CN110380741B - 射频前端装置和电子设备 - Google Patents

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CN110380741B CN201910656407.2A CN201910656407A CN110380741B CN 110380741 B CN110380741 B CN 110380741B CN 201910656407 A CN201910656407 A CN 201910656407A CN 110380741 B CN110380741 B CN 110380741B
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Abstract

本申请公开了一种射频前端装置和电子设备，装置包括：第一射频通路；第二射频通路；第一射频模块，第一射频模块包括中高频放大模组和第一开关模组，中高频放大模组通过第一开关模组连接第一射频通路和第二射频通路，第一开关模组用于控制中高频放大模组接通第一射频通路或第二射频通路；第二射频模块，第二射频模块包括低频放大模组和第二开关模组，低频放大模组通过第二开关模组连接第一射频通路和第二射频通路，第二开关模组用于控制低频放大模组接通第一射频通路或第二射频通路；第三射频模块，第三射频模块包括5G放大模组，5G放大模组连接第二射频通路。由此，可在不增加射频通道数量的情况下实现4G和5G refarming频段之间不同EN‑DC组合配置。

Description

射频前端装置和电子设备
技术领域
本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种射频前端装置和电子设备。
背景技术
2019年被定义为5G通信元年，全球各大通信运营商也在今年正式拉开5G移动通信网络的建设，由于考虑到5G SA(stand alone，独立组网)成本太高，国内外绝大多数运营商选择前期采用NSA(Non-standalone，非独立组网),也即EN-DC(E-UTRAand New radio DualConnectivity，4G无线接入网与5G新空口的双连接)的形式。EN-DC意味着整个射频前端架构将会变得比较复杂，同时一些运营商提出对传统的600MHz～2700MHz频带的频段进行refarming,这将进一步增大移动终端射频前端架构的设计难度。
发明内容
本申请的一个目的在于提出一种射频前端装置，低频放大模组和中高频放大模组通过开关模组可选择不同的射频通路，从而可实现4G和5G refarming频段之间的不同EN-DC组合配置。
本申请的另一个目的在于提出一种电子设备。
为达上述目的，本申请第一方面实施例提出一种射频前端装置，包括：第一射频通路；第二射频通路；第一射频模块，所述第一射频模块包括中高频放大模组和第一开关模组，其中，所述中高频放大模组通过所述第一开关模组连接所述第一射频通路和所述第二射频通路，所述第一开关模组用于控制所述中高频放大模组接通所述第一射频通路或所述第二射频通路；第二射频模块，所述第二射频模块包括低频放大模组和第二开关模组，其中，所述低频放大模组通过所述第二开关模组连接所述第一射频通路和所述第二射频通路，所述第二开关模组用于控制所述低频放大模组接通所述第一射频通路或所述第二射频通路；第三射频模块，所述第三射频模块包括5G放大模组，所述5G放大模组连接所述第二射频通路。
根据本申请实施例提出的射频前端装置，第一射频模块包括中高频放大模组和第一开关模组，其中，中高频放大模组通过第一开关模组连接第一射频通路和第二射频通路，第一开关模组用于控制中高频放大模组接通第一射频通路或第二射频通路，第二射频模块包括低频放大模组和第二开关模组，其中，低频放大模组通过第二开关模组连接第一射频通路和第二射频通路，第二开关模组用于控制低频放大模组接通第一射频通路或第二射频通路，第三射频模块包括5G放大模组，5G放大模组连接第二射频通路。由此，本申请实施例的射频前端装置，通过将低频放大模组、中高频放大模组和5G放大模组分别独立设置，并且低频放大模组和中高频放大模组分别通过第二开关模组和第一开关模组接通不同的射频通路，从而，可在不增加射频通道数量的情况下，实现4G和5G refarming频段之间的不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，从而使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
根据本申请的一个实施例，所述的射频前端装置，还包括：第一供电通路，所述第一供电通路与所述第一射频模块相连，以给所述第一射频模块供电；第二供电通路，所述第二供电通路与所述第二射频模块相连，以给所述第二射频模块供电；第三供电通路，所述第三供电通路与所述第三射频模块相连，以给所述第三射频模块供电。
根据本申请的一个实施例，所述5G放大模组包括第一5G放大模块和第二5G放大模块，所述第一5G放大模块连接所述第二射频通路，所述第二5G放大模块连接所述第二射频通路，其中，所述第一5G放大模块与所述第二5G放大模块支持不同的5G频段。
根据本申请的一个实施例，所述第一5G放大模块支持N78频段、或N77频段、或N79频段，所述第二5G放大模块支持N41频段。
根据本申请的一个实施例，所述中高频放大模组包括中频放大器和高频放大器，所述第一开关模组包括第一开关和第二开关，其中，所述第一开关的第一触点与所述中频放大器相连，所述第一开关的第二触点连接所述第一射频通路，所述第一开关的第三触点连接所述第二射频通路，所述第一开关控制所述中频放大器接通所述第一射频通路或所述第二射频通路，所述第二开关的第一触点与所述高频放大器相连，所述第二开关的第二触点连接所述第一射频通路，所述第二开关的第三触点连接所述第二射频通路，所述第二开关控制所述高频放大器接通所述第一射频通路或所述第二射频通路；所述低频放大模组包括低频放大器，所述第二开关模组包括第三开关，其中，所述第三开关的第一触点与所述低频放大器相连，所述第三开关的第二触点连接所述第一射频通路，所述第三开关的第三触点连接所述第二射频通路，所述第三开关控制所述低频放大器接通所述第一射频通路或所述第二射频通路。
根据本申请的一个实施例，在非独立组网模式下，通过所述第二开关模组控制所述低频放大模组接通所述第一射频通路，且通过所述第一开关模组控制所述中高频放大模组接通所述第二射频通路，以使所述低频放大模组和所述中高频放大模组同时进行工作，或者，通过所述第一开关模组控制所述中高频放大模组接通所述第一射频通路，且通过所述第二开关模组控制所述低频放大模组接通所述第二射频通路，以使所述低频放大模组和所述中高频放大模组同时进行工作，其中，所述低频放大模组或者所述中高频放大模组用于进行5G通信。
根据本申请的一个实施例，在非独立组网模式下，通过所述第一开关模组控制所述中高频放大模组接通所述第一射频通路，且所述5G放大模组接通所述第二射频通路，以使所述中高频放大模组和所述5G放大模组同时进行工作，其中，所述5G放大模组用于进行5G通信。
根据本申请的一个实施例，在非独立组网模式下，通过所述第二开关模组控制所述低频放大模组接通所述第一射频通路，且所述5G放大模组接通所述第二射频通路，以使所述低频放大模组和所述5G放大模组同时进行工作，其中，所述5G放大模组用于进行5G通信。
根据本申请的一个实施例，所述第一射频模块工作在ET模式或APT模式、所述第二射频模块工作在APT模式，所述第三射频模块工作在ET模式。
为达上述目的，本申请第二方面实施例提出一种电子设备，包括本申请第一方面实施例所述的射频前端装置。
根据本申请实施例提出的电子设备，通过设置的射频前端装置，将低频放大模组、中高频放大模组和5G放大模组分别独立设置，并且低频放大模组和中高频放大模组可分别通过第二开关模组和第一开关模组接通不同的射频通路，从而，可在不增加射频通道数量的情况下，实现4G和5G refarming频段之间的不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，从而使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
附图说明
图1为根据本申请实施例的射频前端装置的方框示意图；
图2为根据本申请一个实施例的射频前端装置的方框示意图；
图3为根据本申请另一个实施例的射频前端装置的方框示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
本申请提出将低频PAMID(低频放大模组)、中高频PAMID(中高频放大模组)以及5G放大模组NR(5G new radio，5G新空口)PA分别挂在不同的PMIC(Power management IC，电源管理芯片)上，同时低频PAMID和中高频PAMID可以通过射频开关选择不同的发射通路，从而，可在不增加射频通道数量的情况下，实现4G和5G refarming频段之间的不同EN-DC组合配置，且每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
下面参考附图详细描述本申请实施例的射频前端装置和电子设备。
图1为根据本申请实施例的射频前端装置的方框示意图。如图1所示，本申请实施例的射频前端装置100包括第一射频通路10、第二射频通路20、第一射频模块30、第二射频模块40和第三射频模块50。
其中，第一射频模块30包括中高频放大模组32和第一开关模组33，其中，中高频放大模组32通过第一开关模组33连接第一射频通路10和第二射频通路20，第一开关模组33用于控制中高频放大模组32接通第一射频通路10或第二射频通路20；第二射频模块40包括低频放大模组42和第二开关模组43，其中，低频放大模组42通过第二开关模组43连接第一射频通路10和第二射频通路20，第二开关模组43用于控制低频放大模组42接通第一射频通路10或第二射频通路20；第三射频模块50包括5G放大模组51，5G放大模组51连接第二射频通路20。
可理解，中高频放大模组32在第一开关模组33的控制下可通过第一射频通路10或者第二射频通路20传输中高频信号例如LTE频段的中高频信号，低频放大模组42在第二开关模组43的控制下可通过第一射频通路10或者第二射频通路20传输低频信号例如LTE频段的低频信号，5G放大模组51可通过第二射频通路20传输5G信号。
进一步地，根据本申请的一个实施例，如图2所示，射频前端装置100还包括：第一供电通路60、第二供电通路70和第三供电通路80，第一供电通路60与第一射频模块30相连，以给第一射频模块30供电；第二供电通路70与第二射频模块40相连，以给第二射频模块40供电；第三供电通路80与第三射频模块50相连，以给第三射频模块50供电。需要说明的是，第一供电通路60、第二供电通路70和第三供电通路80上可包括电源管理芯片PMIC，其中，如图3所示，第一供电通路60上设置有PMIC0#，PMIC0#与第一射频模块30连接，第二供电通路70上设置有PMIC1#，PMIC1#与第二射频模块40连接，第三供电通路80设置有PMIC2#，PMIC2#与第三射频模块50连接。
根据本申请的一个实施例，第一射频模块30可工作在ET模式或APT模式、第二射频模块40可工作在APT模式，第三射频模块50可工作在ET模式。也就是说，第一供电通路60和第三供电通路80的供电模式可包括ET(Envelop tracking，包络追踪)模式，第二供电通路70的供电模式可包括APT(Average power tracking，平均功率追踪)模式，其中ET模式最为省电，APT模式次之。
具体而言，PMIC0#可使用ET模式或者APT模式给第一射频模块30供电，PMIC1#可使用APT模式给第二射频模块40供电，PMIC2#可使用ET模式给第三射频模块50供电，其中，在第一供电通路60或者第三供电通路80工作在ET模式时，供电通路上还需连接数模转换器，以实现包络追踪，作为一个示例，如图3所示，第一供电通路60上可连接数模转换器DAC0，第三供电通路80上可连接数模转换器DAC1。
也就是说，第一供电通路60和第三供电通路80可为ET供电通路，第二供电通路70可为APT供电通路。
另外，可以理解的是，由于低频放大模组42的功耗较低，因此，PMIC1#可使用APT模式给第二射频模块40供电，而中高频放大模组32以及5G放大模组51的功耗较高，因此，PMIC0#可使用ET模式给第一射频模块30供电，PMIC2#可使用ET模式给第三射频模块50供电，以达到省电的目的。
由此，通过将低频放大模组42、中高频放大模组32以及5G放大模组51分别连接在不同的供电通路，即第一供电通路60给中高频放大模组32供电，且第一供电通路60上包括PMIC0#，第二供电通路70给低频放大模组42供电，且第二供电通路70上包括PMIC1#，第三供电通路80给5G放大模组51供电，且第三供电通路80上包括PMIC2#，同时，低频放大模组42与中高频放大模组32，分别通过第二开关模组43和第一开关模组33接通不同的射频通路，满足了不同EN-DC组合的工作条件，进而可在不增加射频通道数量的情况下实现4G和5Grefarming频段之间的不同EN-DC组合配置，且每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
具体地，根据本申请的一个实施例，如图2-3所示，5G放大模组51包括第一5G放大模块NR1和第二5G放大模块NR2，第一5G放大模块NR1连接第二射频通路20，第二5G放大模块NR2连接第二射频通路20，其中，第一5G放大模块NR1与第二5G放大模块NR2支持不同的5G频段。
需要说明的是，第一5G放大模块NR1和第二5G放大模块NR2集成设置在5G放大模组51中。
其中，第一5G放大模块NR1支持N78频段、或N77频段、或N79频段，第二5G放大模块NR2支持N41频段。
也就是说，第一5G放大模块NR1可通过第二射频通路20发射N78频段、或N77频段、或N79频段的5G信号，第二5G放大模块NR2可通过第二射频通路20发射N41频段的5G信号。
进一步地，根据本申请的一个实施例，如图2-3所示，中高频放大模组32包括中频放大器320和高频放大器321，第一开关模组33包括第一开关330和第二开关331，其中，第一开关330的第一触点与中频放大器320相连，第一开关330的第二触点连接第一射频通路10，第一开关330的第三触点连接第二射频通路20，第一开关330控制中频放大器320接通第一射频通路10或第二射频通路20，第二开关331的第一触点与高频放大器321相连，第二开关331的第二触点连接第一射频通路10，第二开关331的第三触点连接所第二射频通路20，第二开关331控制高频放大器321接通第一射频通路10或第二射频通路20；低频放大模组42包括低频放大器420，第二开关模组43包括第三开关430，其中，第三开关430的第一触点与低频放大器420相连，第三开关430的第二触点连接第一射频通路10，第三开关430的第三触点连接第二射频通路20，第三开关430控制低频放大器420接通第一射频通路10或第二射频通路20。
需要说明的是，第一开关330、第二开关331和第三开关430可为单刀多掷开关。
可理解，在第一开关330的控制下，中频放大器320可通过第一射频通路10或第二射频通路20传输中频信号，例如，第一开关330的第二触点接通第一射频通路10，中频放大器320通过第一射频通路10传输中频信号，第一开关330的第三触点接通第二射频通路20，中频放大器320通过第二射频通路20传输中频信号，在第二开关331的控制下，高频放大器321可通过第一射频通路10或第二射频通路20传输高频信号，例如，第二开关331的第二触点接通第一射频通路10，高频放大器321通过第一射频通路10发射高频信号，第二开关331的第三触点接通第二射频通路20，高频放大器321通过第二射频通路20传输高频信号，在第三开关430的控制下，低频放大器420可通过第一射频通路10或第二射频通路20传输低频信号，例如，第三开关430的第二触点接通第一射频通路10，低频放大器420通过第一射频通路10传输低频信号，第三开关430的第三触点接通第二射频通路20，低频放大器420通过第二射频通路20传输低频信号。
根据本申请的一个实施例，在非独立组网模式下，通过第二开关模组43控制低频放大模组42接通第一射频通路10，且通过第一开关模组33控制中高频放大模组32接通第二射频通路20，以使低频放大模组42和中高频放大模组32同时进行工作，或者，通过第一开关模组33控制中高频放大模组32接通第一射频通路10，且通过第二开关模组43控制低频放大模组42接通第二射频通路20，以使低频放大模组42和中高频放大模组32同时进行工作，其中，低频放大模组42或者中高频放大模组32用于进行5G通信。
也就是说，在低频放大模组42和中高频放大模组32同时进行工作时，低频放大模组42和中高频放大模组32中的一个用于进行5G通信，另外一个用于进行LTE通信。
进一步地，根据本申请的一个实施例，在非独立组网模式下，通过第一开关模组33控制中高频放大模组32接通第一射频通路10，且5G放大模组51接通第二射频通路20，以使中高频放大模组32和5G放大模组51同时进行工作，其中，5G放大模组51用于进行5G通信。
具体地，在非独立组网模式下，通过第一开关模组33控制中高频放大模组32接通第一射频通路10，且第一5G放大模块NR1接通第二射频通路20，以使中高频放大模组32和第一5G放大模块NR1同时进行工作，其中，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的5G通信，中高频放大模组32用于进行LTE通信。
或者，在非独立组网模式下，通过第一开关模组33控制中高频放大模组32接通第一射频通路10，且第二5G放大模块NR2接通第二射频通路20，以使中高频放大模组32和第二5G放大模块NR2同时进行工作，其中，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的5G通信，中高频放大模组32用于进行LTE通信。
进一步地，根据本申请的一个实施例，在非独立组网模式下，通过第二开关模组43控制低频放大模组42接通第一射频通路10，且5G放大模组51接通第二射频通路20，以使低频放大模组42和5G放大模组51同时进行工作，其中，5G放大模组51用于进行5G通信。
具体地，在非独立组网模式下，通过第二开关模组43控制低频放大模组42接通第一射频通路10，且第二5G放大模块NR2接通第二射频通路20，以使低频放大模组42和第二5G放大模块NR2同时进行工作，其中，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的5G通信，低频放大模组42用于进行LTE通信。
或者，在非独立组网模式下，通过第二开关模组43控制低频放大模组42接通第一射频通路10，且第一5G放大模块NR1接通第二射频通路20，以使低频放大模组42和第一5G放大模块NR1同时进行工作，其中，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的5G通信，低频放大模组42用于进行LTE通信。
具体地，5G NSA模式(5G非独立组网模式)下可以实现的配置如下表1所示：
表1
Figure BDA0002136995470000071
其中，TX1表示接通第二射频通路20，TX0表示接通第一射频通路10，X表示没有接通射频通路，MHB+LB(NR)ENDC表示中高频放大模组32与低频放大模组42同时工作，其中，中高频放大模组32用于进行LET通信，低频放大模组42用于进行5G通信，LB+MHB(NR)ENDC表示中高频放大模组32与低频放大模组42同时工作，其中，低频放大模组42用于进行LET通信，中高频放大模组32用于进行5G通信，DC_LB-n78表示低频放大模组42与第一5G放大模块NR1同时工作，其中，低频放大模组42用于进行LET通信，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的5G通信，DC_MHB-n78表示中高频放大模组32与第一5G放大模块NR1同时工作，其中，中高频放大模组32用于进行LET通信，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的5G通信，DC_MHB-n41表示中高频放大模组32与第二5G放大模块NR2同时工作，其中，中高频放大模组32用于进行LET通信，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的5G通信，DC_LB-n41表示低频放大模组42与第二5G放大模块NR2同时工作，其中，低频放大模组42用于进行LET通信，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的5G通信。
可理解，当低频放大模组42接通第一射频通路10，中高频放大模组32接通第二射频通路20时，低频放大模组42和中高频放大模组32可同时进行工作，其中，中高频放大模组32可用于进行LET通信，低频放大模组42可用于进行5G通信，或者中高频放大模组32用于进行5G通信，低频放大模组42用于进行LET通信，也就是说，低频放大模组42和中高频放大模组32中的一个用于进行5G通信，另一个用于进行LET通信。
当低频放大模组42接通第二射频通路20，中高频放大模组32接通第一射频通路10时，低频放大模组42和中高频放大模组32可同时进行工作，其中，中高频放大模组32可用于进行LET通信，低频放大模组42可用于进行5G通信，或者中高频放大模组32用于进行5G通信，低频放大模组42用于进行LET通信，也就是说，低频放大模组42和中高频放大模组32中的一个用于进行5G通信，另一个用于进行LET通信。
当低频放大模组42接通第一射频通路10，第一5G放大模块NR1接通第二射频通路20时，低频放大模组42与第一5G放大模块NR1同时进行工作，其中，低频放大模组42用于进行LET通信，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的5G通信。
当中高频放大模组32接通第一射频通路10，第一5G放大模块NR1接通第二射频通路20时，中高频放大模组32与第一5G放大模块NR1同时进行工作，其中，中高频放大模组32用于进行LET通信，第一5G放大模块NR1用于进行N78频段、或N77频段、或N79频段的5G通信。
当中高频放大模组32接通第一射频通路10，第二5G放大模块NR2接通第二射频通路20时，中高频放大模组32与第二5G放大模块NR2同时进行工作，其中，中高频放大模组32用于进行LET通信，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的5G通信。
当低频放大模组42接通第一射频通路10，第二5G放大模块NR2接通第二射频通路20时，低频放大模组42与第二5G放大模块NR2同时进行工作，其中，低频放大模组42用于进行LET通信，第二5G放大模块NR2用于进行N41频段的5G通信。
由此，可在不增加射频通路的情况下实现非独立组网模式下4G和5G refarming频段之间的不同EN-DC组合配置。
综上，根据本申请实施例提出的射频前端装置，第一射频模块包括第一5G放大模组、中高频放大模组和第一开关模组，其中，第一5G放大模组连接第二射频通路，中高频放大模组通过第一开关模组连接第一射频通路和第二射频通路，第一开关模组用于控制中高频放大模组接通第一射频通路或第二射频通路，第二射频模块包括第二5G放大模组、低频放大模组和第二开关模组，其中，第二5G放大模组连接第二射频通路，低频放大模组通过第二开关模组连接第一射频通路和第二射频通路，第二开关模组用于控制低频放大模组接通第一射频通路或第二射频通路。由此，本申请实施例的射频前端装置，通过将低频放大模组、中高频放大模组和5G放大模组分别独立设置，并且低频放大模组和中高频放大模组可分别通过第二开关模组和第一开关模组接通不同的射频通路，从而，可在不增加射频通道数量的情况下，实现4G和5G refarming频段之间的不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，从而使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
基于上述实施例的射频前端装置，本申请实施例还提出了一种电子设备，包括前述的射频前端装置。
根据本申请实施例提出的电子设备，通过设置的射频前端装置，将低频放大模组、中高频放大模组和5G放大模组分别独立设置，并且低频放大模组和中高频放大模组可分别通过第二开关模组和第一开关模组接通不同的射频通路，从而，可在不增加射频通道数量的情况下，实现4G和5G refarming频段之间的不同EN-DC组合配置，并且，每种EN-DC组合下，射频发射通路相互分离开来，从而使得两种频段能够同时工作，且不互相冲突。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种射频前端装置，其特征在于，包括：
第一射频通路；
第二射频通路；
第一射频模块，所述第一射频模块包括中高频放大模组和第一开关模组，其中，所述中高频放大模组通过所述第一开关模组连接所述第一射频通路和所述第二射频通路，所述第一开关模组用于控制所述中高频放大模组接通所述第一射频通路或所述第二射频通路；
第二射频模块，所述第二射频模块包括低频放大模组和第二开关模组，其中，所述低频放大模组通过所述第二开关模组连接所述第一射频通路和所述第二射频通路，所述第二开关模组用于控制所述低频放大模组接通所述第一射频通路或所述第二射频通路；在所述低频放大模组和所述中高频放大模组同时进行工作时，所述低频放大模组和所述中高频放大模组中的一个用于进行5G通信，另外一个用于进行LTE通信；
第三射频模块，所述第三射频模块包括5G放大模组，所述5G放大模组连接所述第二射频通路；所述5G放大模组包括第一5G放大模块和第二5G放大模块，所述第一5G放大模块连接所述第二射频通路，所述第二5G放大模块连接所述第二射频通路，其中，所述第一5G放大模块与所述第二5G放大模块支持不同的5G频段；在所述中高频放大模组或所述低频放大模组和5G放大模组同时进行工作时，所述5G放大模组用于进行5G通信，所述中高频放大模组或所述低频放大模组用于进行LTE通信。
2.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，还包括：
第一供电通路，所述第一供电通路与所述第一射频模块相连，以给所述第一射频模块供电；
第二供电通路，所述第二供电通路与所述第二射频模块相连，以给所述第二射频模块供电；
第三供电通路，所述第三供电通路与所述第三射频模块相连，以给所述第三射频模块供电。
3.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，所述第一5G放大模块支持N78频段、或N77频段、或N79频段，所述第二5G放大模块支持N41频段。
4.根据权利要求1所述的射频前端装置，其特征在于，
所述中高频放大模组包括中频放大器和高频放大器，所述第一开关模组包括第一开关和第二开关，其中，所述第一开关的第一触点与所述中频放大器相连，所述第一开关的第二触点连接所述第一射频通路，所述第一开关的第三触点连接所述第二射频通路，所述第一开关控制所述中频放大器接通所述第一射频通路或所述第二射频通路，所述第二开关的第一触点与所述高频放大器相连，所述第二开关的第二触点连接所述第一射频通路，所述第二开关的第三触点连接所述第二射频通路，所述第二开关控制所述高频放大器接通所述第一射频通路或所述第二射频通路；
所述低频放大模组包括低频放大器，所述第二开关模组包括第三开关，其中，所述第三开关的第一触点与所述低频放大器相连，所述第三开关的第二触点连接所述第一射频通路，所述第三开关的第三触点连接所述第二射频通路，所述第三开关控制所述低频放大器接通所述第一射频通路或所述第二射频通路。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的射频前端装置，其特征在于，在非独立组网模式下，通过所述第二开关模组控制所述低频放大模组接通所述第一射频通路，且通过所述第一开关模组控制所述中高频放大模组接通所述第二射频通路，以使所述低频放大模组和所述中高频放大模组同时进行工作，或者，通过所述第一开关模组控制所述中高频放大模组接通所述第一射频通路，且通过所述第二开关模组控制所述低频放大模组接通所述第二射频通路，以使所述低频放大模组和所述中高频放大模组同时进行工作。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的射频前端装置，其特征在于，在非独立组网模式下，通过所述第一开关模组控制所述中高频放大模组接通所述第一射频通路，且所述5G放大模组接通所述第二射频通路，以使所述中高频放大模组和所述5G放大模组同时进行工作。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的射频前端装置，其特征在于，在非独立组网模式下，通过所述第二开关模组控制所述低频放大模组接通所述第一射频通路，且所述5G放大模组接通所述第二射频通路，以使所述低频放大模组和所述5G放大模组同时进行工作。
8.根据权利要求2所述的射频前端装置，其特征在于，所述第一射频模块工作在ET模式或APT模式、所述第二射频模块工作在APT模式，所述第三射频模块工作在ET模式。
9.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1-8中任一项所述的射频前端装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111049482A (zh) * 2019-12-17 2020-04-21 锐石创芯(重庆)科技有限公司 一种支持非独立组网的5g功率放大器架构
CN111130592A (zh) * 2019-12-17 2020-05-08 锐石创芯(重庆)科技有限公司 用于5g非独立组网的支持lte/nr双连接的射频前端模块
CN111277296B (zh) * 2020-02-25 2021-07-02 Oppo广东移动通信有限公司 射频电路、射频芯片和电子设备
CN111800150B (zh) * 2020-06-30 2022-04-15 深圳市元征科技股份有限公司 车载设备电源管理方法及相关组件
CN114172535B (zh) * 2020-08-21 2023-08-08 Oppo广东移动通信有限公司 射频前端及芯片、无线通信设备
CN114257261A (zh) * 2020-09-22 2022-03-29 Oppo广东移动通信有限公司 射频架构及终端设备
CN114243705B (zh) * 2022-02-23 2022-07-08 荣耀终端有限公司 供电电路及电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107733451A (zh) * 2017-11-15 2018-02-23 珠海市魅族科技有限公司 射频前端电路和移动终端设备
CN109195140A (zh) * 2018-10-31 2019-01-11 维沃移动通信有限公司 一种射频模块、d2d通信方法及移动终端

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101814924A (zh) * 2009-02-24 2010-08-25 联想(北京)有限公司 一种移动终端及频段切换方法
CN204794953U (zh) * 2015-07-21 2015-11-18 上海与德通讯技术有限公司 切换开关电路及射频电路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107733451A (zh) * 2017-11-15 2018-02-23 珠海市魅族科技有限公司 射频前端电路和移动终端设备
CN109195140A (zh) * 2018-10-31 2019-01-11 维沃移动通信有限公司 一种射频模块、d2d通信方法及移动终端

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