CN111384517A - 一种介质滤波器、通信设备、介质谐振器及制备方法 - Google Patents

一种介质滤波器、通信设备、介质谐振器及制备方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了介质滤波器、通信设备、介质谐振器及制备方法。该介质谐振器包括：介质本体；覆盖在介质本体表面的金属层；调谐组件，介质本体设置有盲孔，调谐组件设置在盲孔内，用于调节介质谐振器的参数；其中，介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。通过这种方式，能够减少介质谐振器的有效尺寸，同时能够实现对介质谐振器谐振频率的调节；且本申请实施例介质谐振器具有改善的微波介电性能。

Description

一种介质滤波器、通信设备、介质谐振器及制备方法
技术领域
本申请涉及通信技术领域，特别是涉及一种应用于5G通信系统的介质滤波器、通信设备、介质谐振器及制备方法。
背景技术
随着通信技术的突飞猛进，特别是5G通信时代，对通信系统架构提出了更为苛刻技术要求，在实现高效、大容量通信的同时，系统模块必须要做到高度集成化、小型化、轻量化、低成本，如5G Massive MIMO技术为实现系统信道需要从目前的8或者16信道，进一步扩展为32、64甚至128信道的同时，要求系统整机架构尺寸不能过大，甚至还需实现一定程度的小型化。
滤波器作为通信系统的核心部件，其性能参数、尺寸大小、成本优劣均对系统的性能、架构尺寸、成本造成较大的影响，特别是上述MIMO系统因采用更多的滤波器集成应用、或者微基站(Small Cells)对架构尺寸的特殊要求，均需要小型化滤波器来匹配系统设计，故如何使滤波器尺寸小型化、微型化、便于系统集成化及成本最优化，是滤波器产品最为迫切需要解决的问题。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种介质滤波器、通信设备、介质谐振器及制备方法，以解决上述问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的一技术方案是：提供一种介质谐振器，该介质谐振器包括：介质本体；覆盖在介质本体表面的金属层；调谐组件，介质本体设置有盲孔，调谐组件设置在盲孔内，用于调节介质谐振器的参数；其中，介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。
为解决上述技术问题，本申请采用的一技术方案是：提供一种制备介质谐振器的方法，该方法用于制备上述的介质谐振器，该方法包括：提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料；添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；将一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；粉碎陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；将二次球磨得到的料浆烘干；将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；在与介质谐振器的形状匹配的模具中干压成型；以及去除粘结剂并再次烧结，以得到介质本体；在介质本体的表面上覆盖金属层，以得到介质谐振器。
为解决上述技术问题，本申请采用的一技术方案是：提供一种介质滤波器，该介质滤波器包括至少两个上述介质谐振器；至少两个介质谐振器的介质本体一体成型。
为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种通信设备，该通信设备包括通信设备包括天线及上述介质滤波器，天线与介质滤波器耦接。
本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请实施例介质谐振器包括：介质本体；覆盖在介质本体表面的金属层；调谐组件，介质本体设置有盲孔，调谐组件设置在盲孔内，用于调节介质谐振器的参数；其中，介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。通过这种方式，本申请实施例介质谐振器采用实心的介质本体作为谐振腔，能够对微波波长产生明显的压缩效应，同时在介质本体上的盲孔中设置调谐组件，能够对介质本体内的电磁场进行压缩，可以有效压缩谐振腔的有效尺寸，减少介质谐振器的体积，同时本申请实施例还能通过调谐组件对介质谐振器的谐振频率进行调节；此外，介质滤波器的材料主要由碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛组成，其具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数，因此，本申请实施例介质谐振器具有改善的微波介电性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请介质谐振器第一实施例的结构示意图；
图2是图1实施例介质谐振器沿AA剖面后的结构示意图；
图3是图1实施例介质谐振器中介质本体的结构示意图；
图4是图3实施例介质本体沿BB剖面后的结构示意图；
图5是图1实施例介质谐振器中调谐组件的结构示意图；
图6是图5实施例调谐组件中螺套的结构示意图；
图7是本申请介质谐振器第二实施例的结构示意图；
图8是本申请介质谐振器的制备方法一实施例的流程示意图；
图9是本申请介质滤波器一实施例的结构示意图；
图10是本申请通信设备一实施例的结构示意图；
图11是本申请介质谐振器的材料的微波介电性能的测试结果。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例，例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本申请介质谐振器、介质滤波器及通信设备可以用于5G通信。
本申请首先提出一种介质谐振器，如图1-图6所示，图1是本申请介质谐振器第一实施例的结构示意图；图2是图1实施例介质谐振器沿AA剖面后的结构示意图；图3是图1实施例介质谐振器中介质本体的结构示意图；图4是图3实施例介质本体沿BB剖面后的结构示意图；图5是图1实施例介质谐振器中调谐组件的结构示意图；图6是图5实施例调谐组件中螺套的结构示意图。本实施例介质谐振器101包括：介质本体102、金属层103及调谐组件104，其中，金属层103覆盖在介质本体102的表面；介质本体102设置有盲孔105，调谐组件104设置在盲孔105内，用于调节介质谐振器101的参数。
其中，盲孔105沿介质本体102的表面向介质本体102的内部延伸。本实施例的盲孔105的截面形状成圆形。在其它实施例中，盲孔的截面形状成还可以是方形或者菱形等。
其中，本实施例的介质本体102的材料为陶瓷材料。在其它实施例中，介质本体的材料为还可以是其它具有高介电常数和低损耗等性能的材料，如玻璃、石英晶体或者钛酸盐等。
因介质本体102上设置有盲孔105，从而改变了介质本体102的介质结构，介质本体102结构的改变，会导致电磁场在介质谐振器101内及由介质谐振器101组成的介质滤波器(可参见下述实施例介质滤波器)内的分布发生变化，而电磁场在介质谐振器101内的分布变化会改变介质谐振器101及介质滤波器的谐振频率等滤波参数。
其中，金属层103用于将电磁场限制在介质本体102内，能够防止电磁信号泄露，以在介质本体102内形成驻波振荡信号。金属层103具体可以通过电镀、喷浆或焊接等方式覆盖在介质本体102的表面。金属层103的材料可以是银、铜、铝、钛或金等。
区别于现有技术，本实施例介质谐振器101采用实心的介质本体102作为谐振腔，能够对微波波长产生明显的压缩效应，同时在介质本体102上的盲孔105中设置调谐组件104，能够对介质本体102内的电磁场进行压缩，可以有效压缩谐振腔的有效尺寸，同时本实施例还能通过调谐组件104对介质谐振器101的谐振频率进行调节。
可选地，本实施例的调节组件104包括螺套106和调节螺杆107，螺套106设置在盲孔105内，调节螺杆107设置在螺套106内。
其中，螺套106的内壁上设置有第一螺纹，调节螺杆107表面的第二螺纹与第一螺纹配合使用，能够调节调节螺杆107在盲孔中的深度，以调节介质谐振器101的谐振频率；同时，能将调节螺杆107固定在螺套106内。
其中，盲孔105、螺套106和调节螺杆107同轴设置。
其中，调节螺杆107可以是自锁螺杆。在其它实施例中，调节螺杆还可以是普通型螺杆、渐变型螺杆或稍钉型螺杆等，调节螺杆的形状及尺寸应与螺套匹配。若调节螺杆不是具有自锁结构，可以采用点胶方式与螺套锁定。
可选地，本实施例的盲孔105包括载台201，螺套106包括凸台301，载台201用于承载凸台202。
其中，载台201的表面覆盖有金属层103。本实施例可以通过将凸台301与载台201的表面覆盖的金属层103进行焊接，能够将凸台301定位且固定在载台201上，以将螺套106固定在盲孔105内。
当然，在其它实施例中，盲孔与螺套还可以采用其它结构或其它固定方式。例如，盲孔的内壁设置螺纹，螺套的外壁设置螺纹，二者配合，以将螺套与盲孔固定，或者盲孔及螺套无需设置特征的固定结构，通过导电胶将二者粘贴固定。
可选地，载台201与盲孔105同轴设置，即盲孔105呈T型。当然，在其它实施例中，载台的侧壁还可以层阶梯形等。
其中，载台201的直径大于凸台202的直径，载台201的深度大于凸台202的深度，以使载台201能容纳凸台202。
需要注意的是，本实施例的盲孔105的内壁未设置金属层103，为避免介质本体102内的电磁信号从盲孔105泄露，需要将盲孔105与螺套106无缝隙连接，或者盲孔105与螺套106之间的缝隙小于该电磁信号波长的四分之一。
其中，本实施例的盲孔105的深度大于螺套106的深度，且螺套106靠近介质本体102表面的一端与盲孔105靠近介质本体102表面的一端平齐，这种设置方式，能减少介质谐振器101的厚度，有利于小型化。当然，在其它实施例中，螺套靠近介质本体表面的一端还可以低于盲孔。为避免电磁信号泄露，盲孔靠近介质本体表面一端未与螺套接触的部分应设置金属层。
可选地，螺套106的深度小于调节螺杆107的深度，即调节螺杆107远离介质本体102的一端突出于螺套106。这种设置方式，能够增加调节螺杆107与介质本体102之间的能量交换，能够提高调节螺杆107对介质谐振器101参数的调节灵敏度。
其中，调节螺杆107位于螺套106内的深度越大，介质谐振器101的谐振频率越低；调节螺杆107位于螺套106内的深度越小，介质谐振器101的谐振频率越高。
其中，本实施例的螺套106为金属螺套，调节螺杆107为金属螺杆，以防止介质谐振器101内的电磁场通过调节螺杆107泄露，提高介质谐振器101的性能。该金属可以为银、铜、铝、钛或金等。
其中，调节螺杆107的表面设置有螺纹，该螺纹可以部分覆盖或者全部覆盖调节螺杆的表面。
在一实施例中，可以通过在调节螺杆的表面敷设金属层来实现金属螺杆。为节省成本，可以只在调节螺杆靠近介质本体表面的一端敷设金属层。
本申请进一步提出第二实施例的介质谐振器，如图7所示，本实施例介质谐振器701与上述介质谐振器101的区别在于：本实施介质谐振器701的介质本体702设置有第一盲孔703及第二盲孔704，第一盲孔703中设置有第一调谐组件，第二盲孔704中设置有第一调谐组件。第一盲孔703及第二盲孔704为上述实施例的盲孔，第一调谐组件及第二调谐组件为上述调谐组件，其结构及原理这里不赘述。
可选地，第一盲孔703的尺寸数据与第二盲孔704的尺寸数据不同。具体地，第一盲孔703的深度大于第二盲孔704的深度。
在另一实施例中，第一盲孔的截面面积大于第二盲孔的截面面积或第一盲孔的截面形状与第二盲孔的截面形状不同。
不同尺寸数据的盲孔对介质本体内的电磁场的影响不同，因此，本实施例可以通过具有不同尺寸数据的第一盲孔及第二盲孔能够分别实现对介质谐振器701的参数的粗调及微调，能够提高参数调试的精准度。
在其它实施例中，盲孔的尺寸数据不限定为盲孔的截面面积、深度及截面形状等。需要注意的是，本申请不限定第一盲孔及第二盲孔的只有一个尺寸参数不同，可以根据实际产品及应用需要在介质本体上设置具有两个或两个以上的不同尺寸数据的盲孔。
上述实施例所揭示的介质谐振器的材料可以为陶瓷，该陶瓷包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。即陶瓷主要由上述组分组成，可以理解，陶瓷还可以含有少量或微量的其他物质。
在一些实施例中，碳酸锶在其中所占的摩尔百分比为48％～62％。
在一些实施例中，三氧化二钐在其中所占的摩尔百分比为10％～24％。
在一些实施例中，三氧化二铝在其中所占的摩尔百分比为10％～24％。
在一些实施例中，二氧化钛在其中所占的摩尔百分比为4％～18％。
其中，摩尔百分比指的是物质的量的百分比。例如将1mol的物质A与4mol的物质B混合后，物质A的摩尔百分比等于1/(1+4)＝20％，而物质B的摩尔百分比等于4/(1+4)＝80％。
该陶瓷的化学组成可以表示为aSrCO3-bSm2O3-cAl2O3-dTiO2，其中a、b、c和d的比例为0.48～0.62:0.1～0.24:0.1～0.24:0.04～0.18。例如，若将a、b、c和d的值分别取为0.5、0.2、0.2和0.1，则该陶瓷的化学组成可表示为0.5SrCO3-0.2Sm2O3-0.2Al2O3-0.1TiO2。当然，a、b、c和d的取值还可以取该范围内的其他值。通过改变该陶瓷的各化学组分之间的比例，可以对该陶瓷的微波介电性能进一步进行调整。
在一些实施例中，该陶瓷还可包括改性添加剂，即能够改善该陶瓷性能的添加剂。应当理解，该改性添加剂不一定为液态，也可以为固态等形式。具体地，该改性添加剂可以Ta2O5、Bi2O3或SiO2中的一个或多个的组合，也就是说，该改性添加剂可只包括Ta2O5、Bi2O3或SiO2中的一种，也可以包括其中的两种或三种。可选地，该改性添加剂的占比可以为0.01mol％～1mol％。也就是说，该改性添加剂占整个材料的摩尔数的百分比为0.01％～1％。
根据测试结果，该陶瓷的介电常数为18～22，Q*f值为43000～76000GHz，温度系数为-11～+23ppm/℃。例如，采用网络分析仪(Agilent 5071C)在6.5GHz的测试频率下测试该陶瓷的微波介电性能，得到该陶瓷的微波介电性能为：介电常数r＝18～22，介电损耗Q*f＝43000～76000GHz，温度系数f＝-11～+23ppm/℃。图11示例性地示出了本申请提供的陶瓷的微波介电性能的测试结果。
本申请提供的陶瓷主要由碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛组成，其具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数。因此，通过实施本申请提供的陶瓷具有改善的微波介电性能。
本申请进一步提供一种谐振器的制备方法，上述实施例所揭示的谐振器的制备方法制成，如图8所示，该制备方法包括以下步骤：
S801：提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料。
在一些实施例中，对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料可以是对应金属元素的氧化物或碳酸盐。其中，金属元素的氧化物直接与待制备的介质谐振器的组分对应，而一些金属元素的碳酸盐可在受热等情况下转变为该金属元素的氧化物，因此同样可以作为原料。在另一些实施例中，该原材料还可以是对应金属元素的醇化物，在这种情况下可使用适当的化学处理方法将该金属的醇化物转化为所需要的氧化物。其具体方法为本领域内的习知技术，在此不再赘述。
本实施例中，对应碳酸锶的原材料的摩尔百分比为48％～62％，对应三氧化二钐的原材料的摩尔百分比为10％～24％，对应三氧化二铝的原材料的摩尔百分比为10％～24％，对应二氧化钛的原材料的摩尔百分比为4％～18％。应当理解，上述摩尔百分比是指除去原材料中的杂质后的摩尔百分比。
本实施例中，可按照该介质谐振器的各组分的占比准备原材料。在已知各组分的摩尔百分比的情况下，可根据各组分的分子量、原材料的纯度等参数计算得到所需要的原材料的质量。根据各组分所需的摩尔数和分子量计算各组分所需的质量，再根据各组分所需的质量和上述原材料的纯度计算得到所需的原材料的质量。这样就可以根据计算得到的结果准备相应重量的原材料。
在一些实施例中，还可向原材料中添加改性添加剂。该改性添加剂可以为Ta2O5、Bi2O3或SiO2中的一个或多个。改性添加剂占所有原材料的总摩尔数的比例可为0.01％～0.1％。
S802：添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨。
在步骤S802中，可选用去离子水、酒精、丙酮等作为有机溶剂，选用锆球、玛瑙球等作为磨球，选用陶瓷、聚氨酯或尼龙等材质的磨罐，并采用行星磨、搅拌磨、滚磨、振动磨等方式进行一次球磨。其中，为了提高球磨的效果还可添加适当的分散剂或者调节料浆的PH值。
在一些实施例中，可以使用去离子水作为有机溶剂，并使用氧化锆磨球或玛瑙磨球，将称量好的原材料装入聚氨酯球磨罐内并加入有机溶剂和磨球进行混合。在步骤S802中，将准确称量的各原料倒入球磨罐内，加入去离子水和ZrO2磨球，使原材料、磨球和去离子水的重量比为1:2～4:1～2(例如，1:3:1.5或1:2:1.5)，并球磨20～30小时(例如，24～26小时)。
S803：将一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体。
将球磨后的材料混合均匀后出料并烘干，例如，可在100～120℃条件下将材料烘干。
球磨结束并烘干后得到的混合物需要在一定温度下煅烧以合成陶瓷体，其煅烧温度及保温时间取决于所对应的配方。例如，在本实施例中，可将球磨后烘干的料浆放入氧化铝坩埚内，在1100～1300℃下煅烧1～5小时(例如，2～4小时)以合成陶瓷体。。
S804：粉碎陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨。
将合成好的上述陶瓷体用粉碎。本申请对粉碎的方法不作限制，例如，可以使用研体将其研碎。在一些实施例中，还可将粉碎后的陶瓷体过筛(例如，过40目筛)。
将粉碎后的陶瓷体再次倒入球磨罐中进行二次球磨，二次球磨的过程可与一次球磨的过程类似。例如，可保持料、磨球和去离子水的比例不变，并对粉碎后的陶瓷体二次球磨20～30小时(例如，24～26小时)。应当理解，二次球磨的过程也可与一次球磨不同，例如，二次球磨的时间可小于(或大于)一次球磨的时间，或者二次球磨时料、磨球和去离子水的比例可与一次球磨不同，例如可以为1:2:1.5。
S805：将二次球磨得到的料浆烘干。
类似得，可将球磨后的材料混合均匀后出料并烘干。在一些实施例中，还可将烘干后的料浆过筛(例如，过40目筛)。
S806：将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒。
在一些实施例中，粘结剂可选用5wt％～11wt％(例如5wt％～8wt％)的聚乙烯醇溶液(即该粘结剂中聚乙烯醇的质量百分比为5％～11％)。粘结剂可占混合后的浆料的总质量的10％～15％。
在一些实施例中，还可将造粒好的粉料过筛(例如，过40目筛)。
S807：在与介质谐振器的形状匹配的模具中干压成型。
具体地，将造粒后的粉料放入与介质谐振器的形状匹配的模具中，并在适当的压力下干压成型，例如，可在100～150MPa的压力下将粉料干压成型。
在其他实施例中，模具的形状还可以根据需要选取，例如，如需要进行测试，则可选用测试专用的模具，将粉料干压成型为φ12×6mm的圆片，以方便测试。如需要使用该陶瓷粉料来制备介质陶瓷块，则可以使用与该陶瓷块的形状匹配的模具来进行干压成型。应当理解，该模具的形状和尺寸可根据需要任意选取，在此不做限定。
S808：去除粘结剂并再次烧结，以得到介质本体。
可选用适当的温度进行保温处理，从而将步骤S806中引入的粘结剂去除，而后再次烧结从而最终得到所需的介质本体。本实施例中，可将成型后的材料在550-650℃下保温1-3小时，然后在1400～1600℃(例如1450～1550℃)下烧结1-5小时(例如2～4小时)。这样，就可以去除步骤S806中添加到材料中的粘结剂，并得到所需要的形状的介质本体。
S809：在介质本体的表面上覆盖金属层，以得到介质谐振器。
其中，在介质本体的表面上覆盖金属层，将电磁场限制在介质块内，防止电磁信号泄露。该金属层的材料可以是银、铜、铝、钛、锡或金等金属材料，并且可以采用电镀、喷浆或焊接等方式在介质块的表面上覆盖金属层。
本申请进一步提出一种介质滤波器，如图9所述，图9是本申请介质滤波器一实施例的结构示意图。本申请介质滤波器901至少包括相邻设置的第一介质谐振器902及第二介质谐振器903，第一介质谐振器902及第二介质谐振器903为上述实施例介质谐振器，其结构及原理这里不赘述。
其中，第一介质谐振器902及第二介质谐振器903的连接处设置有耦合孔904。耦合孔904中设置有调谐组件。耦合孔904为上述盲孔，调谐组件为上述调谐组件，其结构及原理这里不赘述。
本实施例的多个介质谐振器一体成型，能够减少拼接工艺带来的信号泄露、工艺复杂及工艺偏差等问题。
随着盲孔的尺寸数据的变化，调谐组件的尺寸数据应根据具体调试需要变化。
本申请进一步提出一种通信设备，如图10所示，图10是本申请通信设备一实施例的结构示意图。本实施例通信设备1001包括天线1002及介质滤波器1003，天线1002与介质滤波器1003耦接，天线1002用于收发射频信号，介质滤波器1003用于对该射频信号进行滤波，以滤除杂波。
该通信设备1001可以为用于5G通信的基站或者终端，该终端具体可以为手机、平板电脑、具有5G通信功能的可穿戴设备等。
区别于现有技术，本申请实施例介质谐振器包括：介质本体；覆盖在介质本体表面的金属层；调谐组件，介质本体设置有盲孔，调谐组件设置在盲孔内，用于调节介质谐振器的参数；其中，介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。通过这种方式，本申请实施例介质谐振器采用实心的介质本体作为谐振腔，能够对微波波长产生明显的压缩效应，同时在介质本体上的盲孔中设置调谐组件，能够对介质本体内的电磁场进行压缩，可以有效压缩谐振腔的有效尺寸，减少介质谐振器的体积，同时本申请实施例还能通过调谐组件对介质谐振器的谐振频率进行调节；此外，介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛，具有低介电常数、低损耗和近零的温度系数，能够改善的介质谐振器的介电性能。
传统的金属腔体滤波器和介质滤波器体积较大，难以适应5G微基站对滤波器的小型化、集成化的需要。介质滤波器由介质谐振器组成，介质滤波器的核心是介质谐振器，介质谐振器体积的小型化、微型化，更是实现介质滤波器小型化、微型化的关键所在，本申请实施例能够解决介质滤波器小型化的问题。本申请实施例能够与5G微基站(Small Cells)、MIMO系统的技术需求高度匹配，能够获得较高的关注度与相关通信场景的市场应用。
需要说明的是，以上各实施例均属于同一发明构思，各实施例的描述各有侧重，在个别实施例中描述未详尽之处，可参考其他实施例中的描述。
以上对本申请实施例所提供的保护电路和控制系统进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种介质谐振器，其特征在于，所述介质谐振器包括：
介质本体；
覆盖在所述介质本体表面的金属层；
调谐组件，所述介质本体设置有盲孔，所述调谐组件设置在所述盲孔内，用于调节所述介质谐振器的参数；其中，所述介质谐振器的材料至少包括碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛。
2.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述碳酸锶所占摩尔百分比为48％～62％；所述三氧化二钐所占摩尔百分比为10％～24％；所述三氧化二铝所占摩尔百分比为10％～24％；所述二氧化钛所占摩尔百分比为4％～18％。
3.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述调节组件包括螺套和调节螺杆，所述螺套设置在所述盲孔内，所述调节螺杆设置在所述螺套内。
4.根据权利要求3所述的介质谐振器，其特征在于，所述盲孔包括载台，所述螺套包括凸台，所述载台用于承载所述凸台。
5.根据权利要求4所述的介质谐振器，其特征在于，所述金属层覆盖在所述载台的表面；所述凸台与所述金属层焊接固定，用于将所述凸台定位在所述载台。
6.根据权利要求3所述的介质谐振器，其特征在于，所述盲孔的深度大于所述螺套的深度；所述螺套的深度小于所述调节螺杆的深度。
7.根据权利要求1所述的介质谐振器，其特征在于，所述介质谐振器的化学组成为aSrCO3-bSm2O3-cAl2O3-dTiO2，其中a、b、c和d的比例为0.48～0.62:0.1～0.24:0.1～0.24:0.04～0.18。。
8.一种制备介质谐振器的方法，其特征在于，所述方法用于制备权利要求1-7任意一项所述的介质谐振器，所述方法包括：
提供对应碳酸锶、三氧化二钐、三氧化二铝和二氧化钛的原材料；
添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨；
将所述一次球磨得到的料浆烘干，并通过煅烧得到陶瓷体；
粉碎所述陶瓷体，添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨；
将所述二次球磨得到的料浆烘干；
将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒；
在与所述介质谐振器的形状匹配的模具中干压成型；以及
去除粘结剂并再次烧结，以得到所述介质本体；
在所述介质本体的表面上覆盖金属层，以得到所述介质谐振器。
9.一种介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器包括至少两个权利要求1-7所述介质谐振器；少两个所述介质谐振器的介质本体一体成型。
10.一种通信设备，其特征在于，所述通信设备包括天线及权利要求9所述的介质滤波器，所述天线与所述介质滤波器耦接。
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