CN111244331A - 一种显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板的制备方法，包括：在显示面板的发光像素层上制备第一无机层；确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域；去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口；在第一缺口重新制备第一无机层。本发明实施例中提供的一种显示面板的制备方法，能够提升显示面板的良率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板的制备方法。
背景技术
柔性显示是平板显示的重要发展方向，柔性显示面板上的发光像素层上方形成有包含第一无机层、有机层以及第二无机层的封装层，以此来抵抗水氧对有机发光半导体器件(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)的侵蚀。
然而，发明人发现现有采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)方法制备第一无机层时，第一无机层在成膜过程中容易掉落颗粒物形成缺陷，使得显示面板的良率不高。
发明内容
本发明实施方式的目的在于提供一种显示面板的制备方法，能够提升显示面板的良率。
为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种显示面板的制备方法，包括：在显示面板的发光像素层上制备第一无机层；确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域；去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口；在第一缺口重新制备第一无机层。
另外，在第一缺口重新制备第一无机层后，还包括：在第一无机层远离发光像素层的一侧依次制备有机层和第二无机层；确定第二无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第二缺陷区域；去除掉位于第二缺陷区域的第二无机层以形成第二缺口；在第二缺口重新制备第二无机层。
另外，在去除掉位于第二缺陷区域的第二无机层以形成第二缺口之后，且在第二缺口重新制备第二无机层之前，还包括：利用惰性气体吹扫第二缺口。
另外，在去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口之后，且在第一缺口重新制备第一无机层之前，还包括：利用惰性气体吹扫第一缺口。
另外，确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域，包括：获取第一无机层远离发光像素层的表面的图像；根据图像确定缺陷所在位置；依据缺陷所在位置确定第一缺陷区域。
另外，去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口，包括：确定位于第一缺陷区域的第一无机层的面积大小；获取开口区域的面积不小于第一缺陷区域的面积的掩膜版；利用掩膜版去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口。
另外，在获取开口区域的面积不小于第一缺陷区域的面积的掩膜版之后，且利用掩膜版去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口之前，还包括：移动掩膜版以使掩膜版的开口区域对准第一缺陷区域；或者，移动显示面板以使掩膜版的开口区域对准第一缺陷区域。
另外，利用掩膜版去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口，包括：利用掩膜版采用干法刻蚀工艺，去除掉第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口。
另外，干法刻蚀工艺具体为氟化物等离子体刻蚀工艺。
另外，氟化物等离子体具体为三氟化氮等离子体。
现有技术中若第一无机层表面存在缺陷，容易导致第二无机层表面凸起损坏，针对于第二无机膜层表面有凸起损坏的显示面板，通常会作报废处理或将该显示面板归为低良率的等级，使得显示面板的良率不高。针对于此，本发明实施方式提供了一种显示面板的制备方法，通过确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域，从而将位于第一缺陷区域的第一无机层去除掉并重新制备，修复了第一无机层表面的缺陷，且即使水氧能够穿过第二无机层，也会被第一无机层阻隔在显示面板外，且避免了第一无机层上存在的缺陷而导致第二无机层的表面凸起损坏，从而提高了显示面板的良率。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本发明第一实施方式的显示面板的制备方法的流程示意图；
图2是根据本发明第二实施方式的显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本发明的第一实施方式涉及一种显示面板的制备方法，本实施方式的核心在于，包括：在显示面板的发光像素层上制备第一无机层；确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域；去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口；在第一缺口重新制备第一无机层。通过确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域，从而将位于第一缺陷区域的第一无机层去除掉并重新制备，修复了第一无机层表面的缺陷，且即使水氧能够穿过第二无机层，也会被第一无机层阻隔在显示面板外，且避免了第一无机层上存在的缺陷而导致第二无机层的表面凸起损坏，从而提高了显示面板的良率。
下面对本实施方式的显示面板的制备方法的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
本实施方式中的显示面板的制备方法的流程示意图如图1所示，包括：
步骤101：在显示面板的发光像素层上制备第一无机层。
具体地说，显示面板一般包括衬底，设置于衬底上的驱动阵列层、以及设置于驱动阵列层远离衬底一侧的发光像素层，发光像素层远离衬底的一侧制备有封装层。目前柔性显示面板的封装层一般为薄膜封装层，薄膜封装层包括：位于发光像素层远离衬底一侧且依次层叠设置的第一无机层、有机层以及第二无机层。本实施方式中在显示面板的发光像素层上制备第一无机层，具体的制备第一无机层的方式为化学气相沉积法(ChemicalVapor Deposition，CVD)，化学气相沉积法包括：等离子体增强化学的气相沉积法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、或常压化学气相淀积法(AatmosphericPressure Chemical Vapor Deposition，APCVD)、低压化学气相沉法(Low PressureChemical Vapor Deposition，LPCVD)。
步骤102：确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域。
本实施方式中确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域，包括：获取第一无机层远离发光像素层的表面的图像；根据图像确定缺陷所在位置；依据缺陷所在位置确定第一缺陷区域。
具体地说，由于现有技术中利用化学气相沉积法CVD来制备第一无机层时，在成膜过程中在腔室内通入反应物，若反应不均匀，则易导致第一无机膜层表面凹凸不平；且反应腔室内壁也易形成硅化物颗粒，若腔室内壁的硅化物颗粒掉落在第一无机膜层表面，也易导致第一无机膜层表面凹凸不平；且反应腔室内机器的运动也易产生金属碎屑，若掉落在第一无机膜层表面，也易导致第一无机膜层表面凹凸不平，存在缺陷，空气中的水氧易从第一无机层的缺陷位置进入显示面板内，从而导致显示面板的良率不佳。本实施方式中利用自动光学检测(Automated Optical Inspection，AOI)的方式来确定第一无机层表面的第一缺陷区域，先利用摄像装置获取第一无机层远离发光像素层表面的图像，之后对获取到的图像进行图像处理，根据图像的对比度确定出图像中缺陷所在位置(缺陷所在部位一般较暗或亮度不均)，并依据缺陷所在位置确定存在缺陷的第一缺陷区域。本实施方式中第一缺陷区域至少包括缺陷所在的区域，进一步地也可以包括缺陷周边区域，具体的第一缺陷区域的面积大小可以由用户自行设置，只要包含缺陷所在区域即可。在确定第一缺陷区域时，可将第一缺陷区域的形状设定为正方形、长方形或其他规则的形状，从而便于后续步骤中对第一缺陷区域进行去除并重新制备。
步骤103：去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口。
本实施方式中去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口，包括：确定位于第一缺陷区域的第一无机层的面积大小；获取开口区域的面积不小于第一缺陷区域的面积的掩膜版；利用掩膜版去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口。
具体地，在确定第一无机层的第一缺陷区域后，利用开口区域的面积不小于第一缺陷区域的面积的掩膜版去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层从而形成第一缺口。由于缺陷区域一般较小以毫米为计量单位，本实施方式中可将掩膜版的开口区域的面积设定为2*2cm，避免开口较小而导致成膜效果不好，又能够避免开口较大而造成成本浪费。
可实现地，在获取开口区域的面积不小于第一缺陷区域的面积的掩膜版之后，且利用掩膜版去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口之前，还包括：移动掩膜版以使掩膜版的开口区域对准第一缺陷区域；或者，移动显示面板以使掩膜版的开口区域对准第一缺陷区域。
具体地，本实施方式中给出了两种将第一无机层的第一缺陷区域和掩膜版的开口区域对准的方式，其中一种方式为，机械手控制掩膜版移动，使得掩膜版的开口区域对准第一无机层的第一缺陷区域，将第一缺陷区域暴露出来；另一种方式为：将掩膜版固定在一固定位置，控制机台移动显示面板移动，使得掩膜版的开口区域对准第一缺陷区域，第一缺陷区域暴露出来。可实现地，还可使用一种开口位置可移动的掩膜版来去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层，将掩膜版固定在一固定位置，同时将显示面板固定在一固定位置，通过移动掩膜版的开口位置使得掩膜版的开口区域对准第一缺陷区域，将第一缺陷区域暴露出来。
值得说明的是，上述提到的掩膜版为仅有一个开口的掩膜版，从而避免在去除缺陷区域时，将第一无机层的其他区域去除掉。
本实施方式中利用掩膜版采用干法刻蚀工艺，去除掉第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口。具体地，干法刻蚀工艺具体为氟化物等离子体刻蚀工艺。本实施方式中利用氟化物等离子体和第一无机层反应生成氟化硅气体，从而实现对第一无机层中硅化物颗粒的刻蚀。可选地，氟化物等离子体具体为三氟化氮等离子体。
步骤104：在第一缺口重新制备第一无机层。
具体地说，在利用掩膜版对第一无机层进行刻蚀后形成第一缺口后，保留掩膜版，重新在第一缺口制备第一无机层，从而避免在未被去掉第一无机层的区域重复制备第一无机层。其制备过程中的工作参数与第一次制备第一无机层的工作参数相同，从而确保在第一缺口处形成的第一无机层与其他区域的第一无机层的膜厚相同。
较佳地，在去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口之后，且在第一缺口重新制备第一无机层之前，还包括：利用惰性气体吹扫第一缺口，将位于第一缺陷区域的非硅化物的颗粒物去除，从而避免了非硅化物的颗粒物导致第一无机层表面存在缺陷，使得修复后的第一无机层具备较好的阻隔水氧入侵的作用，进一步提高了显示面板的良率。
现有技术中若第一无机层表面存在缺陷，容易导致第二无机层表面凸起损坏，针对于第二无机膜层表面有凸起损坏的显示面板，通常会作报废处理或将该显示面板归为低良率的等级，使得显示面板的良率不高。针对于此，本发明实施方式中提供了一种显示面板的制备方法，通过确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域，从而将位于第一缺陷区域的第一无机层去除掉并重新制备，修复了第一无机层表面的缺陷，且即使水氧能够穿过第二无机层，也会被第一无机层阻隔在显示面板外，且避免了第一无机层上存在的缺陷而导致第二无机层的表面凸起损坏，从而提高了显示面板的良率。
本发明的第二实施方式涉及一种显示面板的制备方法。第二实施方式是对第一实施方式的改进，主要改进之处在于，本实施方式中在去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层并重新制备第一无机层后，还用于确定第二无机层的第二缺陷区域，并将位于第二缺陷区域的第二无机层去除掉并重新制备，修复了第二无机层表面的缺陷，进一步提高了显示面板的良率。
本实施方式中的显示面板的制备方法的流程示意图如图2所示，包括：
步骤201：在显示面板的发光像素层上制备第一无机层。
步骤202：确定第一无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域。
步骤203：去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口。
步骤204：在第一缺口重新制备第一无机层。
上述步骤201至步骤204与第一实施方式中的步骤101至步骤104大致相同，为避免重复，本实施方式中不再赘述。
步骤205：在第一无机层远离发光像素层的一侧依次制备有机层和第二无机层。
具体的说，本实施方式中在修复后的第一无机层远离发光像素层的一侧依次层叠制备有机层和第二无机层，以形成薄膜封装层。
步骤206：确定第二无机层远离发光像素层的表面存在缺陷的第二缺陷区域。
具体地说，由于现有技术中利用CVD等方式来制备第二无机层时，在成膜过程中容易产生颗粒，使得第二无机层表面凹凸不平、存在缺陷，水氧易从第二无机层的缺陷位置入侵，从而导致显示面板的良率不佳。本实施方式中利用自动光学检测(Automated OpticalInspection，AOI)的方式来确定第二无机层表面的第二缺陷区域，先利用摄像装置获取第二无机层远离发光像素层表面的图像，之后对获取到的图像进行图像处理，根据图像的对比度确定出图像中缺陷所在位置(缺陷所在位置亮度较暗或亮度不均)，并依据缺陷所在位置确定存在缺陷的第二缺陷区域。本实施方式中第二缺陷区域至少包括缺陷所在的区域，进一步地也可以包括缺陷周边区域，具体的第二缺陷区域的面积大小可以由用户自行设置，只要包含缺陷所在区域即可。本实施方式中可将第二缺陷区域的形状设定为正方形、长方形或其他规则的形状，从而便于后续步骤中对第二缺陷区域进行修复。
步骤207：去除掉位于第二缺陷区域的第二无机层以形成第二缺口。
具体地说，在确定第二无机层的第二缺陷区域后，利用开口区域的面积不小于第二缺陷区域的面积的掩膜版去除掉位于第二缺陷区域的第二无机层，从而形成第二缺口。本实施方式中给出了两种将第二无机层的第二缺陷区域和掩膜版的开口区域对准的方式，其中一种方式为，机械手控制掩膜版移动，使得掩膜版的开口区域对准第二缺陷区域，将第二缺陷区域暴露出来；另一种方式为：将掩膜版固定在一固定位置，控制机台移动显示面板移动，使得掩膜版的开口区域对准第二缺陷区域，将第二缺陷区域暴露出来。可实现地，还可使用一种开口位置可移动的掩膜版来去除掉位于第二缺陷区域的第二无机层，将掩膜版固定在一固定位置，同时将显示面板固定在一固定位置，通过移动掩膜版的开口位置使得掩膜版的开口区域对准第二缺陷区域，将第二缺陷区域暴露出来。
本实施方式中利用掩膜版采用干法刻蚀工艺，去除掉第二缺陷区域的第二无机层以形成第二缺口。具体地，干法刻蚀工艺具体为氟化物等离子体刻蚀工艺。本实施方式中利用氟化物等离子体和第二无机层反应生成氟化硅气体，从而实现对第二无机层的刻蚀。可选地，氟化物等离子体具体为三氟化氮等离子体。
步骤208：在第二缺口重新制备第二无机层。
具体地说，在利用掩膜版对第二无机层进行刻蚀后形成第二缺口后，重新在第二缺口制备第二无机层，其制备过程中的工作参数与第一次制备第二无机层的工作参数相同，从而确保在第二缺口处形成的第二无机层与其他区域的第二无机层的膜厚相同。
较佳地，在去除掉位于第二缺陷区域的第二无机层以形成第二缺口之后，且在第二缺口重新制备第二无机层之前，还包括：利用惰性气体吹扫第二缺口。将位于第二缺陷区域的非硅化物的颗粒物去除，从而避免了非硅化物的颗粒物导致第二无机层表面存在缺陷，使得修复后的第二无机层具备较好的阻隔水氧入侵的能力，进一步提高了显示面板的良率。
与现有技术相比，本发明实施方式中给出了一种显示面板的制备方法，通过在去除掉位于第一缺陷区域的第一无机层并重新制备第一无机层后，还用于确定第二无机层的第二缺陷区域，并将位于第二缺陷区域的第二无机层去除掉并重新制备，修复了第二无机层表面的缺陷，进一步提高了显示面板的良率。
上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在显示面板的发光像素层上制备第一无机层；
确定所述第一无机层远离所述发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域；
去除掉位于所述第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口；
在所述第一缺口重新制备所述第一无机层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一缺口重新制备所述第一无机层后，还包括：
在所述第一无机层远离所述发光像素层的一侧依次制备有机层和第二无机层；
确定所述第二无机层远离所述发光像素层的表面存在缺陷的第二缺陷区域；
去除掉位于所述第二缺陷区域的第二无机层以形成第二缺口；
在所述第二缺口重新制备所述第二无机层。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述去除掉位于所述第二缺陷区域的第二无机层以形成第二缺口之后，且所述在所述第二缺口重新制备所述第二无机层之前，还包括：
利用惰性气体吹扫所述第二缺口。
4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述去除掉位于所述第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口之后，且所述在所述第一缺口重新制备所述第一无机层之前，还包括：
利用惰性气体吹扫所述第一缺口。
5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述确定所述第一无机层远离所述发光像素层的表面存在缺陷的第一缺陷区域，包括：
获取所述第一无机层远离所述发光像素层的表面的图像；
根据所述图像确定缺陷所在位置；
依据所述缺陷所在位置确定所述第一缺陷区域。
6.根据权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述根据所述图像确定缺陷所在位置，包括：
根据所述图像的对比度确定所述缺陷所在位置。
7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述去除掉位于所述第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口，包括：
确定位于所述第一缺陷区域的第一无机层的面积大小；
获取开口区域的面积不小于所述第一缺陷区域的面积的掩膜版；
利用所述掩膜版去除掉位于所述第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述获取开口区域的面积不小于所述第一缺陷区域的面积的掩膜版之后，且所述利用所述掩膜版去除掉位于所述第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口之前，还包括：
移动所述掩膜版以使所述掩膜版的开口区域对准所述第一缺陷区域；
或者，
移动所述显示面板以使所述掩膜版的开口区域对准所述第一缺陷区域。
9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述利用所述掩膜版去除掉位于所述第一缺陷区域的第一无机层以形成第一缺口，包括：
利用所述掩膜版采用干法刻蚀工艺，去除掉所述第一缺陷区域的第一无机层以形成所述缺口。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺包括氟化物等离子体刻蚀工艺。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2020
- 2020-01-21 CN CN202010069744.4A patent/CN111244331A/zh active Pending
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