CN111211067A - 工艺腔室和半导体处理设备 - Google Patents
工艺腔室和半导体处理设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111211067A CN111211067A CN201811401490.0A CN201811401490A CN111211067A CN 111211067 A CN111211067 A CN 111211067A CN 201811401490 A CN201811401490 A CN 201811401490A CN 111211067 A CN111211067 A CN 111211067A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- hoisting
- main body
- process chamber
- spraying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 89
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 89
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。包括腔室本体、以及位于腔室本体内的喷淋件，还包括至少一个吊装装置，每个吊装装置包括吊装主体以及若干个调整件，吊装主体的第一端穿出腔室本体并与所述腔室本体可移动地密封连接，第二端与喷淋件密封连接。各调整件选择性地夹设在吊装主体的第一端与腔室本体之间，以调整喷淋件的喷淋距离。这样，只需要在腔室本体的外部进行，每次调整喷淋距离无需开腔操作，从而可以有效简化调整流程，缩短调整时间。
Description
技术领域
本发明涉及微电子加工技术领域，具体涉及一种工艺腔室和一种半导体处理设备。
背景技术
一般地，半导体处理设备的工艺腔室内部结构复杂、空间紧凑。工艺腔室一般包括腔室本体、喷淋装置以及工艺载台，喷淋装置以及工艺载台均设置在腔室本体内。工艺载台用于承载待加工的硅片，喷淋装置用于对工艺气体进行匀流，并且，为了使得形成在硅片表面的薄膜膜厚均匀，需要调整喷淋装置与工艺载台之间的喷淋距离，以便使得喷淋装置具有最佳的喷淋距离。
为了实现调整喷淋距离，传统地一般是设计若干种具有不同尺寸的吊装装置，吊装装置安装在腔室本体内部，每次需要调整喷淋距离时，对腔室本体进行开腔操作，从而可以更换不同尺寸的吊装装置，实现调节喷淋装置的喷淋距离，显然，这浪费安装时间和浪费人力，不利于短时间内进行多次对比试验。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种工艺腔室和一种半导体处理设备。
为了实现上述目的，本发明的第一方面，提供了一种工艺腔室，包括腔室本体以及位于所述腔室本体内的喷淋件，所述工艺腔室还包括至少一个吊装装置，每个所述吊装装置包括吊装主体以及若干个调整件；其中，
所述吊装主体的第一端穿出所述腔室本体并与所述腔室本体可移动地密封连接，所述吊装主体的第二端与所述喷淋件密封连接，并且，
各所述调整件选择性地夹设在所述吊装主体的第一端与所述腔室本体之间，以调整所述喷淋件的喷淋距离。
可选地，所述吊装装置还包括套设在所述吊装主体上的弹性密封组件，所述弹性密封组件的两端分别与所述腔室本体和所述吊装主体的第二端密封连接。
可选地，所述弹性密封组件包括波纹管以及分别位于所述波纹管两端的安装法兰，所述波纹管通过所述安装法兰分别与所述腔室本体和所述吊装主体的第二端密封连接。
可选地，所述吊装主体内还设置有工艺气体通道，所述工艺气体通道与所述喷淋件上的喷淋孔密闭连通。
可选地，所述吊装装置还包括密封件，所述密封件夹设在所述吊装主体的第二端和所述喷淋件之间，以使得所述工艺气体通道与所述喷淋孔密闭连通。
可选地，所述腔室本体上设置有贯穿其壁厚的安装孔，所述吊装主体的第一端穿过所述安装孔，且该第一端的外周侧壁与所述安装孔之间具有间隙。
可选地，所述吊装主体的第一端设置有向外侧凸出的凸缘，所述调整件夹设在所述凸缘与所述腔室本体之间。
可选地，所述吊装主体的第一端的端部还设置有吊环。
可选地，所述工艺腔室包括两个所述吊装装置，两个所述吊装装置相对所述腔室本体的中心呈对称设置。
可选地，所述调整件为调整垫片。
可选地，所述吊装装置还包括紧固件，所述调整件通过所述紧固件分别与所述吊装主体和所述腔室本体可拆卸连接。
可选地，所述吊装装置还包括位于所述腔室本体内的竖直导向结构，所述竖直导向结构能够限定所述吊装装置沿竖直方向升降。
本发明的第二方面，提供了一种半导体处理设备，包括前文记载的所述的工艺腔室。
本发明的工艺腔室和半导体处理设备，其包括腔室本体以及位于腔室本体内的喷淋件，工艺腔室还包括至少一个吊装装置，每个吊装装置包括吊装主体以及若干个调整件。吊装主体的第一端穿出腔室本体并与腔室本体可移动地密封连接，吊装主体的第二端与喷淋件密封连接。各调整件选择性地夹设在吊装主体的第一端与腔室盖之间，以调整喷淋件的喷淋距离。这样，在进行调整喷淋件的喷淋距离时，只需要在腔室本体的外部进行，每次调整喷淋距离无需开腔操作，从而可以有效简化调整流程，缩短调整时间。此外，吊装主体内还设置有工艺气体通道，该工艺气体通道与喷淋件上的喷淋孔连通。这样，在调节喷淋件与工艺载台之间的喷淋距离时，该工艺气体通道并不会干涉或影响调节过程，从而可以进一步缩短调整时间。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1为本发明第一实施例中工艺腔室的结构示意图；
图2为本发明第二实施例中工艺腔室的吊装装置处的局部示意图。
附图标记说明
100：工艺腔室；
110：腔室本体；
111：安装孔；
120：喷淋件；
121：喷淋孔；
130：工艺载台；
140：吊装装置；
141：吊装主体；
141a：工艺气体通道；
141b：凸缘；
142：调整件；
143：弹性密封组件；
143a：波纹管；
143b：安装法兰；
143b1：第一刀口法兰；
143b2：焊接法兰；
143b3：第二刀口法兰；
144：密封件；
145：吊环；
150：加热器。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
如图1和图2所示，本发明的第一方面，涉及一种工艺腔室100，该工艺腔室100一般包括腔室本体110、喷淋件120、工艺载台130以及两个吊装装置140，应当理解的是，此处的吊装装置140的数量仅是举例说明，并不能够理解成对本发明保护范围的限制，在实际应用时，可以根据实际需要，设置一个吊装装置140、三个吊装装置140等等。
如图1和图2所示，喷淋件120和工艺载台130均位于腔室本体110内，工艺载台130用于承载待工艺的硅片，而喷淋件120用于对工艺气体进行匀流，以使得工艺完成后的硅片表面的薄膜膜厚均匀。每个吊装装置140均包括吊装主体141以及若干个调整件142。吊装主体141的第一端(如图1中，吊装主体141的上端)穿出腔室本体110并与腔室本体110可移动地密封连接，吊装主体141的第二端(如图1中，吊装主体141的下端)与喷淋件120密封连接，这样，可以实现腔室本体110内部与大气隔绝，保持腔室本体110内部处于真空环境。各调整件142选择性地夹设在吊装主体141的第一端与腔室本体110之间，以调整喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离，例如，在腔室本体110与吊装主体141之间可以设置有一个调整件142、两个调整件142或者多个调整件142等，从而可以实现调整喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离。
具体地，如图1和图2所示，在实际进行工艺时，假设当前喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离过短，则可以向吊装主体141的第一端与腔室本体110之间再添加一个调整件142，这样，随着调整件142的加入，吊装主体141的第一端远离腔室本体110，也即吊装主体141向上移动，由于吊装主体141的第二端与喷淋件120连接，因此，吊装主体141可以带动喷淋件120向上移动，从而可以加大喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离，直至喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离满足预定的要求。
本实施例结构的工艺腔室100，吊装主体141的第一端穿出腔室本体110并与腔室本体110可移动地密封连接，另一端与喷淋件120密封连接，各调整件142选择性地夹设在吊装主体141的第一端与腔室本体110之间，这样，在进行调整喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离时，只需要在腔室本体110的外部进行，每次调整喷淋距离无需开腔操作，从而可以有效简化调整流程，缩短调整时间。
作为实现吊装主体141与腔室本体110密封连接的一种具体结构，如图1和图2所示，吊装装置140还包括套设在吊装主体141上的弹性密封组件143，弹性密封组件143的两端分别与腔室本体110和吊装主体141的第二端密封连接。
具体地，如图2所示，弹性密封组件143包括波纹管143a以及分别位于波纹管143a两端的安装法兰143b，波纹管143a通过安装法兰143b分别与腔室本体110和吊装主体141的第二端密封连接。
本实施例结构的工艺腔室100，利用所设置的弹性密封组件143，不仅能够有效实现腔室本体110内部的真空环境与大气隔绝，而且在调整喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离时，例如，提升吊装主体141时，波纹管143a的长度随着提升的高度相应被压缩，通过借助波纹管143a的压缩变形，可以缓冲施加至吊装主体141上的作用力，避免吊装装置140发生刚性碰撞。
具体地，如图2所示，安装法兰143b可以包括位于波纹管143a顶端的第一刀口法兰143b1、焊接法兰143b2以及位于波纹管143a底端的第二刀口法兰143b3。焊接法兰143b2焊接固定在腔室本体110上，波纹管143a的顶端通过第一刀口法兰143b1与焊接法兰143b2密封连接，波纹管143a的底端通过第二刀口法兰143b3与吊装主体141的第二端(该第二端也可以加工成类似刀口法兰的形状)密封连接。
如图1和图2所示，吊装主体141内还设置有工艺气体通道141a，该工艺气体通道141a与喷淋件120上的喷淋孔121密闭连通，例如，可以在吊装主体141的第二端和喷淋件120之间设置密封件144，该密封件144可以为O型密封圈等能够实现密封功能的密封结构，从而可以实现工艺气体通道141a与喷淋孔121的密闭连通。
本实施例结构的工艺腔室100，在吊装主体141的内部设置有工艺气体通道141a，该工艺气体通道141a与喷淋孔121密闭连通，这样，在调节喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离时，工艺气体通道141a并不会干涉或影响调节过程，从而可以进一步缩短调整时间。
如图1和图2所示，腔室本体110上设置有贯穿其壁厚的安装孔111，吊装主体141的第一端穿过该安装孔111，并且，吊装主体141的第一端的外周侧壁与安装孔111之间具有间隙，这样，可以便于吊装主体141在安装孔111内移动，以实现调节喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离。
如图2所示，为了便于安装调整件142，吊装主体141的第一端设置有向外侧凸出的凸缘141b，这样，调整件142可以夹设在凸缘141b与腔室本体110之间。此外，为了便于提升吊装装置140，如图2所示，吊装主体141的第一端的端部还设置有吊环145，这样，在需要调节喷淋距离时，可以利用起重机等提升机构勾住吊环145，从而可以将吊装主体141提起，此时，可以向凸缘141b与腔室本体110之间添加或者移除调整件142，从而可以实现调节喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离。
如图1所示，两个吊装装置140可以相对腔室本体110的中心呈对称设置，对称设置的两个吊装装置140可以均衡地对喷淋件120施加作用力，从而可以避免喷淋件120发生扭转变形等。
可选地，调整件142可以为调整垫片，各调整垫片的厚度可以相同，也可以不相同。除了调整垫片以外，调整件142也可以是其他的一些调整结构，例如，调整螺母等等。
为了避免吊装主体141发生上下窜动，吊装装置140还可以包括紧固件(图中并未示出)，例如，螺钉或者销钉等等。调整件142可以通过紧固件分别与吊装主体141和腔室本体110可拆卸连接。
为了避免提升吊装装置140的过程中，吊装装置140发生水平偏移，吊装装置140还可以包括位于腔室本体110内的竖直导向结构(图中并未示出)，其中，该竖直导向结构能够限定吊装装置140沿竖直方向升降，从而可以避免吊装装置140发生水平偏移。
需要说明的是，对于竖直导向结构的具体结构并没有作出限定，例如，竖直导向结构可以是导向孔配合导向销的结构，导向销插置在导向孔内。当然，除此以外，竖直导向结构还可以是其他能够实现竖直导向的一些具体结构。
此外，为了实现在工艺时对工艺载台130进行加热，如图1所示，工艺腔室100还可以包括加热器150，例如，该加热器150可以是加热灯管等能够实现加热功能的器件。
本发明的第二方面，提供了一种半导体处理设备(图中并未示出)，包括前文记载的工艺腔室100，工艺腔室100的具体结构可以参考前文相关记载，在此不作赘述。
本实施例结构的半导体处理设备，其具有前文记载的工艺腔室100，在进行调整喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离时，只需要在腔室本体110的外部进行，每次调整喷淋距离无需开腔操作，从而可以有效简化调整流程，缩短调整时间。此外，吊装主体141内还设置有工艺气体通道141a，这样，在调节喷淋件120与工艺载台130之间的喷淋距离时，该工艺气体通道141a并不会干涉或影响调节过程，从而可以进一步缩短调整时间。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (13)
1.一种工艺腔室，包括腔室本体以及位于所述腔室本体内的喷淋件，其特征在于，所述工艺腔室还包括至少一个吊装装置，每个所述吊装装置包括吊装主体以及若干个调整件；其中，
所述吊装主体的第一端穿出所述腔室本体并与所述腔室本体可移动地密封连接，所述吊装主体的第二端与所述喷淋件密封连接，并且，
各所述调整件选择性地夹设在所述吊装主体的第一端与所述腔室本体之间，以调整所述喷淋件的喷淋距离。
2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述吊装装置还包括套设在所述吊装主体上的弹性密封组件，所述弹性密封组件的两端分别与所述腔室本体和所述吊装主体的第二端密封连接。
3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述弹性密封组件包括波纹管以及分别位于所述波纹管两端的安装法兰，所述波纹管通过所述安装法兰分别与所述腔室本体和所述吊装主体的第二端密封连接。
4.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述吊装主体内还设置有工艺气体通道，所述工艺气体通道与所述喷淋件上的喷淋孔密闭连通。
5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述吊装装置还包括密封件，所述密封件夹设在所述吊装主体的第二端和所述喷淋件之间，以使得所述工艺气体通道与所述喷淋孔密闭连通。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体上设置有贯穿其壁厚的安装孔，所述吊装主体的第一端穿过所述安装孔，且该第一端的外周侧壁与所述安装孔之间具有间隙。
7.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述吊装主体的第一端设置有向外侧凸出的凸缘，所述调整件夹设在所述凸缘与所述腔室本体之间。
8.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述吊装主体的第一端的端部还设置有吊环。
9.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室包括两个所述吊装装置，两个所述吊装装置相对所述腔室本体的中心呈对称设置。
10.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述调整件为调整垫片。
11.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述吊装装置还包括紧固件，所述调整件通过所述紧固件分别与所述吊装主体和所述腔室本体可拆卸连接。
12.根据权利要求1至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述吊装装置还包括位于所述腔室本体内的竖直导向结构，所述竖直导向结构能够限定所述吊装装置沿竖直方向升降。
13.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1至12中任意一项所述的工艺腔室。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811401490.0A CN111211067A (zh) | 2018-11-22 | 2018-11-22 | 工艺腔室和半导体处理设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811401490.0A CN111211067A (zh) | 2018-11-22 | 2018-11-22 | 工艺腔室和半导体处理设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111211067A true CN111211067A (zh) | 2020-05-29 |
Family
ID=70784006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811401490.0A Pending CN111211067A (zh) | 2018-11-22 | 2018-11-22 | 工艺腔室和半导体处理设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111211067A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08311654A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-26 | Ulvac Japan Ltd | プラズマｃｖｄ装置、およびプラズマｃｖｄによる薄膜形成方法 |
| CN101473060A (zh) * | 2006-05-03 | 2009-07-01 | 应用材料股份有限公司 | 适合于蚀刻高纵横比结构的真空处理室 |
| US20100243167A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| US20110132542A1 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US20140234992A1 (en) * | 2011-09-27 | 2014-08-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method |
| US20150024603A1 (en) * | 2012-02-01 | 2015-01-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
| US20150225854A1 (en) * | 2014-02-11 | 2015-08-13 | Lam Research Corporation | Ball screw showerhead module adjuster assembly for showerhead module of semiconductor substrate processing apparatus |
| US20160056021A1 (en) * | 2013-05-15 | 2016-02-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| CN208903984U (zh) * | 2018-11-22 | 2019-05-24 | 东泰高科装备科技有限公司 | 工艺腔室和半导体处理设备 |
-
2018
- 2018-11-22 CN CN201811401490.0A patent/CN111211067A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08311654A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-26 | Ulvac Japan Ltd | プラズマｃｖｄ装置、およびプラズマｃｖｄによる薄膜形成方法 |
| CN101473060A (zh) * | 2006-05-03 | 2009-07-01 | 应用材料股份有限公司 | 适合于蚀刻高纵横比结构的真空处理室 |
| US20100243167A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| US20110132542A1 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US20140234992A1 (en) * | 2011-09-27 | 2014-08-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and semiconductor device manufacturing method |
| US20150024603A1 (en) * | 2012-02-01 | 2015-01-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
| US20160056021A1 (en) * | 2013-05-15 | 2016-02-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| US20150225854A1 (en) * | 2014-02-11 | 2015-08-13 | Lam Research Corporation | Ball screw showerhead module adjuster assembly for showerhead module of semiconductor substrate processing apparatus |
| CN208903984U (zh) * | 2018-11-22 | 2019-05-24 | 东泰高科装备科技有限公司 | 工艺腔室和半导体处理设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109192696B (zh) | 升降针系统、真空反应腔室以及半导体加工设备 | |
| CN208903984U (zh) | 工艺腔室和半导体处理设备 | |
| JP5215055B2 (ja) | 拡散装置支持体 | |
| KR101658816B1 (ko) | 웨이퍼 검사용 인터페이스 및 웨이퍼 검사 장치 | |
| US20030000647A1 (en) | Substrate processing chamber | |
| US7138608B2 (en) | Sealed line structure for use in process chamber | |
| US8568554B2 (en) | Movable gas introduction structure and substrate processing apparatus having same | |
| WO2006008337A1 (en) | Pressure testing apparatus and method for pressure testing | |
| KR101778334B1 (ko) | 가스 도입 장치 및 유도 결합 플라스마 처리 장치 | |
| TW201933481A (zh) | 包括與升降的引導部聯動的排氣調節部的基板處理裝置 | |
| CN109855803A (zh) | 一种船舶密性试验装置及方法 | |
| KR20020095324A (ko) | 고주파 파워를 이용하는 반도체장치 제조설비 | |
| CN111211067A (zh) | 工艺腔室和半导体处理设备 | |
| EP3064938B1 (en) | Analysis device | |
| KR20060082091A (ko) | 반도체 기판 처리장치 | |
| KR101276565B1 (ko) | 진공처리장치 | |
| KR200460437Y1 (ko) | 반도체 제조장비의 슬릿 밸브 | |
| KR20060108317A (ko) | 오염방지 커버가 부착된 에어 실린더를 구비한 반도체 장비 | |
| CN104851824B (zh) | 基板处理设备及基板处理方法 | |
| CN115602512A (zh) | 等离子体刻蚀装置及其运行工艺 | |
| JP2021077815A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP5130234B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| CN112740387A (zh) | 基板处理装置 | |
| CN221124666U (zh) | 一种用于晶圆测试装置的通气结构及晶圆测试装置 | |
| CN114446748B (zh) | 一种等离子体处理装置及其工作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20210121 Address after: Unit 611, unit 3, 6 / F, building 1, yard 30, Yuzhi East Road, Changping District, Beijing 102208 Applicant after: Zishi Energy Co.,Ltd. Address before: Room A129-1, No. 10 Zhongxing Road, Changping District Science and Technology Park, Beijing 102200 Applicant before: DONGTAI HI-TECH EQUIPMENT TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |