CN111338007A - 一种防反射膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种防反射膜及其制备方法，本发明通过采用交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层构成防反射膜，在可见光波段能够起到增透减反的效果；并且在镀制本发明的防反射膜时，只需在一个腔体的不同腔室依次交替镀制层叠的SiN膜层和SiO2膜层，因此镀制本发明的防反射膜的镀制圈数只需一圈，从而使镀制设备稼动率较高(效率较高)、镀制工艺过程较短，使得产品附加值增大(成本较低)。

Description

一种防反射膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域，特别涉及一种防反射膜及其制备方法。
背景技术
显示产品已经触及到各个领域，为了满足高品质及多功能产品需求，防眩光、高透过率、低反射率多功能屏已越来越受到客户的偏爱。因此，目前的显示产品在窗口玻璃区域一般要镀制防反射膜(Anti-Reflective，AR)。目前针对带有高品质AR膜类的显示产品，特别是AR+CG(保护玻璃)或AR+OGM(触控屏)产品，当前主要采用包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜。为了防止Nb和Si镀制时交叉污染，Nb2O5和SiO2镀制的圈数较多(如在第一个腔体镀制Nb2O5，到下一个腔体镀制SiO2和Nb2O5，再到下一个腔体镀制SiO2和Nb2O5，最后到下一个腔体镀制SiO2)，这样使镀制设备稼动率低、且镀制工艺过程过长，使得产品附加值降低。
发明内容
本发明实施例提供一种防反射膜及其制备方法，用以解决背景技术中采用Nb2O5和SiO2制备AR膜时镀制的圈数较多，使镀制设备稼动率低、镀制工艺过程过长，使得产品附加值降低的问题。
本发明实施例提供了一种防反射膜，包括在基材上交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，所述SiN膜层和SiO2膜层的总层数为4层-6层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，包括在所述基材上交替层叠镀制的第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，还包括镀制在所述基材和所述第一SiN膜层之间的第三SiO2膜层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，所述第一SiN膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000021
所述第一SiO2膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000022
所述第二SiN膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000023
所述第二SiO2膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000024
Figure BDA0002407393730000025
所述第三SiO2膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000026
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，所述第一SiN膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000027
所述第一SiO2膜层的厚度为
Figure BDA00024073937300000210
所述第二SiN膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000028
所述第二SiO2膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000029
所述第三SiO2膜层的厚度为
Figure BDA00024073937300000211
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，在可见光波段380nm-780nm，所述防反射膜的透光率大于92.5％。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，所述基材为保护玻璃或设有触控模组的保护玻璃。
相应地，本发明实施例还提供了一种防反射膜的制备方法，包括：在基材上依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，采用真空磁控溅射镀膜法在所述基材上依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，采用真空磁控溅射镀膜法在所述基材上依次镀制第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在镀制所述第一SiN膜层之前，还包括：在所述基材上镀制第三SiO2膜层。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在同一个镀制腔体的不同腔室内依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。
本发明的有益效果如下：
本发明实施例提供的防反射膜及其制备方法，本发明通过采用交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层构成防反射膜，在可见光波段能够起到增透减反的效果；并且在镀制本发明的防反射膜时，只需在一个腔体的不同腔室依次交替镀制层叠的SiN膜层和SiO2膜层，因此镀制本发明的防反射膜的镀制圈数只需一圈，从而使镀制设备稼动率较高(效率较高)、镀制工艺过程较短，使得产品附加值增大(成本较低)。
附图说明
图1A-图1I为相关技术中制备AR膜过程的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的防反射膜的结构示意图之一；
图3为本发明实施例提供的防反射膜的结构示意图之二；
图4A-图4F为本发明实施例中制备AR膜过程的结构示意图；
图5为本发明实施例和相关技术中提供的防反射膜的反射率对比图；
图6为本发明实施例和相关技术中提供的防反射膜制作在Cover Glass上的透过率对比图；
图7为本发明实施例和相关技术中提供的防反射膜制作在镀有触控模组的CoverGlass上的透过率对比图；
图8A-图8E为本发明实施例提供的防反射膜中各膜层膜厚对Rmax和Rave的影响示意图；
图9A-图9E为本发明实施例提供的防反射膜中各膜层膜厚对ΔRa和ΔRb的影响示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本发明实施例提供的防反射膜、有机发光显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各层薄膜厚度和形状不反映防反射膜的真实比例，且仅为防反射膜的局部结构，目的只是示意说明本发明内容。
目前针对带有高品质AR膜类的显示产品，特别是AR+CG(保护玻璃)或AR+OGM(触控屏)产品，当前主要采用包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜。为了防止Nb和Si镀制时交叉污染，Nb2O5和SiO2镀制的圈数较多(如在第一个腔体镀制Nb2O5，到下一个腔体镀制SiO2和Nb2O5，再到下一个腔体镀制SiO2和Nb2O5，最后到下一个腔体镀制SiO2)。具体地，现有6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜的制备工艺流程以小片贴生产方式为例，小片贴生产方式是指在一张1850mm*1500mm的G6Glass(衬底玻璃)上贴若干个Cover Glass(保护玻璃)，然后在贴有若干个Cover Glass的G6Glass上镀制包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠的AR膜；具体的工艺流程为：(1)清洗若干Cover Glass；(2)在G6Glass上挂片(Hanging)若干个CoverGlass，如图1A所示；(3)在第一个腔体内采用真空磁控溅射工艺在若干个Cover Glass上镀制厚度为
Figure BDA0002407393730000041
的第一层Nb2O5，如图1B所示；(4)在第二个腔体内采用真空磁控溅射工艺在第一层Nb2O5上镀制厚度为
Figure BDA0002407393730000042
的第一层SiO2和厚度为
Figure BDA0002407393730000043
的第二层Nb2O5，如图1C所示；(5)在第三个腔体内采用真空磁控溅射工艺在第二层Nb2O5上镀制厚度为
Figure BDA0002407393730000044
的第二层SiO2和厚度为
Figure BDA0002407393730000045
的第三层Nb2O5，如图1D所示；(6)在第四个腔体内采用真空磁控溅射工艺在第三层Nb2O5上镀制厚度为
Figure BDA0002407393730000046
的第三层SiO2，即在Cover Glass上形成包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜，如图1E所示；(7)将Cover Glass+AR膜从G6Glass上拆片(Dehanging)，如图1F所示；(8)将拆片下来的若干镀制有AR膜的Cover Glass进行运输加工(Shipping)，如图1G所示；(9)将镀制有AR膜的各个小片进行研磨(Polish)并在AR膜上贴一层防指纹膜ASF，如图1H所示；(10)在贴有防指纹膜ASF的AR膜上贴一层保护膜PF，如图1I所示；通过上述(1)-(10)个流程即可制备出相关技术中包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜。可以看出，相关技术中包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜需要在不同的四个腔体内镀制完成，因此镀制的圈数较多，这样使镀制设备稼动率低、且镀制工艺过程过长且复杂，使得产品附加值降低。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种防反射膜，包括在基材上交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层。具体地，SiN膜层的折射率为2.03，SiO2膜层的折射率为1.46，即本发明提供的防反射膜是由高、低折射率交替层叠形成的，具有较好的减反效果。
本发明实施例提供的上述防反射膜，通过采用交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层构成防反射膜，在可见光波段能够起到增透减反的效果；并且在镀制本发明的防反射膜时，只需在一个腔体的不同腔室依次交替镀制层叠的SiN膜层和SiO2膜层，因此镀制本发明的防反射膜的镀制圈数只需一圈，从而使镀制设备稼动率较高(效率较高)、镀制工艺过程较短，使得产品附加值增大(成本较低)。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，SiN膜层和SiO2膜层的总层数为4层-6层。具体地，SiN膜层和SiO2膜层的总层数最好不少于4层，达到4层以上能满足光学指标，但膜层过多，则生产成本提高，不利于生产，因此SiN膜层和SiO2膜层最佳的总层数在4层-6层范围内。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，如图2所示，可以包括在基材上交替层叠镀制的第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。这样由高、低折射率交替层叠形成的防反射膜具有较好的减反效果。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，基材一般为保护玻璃(Cover Glass)或设有触控模组的保护玻璃。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，如图3所示，还可以包括镀制在基材和第一SiN膜层之间的第三SiO2膜层。具体地，由于防反射膜一般贴在Glass表面(手指触摸的面)，Glass的材质主要为SiO2，因此为了提高防反射膜与Glass之间的附着力，本发明实施例提供的上述防反射膜还包括镀制在基材和第一SiN膜层之间的第三SiO2膜层，该第三SiO2膜层可以提高防反射膜与Glass之间的附着力。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，第一SiN膜层的厚度可以为
Figure BDA0002407393730000061
第一SiO2膜层的厚度可以为
Figure BDA0002407393730000062
第二SiN膜层的厚度可以为
Figure BDA0002407393730000063
第二SiO2膜层的厚度可以为
Figure BDA0002407393730000064
第三SiO2膜层的厚度可以为
Figure BDA0002407393730000065
在具体实施时，为了使本发明制备的防反射膜的光学指标较优，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，第一SiN膜层的厚度优选为
Figure BDA0002407393730000066
第一SiO2膜层的厚度优选为
Figure BDA0002407393730000067
第二SiN膜层的厚度优选为
Figure BDA0002407393730000068
第二SiO2膜层的厚度优选为
Figure BDA0002407393730000069
第三SiO2膜层的厚度优选为
Figure BDA00024073937300000610
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述防反射膜中，在可见光波段380nm-780nm，所述防反射膜的透光率大于92.5％。由此可见，采用SiN膜层和SiO2膜层制备得到的防反射膜在可见光波段具有增透的效果。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种防反射膜的制备方法，包括：在基材上依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。
本发明实施例提供的上述防反射膜的制备方法，通过采用交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层构成防反射膜，因此在镀制本发明的防反射膜时，只需在一个腔体的不同腔室依次交替镀制层叠的SiN膜层和SiO2膜层，因此镀制本发明的防反射膜的镀制圈数只需一圈，制备方法简单，制备工艺效率较高、镀制工艺成本较低。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，为了能够高效、简单的制备本发明提供的防反射膜，本发明优选采用真空磁控溅射镀膜法在基材上依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。当然在具体实施时，不限于采用真空磁控溅射镀膜法，还可以采用其它镀膜工艺如PVD、CVD等工艺。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，采用真空磁控溅射镀膜法在基材上依次镀制第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。具体地，在镀制各膜层时，具体的工艺参数根据实际需要进行设定，比如真空磁控溅射镀膜法的真空度、硅靶材的溅射功率、各气体的流量等。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在镀制第一SiN膜层之前，还包括：在基材上镀制第三SiO2膜层。具体地，由于防反射膜一般贴在Glass表面(手指触摸的面)，Glass的材质主要为SiO2，因此为了提高防反射膜与Glass之间的附着力，在镀制第一SiN膜层之前，还包括在基材上镀制第三SiO2膜层，该第三SiO2膜层可以提高防反射膜与Glass之间的附着力。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在同一个镀制腔体的不同腔室内依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。具体地，由于SiN膜层和SiO2膜层的制备都是采用硅靶材，只是通入的气体不同，则镀制SiN膜层和SiO2膜层不会出现交叉污染的问题，因此本发明可以在同一个镀制腔体的不同腔室内依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层，这样可以提高制备效率以及降低制备成本。
下面对本发明实施例图3所示的防反射膜的制备过程进行说明：
具体的工艺流程为：(1)清洗若干Cover Glass；(2)在G6Glass上挂片(Hanging)若干个基材(如Cover Glass)，如图4A所示；(3)在同一个镀制腔体的不同腔室内采用真空磁控溅射工艺在若干个Cover Glass上依次镀制层叠的第三SiO2膜层、第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层，其中，第一SiN膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000071
第一SiO2膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000072
第二SiN膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000073
第二SiO2膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000074
第三SiO2膜层的厚度为
Figure BDA0002407393730000075
如图4B所示，即在基材上形成包括5层SiN/SiO2交替层叠镀制的AR膜；(4)将基材+AR膜从G6Glass上拆片(Dehanging)，如图4C所示；(5)将拆片下来的若干镀制有AR膜的基材进行运输加工(Shipping)，如图4D所示；(6)将镀制有AR膜的各个小片进行研磨(Polish)并在AR膜上贴一层防指纹膜ASF，如图4E所示；(7)在贴有防指纹膜ASF的AR膜上贴一层保护膜PF，如图4F所示；通过上述(1)-(3)个流程即可制备出本发明提供的包括5层SiN/SiO2交替层叠镀制的AR膜，步骤(4)-(7)为对AR膜的后续处理工艺。可以看出，本发明提供的包括5层SiN/SiO2交替层叠镀制的AR膜只需要在一个镀制腔体内镀制完成，因此镀制的圈数较少，这样使镀制设备稼动率较高(制备效率高)、且镀制工艺过程较短且简单，使得产品附加值增大(降低成本)。
需要说明的是，本发明上述的制备方法是将所需镀膜基材(Cover Glass)盖板贴覆至G6Glass大板上，然后根据各膜层的膜厚依次在基材上镀制第三SiO2膜层/第一SiN膜层/第一SiO2膜层/第二SIN膜层/第二SiO2膜层。Dehanging(拆片)后进行ASF Coating并贴覆保护膜PF出货。
当然，在具体实施时，也可以将镀有Sensor(触控模组)的小Cover Glass基板贴覆至G6Glass大板上，然后根据各膜层的膜厚依次在基材上镀制第三SiO2膜层/第一SiN膜层/第一SiO2膜层/第二SIN膜层/第二SiO2膜层。Dehanging(拆片)后进行ASF Coating并贴覆保护膜PF出货。
需要说明的是，以上种制备方法是本发明的优选实施方式，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
下面对本发明实施例制备得到的包括5层SiN/SiO2交替层叠镀制的AR膜和相关技术中制备得到的包括6层Nb2O5/SiO2交替层叠镀制的AR膜的性能(如透过率T和反射率R)进行测试对比。
请参考图5，图5为本发明实施例制备得到的AR膜和相关技术中制备得到的AR膜的反射率R示意图，可以看出，在450nm-650nm波段内，本发明的5层SiN/SiO2AR膜的平均反射率Rave和最大反射率Rmax均优于相关技术中6层Nb2O5/SiO2AR膜的平均反射率Rave和最大反射率Rmax。虽然，对于650nm以上波长，本发明的5层SiN/SiO2AR膜的反射率上升较快，但是本发明的在380nm-450nm波段内AR膜的反射率较低，而相关技术中在380nm-450nm波段内AR膜的反射率上升较快，因此综合来看，本发明提供的5层SiN/SiO2AR膜的反射率较低，减反效果较好。
请参考图6，图6为本发明实施例在Cover Glass上制备得到的AR膜和相关技术中在Cover Glass上制备得到的AR膜的透过率T示意图，图中5AR代表本发明的AR膜，6AR代表相关技术中的AR膜，我们得到，在波长550nm时，本发明的透过率T为93.7％，相关技术中的透过率T为93.6％，在波长550nm时透过率几乎无差异；在波长850nm时，本发明的透过率T为90.5％，相关技术中的透过率T为92.9％，在波长850nm时透过率仅存在2％左右差异；虽然在可见光波段本发明的透过率和相关技术中相差无几甚至在680nm以后的波段没有相关技术中的透过率高，但是从整体上透过率差不多，二者的性能差不多，但是本发明的5层SiN/SiO2AR膜的制备工艺简单、高效、低成本，因此总体上优于相关技术中的AR膜。
请参考图7，图7为本发明实施例在镀有Sensor(触控层)的Cover Glass上制备得到的AR膜和相关技术中在Cover Glass上制备得到的AR膜的透过率T示意图，可以看出，在波长550nm时，本发明的透过率T为87.1％，相关技术中的透过率T为89.6％；本发明的AR膜的明度L、A、B值分别为94.93、-0.81、3.29，相关技术中AR膜的明度L、A、B值分别为95.59、-0.83、3.1，因此二者的L、A、B值很接近，什么二者的色彩明度很接近。虽然在可见光波段380nm-780nm本发明的透过率没有相关技术中的透过率高，但是从整体上透过率差不多，且二者的L、A、B值很接近，因此二者的性能差不多，但是本发明的5层SiN/SiO2AR膜的制备工艺简单、高效、低成本，因此总体上优于相关技术中的AR膜。
下面对本发明实施例提供的5层SiN/SiO2AR膜结构和相关技术中提供的6层Nb2O5/SiO2AR膜结构中各膜层膜厚对光学指标的影响进行测试说明，见如下表1：
表1
Figure BDA0002407393730000101
其中，影响因素K定义为：单一膜厚15％均一性范围内，单一膜层单位膜厚对光学的影响大小，
Figure BDA0002407393730000102
a、b是代表物体颜色的色度值，也就是该颜色的色空间坐标，任何颜色都有唯一的坐标值；其中a代表红绿色，b代表黄蓝色；△Ra表示a对反射率的影响，△Rb表示b对反射率的影响，△Rave表示平均反射率，△Rmax表示最大反射率。
从表1中可以看出，本发明提供的5层AR膜中第一SiN膜层(表1中的SiN1-1)的影响因素K值较其他膜层的K值大，因此5层SiN/SiO2AR膜结构中第一SiN膜层的膜厚对光学指标的影响较大，为关键膜层，应控制好膜厚。相关技术中提供的6层Nb2O5/SiO2AR膜中第一层Nb2O5(表1中的Nb2O5-1)的影响因素K值较其他膜层的K值大，因此6层Nb2O5/SiO2AR膜结构中第一层Nb2O5的膜厚对光学指标的影响较大，为关键膜层。
但是，对比本发明和相关技术中的膜层对波长在450nm-650nm范围内的反射率Rave均值的影响，6层Nb2O5/SiO2的厚度变化对反射率影响较大，本发明的5层AR膜结构工艺稳定性优于6层Nb2O5/SiO2 AR膜结构。
下面对本发明实施例提供的5层SiN/SiO2AR膜结构中各膜层膜厚对Rave和Rmax的影响进行测试说明，如图8A-图8E所示：
图8A为本发明图3所示的第三SiO2膜层的厚度(25nm)对Rave和Rmax的影响，可以看出，第三SiO2膜层厚度对Rave％(450nm-650nm波段)影响较小，在15％膜厚均一性内，ΔRave＝0.006，ΔRmax＝0.115。进一步证明了第三SiO2膜层的膜厚对光学影响较小，该膜层作用主要为增加附着力的作用。
图8B为本发明图3所示的第一SiN膜层的厚度(15nm)对Rave和Rmax的影响，可以看出，第一SiN膜层厚度对Rave％(450nm-650nm波段)影响较大，在15％膜厚均一性内，ΔRave＝0.11，ΔRmax＝0.10。
图8C为本发明图3所示的第一SiO2膜层的厚度(35nm)对Rave和Rmax的影响，可以看出，第一SiO2膜层厚度对Rave％(450nm-650nm波段)影响较小，对Rmax影响较大，在15％膜厚均一性内，ΔRave＝0.05，ΔRmax＝0.74。
图8D为本发明图3所示的第二SiN膜层的厚度(120nm)对Rave和Rmax的影响，可以看出，第二SiN膜层厚度对Rave％(450nm-650nm波段)影响较大，在15％膜厚均一性内，ΔRave＝0.64，ΔRmax＝0.37。
图8E为本发明图3所示的第二SiO2膜层的厚度(80nm)对Rave和Rmax的影响，可以看出，第二SiN膜层厚度对Rave％(450nm-650nm波段)影响较大，在15％膜厚均一性内，ΔRave＝0.53，ΔRmax＝0.67。
下面对本发明实施例提供的5层SiN/SiO2AR膜结构中各膜层膜厚对Ra和Rb的影响进行测试说明，如图9A-图9E所示：
图9A为本发明图3所示的第三SiO2膜层的厚度(25nm)对Ra和Rb的影响，可以看出，第三SiO2膜层厚度对Ra和Rb影响较小，在15％膜厚均一性内，ΔRa＝0.51，ΔRb＝0.53。
图9B为本发明图3所示的第一SiN膜层的厚度(15nm)对Ra和Rb的影响，可以看出，第一SiN膜层厚度对Ra影响较大，对Rb影响较小，在15％膜厚均一性内，ΔRa＝2.81，ΔRb＝0.46。
图9C为本发明图3所示的第一SiO2膜层的厚度(35nm)对Ra和Rb的影响，可以看出，第一SiO2膜层厚度对Ra和Rb影响较大，在15％膜厚均一性内，ΔRa＝2.69，ΔRb＝4.11。
图9D为本发明图3所示的第二SiN膜层的厚度(120nm)对Ra和Rb的影响，可以看出，第二SiN膜层厚度对Ra和Rb影响较大，在15％膜厚均一性内，ΔRa＝6.1，ΔRb＝7。
图9E为本发明图3所示的第二SiO2膜层的厚度(80nm)对Ra和Rb的影响，可以看出，第二SiN膜层厚度对Ra和Rb影响较大，在15％膜厚均一性内，ΔRave＝2.56，ΔRmax＝3.45。
因此通过上述对本发明提供的5层AR膜的各膜层膜厚对光学指标的影响因素K的影响，在制备AR膜时可以严格控制各膜层的厚度，以得到性能较优的AR膜。
本发明实施例提供的防反射膜及其制备方法，本发明通过采用交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层构成防反射膜，在可见光波段能够起到增透减反的效果；并且在镀制本发明的防反射膜时，只需在一个腔体的不同腔室依次交替镀制层叠的SiN膜层和SiO2膜层，因此镀制本发明的防反射膜的镀制圈数只需一圈，从而使镀制设备稼动率较高(效率较高)、镀制工艺过程较短，使得产品附加值增大(成本较低)。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种防反射膜，其特征在于，包括在基材上交替层叠镀制的SiN膜层和SiO2膜层。
2.如权利要求1所述的防反射膜，其特征在于，所述SiN膜层和SiO2膜层的总层数为4层-6层。
3.如权利要求1所述的防反射膜，其特征在于，包括在所述基材上交替层叠镀制的第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。
4.如权利要求3所述的防反射膜，其特征在于，还包括镀制在所述基材和所述第一SiN膜层之间的第三SiO2膜层。
5.如权利要求4所述的防反射膜，其特征在于，所述第一SiN膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000011
所述第一SiO2膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000012
所述第二SiN膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000013
所述第二SiO2膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000014
所述第三SiO2膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000015
6.如权利要求5所述的防反射膜，其特征在于，所述第一SiN膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000018
所述第一SiO2膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000016
所述第二SiN膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000019
所述第二SiO2膜层的厚度为
Figure FDA0002407393720000017
所述第三SiO2膜层的厚度为
Figure FDA00024073937200000110
Figure FDA00024073937200000111
7.如权利要求1所述的防反射膜，其特征在于，在可见光波段380nm-780nm，所述防反射膜的透光率大于92.5％。
8.如权利要求1所述的防反射膜，其特征在于，所述基材为保护玻璃或设有触控模组的保护玻璃。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的防反射膜的制备方法，其特征在于，包括：在基材上依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。
10.如权利要求9所述的制备方法，其特征在于，采用真空磁控溅射镀膜法在所述基材上依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。
11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，采用真空磁控溅射镀膜法在所述基材上依次镀制第一SiN膜层、第一SiO2膜层、第二SiN膜层和第二SiO2膜层。
12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在镀制所述第一SiN膜层之前，还包括：在所述基材上镀制第三SiO2膜层。
13.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在同一个镀制腔体的不同腔室内依次镀制交替层叠的SiN膜层和SiO2膜层。
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