％。

在一些实施例中，还可将造粒好的粉料过筛(例如，过40目筛)。

S207：在与介质谐振器的形状匹配的模具中干压成型。

具体地，将造粒后的粉料放入与介质谐振器的形状匹配的模具中，并在适当的压力下干压成型，例如，可在100～150MPa的压力下将粉料干压成型。

在此步骤中，模具的形状可根据需要选取，例如，如需要进行测试，则可选用测试专用的模具，将粉料干压成型为

的圆片，以方便测试。应当理解，该模具的形状和尺寸可根据需要任意选取，在此不做限定。

S208：去除粘结剂并再次烧结，以得到介质本体。

可选用适当的温度进行保温处理，从而将步骤S206中引入的粘结剂去除，而后再次烧结从而最终得到所需的介质本体。具体地，本实施例中，可将成型后的材料在550～650℃下保温1～3小时，然后在1400～1600℃(例如1450～1550℃)下烧结1～5小时(例如2～4小时)。这样，就可以去除步骤S206中添加到材料中的粘结剂，并得到所需要的形状的介质本体。

S209：在介质本体的表面上覆盖金属层，以得到介质谐振器。

其中，在介质本体的表面上覆盖金属层，将电磁场限制在介质本体内，防止电磁信号泄露。该金属层的材料可以是银、铜、铝、钛、锡或金等金属材料，并且可以采用电镀、喷浆或焊接等方式在介质本体的表面上覆盖金属层。

本申请进一步提供第一实施例的介质滤波器，如图11所示，介质滤波器80应用于5G通信系统，该介质滤波器80包括至少两个介质谐振器81，其中至少两个介质谐振器81的介质本体一体成型，以提高介质滤波器80的制造效率。该介质谐振器81可以为上述实施例所揭示的介质谐振器，在此不再赘述。

相邻的两个介质谐振器81之间设置有耦合结构82，耦合结构82用于连接相邻的两个介质谐振器81。其中，相邻的两个介质谐振器81之间设置有第三盲孔821，第三盲孔821的结构与上述盲孔111的结构相同，在此不再赘述。

第三盲孔821可以用于调试耦合结构82的耦合参数，例如耦合参数可为耦合带宽。介质滤波器80进一步包括调节螺杆84，该调节螺杆84可以包括上述实施例的第一调节螺杆、第二调节螺杆或第三调节螺杆，在此不再赘述。

本申请进一步提供第一实施例的通信设备，如图12所示，通信设备100应用于5G通信系统，该通信设备100包括天线101和介质滤波器102，天线101与介质滤波器102耦接，该介质滤波器102为上述实施例所揭示的介质滤波器，在此不再赘述。该通信设备100可以为用于5G通信系统的基站或者终端，该终端具体可以为手机、平板电脑、具有5G通信功能的可穿戴设备等。

需要说明的是，以上各实施例均属于同一发明构思，各实施例的描述各有侧重，在个别实施例中描述未详尽之处，可参考其他实施例中的描述。

以上对本申请实施例所提供的保护电路和控制系统进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种介质谐振器，其特征在于，所述介质谐振器至少包括：

介质本体，设置有至少一个盲孔；

金属层，覆盖在所述介质本体的表面上；

第一螺母，设置在所述盲孔内；

第一调节螺杆，通过所述第一螺母设置在所述盲孔内；其中，所述介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。

2.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述碳酸锶所占摩尔百分比为48％～62％，所述三氧化二钐所占摩尔百分比为10％～24％，所述三氧化二铝所占摩尔百分比为10％～24％，所述二氧化钛所占摩尔百分比为4％～18％。

3.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述盲孔还包括沿所述盲孔的轴线设置的第一孔段和第二孔段，所述第一孔段垂直于所述轴线的横截面积大于所述第二孔段垂直于所述轴线的横截面积，所述第一螺母设置在所述第一孔段内。

4.根据权利要求3所述的介质谐振器，其特征在于，所述第一孔段和所述第二孔段的连接处形成第一承载台，所述第一螺母设置在所述第一承载台上，所述金属层覆盖所述第一孔段；

所述第一调节螺杆包括沿所述轴线设置的第一杆段和第二杆段，所述第一杆段垂直于所述轴线的横截面积小于所述第二杆段垂直于所述轴线的横截面积；

所述第二杆段垂直于所述轴线的横截面积等于所述第二孔段垂直于所述轴线的横截面积，所述第二杆段采用光滑设计，所述第一杆段部分设置有螺纹。

5.根据权利要求3所述的介质谐振器，其特征在于，所述盲孔进一步包括第三孔段，所述第二孔段垂直于所述轴线的横截面积大于所述第三孔段垂直于所述轴线的横截面积。

6.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述至少一个盲孔包括第一盲孔和第二盲孔，所述第一盲孔的尺寸与所述第二盲孔的尺寸不相等。

7.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述介质谐振器的材料的化学组成为aCaCO₃-bSm₂O₃-cAl₂O₃-dTiO₂，其中a、b、c和d的比例为0.48～0.62:0.1～0.24:0.1～0.24:0.04～0.18；

所述介质谐振器的材料进一步包括改性添加剂，所述改性添加剂所占摩尔百分比为0.01％～1％，所述改性添加剂为Ta₂O₅、Bi₂O₃或SiO₂中的一个或多个的组合。

8.一种制备介质谐振器的方法，其特征在于，所述方法用于制备如权利要求1-7所述的介质谐振器，所述方法包括：

提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料；

添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；

将所述一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；

粉碎所述陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；

将所述二次球磨得到的料浆烘干；

将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；

在与所述介质谐振器的形状匹配的模具中干压成型；以及

去除粘结剂并再次烧结，以得到所述介质本体；

在所述介质本体的表面上覆盖金属层，以得到所述介质谐振器。

9.一种介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括至少两个如权利要求1-7任意一项所述的介质谐振器，相邻的两个所述介质谐振器之间设置有耦合结构。

10.一种通信设备，其特征在于，所述通信设备包括天线及如权利要求9所述的介质滤波器，所述天线与所述介质滤波器耦接。

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