CN111383888A - 等离子体刻蚀机 - Google Patents
等离子体刻蚀机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111383888A CN111383888A CN201811612749.6A CN201811612749A CN111383888A CN 111383888 A CN111383888 A CN 111383888A CN 201811612749 A CN201811612749 A CN 201811612749A CN 111383888 A CN111383888 A CN 111383888A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- baffle
- groove
- push rod
- open
- lining
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 4
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32633—Baffles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开一种等离子体刻蚀机，包括包围基体处理位置空间的反应腔室体(1)、腔盖(4)和内衬(2)，腔盖可拆卸地封盖在反应腔室体上，内衬可拆卸地设置于反应腔室体内，反应腔室体的侧壁上设有用于机械手进出的贯通槽(11)，内衬的侧壁上开设有开口槽(21)，开口槽与贯通槽的位置相对应，反应腔室体的侧壁上还设有与内衬的侧壁成角度设置的操作槽(5)，操作槽位于内衬的侧下方，并均与开口槽和贯通槽连通，等离子体刻蚀机还包括挡板(22)和推动机构，推动机构设置在操作槽内，挡板与推动机构连接，推动机构带动挡板沿操作槽在打开位置与关闭位置之间移动，在关闭位置，挡板挡住开口槽，在打开位置，挡板完全露出开口槽。
Description
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀机。
背景技术
刻蚀是半导体加工、微电子制造、LED生产等领域中非常重要的一步工艺，微电子学的快速发展推动其不断向前发展。常见的刻蚀手段主要有干法刻蚀和湿法刻蚀。等离子体刻蚀是目前常见的一种干法刻蚀形式，当气体暴露于电子区域时，产生电离气体和具有高能电子的气体，从而形成等离子体，电离气体经过加速电场，将释放大量能量刻蚀表面。与其他刻蚀技术相比，等离子体刻蚀技术的结构简单、操作便利、性价比高。
在半导体生产加工流程中，由于涉及到不同的加工环境，需要通过机械手将晶片搬运到反应腔室中进行工艺处理，工艺过程结束后，由机械手将加工完成的晶片搬运出腔室。机械手退出反应腔室后，为了防止内衬的开口影响内部等离子体的均匀性，保护腔室内壁，减少反应工艺气体泄露到环境中，因此需要挡板挡住内衬的开口。
对于刻蚀设备，腔盖上部分的空间一般需进行线圈、进气部件等布置。现有设计为在反应腔室的腔盖上部设置推动挡板的推动机构，该推动机构从反应腔室体的上方垂直推动，上下运动，该设计占用了腔盖上部分的空间，使得内衬和挡板的清洗繁琐，不易拆卸更换；且该设计在挡板闭合位置时，不可避免的挡板与内衬之间的间隙会很大，这样就很难保证等离子体的均匀性，且仍会有大量等离子体外泄，减弱内衬保护腔室内壁的能力。此外，线圈会产生辐射，从而也会影响内衬挡板的功能。
发明内容
本发明的目的是提供一种等离子体刻蚀机，包括包围基体处理位置空间的反应腔室体、腔盖和内衬，所述腔盖可拆卸地封盖在所述反应腔室体上，所述内衬可拆卸地设置于所述反应腔室体内，所述反应腔室体的侧壁上设有用于机械手进出的贯通槽，所述内衬的侧壁上开设有开口槽，所述开口槽与所述贯通槽的位置相对应，所述反应腔室体的侧壁上还设有与所述内衬的侧壁成角度设置的操作槽，所述操作槽位于所述内衬的侧下方，并均与所述开口槽和所述贯通槽连通，所述等离子体刻蚀机还包括挡板和推动机构，所述推动机构设置在所述操作槽内，所述挡板与所述推动机构连接，所述推动机构带动所述挡板沿所述操作槽在打开位置与关闭位置之间移动，在所述关闭位置，所述挡板挡住所述开口槽，在所述打开位置，所述挡板完全露出所述开口槽。
该等离子体刻蚀机改善了反应腔室内部等离子体的均匀性，释放腔盖上部空间，并防止化学副产物的沉积，保护反应腔室内壁，便于更换内衬或执行内衬的湿式清洁，也同时能更换和清洗挡板，所述推动机构带动所述挡板打开和关闭过程中均没有与内衬和腔室体直接接触。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述推动机构包括推杆和限位导向套管，所述推杆上设置有限位销，所述限位导向套管的内壁设置有限位面和导向槽，所述导向槽的中心线与所述操作槽的中心线平行，所述推杆的底端穿过所述限位导向套管，所述推杆的顶端连接于所述挡板，所述推杆沿所述导向槽带动所述挡板在所述打开位置与所述关闭位置之间移动，在所述关闭位置，所述限位销运动至所述限位面，并与所述限位面接触，以锁定所述推杆。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述推动机构还包括焊接波纹管和气缸，所述推杆上还设有周向凸台，所述焊接波纹管位于所述限位导向套管内，套设在所述推杆外侧，所述焊接波纹管的两端分别抵在所述周向凸台和所述限位导向套管的顶端上，所述推杆的底端连接于所述气缸，所述气缸带动所述推杆沿所述导向槽带动所述挡板在所述打开位置与所述关闭位置之间移动。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述操作槽由上到下依次包括挡板移动槽段、连接导槽段和安装槽段，所述挡板移动槽段开设在所述反应腔室体的内侧壁上，所述挡板移动槽段连通于所述开口槽和所述贯通槽，并与所述开口槽和所述贯通槽在所述内衬的径向方向位于同一直线上，所述安装槽段的侧壁上开设有操作槽开孔，其中，所述推杆依次穿过安装槽段、连接导槽段挡板移动槽段，所述推杆的顶端与所述挡板连接，并在所述挡板移动槽段内移动，所述限位导向套管设置在所述安装槽段内，所述操作槽开孔与所述导向槽位置相对应，所述限位销露出所述操作槽开孔。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述操作槽的中心线与腔室体的外侧壁之间所成角度为5°～30°，更加优选地，所述操作槽的中心线与腔室体的外侧壁之间所成角度为15°。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述挡板的形状与所述开口槽的形状相配合，在所述关闭位置，所述挡板位于所述开口槽内，所述挡板的外周壁与所述开口槽的内周壁之间设有预留间隙，所述预留间隙为0.1mm-1.5mm，更加优选地，本发明所述预留间隙为0.8mm。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述挡板的外侧壁设有向外凸起的连接凸耳，所述推杆可拆卸地连接于所述连接凸耳。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述开口槽的内周壁为朝向所述内衬内部倾斜的第一切面，所述第一切面与竖直方向之间所成的倾斜角度和所述操作槽中心线与竖直方向之间所成的倾斜角度相同，所述开口槽的开槽面积沿所述内衬的径向方向向内逐渐减小，所述挡板的外周壁为与所述第一切面相配合的第二切面。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述内衬为圆柱壳体，所述圆柱壳体的顶部为径向向外延伸的法兰盘，所述法兰盘可拆卸地连接在所述反应腔室体的顶面上。
在本发明的等离子体刻蚀机中，优选为，所述开口槽不小于所述贯通槽，所述开口槽和所述贯通槽均为长口槽。
通过上述技术方案，本发明将推动机构设置在内衬的侧下方，且中心线与竖直方向成一定角度，释放腔盖上部空间，通过推动机构的带动，使得挡板可以在打开位置和关闭位置之间移动，而不在工艺过程的真空限度内与任何物品之间摩擦接触，使得从反应腔室体内更换和清洗内衬更加方便，并且将挡板设计为内衬的一部分，即，挡板可以完全遮住开口槽，当更换内衬或执行内衬的湿式清洁时，同时更换和清洗挡板。其巧妙的构造改善了反应腔室内部等离子体的均匀性，防止化学副产物的沉积，保护腔室内壁，进而提高工艺效率。
附图说明
图1是本发明的等离子体刻蚀机的立体图
图2是本发明的等离子体刻蚀机的挡板打开位置的剖视图；
图3是本发明的等离子体刻蚀机的挡板闭合位置的剖视图；
图4是本发明的等离子体刻蚀机的内衬和挡板的配合图；
图5是本发明的等离子体刻蚀机的内衬和挡板的配合的剖视图；
图6是本发明的等离子体刻蚀机的内衬的立体图；
图7是本发明的等离子体刻蚀机的内衬的剖视图；
图8是本发明的等离子体刻蚀机的挡板的局部视图；
图9是本发明的等离子体刻蚀机的挡板和推杆的配合的立体图；
图10是本发明的等离子体刻蚀机的挡板和推杆的配合的俯视图。
附图标记：
1～反应腔室体；2～内衬；3～推杆；4～腔盖；5～操作槽；6～限位导向套管；7～焊接波纹管；11～贯通槽；21～开口槽；22～挡板；23～连接凸耳；24～第一切面；25～第二切面；31～限位销；32～周向凸台；51～挡板移动槽段；52～连接导槽段；53～安装槽段；54～操作槽开孔；61～限位面；62～导向槽。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“水平”、“竖直”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
参见图1至图10，本发明提供了一种等离子体刻蚀机。该等离子体刻蚀机，包括包围基体处理位置空间的反应腔室体1、腔盖4和内衬2，腔盖4可拆卸地封盖在反应腔室体1上，内衬2可拆卸地设置于反应腔室体1内，反应腔室体1的侧壁上设有用于机械手进出的贯通槽11，内衬2的侧壁上开设有开口槽21，开口槽21与贯通槽11的位置相对应，反应腔室体1的侧壁上还设有与内衬2的侧壁成角度设置的操作槽5，优选地，操作槽5的中心线与腔室体1的外侧壁之间所成角度为5°～30°，在图1至图10所示的本发明的优选实施方式中，操作槽5的中心线与腔室体1的外侧壁之间所成角度为15°。操作槽5位于内衬2的侧下方，并均与开口槽21和贯通槽11连通，等离子体刻蚀机还包括挡板22和推动机构，推动机构设置在操作槽5内，挡板22与推动机构连接，推动机构带动挡板22沿操作槽5在打开位置与关闭位置之间移动，在关闭位置，挡板22挡住开口槽21，即，防止开口槽21影响内部等离子体的均匀性，保护腔室内壁，减少反应工艺气体泄露到环境中；在打开位置，挡板22完全露出开口槽21，使得开口槽21完全露出，即贯通槽11与开口槽22相通，以方便机械手进入。
对于刻蚀设备，腔盖4的上部分的空间一般需进行线圈、进气部件等布置。因此本发明将推动机构设置在内衬2的侧下方，即在反应腔室体1的侧壁上设置与内衬2的侧壁成角度设置的操作槽5，推动机构在操作槽5内移动，从而释放腔盖上部空间，节省了安装推动机构的空间；通过推动机构的带动，使得挡板22可以在打开位置和关闭位置之间移动，有别于现有技术中的推动机构的上下运动，挡板22通过推动可以直接运动到内衬2的贯通槽11处，运动过程简单有效，可以简化挡板22运动流程，进而提高工艺效率，也使得挡板22的运动不在工艺过程的真空限度内与任何物品之间摩擦接触，进而使得从反应腔室体1内更换和清洗内衬2更加方便，并且将挡板22设计为内衬2的一部分，即，挡板22可以完全遮住开口槽21，当更换内衬2或执行内衬2的湿式清洁时，同时更换和清洗挡板22。其巧妙的构造改善了反应腔室内部等离子体的均匀性，防止化学副产物的沉积，保护腔室内壁。
参见图2和图3，在本发明的优选实施方式中，推动机构包括推杆3和限位导向套管6，推杆3上设置有限位销31，限位导向套管6的内壁设置有限位面61和导向槽62，导向槽62的中心线与操作槽5的中心线平行，推杆3的底端穿过限位导向套管6，推杆3的顶端连接于挡板22，推杆3沿导向槽62带动挡板22在打开位置与关闭位置之间移动，在关闭位置受限位销31控制，限位销31运动至限位面61，并与限位面61接触，以锁定推杆3，此时挡板22遮住开口槽21，优选地，挡板22的周向侧壁不与开口槽21的周向侧壁接触；在打开位置，挡板22与开口槽21分离，并完全露出开口槽21，以便机械手能够进入内衬2中。推杆3在导向槽62中移动，很好的保证了挡板22位置移动的准确性，限位销31与限位面61接触，从而使挡板22到达指定关闭位置。
特别地，在本发明的优选实施方式中，推动机构还包括焊接波纹管7和气缸，推杆3上还设有周向凸台32，焊接波纹管7位于限位导向套管6内，套设在推杆3外侧，焊接波纹管7的两端分别抵在周向凸台32和限位导向套管6的顶端上，推杆3的底端连接于气缸，气缸带动推杆3沿导向槽62带动挡板22在打开位置与关闭位置之间移动。当推杆3带动挡板22由打开位置运动至关闭位置时，由于推杆3的运动，周向凸台32压缩焊接波纹管7；当推杆3带动挡板22由关闭位置运动至打开位置时，由于推杆3的运动，周向凸台32释放焊接波纹管7，使得焊接波纹管7恢复原状。由于焊接波纹管7的存在，推杆3在导向槽62中的产生的颗粒隔绝在真空环境之外，此过程真空环境中几乎没有颗粒产生，保证了刻蚀环境的整洁。以非限定的方式，推杆3的底端也可以连接其他动力装置，只是使得带动推杆3沿导向槽62带动挡板22在打开位置与关闭位置之间移动即可。挡板22通过推杆3与气缸连接固定，使得能够同步运动，即，气缸带动推杆3，推杆3带动挡板22沿与导向槽62中心线重合的方向移动，直至限位销31与限位面61接触，此时挡板22完全遮住内衬2上的开口槽21。
更加优选地，挡板22的形状与开口槽21的形状相配合，在关闭位置，挡板22位于开口槽21内，挡板22的外周壁与开口槽21的内周壁之间设有预留间隙，预留间隙为0.1mm-1.5mm。即，在关闭位置，挡板22的周向侧壁并未与开口槽21的周向内壁接触，而预留有间隙，即，挡板22的外周壁与开口槽21的内周壁之间没有接触，使得挡板22通过推动，可以直接运动到内衬2的开口槽21处，运动过程没有任何接触，运动过程简单有效，可以简化挡板22运动流程。在本实施方式中，挡板22的外周壁与开口槽21的内周壁之间设有预留间隙为0.8mm。
为了避免挡板22与内衬2的开口槽21配合过程中出现干涉，同时进一步减小大量等离子体外泄和保证反应腔室内部等离子体的均匀性，优选地，具体参见图2至图10，开口槽21的内周壁为朝向内衬2内部倾斜的第一切面24，第一切面24与竖直方向之间所成的倾斜角度和操作槽5中心线与竖直方向之间所成的倾斜角度相同，开口槽21的开槽面积沿内衬2的径向方向向内逐渐减小，挡板22的外周壁为与第一切面24相配合的第二切面25。第一切面24与第二切面25之间设有预留间隙，即，第一切面24与第二切面25不会接触，使得挡板22通过推动可以直接运动到内衬2的开口槽21处，运动过程没有任何接触，运动过程简单有效，简化挡板22运动流程，因而避免挡板22与内衬2的开口槽21配合过程中出现干涉。同时可以减少颗粒污染的机会，在挡板22的内表面上沉积材料的堆积不会干扰挡板22的运动，因为挡板22从其与内衬2的关闭位置到打开位置，挡板22和内衬2之间的间隙将随着每个增量距离的增加而增加。再者，通过将挡板22的外周壁和开口槽21的内周壁设计成切面，两切面之间形成的预留间隙更能减小等离子体的外泄，从而保证反应腔室内部等离子体的均匀性。
特别优选地，本发明的一种优选实施方式中，参见图2和图3，操作槽5由上到下依次包括挡板移动槽段51、连接导槽段52和安装槽段53，挡板移动槽段51开设在反应腔室体1的内侧壁上，挡板移动槽段51连通于开口槽21和贯通槽11，并与开口槽21和贯通槽11在内衬2的径向方向位于同一直线上，安装槽段53的侧壁上开设有操作槽开孔54，其中，推杆3依次穿过安装槽段53、连接导槽段52和挡板移动槽段51，推杆3的顶端与挡板22连接，并在挡板移动槽段51内移动，限位导向套管6设置在安装槽段53内，操作槽开孔54与导向槽62位置相对应，限位销31露出操作槽开孔54，具体参见图1至图3。限位销31露出操作槽开孔54，使得通过限位销31在操作槽开孔54中的位置可以进一步显示和观察推杆3的运动状态和挡板22的位置。当然，推动机构也可以不包括气缸，即通过人为手动操作限位销31，以控制挡板22的打开和关闭。
推杆3与挡板22的连接方式可以有多种，在本发明的优选实施方式中，为了方便挡板22的更换和拆卸，挡板22与推动机构的挡板22的外侧壁设有向外凸起的连接凸耳23，推杆3的顶端可拆卸地连接于连接凸耳23。参见图9和图10，推杆3通过螺栓连接于连接凸耳23。
在本发明的优选实施方式中，内衬2为圆柱壳体，圆柱壳体的顶部为径向向外延伸的法兰盘，法兰盘可拆卸地连接在反应腔室体1的顶面上。内衬2的外壁与反应腔室体1内壁贴合，但并不紧密，以保证反应腔室体1和内衬2在升温的情况下不会因为膨胀作用而导致两者卡死无法分离，内衬2覆盖反应腔室体1的内表面，可取出，这保证在腔室进行清洗时更换新的内衬2，同时减少设备恢复时间，同时使抽走气流更均匀。法兰盘的上端面可以根据配合反应腔室体1的形状随之调整，法兰盘的上端面沿着径向延伸，其紧固在反应腔室体1上，保证其与反应腔室体1紧密接触。
优选地，开口槽21不小于贯通槽11，开口槽21和贯通槽11均为长口槽。在本发明的一种优选实施方式中，参见图5所示，内衬2侧壁上开有长方形槽，与反应腔室体1的侧壁上的贯通口11位置对应，尺寸可与贯通口11相同或略大，保证机械手可进入与伸出反应腔室体1进行取送片。
本发明将推动机构设置在内衬2的侧下方，即在反应腔室体1的侧壁上设置与内衬2的侧壁成角度设置的操作槽5，推动机构在操作槽5内移动，从而释放腔盖上部空间，节省了安装推动机构的空间；通过推动机构的带动，使得挡板22可以在打开位置和关闭位置之间移动，有别于现有技术中的推动机构的上下运动，挡板22通过推动可以直接运动到内衬2的贯通槽11处，运动过程简单有效，可以简化挡板22运动流程，进而提高工艺效率，也使得挡板22的运动不在工艺过程的真空限度内与任何物品之间摩擦接触，进而使得从反应腔室体1内更换和清洗内衬2更加方便，并且将挡板22设计为内衬2的一部分，即，挡板22可以完全遮住开口槽21，当更换内衬2或执行内衬2的湿式清洁时，同时更换和清洗挡板22。其巧妙的构造改善了反应腔室内部等离子体的均匀性，防止化学副产物的沉积，保护腔室内壁。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.等离子体刻蚀机，包括包围基体处理位置空间的反应腔室体(1)、腔盖(4)和内衬(2)，所述腔盖(4)可拆卸地封盖在所述反应腔室体(1)上，所述内衬(2)可拆卸地设置于所述反应腔室体(1)内，所述反应腔室体(1)的侧壁上设有用于机械手进出的贯通槽(11)，其特征在于，
所述内衬(2)的侧壁上开设有开口槽(21)，所述开口槽(21)与所述贯通槽(11)的位置相对应，所述反应腔室体(1)的侧壁上还设有与所述内衬(2)的侧壁成角度设置的操作槽(5)，所述操作槽(5)位于所述内衬(2)的侧下方，并均与所述开口槽(21)和所述贯通槽(11)连通，所述等离子体刻蚀机还包括挡板(22)和推动机构，所述推动机构设置在所述操作槽(5)内，所述挡板(22)与所述推动机构连接，所述推动机构带动所述挡板(22)沿所述操作槽(5)在打开位置与关闭位置之间移动，在所述关闭位置，所述挡板(22)挡住所述开口槽(21)，在所述打开位置，所述挡板(22)完全露出所述开口槽(21)。
2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述推动机构包括推杆(3)和限位导向套管(6)，所述推杆(3)上设置有限位销(31)，所述限位导向套管(6)的内壁设置有限位面(61)和导向槽(62)，所述导向槽(62)的中心线与所述操作槽(5)的中心线平行，所述推杆(3)的底端穿过所述限位导向套管(6)，所述推杆(3)的顶端连接于所述挡板(22)，所述推杆(3)沿所述导向槽(62)带动所述挡板(22)在所述打开位置与所述关闭位置之间移动，在所述关闭位置，所述限位销(31)运动至所述限位面(61)，并与所述限位面(61)接触，以锁定所述推杆(3)。
3.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述推动机构还包括焊接波纹管(7)和气缸，所述推杆(3)上还设有周向凸台(32)，所述焊接波纹管(7)位于所述限位导向套管(6)内，套设在所述推杆(3)外侧，所述焊接波纹管(7)的两端分别抵在所述周向凸台(32)和所述限位导向套管(6)的顶端上，所述推杆(3)的底端连接于所述气缸，所述气缸带动所述推杆(3)沿所述导向槽(62)带动所述挡板(22)在所述打开位置与所述关闭位置之间移动。
4.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述操作槽(5)由上到下依次包括挡板移动槽段(51)、连接导槽段(52)和安装槽段(53)，所述挡板移动槽段(51)开设在所述反应腔室体(1)的内侧壁上，所述挡板移动槽段(51)连通于所述开口槽(21)和所述贯通槽(11)，并与所述开口槽(21)和所述贯通槽(11)在所述内衬(2)的径向方向位于同一直线上，所述安装槽段(53)的侧壁上开设有操作槽开孔(54)，其中，
所述推杆(3)依次穿过安装槽段(53)、连接导槽段(52)和挡板移动槽段(51)，所述推杆(3)的顶端与所述挡板(22)连接，并在所述挡板移动槽段(51)内移动，所述限位导向套管(6)设置在所述安装槽段(53)内，所述操作槽开孔(54)与所述导向槽(62)位置相对应，所述限位销(31)露出所述操作槽开孔(54)。
5.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述操作槽(5)的中心线与腔室体(1)的外侧壁之间所成角度为5°～30°。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述挡板(22)的形状与所述开口槽(21)的形状相配合，在所述关闭位置，所述挡板(22)位于所述开口槽(21)内，所述挡板(22)的外周壁与所述开口槽(21)的内周壁之间设有预留间隙，所述预留间隙为0.1mm-1.5mm。
7.根据权利要求6所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述挡板(22)的外侧壁设有向外凸起的连接凸耳(23)，所述推杆(3)的顶端可拆卸地连接于所述连接凸耳(23)。
8.根据权利要求7所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述开口槽(21)的内周壁为朝向所述内衬(2)内部倾斜的第一切面(24)，所述第一切面(24)与竖直方向之间所成的倾斜角度和所述操作槽(5)中心线与竖直方向之间所成的倾斜角度相同，所述开口槽(21)的开槽面积沿所述内衬(2)的径向方向向内逐渐减小，所述挡板(22)的外周壁为与所述第一切面(24)相配合的第二切面(25)。
9.根据权利要求8所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述内衬(2)为圆柱壳体，所述圆柱壳体的顶部为径向向外延伸的法兰盘，所述法兰盘可拆卸地连接在所述反应腔室体(1)的顶面上。
10.根据权利要求9所述的等离子体刻蚀机，其特征在于，
所述开口槽(21)不小于所述贯通槽(11)，所述开口槽(21)和所述贯通槽(11)均为长口槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811612749.6A CN111383888B (zh) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 等离子体刻蚀机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811612749.6A CN111383888B (zh) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 等离子体刻蚀机 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111383888A true CN111383888A (zh) | 2020-07-07 |
| CN111383888B CN111383888B (zh) | 2022-03-11 |
Family
ID=71220791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811612749.6A Active CN111383888B (zh) | 2018-12-27 | 2018-12-27 | 等离子体刻蚀机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111383888B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050015020A (ko) * | 2003-08-01 | 2005-02-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 플라즈마 에칭 장치 |
| CN100539029C (zh) * | 2005-03-30 | 2009-09-09 | 松下电器产业株式会社 | 等离子掺杂方法和等离子处理装置 |
| US20100041238A1 (en) * | 2001-10-15 | 2010-02-18 | Lam Research Corporation | Tunable multi-zone gas injection system |
| US20110146909A1 (en) * | 2004-06-09 | 2011-06-23 | Lam Research Corporation | Methods for wet cleaning quartz surfaces of components for plasma processing chambers |
| KR20120079961A (ko) * | 2011-01-06 | 2012-07-16 | 주식회사 원익아이피에스 | 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
| CN102864422A (zh) * | 2007-04-23 | 2013-01-09 | 应用材料公司 | 用于基板处理腔室的冷却遮蔽件 |
| CN107578977A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室以及电容耦合等离子体设备 |
| CN108987237A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室以及等离子体设备 |
-
2018
- 2018-12-27 CN CN201811612749.6A patent/CN111383888B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100041238A1 (en) * | 2001-10-15 | 2010-02-18 | Lam Research Corporation | Tunable multi-zone gas injection system |
| KR20050015020A (ko) * | 2003-08-01 | 2005-02-21 | 동부아남반도체 주식회사 | 플라즈마 에칭 장치 |
| US20110146909A1 (en) * | 2004-06-09 | 2011-06-23 | Lam Research Corporation | Methods for wet cleaning quartz surfaces of components for plasma processing chambers |
| CN100539029C (zh) * | 2005-03-30 | 2009-09-09 | 松下电器产业株式会社 | 等离子掺杂方法和等离子处理装置 |
| CN102864422A (zh) * | 2007-04-23 | 2013-01-09 | 应用材料公司 | 用于基板处理腔室的冷却遮蔽件 |
| KR20120079961A (ko) * | 2011-01-06 | 2012-07-16 | 주식회사 원익아이피에스 | 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
| CN107578977A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室以及电容耦合等离子体设备 |
| CN108987237A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室以及等离子体设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111383888B (zh) | 2022-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6899786B2 (en) | Processing device and method of maintaining the device, mechanism and method for assembling processing device part, and lock mechanism and method for locking the lock mechanism | |
| TW420847B (en) | Chamber liner for semiconductor processing chambers | |
| US6123804A (en) | Sectional clamp ring | |
| TWI483310B (zh) | 隔板及具有其之基板處理設備 | |
| WO2006093578A2 (en) | Chuck pedestal shield | |
| JP2019519931A5 (zh) | ||
| US20050225248A1 (en) | Honeycomb optical window deposition shield and method for a plasma processing system | |
| JP2024517302A (ja) | 半導体プロセスデバイスにおける載置装置及び半導体プロセスデバイス | |
| JP7464237B2 (ja) | プラズマ逆流を阻止する分離式吸気構造 | |
| WO2000010192A1 (en) | Plasma density and etch rate enhancing semiconductor processing chamber | |
| US7897940B2 (en) | Removable liners for charged particle beam systems | |
| CN111725106A (zh) | 半导体工艺设备及其工艺腔室 | |
| CN111383888B (zh) | 等离子体刻蚀机 | |
| JP7499876B2 (ja) | シャワーヘッドを有する事前洗浄チャンバ上側シールド | |
| CN111326385B (zh) | 一种真空腔室 | |
| KR102411142B1 (ko) | 샤워 헤드 구조체 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
| CN108644399B (zh) | 可移除式隔离阀屏蔽插入组件 | |
| KR101724100B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN115312432A (zh) | 半导体工艺设备 | |
| JP2007080838A (ja) | 真空電子装置用カバー組立体 | |
| CN220155485U (zh) | 一种等离子体处理设备及其升降环结构 | |
| JP7092959B1 (ja) | 基板処理装置 | |
| CN110512178A (zh) | 腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备 | |
| KR101353035B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP2007046086A (ja) | 半導体製造装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 221300 No.8, Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Jiangsu Luwen Instrument Co.,Ltd. Address before: 221300 No. 8, Liaohe West Road, Pizhou Economic Development Zone, Pizhou City, Xuzhou City, Jiangsu Province Patentee before: JIANGSU LEUVEN INSTRUMMENTS Co.,Ltd. |