CN111267000A - 用于监测抛光的设备和方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种用于监测抛光的设备和方法，所述用于监测抛光的设备包括：基底传送单元，被构造为沿着第一方向传送包括至少一个无机层的基底；抛光单元，位于基底传送单元上；清洁单元和干燥单元，位于基底传送单元上；以及监测单元，位于基底传送单元上，监测单元包括被构造为测量从基底的多个不同位置中的相应位置反射的反射光的多个光学探头。抛光单元、清洁单元、干燥单元和监测单元沿着第一方向顺序设置。

Description

用于监测抛光的设备和方法
本申请要求于2018年12月5日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0155045号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用被包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种用于监测抛光的设备并涉及一种用于监测抛光的方法。
背景技术
通常，通过顺序沉积例如导电层、半导体层和绝缘层而在基底上形成显示像素。由于导电层和半导体层等被图案化，所以导电层和半导体层上的绝缘层不是平坦化的。可以通过使用化学机械抛光(CMP)来平坦化基底的其上定位有显示像素的上表面。
将理解的是，技术部分的该背景意图提供用于理解该技术的有用背景，并且如这里所公开的，技术背景部分可以包括：在这里所公开的主题的相应的有效提交日期之前，不是对相关领域技术人员而言已知或理解的内容的一部分的思想、构思或认识。
发明内容
本公开的实施例可以涉及一种能够准确地确定抛光工艺的终点并测量物体的平坦度的用于监测抛光的设备和方法。
根据实施例，一种用于监测抛光的设备包括：基底传送单元，被构造为沿着第一方向传送可以包括至少一个无机层的基底；抛光单元，位于基底传送单元上；清洁单元和干燥单元，位于基底传送单元上；以及监测单元，位于基底传送单元上，并且包括被构造为测量分别从基底的多个不同位置反射的反射光的多个光学探头。抛光单元、清洁单元、干燥单元和监测单元沿着第一方向顺序设置。
多个光学探头可以沿着垂直(例如，基本垂直)于第一方向的第二方向彼此分开布置。
基底可以包括沿着第一方向和垂直(例如，基本垂直)于第一方向的第二方向布置的多个单元，并且多个光学探头可以被定位为分别与基底的多个单元对应。
设备还可以包括厚度-光谱数据库，厚度-光谱数据库包括关于无机层的厚度和分别与无机层的厚度对应的参考光谱的数据。
厚度-光谱数据库可以包括关于分别与无机层的厚度对应的抛光时间的数据。
设备还可以包括结合到多个光学探头并根据分别由多个光学探头测量的反射光计算光谱的多通道光谱仪。
设备还可以包括被构造为将多个计算出的光谱与参考光谱进行比较的控制器。
控制器可以将由多通道光谱仪计算出的光谱的峰值点或谷值点处的波长与参考光谱的峰值点或谷值点处的波长分别进行比较。
控制器可以将多个计算出的光谱彼此进行比较。
根据另一实施例，一种用于监测抛光的方法包括以下步骤：生成厚度-光谱数据库；对可以包括至少一个无机层的基底进行抛光；并发(例如，同时)计算分别针对基底的多个不同位置的光谱；将计算出的光谱中的每个与包括在厚度-光谱数据库中的参考光谱进行比较；计算无机层的在基底的多个不同位置处的相应厚度；以及确定无机层的在基底的多个不同位置处的相应厚度的适当性。
当并发(例如，同时)计算分别针对基底的多个不同位置的相应光谱时，基底的多个不同位置可以对应于包括在基底中的多个相应单元。
确定无机层的在基底的多个不同位置处的厚度的适当性的步骤可以包括以下步骤：将针对基底的多个不同位置计算出的各个厚度彼此进行比较；以及确定无机层的平坦度。
厚度-光谱数据库可以包括关于无机层的厚度和与无机层的厚度分别对应的参考光谱的数据。
厚度-光谱数据库可以包括关于与无机层的厚度分别对应的抛光时间的数据。
并发(例如，同时)计算分别针对基底的多个不同位置的光谱的步骤可以包括以下步骤：测量分别从基底的多个不同位置反射的反射光；以及根据波长分解基底的反射光中的每束。
将计算出的光谱中的每个与包括在厚度-光谱数据库中的参考光谱进行比较的步骤可以包括以下步骤：将计算出的光谱的峰值点或谷值点处的波长与参考光谱的峰值点或谷值点处的波长分别进行比较。
并发(例如，同时)计算分别针对基底的多个不同位置的光谱的步骤可以包括以下步骤：根据大于或等于大约400nm且小于或等于大约900nm的波长测量反射光中的每束的发光强度。
生成厚度-光谱数据库的步骤可以包括以下步骤：对多个基底中的每个执行抛光工艺，每个基底包括至少一个无机层；计算针对多个基底中的每个的光谱；使用透射电子显微镜(TEM)测量多个基底中的每个的无机层的厚度；以及针对多个基底中的每个计算无机层的厚度和与无机层的厚度对应的参考光谱。
根据另一实施例，一种用于监测抛光的方法包括以下步骤：对多个基底中的每个执行抛光工艺，每个基底包括至少一个无机层；计算多个基底中的每个的光谱；使用透射电子显微镜(TEM)测量多个基底中的每个的无机层的厚度；以及针对多个基底中的每个计算无机层的厚度和与无机层的厚度对应的参考光谱。
针对多个基底中的每个计算无机层的厚度和与无机层的厚度对应的参考光谱的步骤可以包括以下步骤：计算与无机层的厚度对应的参考光谱的峰值点或谷值点处的波长。
上述内容仅是说明性的，并不意图以任何方式限制。除了上面描述的说明性方面、实施例和特征之外，通过参照附图和以下详细描述，进一步的方面、实施例和特征将变得明显。
附图说明
通过参照附图更详细描述本公开的实施例，本公开的主题的更完整的理解将变得更明显，附图中：
图1是示出根据实施例的用于监测抛光的设备的示意图；
图2是示出根据实施例的用于监测抛光的设备的框图；
图3是示出根据实施例的监测单元的框图；
图4是示出图1中区域A的平面图；
图5是示出抛光之前的基底的剖视图；
图6是示出抛光之后的基底的剖视图；
图7是示出根据抛光的程度的反射光的光谱的视图；
图8是示出根据实施例的用于生成厚度-光谱数据库的方法的流程图；以及
图9是示出根据实施例的用于监测抛光的方法的流程图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述实施例。尽管本公开的主题可以以各种方式修改并且具有若干实施例，但是特定实施例在附图中示出并将在说明书中主要进行描述。然而，本公开的范围不限于所描述的实施例，而应当被解释为包括在本公开的精神和范围中所包括的所有改变、等同物和替换物。
在附图中，为了清楚和易于描述，可以以放大的方式示出多个层和区域的厚度。当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“上”时，它可以直接在所述另一层、区域或板上，或者在它们之间可以存在中间层、中间区域或中间板。相反，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，它们之间可以不存在中间层、中间区域或中间板。此外，当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“下方”时，它可以直接在所述另一层、区域或板下方，或者在它们之间可以存在中间层、中间区域或中间板。相反，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“下方”时，在它们之间可以不存在中间层、中间区域或中间板。
为了便于描述，这里可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等来描述如附图中示出的一个元件或多个元件与另一元件或另外多个元件之间的关系。将理解的是，除了附图中示出的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，在翻转图中示出的装置的情况下，定位“在”另一装置“下方”或“在”另一装置“之下”的装置可以被定位“在”另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下面的位置和上面的位置两者。装置还可以定向在另一方向上，因此，空间相对术语可以根据方位而被不同地解释。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，该元件“直接连接”或“直接结合”到所述另一元件，或者“电连接”或“电结合”到所述另一元件，且它们之间插设有一个或更多个中间元件。还将理解的是，术语“包括”、“包含”和/或其变型在该说明书中使用时，表示存在所陈述的特征、整数、动作、操作和/或元件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整数、动作、操作、元件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表达在一系列元件之后时，修饰整个系列元件，而不修饰该系列中的单个元件。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面所讨论的“第一元件”可以被命名为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以进行同样地命名。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(例如，测量系统的局限性)，如这里所使用的术语“约”或“大约”包括所陈述的值以及该特定值在如由本领域普通技术人员确定的可接受的偏差范围内的平均值。例如，如这里所使用的，术语“大约”可以表示在所陈述的值的一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用表示“本公开的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以分别被认为与术语“利用”及其变型同义。另外，术语“示例性”意图表示示例或举例说明。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本说明书中明确地定义，否则诸如在通用词典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不会以理想的或过度正式的含义解释。
为了更清楚地描述本公开的实施例，可以不描述与以下描述无关的一些部分。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。
在下文中，将参照图1至图4更详细描述根据实施例的用于监测抛光的设备。
图1是示出根据实施例的用于监测抛光的设备的示意图，图2是示出根据实施例的用于监测抛光的设备的框图，图3是示出根据实施例的监测单元50的框图，图4是示出图1中的区域A的平面图。
参照图1和图2，根据实施例的用于监测抛光的设备(例如，系统)包括基底传送单元10、抛光单元20、清洁单元30、干燥单元40、监测单元50、控制器60和厚度-光谱数据库70。
基底传送单元10沿着第一方向D1传送基底传送单元10上的基底100。例如，基底传送单元10可以是传送设备，基底传送单元10可以包括多个旋转构件11和传送带12。在这样的实施例中，多个旋转构件11可以沿着第一方向D1移动传送带12，使得传送带12上的基底100可以沿第一方向D1传送。
基底传送单元10可以一体地形成，并且位于抛光单元20、清洁单元30、干燥单元40和监测单元50下方。然而，实施例不限于此，并且基底传送单元10可以包括多个基底传送单元。
抛光单元20对基底传送单元10上的基底100的上表面进行抛光。例如，抛光单元20可以是化学机械抛光(CMP)设备。在一些实施例中，抛光单元20可以包括抛光台、压板和/或浆料进料机。
抛光台可以包括抛光垫，并且可以具有可旋转的圆盘形状，抛光垫可以安装在该圆盘形状处。可以操作抛光台以使抛光台相对于轴线旋转。例如，马达可以使驱动轴旋转，以使抛光台旋转。
压板位于基底传送单元10的传送带12下方，以支撑基底100，从而可以应用抛光台。
浆料进料机可以将化学机械抛光工艺所用或所需的浆料溶液供应到抛光垫上。基底传送单元10上的基底100可以通过在浆料溶液的存在下以滑动方式接触抛光垫来抛光。
清洁单元30位于抛光单元20与干燥单元40之间且位于基底传送单元10上。清洁单元30可以通过喷射清洁溶液(例如，去离子水(DI))来清洁由于抛光而在基底100上产生的异物。
干燥单元40位于清洁单元30与监测单元50之间且位于基底传送单元10上。干燥单元40去除残留在被清洁的基底100处的清洁溶液。干燥单元40可以包括例如空气单元、抽吸单元、干燥单元和卸载头。
空气单元使用空气刀吹送空气以去除残留在基底100处的清洁溶液。在这样的实施例中，空气刀可以是具有各种适合的结构的空气喷射器，并且可以在例如室温下吹送空气。然而，实施例不限于此。抽吸单元通过抽吸去除残留在基底100处的清洁溶液。干燥单元40最后通过热空气干燥来干燥残留在基底100的上表面或下表面处的水分。
监测单元50接收从基底100反射的光。在一些实施例中，监测单元50包括光照射单元51和光检测单元52。光照射单元51向基底100发射光。为此，光照射单元51可以包括光源和第一光纤。在这样的实施例中，光源可以发射红外光线和/或可见光线。
光检测单元52接收从基底100的不同位置反射的每束光。为此，光检测单元52可以包括多个光学探头52a和多通道光谱仪52b。
光学探头52a中的每个可以包括要结合到多通道光谱仪52b的第二光纤。因此，基底100的输入到光学探头52a的反射光可以通过第二光纤输入到多通道光谱仪52b。
多通道光谱仪52b分别通过多个光学探头52a接收反射光。在一些实施例中，多通道光谱仪52b根据波长对输入到其的每束反射光进行分解，并且测量在设定或预定波长范围内的发光强度。例如，多通道光谱仪52b针对在大约400nm至大约900nm的范围内的每个波长对输入到其的每束反射光进行分解，并计算光谱。然而，实施例不限于此，并且可以针对在大于或等于大约400nm且小于或等于大约900nm范围内的波长测量发光强度。
根据实施例，多个光学探头52a沿着垂直于(例如，基本上垂直于)第一方向D1的第二方向D2布置。在一些实施例中，基底100可以包括多个单元101、102和103，多个光学探头52a可以被定位为分别与基底100的多个单元101、102和103对应。例如，如图4中所示，可以沿着第二方向D2关于三个单元101、102和103中的每个布置一个光学探头52a。然而，光学探头52a的数量不限于此，并且可以根据沿着第二方向D2布置的单元101、102和103的数量而变化。
由于基底100可以通过基底传送单元10沿着第一方向D1以恒定速度移动，并且由于光学探头52a沿着第二方向D2彼此分开布置，因此如图3中所示，可以计算在基底100的宽区域上方测量的反射光的光谱。因此，根据实施例的用于监测抛光的方法可以精确地测量第二无机层(图5中的120)的平坦度。
根据实施例，抛光单元20、清洁单元30、干燥单元40和监测单元50沿着第一方向D1顺序布置。因此，沿着第一方向D1对由基底传送单元10传送的基底100顺序地执行抛光单元20、清洁单元30、干燥单元40和监测单元50的相应工艺。
控制器60可以控制基底传送单元10、抛光单元20、清洁单元30、干燥单元40和监测单元50的操作。
控制器60可以控制基底100的移动速度。在一些实施例中，控制器60可以通过调节基底传送单元10的旋转构件11的旋转速度来控制基底传送单元10的传送带12的移动速度。
根据实施例，控制器60可以通过基于厚度-光谱数据库70来计算抛光工艺的终点来控制抛光单元20的抛光时间(例如，用于执行抛光工艺的时间段)。
控制器60可以根据抛光时间来调节清洁单元30和干燥单元40的操作时间。
根据实施例，控制器60可以通过将由监测单元50计算出的光谱与参考光谱进行比较来计算抛光工艺的终点和第二无机层120的厚度。例如，控制器60可以通过选择参考光谱来计算第二无机层120的厚度，该参考光谱在与由监测单元50计算出的光谱具有峰值点或谷值点处的波长基本相同的波长处具有峰值点或谷值点。根据实施例，可以精确地计算出抛光工艺的终点。
厚度-光谱数据库70包括与根据被施加抛光工艺的第二无机层120的厚度的光谱和抛光时间相关的数据，将参照图5至图9对其进行更详细地描述。
在下文中，将参照图5至图7更详细地描述根据实施例的用于监测抛光的方法的原理。
图5是示出抛光之前的基底的剖视图，图6是示出抛光之后的基底的剖视图，图7是示出根据抛光的程度的反射光的光谱的视图。
参照图5和图6，被施加根据实施例的抛光工艺的基底100是包括显示像素的显示基底，并且可以是例如从液晶显示器(LCD)基底和有机发光二极管(OLED)显示基底中选择的一种。在一些实施例中，如图5中所示，被施加抛光工艺的基底100可以包括多个图案，并且可以包括顺序覆盖图案的第一无机层110和第二无机层120。因此，第一无机层110和第二无机层120中的每个可以具有由于包括在基底100中的图案引起的台阶差。
例如，第一无机层110和第二无机层120中的每个可以包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。此外，第一无机层110和第二无机层120中的每个还可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化锆。例如，第一无机层110可以包括氮化硅(SiNx)，第二无机层120可以包括氧化硅(SiOx)。
当向包括第一无机层110和第二无机层120的基底100施加抛光工艺时，第二无机层120的一部分被去除，如图6中所示，因此，包括第一无机层110和第二无机层120的基底100的上表面被平坦化。
从光照射单元51发射的第一光L1在包括在基底100中的多个层之间的界面处被反射和干涉，并且作为第二光L2输入到光检测单元52。因为第二光L2是在多个层的界面处已被反射和干涉的光，所以难以精确地测量位于基底100处的一个层的厚度。然而，基底100的反射光的光谱根据基底100处的一个层的厚度而变化。在一些实施例中，随着第二无机层120的厚度减小，第二光L2的波长变短。例如，随着执行抛光工艺的抛光时间增加，第二无机层120的厚度减小。此外，随着第二无机层120的厚度减小，基底100的反射光的光谱的波长减小。因此，由监测单元50计算出的光谱的峰值点或谷值点处的波长可以根据第二无机层120的厚度而变化。
根据实施例，生成包括关于分别与第二无机层120的厚度对应的参考光谱的数据的厚度-光谱数据库，并且对由监测单元50计算出的光谱的峰值点或谷值点的波长进行分析，以将它们与参考光谱的峰值点或谷值点的波长进行比较，因此可以计算出第二有机层120的厚度。
在下文中，将参照图8和图9更详细地描述根据实施例的用于监测抛光的方法。
图8是示出根据实施例的用于生成厚度-光谱数据库70的方法的流程图。
根据实施例，通过使用厚度-光谱数据库70来确定抛光工艺的终点，并且提供关于第二无机层120的厚度的反馈。为此，生成厚度-光谱数据库70。
首先，抛光单元20通过对包括第一无机层110和第二无机层120的基底100执行抛光工艺来抛光第二无机层120的一部分(S11)。因此，如图6中所示，基底100包括第二无机层120的至少一部分。随后，通过基底传送单元10沿着第一方向D1朝向清洁单元30、干燥单元40和监测单元50传送基底100。因此，基底100被清洁单元30清洁并被干燥单元40干燥。
监测单元50测量基底100的反射光的光谱(S121)。在一些实施例中，光照射单元51向基底100发射可见光或红外光，并且光学探头52a接收从基底100反射的可见光或红外光。多通道光谱仪52b可以通过根据波长对输入到其的反射光进行分解来计算出在设定或预定波长范围内的发光强度。
与光谱的测量一起，使用透射电子显微镜(TEM)从所获得的基底100的剖面测量所剩余的第二无机层120的厚度(S122)。
监测单元50可以计算出分别与第二无机层120的厚度对应的参考光谱。因此，生成包括与分别与第二无机层120的厚度对应的参考光谱相关的数据的厚度-光谱数据库70(S13)。在这样的实施例中，除了对应于厚度的参考光谱之外，厚度-光谱数据库70还可以包括与表示抛光时间的抛光工艺的终点相关的数据。
根据实施例，控制器60可以将由监测单元50计算出的光谱与参考光谱进行比较，因此可以计算出第二无机层120的厚度和抛光工艺的终点。
图9是示出根据实施例的用于监测抛光的方法的流程图。
参照图8和图9，首先，如上所述生成厚度-光谱数据库70(S21)。
在生成厚度-光谱数据库70之后，开始进行抛光工艺和监测。抛光单元20对位于基底传送单元10上的基底100执行抛光工艺(S22)。在一些实施例中，控制器60从厚度-光谱数据库70接收抛光工艺的终点并将其输出到抛光单元20，使得抛光单元20可以抛光第二无机层120直到抛光工艺的终点。因此，图5中示出的第二无机层120的上表面可以被抛光，并且可以被平坦化成图6中示出的第二无机层120的上表面。
在抛光第二无机层120之后，通过基底传送单元10沿着第一方向D1传送基底100，并且通过清洁单元30和干燥单元40去除残留在基底100处的清洁溶液。
监测单元50向基底100发射光，测量反射光并计算反射光的光谱(S23)。在一些实施例中，光照射单元51向基底100发射光，并且光学探头52a从基底100接收反射光。多通道光谱仪52b根据波长对通过光学探头52a输入的反射光进行分解，以计算光谱。
根据实施例，因为多个光学探头52a分别对应于基底100的多个单元101、102和103布置，所以监测单元50并发(例如，同时)计算基底100的不同位置的每个光谱。根据实施例的用于监测抛光的方法可以测量被施加抛光工艺的第二无机层120的平坦度以及包括第二无机层120的基底100的平坦度。
控制器60将计算出的反射光的光谱与参考光谱进行比较(S24)。例如，控制器60可以找到在与由监测单元50计算出的光谱在具有峰值点或谷值点处的波长基本相同的波长处具有峰值点或谷值点的参考光谱。
控制器60计算第二无机层120的厚度(S25)。在一些实施例中，控制器60找到在与由监测单元50计算出的光谱在具有峰值点或谷值点处的波长基本相同的波长处具有峰值点或谷值点的参考光谱，并且计算与该参考光谱对应的第二无机层120的厚度。
控制器60确定第二无机层120的厚度是否为适当的厚度(S26)。当第二无机层120的厚度在设定或预定范围内时，第二无机层120的厚度可以被确定为是适合的或恰当的，并且控制器60结束用于监测抛光的方法。当第二无机层120的厚度在设定或预定范围之外时，可以确定第二无机层120的厚度为不适合的或不恰当的，因此，会计算要进一步进行的抛光时间，并且会恢复抛光工艺。
此外，控制器60将基于由多个光学探头52a并发(例如，同时)测量的相应光谱来计算出的每个厚度彼此进行比较。因此，可以确定第二无机层120的平坦度。当确定基底100是平坦的(例如，基本上平坦的)时，第二无机层120的厚度可以被确定为适合的或恰当的，并且控制器60结束用于监测抛光的方法。当确定第二无机层120为不平坦时，可以确定第二无机层120的厚度为不适合的或不恰当的，因此，控制器60会计算要进一步进行的抛光时间，并且会恢复抛光工艺。
如上文所阐述的，根据本公开的一个或更多个实施例，用于监测抛光的设备和方法能够精确地确定抛光工艺的终点并测量基底的平坦度。
虽然已经参照本公开的实施例示出和描述了本公开的主题，但是对于本领域普通技术人员来说将明显的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种用于监测抛光的设备，所述设备包括：
基底传送单元，用于沿着第一方向传送包括至少一个无机层的基底；
抛光单元，位于所述基底传送单元上；
清洁单元和干燥单元，位于所述基底传送单元上；以及
监测单元，位于所述基底传送单元上，所述监测单元包括多个光学探头，所述多个光学探头被构造为测量从所述基底的多个不同位置中的相应位置反射的反射光，
其中，所述抛光单元、所述清洁单元、所述干燥单元和所述监测单元沿着所述第一方向顺序设置。
2.如权利要求1所述的设备，其中，所述多个光学探头沿着垂直于所述第一方向的第二方向彼此分隔开。
3.如权利要求1所述的设备，其中，所述基底包括沿着所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向布置的多个单元，并且
所述多个光学探头被布置为与所述基底的所述多个单元中的相应单元对应。
4.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括厚度-光谱数据库，所述厚度-光谱数据库包括关于所述至少一个无机层的厚度和与所述至少一个无机层的所述厚度中的相应厚度对应的参考光谱的数据。
5.如权利要求4所述的设备，其中，所述厚度-光谱数据库包括关于与所述至少一个无机层的所述厚度中的相应厚度对应的抛光时间的数据。
6.如权利要求4所述的设备，所述设备还包括结合到所述多个光学探头的多通道光谱仪，并且所述多通道光谱仪被构造为根据由所述多个光学探头测量的所述反射光中的相应反射光来计算光谱。
7.如权利要求6所述的设备，所述设备还包括被构造为将多个计算出的光谱与所述参考光谱进行比较的控制器。
8.如权利要求7所述的设备，其中，所述控制器被构造为将由所述多通道光谱仪计算出的光谱的峰值点或谷值点处的波长与所述参考光谱的峰值点或谷值点处的波长中的相应波长进行比较。
9.如权利要求7所述的设备，其中，所述控制器被构造为将所述多个计算出的光谱彼此进行比较。
10.一种用于监测抛光的方法，所述方法包括以下步骤：
生成厚度-光谱数据库；
对包括至少一个无机层的基底进行抛光；
并发计算针对所述基底的多个不同位置中的各个位置的光谱；
将所计算出的光谱中的每个光谱与包括在所述厚度-光谱数据库中的参考光谱进行比较；
计算所述至少一个无机层的在所述基底的所述多个不同位置中的相应位置处的厚度；以及
确定所述至少一个无机层的在所述基底的所述多个不同位置中的所述相应位置处的所述厚度的适当性。
11.如权利要求10所述的方法，其中，当并发计算分别针对所述基底的所述多个不同位置的所述光谱时，所述基底的所述多个不同位置分别对应于包括在所述基底中的多个单元中的相应单元。
12.如权利要求10所述的方法，其中，确定所述至少一个无机层的在所述基底的所述多个不同位置处的所述厚度的适当性的所述步骤包括以下步骤：
将针对所述基底的所述多个不同位置中的所述各个位置计算出的厚度彼此进行比较；以及
确定所述至少一个无机层的平坦度。
13.如权利要求10所述的方法，其中，所述厚度-光谱数据库包括关于所述至少一个无机层的厚度和与所述至少一个无机层的所述厚度中的相应厚度对应的参考光谱的数据。
14.如权利要求10所述的方法，其中，所述厚度-光谱数据库包括关于与所述至少一个无机层的所述厚度中的相应厚度对应的抛光时间的数据。
15.如权利要求10所述的方法，其中，并发计算针对所述基底的所述多个不同位置中的所述各个位置的所述光谱的所述步骤包括以下步骤：
测量从所述基底的所述多个不同位置中的所述各个位置反射的反射光；以及
根据波长分解所述基底的所述反射光中的每束反射光。
16.如权利要求10所述的方法，其中，将所计算出的光谱中的每个计算出的光谱与包括在所述厚度-光谱数据库中的所述参考光谱进行比较的所述步骤包括以下步骤：
将所计算出的光谱的峰值点或谷值点处的波长与所述参考光谱的峰值点或谷值点处的波长中的相应波长进行比较。
17.如权利要求15所述的方法，其中，并发计算针对所述基底的所述多个不同位置中的所述各个位置的所述光谱的所述步骤还包括以下步骤：
根据大于或等于400nm且小于或等于900nm的波长测量所述反射光中的每束反射光的发光强度。
18.如权利要求10所述的方法，其中，生成所述厚度-光谱数据库的所述步骤包括以下步骤：
对多个基底中的每个基底执行抛光工艺，每个基底包括至少一个无机层；
计算针对所述多个基底中的每个基底的光谱；
使用透射电子显微镜测量所述多个基底中的每个基底的所述至少一个无机层的厚度；以及
针对所述多个基底中的每个基底计算所述至少一个无机层的厚度和与所述至少一个无机层的所述厚度对应的参考光谱。
19.一种用于监测抛光的方法，所述方法包括以下步骤：
对多个基底中的每个基底执行抛光工艺，每个基底包括至少一个无机层；
计算针对所述多个基底中的每个基底的光谱；
使用透射电子显微镜测量所述多个基底中的每个基底的所述至少一个无机层的厚度；以及
针对所述多个基底中的每个基底计算所述至少一个无机层的厚度和与所述至少一个无机层的所述厚度对应的参考光谱。
20.如权利要求19所述的方法，其中，针对所述多个基底中的每个基底计算所述至少一个无机层的所述厚度和与所述至少一个无机层的所述厚度对应的所述参考光谱的所述步骤包括以下步骤：
计算与所述至少一个无机层的所述厚度对应的所述参考光谱的峰值点或谷值点处的波长。
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