CN111277296B - 射频电路、射频芯片和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种射频电路、射频芯片和电子设备，该射频电路包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器、第四功率放大器、射频处理电路、切换开关模组、第一定向耦合器和第二定向耦合器，射频处理电路包括：第一选择开关、第二选择开关、第三选择开关、第四选择开关、第五选择开关、第六选择开关、六工器、四工器、第一滤波模块、第二滤波模块、第三滤波模块、第四滤波模块、第五滤波模块和第六滤波模块；第一功率放大器、第二功率放大器用于实现对中频频段的信号实现放大功能，第三功率放大器、第四功率放大器用于实现对高频频段的信号放大功能。本申请实施例能够在射频电路中集成多个器件功能，减小了器件占用PCB板的面积。

Description

射频电路、射频芯片和电子设备

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域，具体涉及一种射频电路、射频芯片和电子设备。

背景技术

随着电子设备(如智能手机)等电子设备的大量普及应用，电子设备能够支持的应用越来越多，功能越来越强大，电子设备向着多样化、个性化的方向发展，成为用户生活中不可缺少的电子用品。

第四代(the 4th Generation，4G)移动通信系统中电子设备一般采用单天线或双天线射频系统架构。4G方案的射频框架比较简单，包括发射器件、接收器件、切换开关和天线。其中，发射器件可以包括低频(low band，LB)发射模块和中高频(middle high band，MHB)发射模块，接收器件可以包括主集接收(primary receive，PRX)模块和分集接收(diversity receive，DRX)模块。主集接收模块、切换开关和天线之间的接收通路为主集接收通路，分集接收模块、切换开关和天线之间的接收通路为分集接收通路。切换开关可以在主集接收通路和分集接收通路之间进行智能切换。目前的射频架构由多个器件构成，增加了器件占用PCB板的面积。

发明内容

本申请实施例提供了一种射频电路、射频芯片和电子设备，能够在射频电路中集成多个器件功能，减小了器件占用PCB板的面积。

第一方面，本申请实施例提供一种射频电路，包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器、第四功率放大器、射频处理电路、切换开关模组、第一定向耦合器和第二定向耦合器，其中，

所述射频处理电路包括：第一选择开关、第二选择开关、第三选择开关、第四选择开关、第五选择开关、第六选择开关、六工器、四工器、第一滤波模块、第二滤波模块、第三滤波模块、第四滤波模块、第五滤波模块和第六滤波模块；

所述第一功率放大器通过所述第一选择开关、所述四工器、所述第五选择开关连接所述第二定向耦合器或者通过所述开关切换模块连接所述第二定向耦合器，所述第一功率放大器通过所述第一选择开关、所述第一滤波模块、所述第五选择开关连接所述第二定向耦合器或者通过所述开关切换模块连接所述第二定向耦合器，所述第一功率放大器通过所述第一选择开关、所述第二滤波模块、所述第五选择开关连接所述第二定向耦合器或者通过所述开关切换模块连接所述第二定向耦合器；

所述第二功率放大器通过所述第二选择开关、所述六工器、所述切换开关模组连接所述第一定向耦合器；

所述第三功率放大器通过所述第三选择开关、所述第三滤波模块、所述第六选择开关连接所述第二定向耦合器或者通过所述开关切换模块连接所述第二定向耦合器，所述第三功率放大器通过所述第三选择开关、所述第四滤波模块、所述第六选择开关连接所述第二定向耦合器或者通过所述开关切换模块连接所述第二定向耦合器，所述第三功率放大器通过所述第三选择开关、所述第五滤波模块、所述第六选择开关连接所述第二定向耦合器或者通过所述开关切换模块连接所述第二定向耦合器；

所述第四功率放大器通过所述第四选择开关、所述六工器、所述切换开关模组连接所述第一定向耦合器，所述第四功率放大器通过所述第四选择开关、所述第六滤波模块、所述切换开关模组连接所述第一定向耦合器；

所述第一功率放大器用于实现对输入的第一中频频段的信号实现放大功能，所述第二功率放大器用于实现对第二中频频段的信号实现放大功能，所述第三功率放大器用于实现对输入的第一高频频段的信号放大功能，所述第四功率放大器用于实现对输入的第二高频频段的信号放大功能。

第二方面，本申请实施例提供一种射频芯片，包括如第一方面任一项所述的射频电路。

第三方面，本申请实施例提供一种电子设备，包括如第一方面任一项所述的射频电路或者如第二方面所述的射频芯片。

可以看出，本申请实施例中所描述的射频电路、射频芯片和电子设备，该射频电路能够实现MB+MB ENDC模式，HB+HB ENDC模式，MB+HB ENDC模式，且能够支持N41 2TX，因此，大大缩小器件占用的PCB面积。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种射频电路的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的一种射频芯片的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的另一种射频芯片的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的另一种射频芯片的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、产品或设备固有的其他步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本申请实施例所涉及到的电子设备可以包括各种具有无线通信功能的手持设备、车载设备、虚拟现实/增强现实设备、无线耳机、智能家居设备、可穿戴设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其他处理设备，以及各种形式的用户设备(User Equipment，UE)(例如，手机)，移动台(Mobile Station，MS)，终端设备(terminal device)等等。为方便描述，上面提到的设备统称为电子设备。

其中，智能家居设备可以为以下至少一种：智能音箱、智能电视机、智能冰箱、智能洗衣机、智能灯具、智能马桶、智能电饭煲、智能晾衣架、智能按摩椅、智能家具、智能传感器、智能门窗、智能路由器、智能网关、智能开关面板等等，在此不做限定。

本申请实施例中，非独立组网(non-Standalone，NSA)模式包括EN-DC、NE-DC和NGEN-DC构架中的任一种。

在EN-DC构架下，电子设备连接4G核心网，4G基站为主站，5G基站为辅站；

在NE-DC构架下，引入5G核心网，5G基站为主站，4G基站为辅站；

在NGEN-DC构架下，引入5G核心网，4G基站为主站，5G基站为辅站。

其中，DC代表Dual Connectivity，即双连接(Dual Connectivity，DC)；E代表进化的通用移动通信系统(Universal Mobile Telecommunications System，UMTS)陆地无线接入(Evolved-UMTS Terrestrial Radio Access，E-UTRA或EUTRA)，即4G无线接入网；N代表(new radio，NR)，即5G新无线；NG代表(next generation，NG)下一代核心网，即5G核心网。

EN-DC就是指4G无线接入网与5G NR的双连接，NE-DC指5G NR与4G无线接入网的双连接，而NGEN-DC指在5G核心网下的4G无线接入网与5G NR的双连接。

请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种射频电路10的结构示意图，该射频电路10包括第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、第四功率放大器14、射频处理电路15、切换开关模组16、第一定向耦合器191和第二定向耦合器192；

其中，所述射频处理电路15包括：第一选择开关151、第二选择开关152、第三选择开关153、第四选择开关154、第五选择开关155、第六选择开关156、六工器17、四工器18、第一滤波模块161、第二滤波模块162、第三滤波模块163、第四滤波模块164、第五滤波模块165和第六滤波模块166；

所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述四工器18、所述第五选择开关155连接所述第二定向耦合器192或者通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述第一滤波模块161、所述第五选择开关155连接所述第二定向耦合器192或者通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述第二滤波模块162、所述第五选择开关155连接所述第二定向耦合器192或者通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192；

所述第二功率放大器12通过所述第二选择开关152、所述六工器17、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191；

所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第三滤波模块163、所述第六选择开关156连接所述第二定向耦合器192或者通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第四滤波模块164、所述第六选择开关156连接所述第二定向耦合器192或者通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第五滤波模块165、所述第六选择开关156连接所述第二定向耦合器192或者通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192；

所述第四功率放大器14通过所述第四选择开关154、所述六工器17、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191，所述第四功率放大器14通过所述第四选择开关154、所述第六滤波模块166、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191；

所述第一功率放大器11用于实现对输入的第一中频频段的信号实现放大功能，所述第二功率放大器12用于实现对第二中频频段的信号实现放大功能，所述第三功率放大器13用于实现对输入的第一高频频段的信号放大功能，所述第四功率放大器14用于实现对输入的第二高频频段的信号放大功能。

其中，第一选择开关151可以为SP4T开关，第二选择开关152可以为SPDT开关，第三选择开关153可以为3P3T开关，第四选择开关154可以为DPDT开关，第五选择开关155可以为SP6T开关，第六选择开关156可以为SP5T开关。第一滤波模块161可以保留B2频段，滤除其他频段，第二滤波模块162可以保留B34和B39频段，滤除其他频段，第三滤波模块163可以保留B40频段，滤除其他频段，第四滤波模块164可以保留B41频段，滤除其他频段，第五滤波模块165可以保留B7频段，滤除其他频段，第六滤波模块166可以保留B41频段，滤除其他频段。

本申请实施例中，六工器17可以允许B1频段、B3频段和B7频段同时工作。四工器18可以允许B1频段和B3频段同时工作。

其中，第一定向耦合器191、第二定向耦合器192均可以将两路射频信号进行混合后输出。可选地，第一定向耦合器191、第二定向耦合器192均还可以具有功率分配的功能，用于将输入的信号的功率分为几路反馈到射频收发器11对应的接收端口，以便于射频收发器11调整其发射的射频信号的功率。

在一个可能的示例中，所述第一中频频段包括如下至少一种：B1频段、B3频段、B2频段、B34频段和B39频段；所述第二中频频段包括如下至少一种：B1频段、B3频段、B7频段、N1频段和N3频段；所述第一高频频段包括如下至少一种：B40频段、B41频段、B7频段、N41频段、N40频段和N7频段；所述第二高频频段包括如下至少一种：B1频段、B3频段、B7频段、B41频段和N41频段。

其中，第一中频频段可以包括4G频段，比如，B1频段、B3频段、B2频段、B34频段、B39频段。第二中频频段可以包括4G频段，比如，B1频段、B3频段、B7频段，或者，第二中频频段可以包括5G频段，比如N1频段、N3频段。第一高频频段可以包括4G频段，比如，B40频段、B41频段、B7频段，或者，第一高频片段可以包括5G频段，如N41频段、N40频段、N7频段。第二高频频段可以包括4G频段，比如B1频段、B3频段、B7频段、B41频段，或者，第二高频频段可以包括5G频段，比如，N41频段。

需要说明的是，4G频段的B41与5G频段的N41的频段范围相同，4G频段的B1与5G频段的N1的频段范围相同，4G频段的B3与5G频段的N3的频段范围相同，4G频段的B40与5G频段的N40的频段范围相同，4G频段的B7与5G频段的N7的频段范围相同。

在一个可能的示例中，所述第一定向耦合器191用于连接第一天线01，所述第二定向耦合器192用于连接第二天线02。

其中，第一天线01可以用于如下4G频段：B1频段、B3频段、B7频段发射或者接收，以及B41频段接收，还能够用于5G频段，如N1频段、N41频段发射或者接收；第二天线02可以用于如下4G频段：B1频段、B3频段、B2频段、B34频段、B39频段、B7频段、B41频段、B40频段发射，以及B1频段、B2频段、B3频段、B39频段、B7频段、B41频段、B40频段发射接收，以及2G HB频段发射，还能够用于5G频段，如N41频段、N40频段、N7频段发射或者接收。

本申请实施例中，上述射频电路10能够作为实现5G射频发射或者接收模组的功能。

在一个可能的示例中，所述射频电路10用于连接射频收发器，所述射频收发器用于实现接收或者发送射频信号。具体地，射频电路10通过第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、第四功率放大器14连接射频收发器。

在一个可能的示例中，所述切换开关模组16包括一个切换开关，所述切换开关包括双刀四掷DP4T开关或者SPDT的一种。

在一个可能的示例中，所述射频电路10还包括第一接收模组和第二接收模组；

所述第一接收模组用于通过所述四工器18或者所述第一滤波模组161实现接收射频信号；

所述第二接收模组用于通过所述第二选择开关152或者所述第四选择开关154实现接收射频信号。

其中，第一接收模组能够实现接收B1频段、B3频段、B2频段、B7频段、B40频段、B41频段射频信号；第二接收模组能够实现接收B1频段、B3频段、B7频段、B41频段射频信号；

在一个可能的示例中，所述射频电路10还包括第七滤波模块，所述第七滤波模块连接所述第五选择开关155，所述第七滤波模块用于实现接收由所述第五选择开关155传递的指定频段的射频信号。

其中，指定频段可以为B39频段。

在一个可能的示例中，所述射频电路10通过所述第五选择开关155、所述开关切换模块16、所述第二定向耦合器192实现2G HB射频信号发射功能、信号接收功能；或者，所述射频电路10通过所述第五选择开关155、所述第二定向耦合器192实现2G HB射频信号发射、信号接收功能。

本申请实施例中，上述射频电路10能够可以理解为用于实现MHB+MHB NSA和N412TX射频新器件，该器件内部集成了2个MB PA和2个HB PA，以及对应频段的双工器、滤波模块(SAW)和切换开关模组等。

其与相关技术中的的PAMID器件对比的话，PAMID可以是集成PA、双工器、滤波器、开关的射频集成模组。

其新增加1个MB PA和1个HB PA，新增1个B1+B3+B7六工器和B41 SAW，新增了1个定向耦合器。

MHB NR需要4个天线，对于中国移动要求N41 2T4R，就是需要2个N41 PA，4条RX通。NSA指的是LTE+NR共同工作，需要TE和NR两个PA同时工作。本申请实施例中的射频电路，即新PAMID器件，能够实现MB+MB ENDC模式，HB+HB ENDC模式，MB+HB ENDC模式，同时可以支持N41 2TX，会大大缩小器件占用的PCB面积。

具体实现中，非独立组网(non-Standalone，NSA)模式，能够实现以下功能：

1、MB+MB ENDC模式，第一功率放大器11和第二功率放大器12同时工作，实现B1频段+N3频段射频发射功能，或者，B3频段+N1 ENDC频段射频发射功能。

具体地，B1频段发射通路包括：第一功率放大器11→四工器18→第五选择开关155→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第一功率放大器11→四工器18→第五选择开关155→第二定向耦合器192→第二天线02；B3频段发射通路包括：第二功率放大器12→第二选择开关152→六工器17→切换开关模组16→第一定向耦合器191→第一天线01。

或者，B3频段发射通路包括：第一功率放大器11→四工器18→第五选择开关155→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第一功率放大器11→四工器18→第五选择开关155→第二定向耦合器192→第二天线02；N1 ENDC频段发射通路包括：第二功率放大器12→第二选择开关152→六工器17→切换开关模组16→第一定向耦合器191→第一天线01。

2、HB+HB ENDC模式，第三功率放大器12和第四功率放大器14同时工作，实现B7频段+N41频段射频发射功能，或者，B40频段+N41 ENDC频段射频发射功能。

具体地，B7频段发射通路包括：第三功率放大器13→第三选择开关153→第五滤波模组165→第六选择开关156→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第三功率放大器13→第三选择开关153→第五滤波模组165→第六选择开关156→第二定向耦合器192→第二天线02；N41频段发射通路包括：第四功率放大器14→第四选择开关154→第六滤波模组166→切换开关模组16→第一定向耦合器191→第一天线01。

或者，B40频段发射通路包括：第三功率放大器12→第三选择开关153→第三滤波模组163→第六选择开关156→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第三功率放大器13→第三选择开关153→第三滤波模组163→第六选择开关156→第二定向耦合器192→第二天线02；N41 ENDC频段发射通路包括：第四功率放大器14→第四选择开关154→第六滤波模组166→切换开关模组16→第一定向耦合器191→第一天线01。

3、MB+HB ENDC，第一功率放大器11和第三功率放大器13同时工作，实现B1/B2/B3/B34/39频段，以及N41/N40/N7 ENDC频段发射功能。

具体地，B1频段、B3频段发射通路包括：第一功率放大器11→四工器18→第五选择开关155→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第一功率放大器11→四工器18→第五选择开关155→第二定向耦合器192→第二天线02。B2频段发射通路包括：第一功率放大器11→第一滤波模组161→第五选择开关155→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第一功率放大器11→第一滤波模组161→第五选择开关155→第二定向耦合器192→第二天线02。B34频段、B39发射通路包括：第一功率放大器11→第二滤波模组162→第五选择开关155→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第一功率放大器11→第二滤波模组162→第五选择开关155→第二定向耦合器192→第二天线02。

或者，N40频段发射通路包括：第三功率放大器13→第三选择开关153→第三滤波模组163→第六选择开关156→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第三功率放大器13→第三选择开关153→第三滤波模组163→第六选择开关156→第二定向耦合器192→第二天线02。N41频段发射通路包括：第三功率放大器13→第三选择开关153→第四滤波模组164→第六选择开关156→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第三功率放大器13→第三选择开关153→第四滤波模组164→第六选择开关156→第二定向耦合器192→第二天线02。N7频段发射通路包括：第三功率放大器13→第三选择开关153→第五滤波模组165→第六选择开关156→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第三功率放大器13→第三选择开关153→第五滤波模组165→第六选择开关156→第二定向耦合器192→第二天线02。

4、N41 SA2TX模式，第三功率放大器13和第四功率放大器14同时工作，实现N41SA2TX发射功能。

具体地，N41频段发射通路包括：第三功率放大器13→第三选择开关153→第四滤波模组164→第六选择开关156→切换开关模组16→第二定向耦合器192→第二天线02；或者，第三功率放大器13→第三选择开关153→第四滤波模组164→第六选择开关156→第二定向耦合器192→第二天线02。N41频段发射通路包括：第四功率放大器14→第四选择开关154→第六滤波模组166→切换开关模组16→第一定向耦合器191→第一天线01。

5、切换开关模组16能够实现端口切换以及天线智能切换。

6、由于ENDC和N41 SA2TX都是两路TX，因此，需要两个功率耦合器，即第一定向耦合器191和第二定向耦合器192。

本申请实施例的第一接收模组、第二接收模组均可以包括微低噪声放大器(microlow noise amplifier，MLNA)，MLNA内部可以集成低噪声放大器(low noise amplifier，LNA)，可以实现RX信号的放大。

或者，第一接收模组、第二接收模组均可以包括L-DRX，L-DRX是集成声表面波滤波器(surface acoustic wave，SAW)和LNA的接收模组，用于实现RX信号的过滤和放大。

可以看出，本申请实施例中所描述的射频电路，该射频电路能够实现MB+MB ENDC模式，HB+HB ENDC模式，MB+HB ENDC模式，且能够支持N412TX，因此，大大缩小器件占用的PCB面积。

可选地，请参阅图2，图2提供了一种射频芯片20，该射频芯片20包括如图1所示的射频电路10，即可以理解为，射频芯片20为射频电路10的封装结构，该射频电路10包括第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、第四功率放大器14、射频处理电路15、切换开关模组16、第一定向耦合器191和第二定向耦合器192；

其中，所述射频处理电路15包括：第一选择开关151、第二选择开关152、第三选择开关153、第四选择开关154、第五选择开关155、第六选择开关156、六工器17、四工器18、第一滤波模块161、第二滤波模块162、第三滤波模块163、第四滤波模块164、第五滤波模块165和第六滤波模块166；

所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述四工器18、所述第五选择开关155通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述第一滤波模块161、所述第五选择开关155通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述第二滤波模块162、所述第五选择开关155通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192；

所述第二功率放大器12通过所述第二选择开关152、所述六工器17、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191；

所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第三滤波模块163、所述第六选择开关156通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第四滤波模块164、所述第六选择开关156通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第五滤波模块165、所述第六选择开关156通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192；

所述第四功率放大器14通过所述第四选择开关154、所述六工器17、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191，所述第四功率放大器14通过所述第四选择开关154、所述第六滤波模块166、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191；

所述第五选择开关155连接所述第七滤波模块167。

所述第一功率放大器11用于实现对输入的第一中频频段的信号实现放大功能，所述第二功率放大器12用于实现对第二中频频段的信号实现放大功能，所述第三功率放大器13用于实现对输入的第一高频频段的信号放大功能，所述第四功率放大器14用于实现对输入的第二高频频段的信号放大功能。

所述第七滤波模块167用于实现可以保留B39频段，滤除其他频段。

其中，第一天线01可以用于如下4G频段：B1频段、B3频段、B7频段发射或者接收，以及B41频段接收，还能够用于5G频段，如N1频段、N41频段发射或者接收；第二天线02可以用于如下4G频段：B1频段、B3频段、B2频段、B34频段、B39频段、B7频段、B41频段、B40频段发射，以及B1频段、B2频段、B3频段、B39频段、B7频段、B41频段、B40频段发射接收，以及2G HB频段发射，还能够用于5G频段，如N41频段、N40频段、N7频段发射或者接收。

该射频芯片20可以包括24个端口，各个端口的具体功能如下表所示：

可以看出，本申请实施例中所描述的射频芯片，该射频芯片能够实现MB+MB ENDC模式，HB+HB ENDC模式，MB+HB ENDC模式，且能够支持N412TX，因此，大大缩小器件占用的PCB面积。

可选地，请参阅图3，图3提供了一种射频芯片30，该射频芯片30包括如图1所示的射频电路10，即可以理解为，射频芯片30为射频电路30的封装结构。

其中，所述射频处理电路15包括：第一选择开关151、第二选择开关152、第三选择开关153、第四选择开关154、第五选择开关155、第六选择开关156、六工器17、四工器18、第一滤波模块161、第二滤波模块162、第三滤波模块163、第四滤波模块164、第五滤波模块165和第六滤波模块166；

所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述四工器18、所述第五选择开关155连接所述第二定向耦合器192，所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述第一滤波模块161、所述第五选择开关155连接所述第二定向耦合器192，所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述第二滤波模块162、所述第五选择开关155连接所述第二定向耦合器192；

所述第二功率放大器12通过所述第二选择开关152、所述六工器17、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191；

所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第三滤波模块163、所述第六选择开关156连接所述第二定向耦合器192，所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第四滤波模块164、所述第六选择开关156连接所述第二定向耦合器192，所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第五滤波模块165、所述第六选择开关156连接所述第二定向耦合器192；

所述第四功率放大器14通过所述第四选择开关154、所述六工器17、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191，所述第四功率放大器14通过所述第四选择开关154、所述第六滤波模块166、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191；

所述第五选择开关155连接所述第七滤波模块167；

所述第一功率放大器11用于实现对输入的第一中频频段的信号实现放大功能，所述第二功率放大器12用于实现对第二中频频段的信号实现放大功能，所述第三功率放大器13用于实现对输入的第一高频频段的信号放大功能，所述第四功率放大器14用于实现对输入的第二高频频段的信号放大功能。

其中，第一天线01可以用于如下4G频段：B1频段、B3频段、B7频段发射或者接收，以及B41频段接收，还能够用于5G频段，如N1频段、N41频段发射或者接收；第二天线02可以用于如下4G频段：B1频段、B3频段、B2频段、B34频段、B39频段、B7频段、B41频段、B40频段发射，以及B1频段、B2频段、B3频段、B39频段、B7频段、B41频段、B40频段发射接收，以及2G HB频段发射，还能够用于5G频段，如N41频段、N40频段、N7频段发射或者接收。

相对比于图2所示的射频芯片20而言，其切换开关模组16由DP4T换成SP2T，导致该器件无法支持天线切换功能，则需要在射频芯片20外部再额外新增切换开关，用于实现天线切换功能。

该射频芯片30可以包括24个端口，各个端口的具体功能如下表所示：

可以看出，本申请实施例中所描述的射频芯片，该射频芯片能够实现MB+MB ENDC模式，HB+HB ENDC模式，MB+HB ENDC模式，且能够支持N412TX，因此，大大缩小器件占用的PCB面积。

可选地，请参阅图4，图4提供了一种射频芯片40，该射频芯片40包括如图1所示的射频电路10，即可以理解为，射频芯片40为射频电路10的封装结构，该射频电路10包括第一功率放大器11、第二功率放大器12、第三功率放大器13、第四功率放大器14、射频处理电路15、切换开关模组16、第一定向耦合器191和第二定向耦合器192，其与图2相比较，图4所示的射频芯片集成了第一接收模组41和第二接收模组42；

其中，所述射频处理电路15包括：第一选择开关151、第二选择开关152、第三选择开关153、第四选择开关154、第五选择开关155、第六选择开关156、六工器17、四工器18、第一滤波模块161、第二滤波模块162、第三滤波模块163、第四滤波模块164、第五滤波模块165和第六滤波模块166；

所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述四工器18、所述第五选择开关155通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述第一滤波模块161、所述第五选择开关155通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第一功率放大器11通过所述第一选择开关151、所述第二滤波模块162、所述第五选择开关155通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192；

所述第二功率放大器12通过所述第二选择开关152、所述六工器17、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191；

所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第三滤波模块163、所述第六选择开关156通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第四滤波模块164、所述第六选择开关156通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192，所述第三功率放大器13通过所述第三选择开关153、所述第五滤波模块165、所述第六选择开关156通过所述开关切换模块16连接所述第二定向耦合器192；

所述第四功率放大器14通过所述第四选择开关154、所述六工器17、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191，所述第四功率放大器14通过所述第四选择开关154、所述第六滤波模块166、所述切换开关模组16连接所述第一定向耦合器191；

所述第五选择开关155连接所述第七滤波模块167。

所述第一功率放大器11用于实现对输入的第一中频频段的信号实现放大功能，所述第二功率放大器12用于实现对第二中频频段的信号实现放大功能，所述第三功率放大器13用于实现对输入的第一高频频段的信号放大功能，所述第四功率放大器14用于实现对输入的第二高频频段的信号放大功能。

所述第七滤波模块167用于实现可以保留B39频段，滤除其他频段。

其中，所述第一接收模组41用于通过所述四工器18或者所述第一滤波模组161实现接收射频信号；

所述第二接收模组42用于通过所述第二选择开关152或者所述第四选择开关154实现接收射频信号。

其中，第一天线01可以用于如下4G频段：B1频段、B3频段、B7频段发射或者接收，以及B41频段接收，还能够用于5G频段，如N1频段、N41频段发射或者接收；第二天线02可以用于如下4G频段：B1频段、B3频段、B2频段、B34频段、B39频段、B7频段、B41频段、B40频段发射，以及B1频段、B2频段、B3频段、B39频段、B7频段、B41频段、B40频段发射接收，以及2G HB频段发射，还能够用于5G频段，如N41频段、N40频段、N7频段发射或者接收。

相对比于图2所示的射频芯片20而言，图4所示的射频芯片40将接收模组集成于该射频芯片内部，组成LPAMID，运行可以增加外部单滤波器(SAW)连接该器件，进一步增加该射频芯片的功能。

该射频芯片40可以包括24个端口，各个端口的具体功能如下表所示：

可以看出，本申请实施例中所描述的射频芯片，该射频芯片不仅能够实现MB+MBENDC模式，HB+HB ENDC模式，MB+HB ENDC模式，且能够支持N412TX，该射频芯片还集成了第一接收模组和第二接收模组，进一步提升了器件集成度，大大缩小器件占用的PCB面积。

需要说明的是，上述图2、图3、图4所示的中高频频段可以包括：第一中频频段、第二中频频段、第一高频频段、第二高频频率中的至少一个频段。

请参阅图5，图5是本申请实施例提供的一种电子设备500的结构示意图，如图5所示，该电子设备500可以包括主板501、射频电路10、第一天线502和第二天线503，射频电路10设置于主板501上，射频电路10通过第一定向耦合器191连接第一天线502，通过第二定向耦合器192连接第二天线503。

可以看出，本申请实施例中所描述的电子设备，由于该射频电路不仅能够实现MB+MB ENDC模式，HB+HB ENDC模式，MB+HB ENDC模式，且能够支持N41 2TX，提升了器件集成度，大大缩小器件占用的PCB面积。

以上是本申请实施例的实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种射频电路，其特征在于，包括第一功率放大器、第二功率放大器、第三功率放大器、第四功率放大器、射频处理电路、切换开关模组、第一定向耦合器和第二定向耦合器，其中，

所述射频处理电路包括：第一选择开关、第二选择开关、第三选择开关、第四选择开关、第五选择开关、第六选择开关、六工器、四工器、第一滤波模块、第二滤波模块、第三滤波模块、第四滤波模块、第五滤波模块和第六滤波模块；

所述第一功率放大器通过所述第一选择开关、所述四工器连接所述第五选择开关，所述第五选择开关直接连接所述第二定向耦合器或者通过所述切换开关模组连接所述第二定向耦合器；

所述第一功率放大器通过所述第一选择开关、所述第一滤波模块连接所述第五选择开关，所述第五选择开关直接连接所述第二定向耦合器或者通过所述切换开关模组连接所述第二定向耦合器；

所述第一功率放大器通过所述第一选择开关、所述第二滤波模块连接所述第五选择开关，所述第五选择开关直接连接所述第二定向耦合器或者通过所述切换开关模组连接所述第二定向耦合器；

所述第二功率放大器通过所述第二选择开关、所述六工器、所述切换开关模组连接所述第一定向耦合器；

所述第三功率放大器通过所述第三选择开关、所述第三滤波模块连接所述第六选择开关，所述第六选择开关直接连接所述第二定向耦合器或者通过所述切换开关模组连接所述第二定向耦合器；

所述第三功率放大器通过所述第三选择开关、所述第四滤波模块连接所述第六选择开关，所述第六选择开关直接连接所述第二定向耦合器或者通过所述切换开关模组连接所述第二定向耦合器；

所述第三功率放大器通过所述第三选择开关、所述第五滤波模块连接所述第六选择开关，所述第六选择开关直接连接所述第二定向耦合器或者通过所述切换开关模组连接所述第二定向耦合器；

所述第四功率放大器通过所述第四选择开关、所述六工器、所述切换开关模组连接所述第一定向耦合器，所述第四功率放大器通过所述第四选择开关、所述第六滤波模块、所述切换开关模组连接所述第一定向耦合器；

所述第一功率放大器用于实现对输入的第一中频频段的信号实现放大功能，所述第二功率放大器用于实现对第二中频频段的信号实现放大功能，所述第三功率放大器用于实现对输入的第一高频频段的信号放大功能，所述第四功率放大器用于实现对输入的第二高频频段的信号放大功能。

2.根据权利要求1所述的射频电路，其特征在于，所述第一定向耦合器用于连接第一天线，所述第二定向耦合器用于连接第二天线。

3.根据权利要求1或2所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路用于连接射频收发器，所述射频收发器用于实现接收或者发送射频信号。

4.根据权利要求1或2所述的射频电路，其特征在于，

所述第一中频频段包括如下至少一种：B1频段、B3频段、B2频段、B34频段和B39频段；

所述第二中频频段包括如下至少一种：B1频段、B3频段、B7频段、N1频段和N3频段；

所述第一高频频段包括如下至少一种：B40频段、B41频段、B7频段、N41频段、N40频段和N7频段；

所述第二高频频段包括如下至少一种：B1频段、B3频段、B7频段、B41频段和N41频段。

5.根据权利要求1或2所述的射频电路，其特征在于，所述切换开关模组包括一个切换开关，所述切换开关包括双刀四掷DP4T开关或者SPDT的一种。

6.根据权利要求1或2所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路还包括第一接收模组和第二接收模组；

所述第一接收模组用于通过所述四工器或者所述第一滤波模组实现接收射频信号；

所述第二接收模组用于通过所述六工器实现接收射频信号。

7.根据权利要求1或2所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路还包括第七滤波模块，所述第七滤波模块连接所述第五选择开关，所述第七滤波模块用于实现接收由所述第五选择开关传递的指定频段的射频信号。

8.根据权利要求1或2所述的射频电路，其特征在于，所述射频电路通过所述第五选择开关、所述切换开关模组、所述第二定向耦合器实现2G HB射频信号发射功能、信号接收功能；或者，所述射频电路通过所述第五选择开关、所述第二定向耦合器实现2G HB射频信号发射、信号接收功能。

9.一种射频芯片，其特征在于，所述射频芯片包括如权利要求1-8任一项所述的射频电路。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的射频电路或者如权利要求9所述的射频芯片。

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