CN111380879A - 一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法及装置 - Google Patents

一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法及装置 Download PDF

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CN111380879A CN202010248051.1A CN202010248051A CN111380879A CN 111380879 A CN111380879 A CN 111380879A CN 202010248051 A CN202010248051 A CN 202010248051A CN 111380879 A CN111380879 A CN 111380879A
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    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
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Abstract

本发明涉及一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法，至少包括如下步骤：配置放射源和探测器，在所述放射源和所述探测器之间设置用于放置待检测样品的空样品盒，使得放射源产生的放射性射线能够按照沿设定方向传输的方式进入所述探测器，并促使所述探测器生成第一数据，在所述放射源和所述探测器之间设置待检测样品，使得放射源产生的放射性射线在沿所述设定方向传输时，能够按照穿透所述待检测样品的方式进入所述探测器，并促使所述探测器生成第二数据；基于所述第一数据获取第一计数率n1(E)，基于所述第二数据获取第二计数率n2(E)，使得待检测样品对放射源的质量衰减系数μm(E)能够通过公式
Figure DDA0002434258440000011
进行表示，其中h为待检测样品的厚度。

Description

一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法及装置
技术领域
本发明属于质量衰减测量技术领域，尤其涉及一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法及装置。
背景技术
当X(或γ)射线穿过物质时，由于与介质粒子的各种相互作用(光电效应、康普顿效应、电子对效应、相干闪射、光致核反应、核共振效应等)，X(或γ)射线会有一定几率与吸收物质发生相互作用而被吸收，或发生散射而后能量改变并偏离原来的入射方向。没有发生相互作用的光子穿过吸收层，能量保持不变。因此γ射线穿过物质时，强度逐渐衰减。为表征X(或γ)射线穿过物质后被衰减的程度，引入质量衰减系数(亦称质量吸收系数)。质量衰减系数定义为每平方厘米每克厚的吸收物质(g/cm2)，所减少的X(或γ)射线强度的百分数，单位是cm2/g。
许多科学、工程和医疗应用中都需要使用到质量衰减系数，例如γ谱仪基质样品的自吸收修正。γ谱仪样品自吸收修正方法可分为半经验公式计算方法，解析公式计算方法和Monte Carlo模拟方法，所有修正方法均需要知道材料的质量衰减系数。当基质样品成分已知时，可通过光子截面数据库(XCOM)计算样品的质量衰减系数。当样品成分未知时，为得到样品质量衰减系数，一种解决方法是对样品进行X射线荧光分析，得到待测样品成分，再利用XCOM数据库计算得到待测样品衰减系数。现有技术中已存在诸多质量衰减系数的测量方法和装置。例如，公开号为CN103344601B的专利文献，其公开了一种基于傅里叶变换红外光谱分析仪的半透明材料吸收系数测量，利用试件的光谱透过率与该试件材料的反射率，根据贝尔定律计算获得该试件材料的光谱吸收系数kaλ，利用该试件材料的光谱吸收系数kaλ，对全光谱进行积分，获得普朗克平均吸收系数kap和罗斯兰德平均吸收系数kaR，并作为半透明材料吸收系数的测量结果，完成基于傅立叶变换红外光谱分析仪的半透明材料吸收系数测量。
现有技术无法在样品成分未知，且无法对样品进行X射线荧光分析时对质量衰减系数进行测量。同时，X射线荧光光谱法在分析样品成分时具有一定的局限性，该方法无法分析超轻元素(H、Li)含量，对于H元素含量较高有机化合物(例如生物样品)，无法分析样品中H元素质量百分比。因此，本申请旨在提供一种能够克服上述缺陷的基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法及装置。
此外，一方面由于对本领域技术人员的理解存在差异；另一方面由于申请人做出本发明时研究了大量文献和专利，但篇幅所限并未详细罗列所有的细节与内容，然而这绝非本发明不具备这些现有技术的特征，相反本发明已经具备现有技术的所有特征，而且申请人保留在背景技术中增加相关现有技术之权利。
发明内容
如本文所用的词语“模块”描述任一种硬件、软件或软硬件组合，其能够执行与“模块”相关联的功能。
针对现有技术之不足，本发明提供一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法，至少包括如下步骤：配置放射源和探测器，在所述放射源和所述探测器之间设置用于放置待检测样品的空样品盒，使得放射源产生的放射性射线能够按照沿设定方向传输的方式进入所述探测器，并促使所述探测器生成第一数据，在所述放射源和所述探测器之间设置待检测样品，使得放射源产生的放射性射线在沿所述设定方向传输时，能够按照穿透所述待检测样品的方式进入所述探测器，并促使所述探测器生成第二数据；基于所述第一数据获取第一计数率n1(E)，基于所述第二数据获取第二计数率n2(E)，使得待检测样品对放射源的质量衰减系数μm(E)能够通过公式
Figure BDA0002434258420000021
进行表示，其中h为待检测样品的厚度。
根据一种优选实施方式，所述第一计数率n1(E)或所述第二计数率n2(E)的确定至少包括如下步骤：基于所述探测器采集的第一数据或所述第二数据获取放射源的γ能谱，并计算对应峰位的计数率，其中，所述计数率ni(E)能够通过公式
Figure BDA0002434258420000031
进行确定，Ni(E)表示全能峰净峰面积。
根据一种优选实施方式，全能峰净峰面积Ni(E)的确定至少包括如下步骤：在全能峰为独立单峰的情况下，全能峰净峰面积Ni(E)能够通过公式Ni(E)＝NTi(E)-Bi(E)进行表示，其中，NTi(E)表示全能峰总峰面积，Bi(E)为峰位本底面积。
根据一种优选实施方式，全能峰净峰面积Ni(E)的确定还包括如下步骤：在全能峰为叠加峰的情况下，对全能峰的峰形采用高斯函数G(E)＝G·
Figure BDA0002434258420000032
进行简化描述，其中，G表示峰高度，E0表示峰中心道址能量，σ表示标准偏差；基于拟合得到叠加峰中每个高斯峰的拟合参数，使得每个高斯峰的峰面积能够通过公式
Figure BDA0002434258420000033
进行表示。
根据一种优选实施方式，全能峰总峰面积NTi(E)能够基于道数相加的方式确定，其中：在选定的峰位位于L道和H道之间的情况下，全能峰总峰面积NTi(E)能够通过公式
Figure BDA0002434258420000034
其中，Cj表示j道的计数。
根据一种优选实施方式，全能峰位本底面积Bi(E)能够通过如下方式确定：在选定的峰位位于所述L道和所述H道之间的情况下，全能峰位本底面积Bi(E)能够通过公式
Figure BDA0002434258420000035
进行确定，其中，CL表示L道的计数，CH表示H道的计数。
本发明还提供一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量装置，所述质量衰减测量装置至少包括：放射源，其能够产生放射性射线，使得所述放射性射线能够按照沿设定方向传输的方式进入探测器，并促使所述探测器生成第一数据，其中，所述放射源和所述探测器之间能够设置待检测样品，使得放射源产生的放射性射线在沿所述设定方向传输时，能够按照穿透所述待检测样品的方式进入所述探测器，并促使所述探测器生成第二数据；数据处理器，其配置为：基于所述第一数据获取第一计数率n1(E)，基于所述第二数据获取第二计数率n2(E)，使得待检测样品对放射源的质量衰减系数μm(E)能够通过公式
Figure BDA0002434258420000036
进行表示，其中h为待检测样品的厚度。
根据一种优选实施方式，所述质量衰减测量装置还包括：支架，其一端上能够设置所述探测器，其另一端上能够设置所述放射源；第一铅准直器，其能够按照位于所述探测器和所述放射源之间的方式设置于所述支架上，其中，所述待检测样品能够设置于所述第一铅准直器上。
根据一种优选实施方式，所述数据处理器还配置为：基于所述探测器采集的第一数据或所述第二数据获取放射源的γ能谱，并计算对应峰位的计数率，其中，所述计数率ni(E)能够通过公式
Figure BDA0002434258420000041
进行确定，Ni(E)表示全能峰净峰面积。
根据一种优选实施方式，所述数据处理器还配置为：在全能峰为独立单峰的情况下，通过公式Ni(E)＝NTi(E)-Bi(E)确定全能峰净峰面积Ni(E)，其中，NTi(E)表示全能峰总峰面积，Bi(E)为峰位本底面积；在全能峰为叠加峰的情况下，对全能峰的峰形采用高斯函数
Figure BDA0002434258420000042
进行简化描述，并基于拟合得到叠加峰中每个高斯峰的拟合参数，使得每个高斯峰的峰面积能够通过公式
Figure BDA0002434258420000043
进行表示，其中，G表示峰高度，E0表示峰中心道址能量，σ表示标准偏差。
本发明的有益技术效果：
(1)对于成分未知样品，能直接测量样品质量衰减系数。
(2)对于成分已知样品，能比较实验测量数据与理论计算数据的差异，验证理论计算数据的可靠性，并可通过实验测量与理论计算数据的偏差分析理论计算数据的可能取值区间，评估理论计算数据的不确定度。
附图说明
图1是本发明优选的质量衰减测量装置的简化结构示意图；
图2是本发明另一种优选的质量衰减测量装置的结构示意图；和
图3是本发明优选的质量衰减测量方法的流程示意图。
附图标记列表
1：第二铅准直器 2：第一铅准直器 3：第一通孔
4：第二通孔 5：支架 6：支撑杆
7：底座 8：第一放置区域 9：第二放置区域
10：容器 11：探测器 12：放射源
13：托盘 15：提环
16：铅屏蔽机构 17：数据处理器
6a：第一端部 6b：第二端部
16a：箱体 16b：盖体 16c：容纳腔
具体实施方式
下面结合附图进行详细说明。
实施例1
如图1所示，本发明提供一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量装置，至少包括第二铅准直器1、第一铅准直器2和支架5。第二铅准直器1和第一铅准直器2均设置在支架5上，使得第二铅准直器1的延伸方向能够与第一铅准直器2的延伸方向彼此平行。例如，第二铅准直器1能够呈中空圆柱状并以此限定出第一通孔3。第一铅准直器2能够呈中空圆柱状并以此限定出第二通孔4。第一通孔3的中轴线能够与第二通孔4的中轴线彼此重合，使得第二铅准直器1的延伸方向能够与第一铅准直器2的延伸方向彼此平行。
优选的，再次参见图1，支架5包括至少两个支撑杆6和底座7。底座7的形状能够由圆盘状限定。所有支撑杆6均能够设置于底座7之上，使得每一个支撑杆6彼此之间能够呈现大致平行的状态。例如，支撑杆6的第一端部6a能够通过例如是焊接、粘接的方式连接至底座1，使得支撑杆6的延伸方向能够垂直于底座1的上表面。支撑杆6彼此之间能够间隔设定距离，进而使得每一个支撑杆6的延伸方向均大致垂直于底座1的上表面。第二铅准直器1能够连接至所有支撑杆6的第二端部6b。第二准直器2能够设置于支撑杆6之上，并且位于支撑杆6的第一端部6a与第二端部6b之间。例如，第二准直器2能够设置在支撑杆6的中点上，使得第二准直器2与底座7之间的距离能够等于第二准直器2与第一准直器1之间的距离。
优选的，第一准直器1与底座7之间的区域能够被第二准直器2分隔为第一放置区域8和第二放置区域9。第一放置区域8与底座7的距离能够大于第一放置区域8与第一准直器1的距离。即如图1所示，第一放置区域8可以位于第二放置区域9的正上方。第一放置区域8能够用于放置容器10。第二放置区域9能够用于放置探测器11。第一准直器2上能够设置放射源12。例如，放射源可以选择点源，进而使得放射源12散发的放射性射线能够通过第一通孔3进入第一放置区域8中。在第一放置区域8中的容器10中盛放有待检测样品时，放射性射线能够穿透样品而被减弱，减弱后的放射性射线能够通过第二通孔4进入第二放置区域9中，进而被探测器11接收。通过探测器11便能够获取放射源12的γ能谱，最终根据γ能谱计算对应峰位的计数率。具体的，如图1所示，放射源12能够放置在第二铅准直器1的上表面上。容器10能够放置在第一铅准直器2的上表面上。探测器11能够放置在底座7的上表面上。
优选的，质量衰减测量装置还包括用于盛放放射源12的托盘13。托盘13的形状能够由圆柱状限定。托盘13的直径能够与第一通孔3的内径匹配，使得托盘13能够嵌套设置于第一通孔3中。放射源12能够设置于托盘13上。具体的，再次参见图1，第一通孔3和第二通孔4均可以具有若干个不同的内径。例如，第一通孔3和第二通孔4的内径可以分别设置为2mm、5mm和10mm。通过不同内径的第一通孔3和第二通孔4能够实现适用于不同活度水平的放射源12。例如，活度越小的放射源12与内径越大的第一通孔和第二通孔进行配合使用，以保证有足够的光子通量。
优选的，第二铅准直器1上还设置有提环15，通过提环15能够将质量衰减测量装置提起，进而实现其位置的转移。
优选的，参见图2，质量衰减测量装置还包括铅屏蔽机构16。铅屏蔽机构16至少包括箱体16a和盖体16b。箱体16a的形状能够由中空圆柱状限定并以此限定出至少一个容纳腔16c。箱体16a的沿其轴向方向上的一端呈开放状，使得支架5、第二铅准直器1、第一铅准直器2、放射源12和探测器11均能够放置于通过箱体16a的开放状端部放入容纳腔16c中。盖体16b能够设置在箱体16a的开放状端部上。通过盖体16b能够对容纳腔16c进行密封。箱体16a和盖体16b均由铅制成，进而能够在对样品进行测量时，避免环境中的射线对测量过程产生影响。
为了便于理解，将本发明的质量衰减测量装置的使用方法进行详细说明。
使用前，通过提拉提环15的方式，将支架5从容纳腔16c中取出。此时，可以将探测器11放置在底座7上。将待检测样品放置于容器10中后，将整个容器10放置在第一铅准直器2上。随后，选择适当活度的放射源12放置于托盘13上后，将托盘13放置于第一通孔3中。最后，通过提拉拉环15的方式，将支架5放置于容纳腔16c中，并通过盖体16b封闭容纳腔16c，此时，待检测样品便在放射源12和探测器11的共同作用下完成检测。当探测器11的数据采集时间大于设定时间后，开启盖体16b，并将支架5取出，从而通过对探测器11所采集的数据进行分析处理便能够得到待检测样品的质量衰减系数。
本发明的质量衰减测量装置在使用过程中，至少能够产生如下技术效果：一者，对于成分未知样品，能直接测量样品质量衰减系数；二者，对于成分已知样品，能比较试验测量数据与理论计算数据的差异，评估相应的不确定度，三者，操作简单，无需进行样品成分分析，大幅节省测量时间。
实施例2
本实施例是对实施例1的进一步改进，重复的内容不再赘述。
优选的，质量衰减测量装置还包括能够与探测器11有线或无线连接的数据处理器17，使得探测器11采集的数据能够传输至数据处理器17中进行处理。数据处理器17按照如下方式完成数据处理：
S1：基于探测器11采集的数据获取放射源12的γ能谱，并计算对应峰位的计数率。
优选的，在探测器11的测量时间为tlive时，计数率能够由全能峰峰面积与时间的比值得到。例如，计数率能够通过公式
Figure BDA0002434258420000071
进行表示，其中，ni(E)表示计数率。Ni(E)表示全能峰净峰面积。
S2：在全能峰为独立单峰的情况下，基于道址相加方法确定全能峰净峰面积。
具体的，在全能峰为独立单峰的情况下，全能峰净峰面积能够通过公式Ni(E)＝NTi(E)-Bi(E)进行表示，其中，Ni(E)表示全能峰净峰面积，NTi(E)表示全能峰总峰面积，Bi(E)为峰位本底面积。
优选的，全能峰总峰面积由道数相加的方式得到。例如，当选定的峰位位于L道与H道之间时，
Figure BDA0002434258420000072
其中，Cj表示j道的计数。
优选的，峰位本底面积由峰位的梯形面积确定。例如，当选定的峰位位于L道与H道之间时，
Figure BDA0002434258420000073
其中，CL表示L道的计数，CH表示H道的计数。
S3：在全能峰为叠加峰的情况下，基于拟合方法确定全能峰净峰面积。
具体的，当两个或多个全能峰出现叠加时，每一个全能峰的峰面积无法通过道址相加的方法直接得出。这种情况下，使用拟合方法计算全能峰面积。因此，在两个或多个全能峰出现叠加时，可以使用拟合方法计算全能峰面积。例如，全能峰的峰形可以采用高斯函数
Figure BDA0002434258420000081
进行简化描述，其中，G表示峰高度。E0表示峰中心道址能量。σ表示标准偏差。通过拟合得到叠加峰中每个高斯峰的拟合参数，进而每个高斯峰的峰面积能够通过公式
Figure BDA0002434258420000082
进行表示。
实施例3
本实施例是对前述实施例的进一步改进，重复的内容不再赘述。
如图3所示，本发明还提供一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法，至少包括如下步骤：
S10：配置放射源12和探测器11，使得放射源12产生的放射性射线能够沿设定方向传输而进入探测器11，并促使探测器11生成第一数据。
具体的，如图1所示，放射源12和探测器11均能够设置在支架5上以对两者的相对位置进行固定。例如，支架5包括至少两个支撑杆6和底座7。底座7的形状能够由圆盘状限定。所有支撑杆6均能够设置与底座7之上，使得每一个支撑杆6彼此之间能够呈现平行的状态。例如，支撑杆6的第一端部6a能够通过例如是焊接、粘接的方式连接至底座1，使得支撑杆6的延伸方向能够垂直于底座1的上表面。支撑杆6彼此之间能够间隔设定距离，进而使得每一个支撑杆6的延伸方向均垂直于底座1的上表面。优选的，支架5上设置有第二铅准直器1和第一铅准直器2，使得第二铅准直器1的延伸方向能够与第一铅准直器2的延伸方向彼此平行。例如，第二铅准直器1能够呈中空圆柱状并以此限定出第一通孔3。第一铅准直器2能够呈中空圆柱状并以此限定出第二通孔4。第一通孔3的中轴线能够与第二通孔4的中轴线彼此重合，使得第二铅准直器1的延伸方向能够与第一铅准直器2的延伸方向彼此平行。第二铅准直器1能够连接至所有支撑杆6的第二端部6b。第二准直器2能够设置于支撑杆6之上，并且位于支撑杆6的第一端部6a与第二端部6b之间。例如，第二准直器2能够设置在支撑杆6的中点上，使得第二准直器2与底座7之间的距离能够等于第二准直器2与第一准直器1之间的距离。放射源12能够放置在第一准直器2上。探测器11能够设置在底座7上。进而放射源12产生的放射性射线能够依次经第一通孔3和第二通孔4进入探测器11中。通过探测器11便能够获取放射源12的γ能谱，例如，第一数据可以是放射源的γ能谱。
S20：在放射源12和探测器11之间设置待检测样品，使得放射源12产生的放射性射线在沿设定方向传输时，能够按照穿透待检测样品的方式进入探测器11，并促使探测器11生成第二数据。
具体的，如图1所示，第一准直器1与底座7之间的区域能够被第二准直器2分隔为第一放置区域8和第二放置区域9。第一放置区域8与底座7的距离能够大于第一放置区域8与第一准直器1的距离。第一放置区域8能够用于放置容器10。第二放置区域9能够用于放置探测器11。第一准直器2上能够设置放射源12。例如，放射源可以选择点源，进而使得放射源12散发的放射性射线能够通过第一通孔3进入第一放置区域8中。在第一放置区域8中的容器10中盛放有待检测样品时，放射性射线能够穿透样品而被减弱，减弱后的放射性射线能够通过第二通孔4进入第二放置区域9中，进而被探测器11接收。通过探测器11便能够获取放射源12的γ能谱，最终根据γ能谱计算对应峰位的计数率。第二数据可以放射源12的γ能谱。
S30：基于第一数据获取第一计数率n1(E)，基于第二数据获取第二计数率n2(E)，使得待检测样品对放射源的质量衰减系数能够通过公式
Figure BDA0002434258420000091
Figure BDA0002434258420000092
进行表示，其中，μm(E)为待检测样品对能量为E的γ射线的质量衰减系数，h为待检测样品的厚度。
实施例4
本实施例是对前述实施例的进一步改进，重复的内容不再赘述。
优选的，为验证质量衰减测量装置的效果，选择水作为样品介质，使用133Ba点源作为光子源，分别测量80.9979keV、276.3989keV、302.851keV、356.1029keV、383.8485keV五个能量点空样品的全能峰计数率N1，和装水后样品全能峰计数率N2，计算得到实验质量衰减系数。具体的，表1示出了水作为介质时的质量衰减系数所涉及的实验数据和结果。
表1水质量衰减系数实验结果
Figure BDA0002434258420000101
优选的，表2示出了将水质量衰减系数实验结果与通过光子截面数据库(XCOM)进行计算的计算结果的对比数据。结果显示，通过本发明的方法获得的实验质量衰减系数与XCOM的计算结果在±1.2％以内一致，表明本发明实验装置能用于材料质量衰减系数测量，能够实现样品成分未知时质量衰减系数的确定。
表2实验结果与XCOM计算结果比较
Figure BDA0002434258420000102
需要注意的是，上述具体实施例是示例性的，本领域技术人员可以在本发明公开内容的启发下想出各种解决方案，而这些解决方案也都属于本发明的公开范围并落入本发明的保护范围之内。本领域技术人员应该明白，本发明说明书及其附图均为说明性而并非构成对权利要求的限制。本发明的保护范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量方法，至少包括如下步骤：
配置放射源(12)和探测器(11)，在所述放射源(12)和所述探测器(11)之间设置用于放置待检测样品的空样品盒，使得放射源(12)产生的放射性射线能够按照沿设定方向传输的方式进入所述探测器(11)，并促使所述探测器(11)生成第一数据，
其特征在于，
所述质量衰减测量方法还包括如下步骤：
在所述放射源(12)和所述探测器(11)之间设置待检测样品，使得放射源(12)产生的放射性射线在沿所述设定方向传输时，能够按照穿透所述待检测样品的方式进入所述探测器(11)，并促使所述探测器(11)生成第二数据；
基于所述第一数据获取第一计数率n1(E)，基于所述第二数据获取第二计数率n2(E)，使得待检测样品对放射源(12)的质量衰减系数μm(E)能够通过公式
Figure FDA0002434258410000011
进行表示，其中h为待检测样品的厚度。
2.根据权利要求1所述的质量衰减测量方法，其特征在于，所述第一计数率n1(E)或所述第二计数率n2(E)的确定至少包括如下步骤：
基于所述探测器(11)采集的第一数据或所述第二数据获取放射源(12)的γ能谱，并计算对应峰位的计数率，其中，所述计数率ni(E)能够通过公式
Figure FDA0002434258410000012
进行确定，Ni(E)表示全能峰净峰面积。
3.根据权利要求2所述的质量衰减测量方法，其特征在于，全能峰净峰面积Ni(E)的确定至少包括如下步骤：
在全能峰为独立单峰的情况下，全能峰净峰面积Ni(E)能够通过公式Ni(E)＝NTi(E)-Bi(E)进行表示，其中，NTi(E)表示全能峰总峰面积，Bi(E)为峰位本底面积。
4.根据权利要求3所述的质量衰减测量方法，其特征在于，全能峰净峰面积Ni(E)的确定还包括如下步骤：
在全能峰为叠加峰的情况下，对全能峰的峰形采用高斯函数G(E)＝G·
Figure FDA0002434258410000021
进行简化描述，其中，G表示峰高度，E0表示峰中心道址能量，σ表示标准偏差；
基于拟合得到叠加峰中每个高斯峰的拟合参数，使得每个高斯峰的峰面积能够通过公式
Figure FDA0002434258410000022
进行表示。
5.根据权利要求4所述的质量衰减测量方法，其特征在于，全能峰总峰面积NTi(E)能够基于道数相加的方式确定，其中：
在选定的峰位位于L道和H道之间的情况下，全能峰总峰面积NTi(E)能够通过公式
Figure FDA0002434258410000023
其中，Cj表示j道的计数。
6.根据权利要求5所述的质量衰减测量方法，其特征在于，全能峰位本底面积Bi(E)能够通过如下方式确定：
在选定的峰位位于所述L道和所述H道之间的情况下，全能峰位本底面积Bi(E)能够通过公式
Figure FDA0002434258410000024
进行确定，其中，CL表示L道的计数，CH表示H道的计数。
7.一种基于γ射线全能峰的质量衰减测量装置，其特征在于，所述质量衰减测量装置至少包括：
放射源(12)，其能够产生放射性射线，使得所述放射性射线能够按照沿设定方向传输的方式进入探测器(11)，并促使所述探测器(11)生成第一数据，其中，所述放射源(12)和所述探测器(11)之间能够设置待检测样品，使得放射源(12)产生的放射性射线在沿所述设定方向传输时，能够按照穿透所述待检测样品的方式进入所述探测器(11)，并促使所述探测器(11)生成第二数据；
数据处理器(17)，其配置为：基于所述第一数据获取第一计数率n1(E)，基于所述第二数据获取第二计数率n2(E)，使得待检测样品对放射源(12)的质量衰减系数μm(E)能够通过公式
Figure FDA0002434258410000031
进行表示，其中h为待检测样品的厚度。
8.根据权利要求7所述的质量衰减测量装置，其特征在于，所述质量衰减测量装置还包括：
支架(5)，其一端上能够设置所述探测器(11)，其另一端上能够设置所述放射源(12)；
第一铅准直器(2)，其能够按照位于所述探测器(11)和所述放射源(12)之间的方式设置于所述支架(5)上，其中，所述待检测样品能够设置于所述第一铅准直器(2)上。
9.根据权利要求8所述的质量衰减测量装置，其特征在于，所述数据处理器(17)还配置为：
基于所述探测器(11)采集的第一数据或所述第二数据获取放射源(12)的γ能谱，并计算对应峰位的计数率，其中，所述计数率ni(E)能够通过公式
Figure FDA0002434258410000032
进行确定，Ni(E)表示全能峰净峰面积。
10.根据权利要求9所述的质量衰减测量装置，其特征在于，所述数据处理器(17)还配置为：
在全能峰为独立单峰的情况下，通过公式Ni(E)＝NTi(E)-Bi(E)确定全能峰净峰面积Ni(E)，其中，NTi(E)表示全能峰总峰面积，Bi(E)为峰位本底面积；
在全能峰为叠加峰的情况下，对全能峰的峰形采用高斯函数G(E)＝G·
Figure FDA0002434258410000033
进行简化描述，并基于拟合得到叠加峰中每个高斯峰的拟合参数，使得每个高斯峰的峰面积能够通过公式
Figure FDA0002434258410000034
进行表示，其中，G表示峰高度，E0表示峰中心道址能量，σ表示标准偏差。
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