CN111224688B - 一种射频前端芯片结构 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电性连接；限幅低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接；功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片通过屏蔽芯片进行电性连接。本申请中射频前端芯片为垂直堆叠结构，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小射频前端结构的尺寸。

Description

一种射频前端芯片结构

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种射频前端芯片结构。

背景技术

射频前端结构是微波设备和系统中的重要器件，其广泛用于天线阵列最前端，天线阵列的收发信号都是通过此部件完成。射频前端部件同时集成功率放大器、开关和限幅低噪声放大器等功能，部件工作时，首先通过开关完成发射路和接收路的工作状态切换；发射路工作时，需要功率放大器将小信号放大到大功率完成发射；接收路工作时，需要低噪声放大器对输入的小信号进行低噪声放大，同时低噪声放大器之前需要限幅器对输入的大信号进行衰减和功率控制，从而保护接收系统不被大功率输入信号烧毁。

近年来，微系统应用频率不断提高，对应天线阵列的面积会越来越小。射频前端结构作为天线阵列最重要的部件，面临着高集成化、小型化需求。传统射频前端结构通常采用混合集成电路和单片微波集成电路(即MMIC)芯片方式，把功率放大器、开关和限幅低噪声放大电路分立设计，然后平面互联。这种结构存在尺寸大、电路布局受限、性能一致性差等问题，对于进一步小型化和高集成化缺少更进一步的有效措施。

发明内容

本申请的目的在于提供一种射频前端芯片结构，有利于缩小射频前端结构的尺寸。

为了解决上述技术问题，本申请提供一种射频前端芯片结构，包括：

功放开关芯片、位于上述功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于上述屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；

上述屏蔽芯片的下表面与上述功放开关芯片的上表面电性连接；

上述限幅低噪声放大器芯片的下表面与上述屏蔽芯片的上表面电性连接；

上述功放开关芯片与上述限幅低噪声放大器芯片通过上述屏蔽芯片进行电性连接。

可选的，上述限幅低噪声放大器芯片的上表面设置有限幅低噪声放大输入焊盘、限幅低噪声放大输出焊盘以及第一电源焊盘。

可选的，上述功放开关芯片的上表面设置有第一射频焊盘、第二射频焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、发射焊盘、接收焊盘、接收电路输入焊盘以及接收电路输出焊盘。

可选的，上述屏蔽芯片的下表面设置有与上述第一射频焊盘、上述第二射频焊盘、上述栅极焊盘、上述漏极焊盘、上述发射焊盘、上述接收焊盘、上述接收电路输入焊盘以及上述接收电路输出焊盘分别对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘、第六焊盘、第七焊盘以及第八焊盘；

上述屏蔽芯片的上表面设置有与上述第一焊盘、上述第二焊盘、上述第三焊盘、上述第四焊盘、上述第五焊盘、上述第六焊盘、上述第七焊盘以及上述第八焊盘分别对应的第九焊盘、第十焊盘、第十一焊盘、第十二焊盘、第十三焊盘、第十四焊盘、第十五焊盘以及第十六焊盘；

上述第一焊盘、上述第二焊盘、上述第三焊盘、上述第四焊盘、上述第五焊盘、上述第六焊盘、上述第七焊盘以及上述第八焊盘分别通过第一通孔与上述第九焊盘、上述第十焊盘、上述第十一焊盘、上述第十二焊盘、上述第十三焊盘、上述第十四焊盘、上述第十五焊盘以及上述第十六焊盘对应电性连接；

上述第一射频焊盘、上述第二射频焊盘、上述栅极焊盘、上述漏极焊盘、上述发射焊盘、上述接收焊盘、上述接收电路输入焊盘以及上述接收电路输出焊盘分别通过倒装焊接工艺与上述第一焊盘、上述第二焊盘、上述第三焊盘、上述第四焊盘、上述第五焊盘、上述第六焊盘、上述第七焊盘以及上述第八焊盘进行电性连接。

可选的，上述限幅低噪声放大输入焊盘与上述第十六焊盘通过引线键合进行电性连接；上述限幅低噪声放大输出焊盘与上述第十五焊盘通过引线键合进行电性连接。

可选的，上述功放开关芯片的上表面还设置有第一金属焊盘，上述功放开关芯片的下表面设置有第一接地金属层，上述第一金属焊盘与上述第一接地金属层通过第二通孔电性连接。

可选的，上述屏蔽芯片的下表面还设置有与上述第一金属焊盘对应的第二金属焊盘，上述屏蔽芯片的上表面还设置有第二接地金属层，上述第二金属焊盘与上述第二接地金属层通过上述第一通孔电性连接；

上述第一金属焊盘与上述第二金属焊盘通过上述倒装焊接工艺进行电性连接。

可选的，上述限幅低噪声放大器芯片的上表面还设置有第三接地金属层，上述限幅低噪声放大器芯片的下表面设置有第四接地金属层，上述第三接地金属层与上述第四接地金属层通过第三通孔电性连接。

可选的，上述第二接地金属层与上述第四接地金属层通过导电胶粘结。

可选的，上述功放开关芯片为GaN芯片；上述屏蔽芯片为GaN芯片；上述限幅低噪声放大器芯片为GaAs芯片。

由上可见，本申请中屏蔽芯片位于功放开关芯片的上表面，且屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电性连接，限幅低噪声放大器芯片位于屏蔽芯片的上表面，且限幅低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片通过屏蔽芯片电性连接，从而实现了射频前端芯片的垂直堆叠结构，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小射频前端结构的尺寸。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种射频前端芯片结构示意图；

图2是本申请实施例提供的另一种射频前端芯片结构示意图；

图3是本申请实施例提供的再一种射频前端芯片结构示意图；

图4是本申请实施例提供的一种功放开关芯片的电路原理示意图；

图5是本申请实施例提供的一种限幅低噪声放大器芯片的电路原理示意图；

图6是本申请实施例提供的再一种射频前端芯片结构示意图；

图7是本申请实施例提供的一种射频前端芯片的功能原理示意图。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的实例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置、元件或结构必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，“安装”、“相连”、“连接”、“连通”等术语应做广义理解，例如，可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以是通过中间媒介间接连接，还可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

还应当理解，在本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

下面结合本申请实施例的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

本申请提供一种射频前端芯片结构，如图1所示，包括：功放开关芯片101、位于功放开关芯片101上表面的屏蔽芯片102，以及位于屏蔽芯片102上表面的限幅低噪声放大器芯片103；

屏蔽芯片102的下表面与功放开关芯片101的上表面电性连接；

限幅低噪声放大器芯片103的下表面与屏蔽芯片102的上表面电性连接；

功放开关芯片101与限幅低噪声放大器芯片103通过屏蔽芯片102进行电性连接。

可选的，在图1所示实施例的基础上，如图2所示，限幅低噪声放大器芯103片的上表面设置有限幅低噪声放大输入焊盘104、限幅低噪声放大输出焊盘105以及第一电源焊盘106。

可选的，功放开关芯片101的上表面设置有第一射频焊盘107、第二射频焊盘108、栅极焊盘109、漏极焊盘110、发射焊盘111、接收焊盘112、接收电路输入焊盘113以及接收电路输出焊盘114。

可选的，发射焊盘111和接收焊盘112为互补电位控制。

在一种应用场景中，发射焊盘111为高电位，接收焊盘112为低电位，且发射焊盘111与接收焊盘112一直处于加电状态。

在另一种应用场景中，发射焊盘111为低电位，接收焊盘112为高电位，且发射焊盘111与接收焊盘112一直处于加电状态。

可选的，屏蔽芯片102的下表面设置有与第一射频焊盘107、第二射频焊盘108、栅极焊盘109、漏极焊盘110、发射焊盘111、接收焊盘112、接收路输入焊盘113以及接收路输出焊盘114分别对应的第一焊盘115、第二焊盘116、第三焊盘117、第四焊盘118、第五焊盘119、第六焊盘120、第七焊盘121以及第八焊盘122；

屏蔽芯片102的上表面设置有与第一焊盘115、第二焊盘116、第三焊盘117、第四焊盘118、第五焊盘119、第六焊盘120、第七焊盘121以及第八焊盘122分别对应的第九焊盘123、第十焊盘124、第十一焊盘125、第十二焊盘126、第十三焊盘127、第十四焊盘128、第十五焊盘129以及第十六焊盘130；

第一焊盘115、第二焊盘116、第三焊盘117、第四焊盘118、第五焊盘119、第六焊盘120、第七焊盘121以及第八焊盘122分别通过第一通孔131与第九焊盘123、第十焊盘124、第十一焊盘125、第十二焊盘126、第十三焊盘127、第十四焊盘128、第十五焊盘129以及第十六焊盘130对应电性连接；

第一射频焊盘107、第二射频焊盘108、栅极焊盘109、漏极焊盘110、发射焊盘111、接收焊盘112、接收电路输入焊盘113以及接收电路输出焊盘114分别通过倒装焊接工艺与第一焊盘115、第二焊盘116、第三焊盘117、第四焊盘118、第五焊盘119、第六焊盘120、第七焊盘121以及第八焊盘122进行电性连接。

在一种应用场景中，上述倒装焊接工艺为通过金属凸点，进行倒装凸点连接的工艺，上述金属凸点的材料分别包括：金、铅-锡、镍/金、铜、铜/铅-锡、铟中的任一种。

在另一种应用场景中，上述倒装焊接工艺为通过导电胶进行倒装粘接的工艺。

可选的，限幅低噪声放大输入焊盘104与第十六焊盘130通过引线键合进行电性连接，从而实现限幅低噪声放大输入焊盘104与接收电路输出焊盘114的电性连接；限幅低噪声放大输出焊盘105与第十五焊盘129通过引线键合进行电性连接，从而实现限幅低噪声放大输出焊盘105与接收电路输入焊盘113的电性连接；因此，实现了功放开关芯片101与限幅低噪声放大器芯片103的电性连接。

可选的，在图2所示实施例的基础上，如图3所示，功放开关芯片101的上表面还设置有第一金属焊盘132，功放开关芯片101的下表面设置有第一接地金属层133，第一金属焊盘132与第一接地金属层133通过第二通孔134电性连接，以实现第一金属焊盘132与第一接地金属层133同电位。

可选的，屏蔽芯片102的下表面还设置有与第一金属焊盘132对应的第二金属焊盘135，屏蔽芯片102的上表面还设置有第二接地金属层136，第二金属焊盘135与第二接地金属层136通过第一通孔131电性连接，以实现第二金属焊盘135与第二接地金属层136同电位。

第一金属焊盘132与第二金属焊盘135通过上述倒装焊接工艺进行电性连接，以实现屏蔽芯片102的第二接地金属层136与功放开关芯片101的第一接地金属层133同电位。

可选的，限幅低噪声放大器芯片103的上表面还设置有第三接地金属层137，限幅低噪声放大器芯片103的下表面设置有第四接地金属层138，第三接地金属层137与第四接地金属层138通过第三通孔139电性连接，以实现第三接地金属层137与第四接地金属层138同电位。

可选的，第二接地金属层136与第四接地金属层138通过导电胶粘结，以实现限幅低噪声放大器芯片103的第三接地金属层137与功放开关芯片101的第一接地金属层133同电位。

可选的，在图3所示实施例的基础上，如图4所示，为功放开关芯片101的电路原理图，功放开关芯片101为GaN芯片，包括开关1、开关2以及功放部分，开关1和开关2均为单刀双掷开关，输出端口1最终连接到第一射频焊盘107，是开关1的公共端口。输出端口2最终连接到接收电路输入焊盘113，并通过键合丝与限幅低噪声放大器芯片103的限幅低噪声放大输出焊盘105互联。输出端口3最终连接到第二射频焊盘108，是开关2的公共端口。输出端口4最终连接到接收电路输出焊盘114，并通过键合丝与限幅低噪声放大器芯片103的限幅低噪声放大输入焊盘104互联。开关部分通过并联开关晶体管实现，开关晶体管1和开关晶体管3的栅压最终连接至发射焊盘111，开关晶体管2和开关晶体管4的栅压最终连接至接收焊盘112。功放部分采用三级晶体管级联放大，三个晶体管的漏压最终连接至漏极焊盘110，漏压最终连接至栅极焊盘109。功放开关芯片101的工作原理：通过电平控制可以选择信号由芯片一的功放部分进行处理或者由芯片三的限幅低噪声放大器部分进行处理。

可选的，GaN作为第三代宽禁带半导体，相对于GaAs工艺，具备更强的输出能力；用GaN工艺制备的功放开关芯片101才能满足射频前端高输出功率的要求，此外，GaN工艺可以集成开关的制备；因此，选择使用GaN工艺制备射频前端的输出路。

可选的，屏蔽芯片102为GaN芯片，屏蔽芯片102的上表面覆盖最大面积的第二接地金属层136。

可选的，屏蔽芯片102不仅作为限幅低噪声放大器芯片103的载片，还能有效的对功放开关芯片101和限幅低噪声放大器芯片103的信号进行屏蔽和隔离。

可选的，在图4所示实施例的基础上，如图5所示，为限幅低噪声放大器芯片103的电路原理图，限幅低噪声放大器芯片103为GaAs芯片，包括限幅部分和低噪声放大部分，其中，输出端口5连接到限幅低噪声放大输出焊盘105，输出端口5是限幅低噪声放大器芯片103的信号输出端口；输出端口6连接到限幅低噪声放大输入焊盘104，输出端口6是限幅低噪声放大器芯片103的信号输入端口，漏极最终连接到第一电源焊盘106，与限幅低噪声放大器芯片103的漏极焊盘110相连。限幅低噪声放大器芯片103只有在射频前端接收态时才工作，功放开关芯片101经过开关选择的信号从限幅低噪声放大输入焊盘104(输出端口5)进入，由于此信号通常是从外围天线接收而来，且功率较大，直接接触晶体管会对晶体管造成损伤，限幅部分相当于限幅低噪声放大器芯片103中晶体管的保护部分，超过一定额度的大功率信号会被限幅部分滤除，过滤后的小功率信号经过限幅低噪声放大器芯片103的三级晶体管放大，从限幅低噪声放大输出焊盘105(输出端口6)输出，之后经过开关选择最终从功放开关芯片101的第一射频焊盘107输出。

可选的，GaAs工艺相对于GaN工艺具备更优良的噪声特性，且功耗很低，更适用于制备功率能力要求不高的低噪声放大器；选择GaAs工艺制备射频前端的限幅低噪声放大器芯片103，接收通道的限幅和低噪声放大功能可以集中在一片GaAs芯片中；通常情况下，限幅低噪声放大器芯片103的面积远小于功放开关芯片101的面积，因此，设计时需要合理布局限幅低噪声放大器芯片103的尺寸大小，以满足后面流程中的键合要求。

由上可见，本申请中屏蔽芯片位于功放开关芯片的上表面，且屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电性连接，限幅低噪声放大器芯片位于屏蔽芯片的上表面，且限幅低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片通过屏蔽芯片电性连接，从而实现了射频前端芯片的垂直堆叠结构，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小射频前端结构的尺寸。

为了更好的理解本申请的射频前端芯片结构，下面以一具体应用场景例对射频前端芯片结构进一步说明。本应用场景中，如图6所示，功放开关芯片101与屏蔽芯片102通过金凸点140倒装焊接工艺进行连接，具体的第一金属焊盘132与第二金属焊盘135通过金凸点140进行倒装焊接连接。射频前端芯片工作时，分为发射态和接收态。

发射态工作时，信号从第一射频焊盘107输入，通过发射焊盘111和接收焊盘112，选择切入功放部分进行处理，此时栅极焊盘109(功放部分栅压)和漏极焊盘110(功放部分漏压)处于供电状态，信号由功放放大后，经过开关选择从第二射频焊盘108输出，即完成发射态工作，此时限幅低噪声放大器芯片103处于不工作状态。

接收态工作时，信号从第二射频焊盘108输入，信号经过开关选择，传输至接收电路输出焊盘114，通过键合丝传输到限幅低噪声放大器芯片103的限幅低噪声放大输入焊盘104，由限幅低噪声放大器芯片103进行处理，且第一电源焊盘106处于供电状态，信号经过限幅低噪声放大器芯片103处理放大，从限幅低噪声放大输出焊盘105输出，再通过键合丝传输接收电路输入焊盘113，最后经过开关选择从第一射频焊盘107输出，即完成接收态工作。如图7所示，为射频前端芯片的功能原理图。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解；其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不是相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种射频前端芯片结构，其特征在于，所述射频前端芯片结构 包括：功放开关芯片、位于所述功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于所述屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；

所述屏蔽芯片的下表面与所述功放开关芯片的上表面电性连接；

所述限幅低噪声放大器芯片的下表面与所述屏蔽芯片的上表面电性连接；

所述功放开关芯片与所述限幅低噪声放大器芯片通过所述屏蔽芯片进行电性连接。

2.如权利要求1所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述限幅低噪声放大器芯片的上表面设置有限幅低噪声放大输入焊盘、限幅低噪声放大输出焊盘以及第一电源焊盘。

3.如权利要求2所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述功放开关芯片的上表面设置有第一射频焊盘、第二射频焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、发射焊盘、接收焊盘、接收电路输入焊盘以及接收电路输出焊盘。

4.如权利要求3所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述屏蔽芯片的下表面设置有与所述第一射频焊盘、所述第二射频焊盘、所述栅极焊盘、所述漏极焊盘、所述发射焊盘、所述接收焊盘、所述接收电路输入焊盘以及所述接收电路输出焊盘分别对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘、第六焊盘、第七焊盘以及第八焊盘；

所述屏蔽芯片的上表面设置有与所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘、所述第五焊盘、所述第六焊盘、所述第七焊盘以及所述第八焊盘分别对应的第九焊盘、第十焊盘、第十一焊盘、第十二焊盘、第十三焊盘、第十四焊盘、第十五焊盘以及第十六焊盘；

所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘、所述第五焊盘、所述第六焊盘、所述第七焊盘以及所述第八焊盘分别通过第一通孔与所述第九焊盘、所述第十焊盘、所述第十一焊盘、所述第十二焊盘、所述第十三焊盘、所述第十四焊盘、所述第十五焊盘以及所述第十六焊盘对应电性连接；

所述第一射频焊盘、所述第二射频焊盘、所述栅极焊盘、所述漏极焊盘、所述发射焊盘、所述接收焊盘、所述接收电路输入焊盘以及所述接收电路输出焊盘分别通过倒装焊接工艺与所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘、所述第五焊盘、所述第六焊盘、所述第七焊盘以及所述第八焊盘进行电性连接。

5.如权利要求4所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述限幅低噪声放大输入焊盘与所述第十六焊盘通过引线键合进行电性连接；所述限幅低噪声放大输出焊盘与所述第十五焊盘通过引线键合进行电性连接。

6.如权利要求5所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述功放开关芯片的上表面还设置有第一金属焊盘，所述功放开关芯片的下表面设置有第一接地金属层，所述第一金属焊盘与所述第一接地金属层通过第二通孔电性连接。

7.如权利要求6所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述屏蔽芯片的下表面还设置有与所述第一金属焊盘对应的第二金属焊盘，所述屏蔽芯片的上表面还设置有第二接地金属层，所述第二金属焊盘与所述第二接地金属层通过所述第一通孔电性连接；

所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘通过所述倒装焊接工艺进行电性连接。

8.如权利要求7所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述限幅低噪声放大器芯片的上表面还设置有第三接地金属层，所述限幅低噪声放大器芯片的下表面设置有第四接地金属层，所述第三接地金属层与所述第四接地金属层通过第三通孔电性连接。

9.如权利要求8所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述第二接地金属层与所述第四接地金属层通过导电胶粘结。

10.如权利要求9所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述功放开关芯片为GaN芯片；所述屏蔽芯片为GaN芯片；所述限幅低噪声放大器芯片为GaAs芯片。

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