CN111180872B - 一种天线装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种天线装置和电子设备,涉及通信技术领域。天线装置包括:第一主辐射结构,设置第一信号输入端;与第一主辐射结构耦合连接的第一寄生辐射结构,第一主辐射结构的开路端与第一寄生辐射结构的开路端相对设置形成第一缝隙;第二主辐射结构,设置第二信号输入端;接地结构,分别与第一主辐射结构接地端和第二主辐射结构接地端连接;第一主辐射结构长度小于或等于第二主辐射结构长度的M倍,或第一主辐射结构长度大于或等于第二主辐射结构长度的N倍;第一寄生辐射结构长度处于第二主辐射结构长度的P倍和Q倍之间;0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5。上述方案能够提高天线的隔离度和辐射效率。

Description

一种天线装置和电子设备
技术领域
本发明涉及通信技术领域,特别涉及一种天线装置和电子设备。
背景技术
随着第五代移动通信的发展,电子设备中引入了FR1和FR2新频段,天线数量的要求也大幅的增长,而电子设备天线设计的空间相比于第四代移动通信电子设备来说基本不变,造成6GHz以下频段的各天线间距急剧缩减,一些天线指标(如隔离,辐射效率等)受到影响。对一些同频或频率相近频段的双天线近距离相邻放置时,隔离问题往往会变得更为严重且难以处理。
发明内容
本发明实施例提供一种天线装置和电子设备,以解决天线的隔离度和辐射效率较低的问题。
为了解决上述技术问题,本发明是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供了一种天线装置,包括:
第一主辐射结构,所述第一主辐射结构上设置有第一信号输入端;
与所述第一主辐射结构耦合连接的第一寄生辐射结构,所述第一主辐射结构的开路端与所述第一寄生辐射结构的开路端相对设置,且形成有第一缝隙;
第二主辐射结构,所述第二主辐射结构上设置有第二信号输入端;
接地结构,所述接地结构分别与所述第一主辐射结构的接地端和所述第二主辐射结构的接地端连接;
其中,所述第一主辐射结构的长度小于或等于所述第二主辐射结构的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构的长度大于或等于所述第二主辐射结构的长度的N倍;所述第一寄生辐射结构的长度处于所述第二主辐射结构的长度的P倍和Q倍之间;其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5。
第二方面,本发明实施例还提供了一种电子设备,包括如上所述的天线装置。
这样,本发明实施例中,通过设置与所述第一主辐射结构耦合连接的第一寄生辐射结构,所述第一主辐射结构的长度小于或等于所述第二主辐射结构的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构的长度大于或等于所述第二主辐射结构的长度的N倍,所述第一寄生辐射结构的长度处于所述第二主辐射结构21的长度的P倍和Q倍之间,其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5,能够提高天线的隔离度和辐射效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例的天线装置的结构示意图之一;
图2表示本发明实施例的天线装置的结构示意图之二;
图3表示本发明实施例的天线装置的结构示意图之三;
图4表示本发明实施例的天线装置的结构示意图之四;
图5表示本发明实施例的天线装置的结构示意图之五;
图6表示本发明实施例的第一天线与现有技术的回波损耗曲线对比图;
图7表示本发明实施例的第二天线与现有技术的回波损耗曲线对比图;
图8表示本发明实施例的天线装置与现有技术的传输系数曲线对比图;
图9表示本发明实施例的第一天线与现有技术的辐射效率对比图;
图10表示本发明实施例的第二天线与现有技术的辐射效率对比图;
附图标记说明:
1-第一天线,11-第一主辐射结构,12-第一寄生辐射结构,13-第一缝隙,14-第一信号输入端,15-第一可调节器件,16-第一接地端,2-第二天线,21-第二主辐射结构,211-第一辐射部分,212-第二辐射部分,22-第二寄生辐射结构,23-第二缝隙,24-第二信号输入端,25-第二可调节器件,26-第二接地端,3-接地结构,31-第一接地结构,32-第二接地结构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
目前,现有技术通常把天线距离拉远,但是在电子设备具有越来越多天线的情况下不易实现。如果通过电容和电感组合成的滤波器加载滤波的方法对一些情况,比如临近频段(比如WiFi 2.4G和B41)且馈点靠的比较近的时候,效果可能不理想,会造成额外损耗。因此,目前电路解耦方法往往只能处理单频段,对于多频或宽频解耦网络庞大,且设计很复杂,不能使用在电子设备中。而且电子设备的板上空间很紧张,基本没有太多额外走线空间来设计额外的解耦网络。
目前,常规的金属手机边框天线,双倒F天线背靠背(共地)类型,如果是临近频段(比如第一天线1工作在WiFi 2.4G+5G,第二天线2工作在中高频1.7-2.7GHz,那么WiFi2.4G和B40/B41就是临频),且两天线连筋位(共地结构)宽度较窄,再加上通常双倒F天线枝节都比较长且长度接近,这样就会造成每个倒F天线枝节在自己的工作频段和另一支天线的工作频段电流模式的权重都比较高,此时天线馈点作为结构上一个电流模式的50ohm加载,就会造成能量的吸收损耗,表现在天线端口隔离度上,隔离就会下降。
因此,本发明实施例提供了一种天线装置和电子设备,不仅能够提高隔离度,还能够提高辐射效率。
具体的,如图1至图5所示,本发明实施例提供了一种天线装置,包括:
第一主辐射结构11,所述第一主辐射结构11上设置有第一信号输入端14;
与所述第一主辐射结构11耦合连接的第一寄生辐射结构12,所述第一主辐射结构11的开路端与所述第一寄生辐射结构12的开路端相对设置,且形成有第一缝隙13;
第二主辐射结构21,所述第二主辐射结构21上设置有第二信号输入端24;
接地结构3,所述接地结构3分别与所述第一主辐射结构11的接地端和所述第二主辐射结构21的接地端连接;
其中,所述第一主辐射结构11的长度小于或等于所述第二主辐射结构21的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构11的长度大于或等于所述第二主辐射结构21的长度的N倍;所述第一寄生辐射结构12的长度处于所述第二主辐射结构21的长度的P倍和Q倍之间;其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5。
具体的,所述第一主辐射结构11和所述第二主辐射结构21可以为一体结构,即所述第一主辐射结构11的接地端和所述第二主辐射结构21的接地端连接形成一体结构;或者,所述第一主辐射结构11和所述第二主辐射结构21分立,即所述第一主辐射结构11的接地端和所述第二主辐射结构21的接地端互相靠近但不连接。其中,所述第一缝隙的宽度可以处于0.5mm~2mm之间,如:1.5mm。
具体的,所述第一主辐射结构11和所述第二主辐射结构21可以为一字型结构,也可以为倒L型结构等;如图4和5所示,所述第二主辐射结构21为倒L型结构,包括第一辐射部分211和第二辐射部分212。
具体的,所述第一主辐射结构11、第一寄生辐射结构12、第一信号输入端14、所述接地结构3共同构成第一天线1,所述第二主辐射结构21、第二信号输入端24和所述接地结构3共同构成第二天线2;所述第一天线1和第二天线2可以为倒F天线或者环形天线等。其中,所述第一寄生辐射结构12上设置有第一接地端16。所述天线的数量并不仅限于两个。
具体的,如图1所示,所述接地结构3可以为一个金属结构体,所述第一主辐射结构11和所述第二主辐射结构21共同使用此金属结构体,即所述第一主辐射结构11通过此金属结构体接地,所述第二主辐射结构21也通过此金属结构体接地。如图2所示,所述接地结构3也可以包括第一接地结构31和第二结构32,即两个金属结构体,所述第一主辐射结构11通过所述第一接地结构31接地,所述第二主辐射结构21通过第二接地结构32接地,所述第一接地结构31与所述第二接地结构32电连接。在所述第一接地结构31和所述第二接地结构32之间还可以设置有其他接地结构,所述第一接地结构31、所述第二接地结构32和其他接地结构之间电连接。其中,所述接地结构3与所述第一信号输入端14之间的距离可以大于或等于2mm,所述接地结构3与所述第一信号输入端14之间的距离可以大于或者等于2mm。所述接地结构3的宽度可以大于或等于3mm,避免由于接地结构3较窄导致两个天线之间的能量耦合度较强,影响辐射效率。
本发明上述实施例中,通过所述第一主辐射结构11、第一寄生辐射结构12与所述第二主辐射结构21的长度关系,对于相近频段的电流而言,第一主辐射结构11为高阻区,第一寄生辐射结构12与所述第二主辐射结构21为低阻区,两个低阻区被高阻区所间隔(辐射区域等效拉远了),且其中一个天线端口位于高阻区位置,因此能够有效提高隔离度和辐射效率。
进一步的,所述M可以为1/2,N可以为2,P可以为0.7,Q可以为1.3。
具体的,所述第一主辐射结构11的长度小于或等于所述第二主辐射结构21的长度的1/2倍,或者,所述第一主辐射结构11的长度大于或等于所述第二主辐射结构21的长度的2倍;所述第一寄生辐射结构12的长度处于所述第二主辐射结构21的长度的0.7倍和1.3倍之间。例如:所述第二主辐射结构21的长度可以为21mm,所述第一主辐射结构11的长度可以为8.7mm,所述第一寄生辐射结构12的长度可以为15.3mm。
进一步的,如图3和图5所示,所述天线装置还可以包括:
与所述第二主辐射结构21耦合连接的第二寄生辐射结构22,所述第二寄生辐射结构22的开路端与所述第二主辐射结构21的开路端相对设置,且形成有第二缝隙23。
具体的,所述第一缝隙的宽度可以处于0.5mm~2mm之间。所述第二寄生辐射结构22上设置有第二接地端26。
进一步的,所述第二寄生辐射结构22的长度可以大于或等于所述第一主辐射结构11的长度的0.7倍,且所述第二寄生辐射结构22的长度可以小于或等于所述第一主辐射结构11的长度的1.3倍。
进一步的,所述第一主辐射结构11的工作频段为n78、n79或WiFi 5G,所述第一寄生辐射结构12的工作频段为WiFi 2.4G;
所述第二主辐射结构21的工作频段为1.7GHz-2.7GHz,所述第二寄生辐射结构22的工作频段为n78、n79或WiFi 5G。
例如,如图1所示,所述第一主辐射结构11的工作频段可以为WiFi 5G,所述第一寄生辐射结构12的工作频段可以为WiFi 2.4G,所述第二主辐射结构21的工作频段可以为B1、B3、B38、B39、B40或者B41。
例如:如图3所示,所述第一主辐射结构11的工作频段可以为WiFi 5G,所述第一寄生辐射结构12的工作频段可以为WiFi 2.4G,所述第二主辐射结构21的工作频段可以为B1、B3、B38、B39、B40或者B41,所述第二寄生辐射结构22的工作频段可以为n78、n79或WiFi 5G。
进一步的,所述第一寄生辐射结构12和/或所述第二主辐射结构21上还设置有可调节器件;
其中,所述第一寄生辐射结构12上的可调节器件靠近所述第一寄生辐射结构12的开路端,所述第二主辐射结构21上的可调节器件靠近所述第二主辐射结构21的开路端。
具体的,如图5所示,所述第一寄生辐射结构12上设置有第一可调节器件15;如图1、2和4所示,所述第二主辐射结构21上设置有第二可调节器件25。其中,所述可调节器件并不仅限于设置在第一寄生辐射结构12和/或所述第二主辐射结构21上,且所述可调节器件的位置并不限定。
进一步的,所述可调节器件可以包括以下任意一项:
开关、电容和电感的组合,其中,所述开关分别与所述电容和所述电感串联连接;
开关和电容的串联组合;
开关和电感的串联组合;
可调节电容。
具体的,所述可调节器件可以为开关、电容和电感的组合,所述开关分别与所述电容和所述电感串联连接,所述电感和电容可以串联也可以并联;或者,所述可调节器件可以为开关和电容的串联组合;或者,所述可调节器件可以为开关和电感的串联组合;或者,所述可调节器件可以为可调节电容。
例如:所述开关包括4个状态,第一状态为开关与第一电感串联,第二状态为开关与第二电感串联,第三状态为开关与第一电容、第三电感连接,第四状态为开关与第二电容、第四电感连接,可以通过调节开关的状态,从而加载不同的电感值和/或电容值,起到频段切换的作用。
下面通过具体曲线图对上述实施例进行说明:
如图6至8所示,横坐标为频率,纵坐标为幅度,实线对应于图1,虚线对应于现有技术;所述第一主辐射结构11的工作频段可以为WiFi 5G,所述第一寄生辐射结构12的工作频段可以为WiFi 2.4G,第二主辐射结构21的工作频段为B41,与WiFi 2.4G的频段间隔较近;在图6中,第一天线1在WiFi 2.4G和WiFi 5G的频段的回波损耗幅度均小于-5dB;在图7中,第二主辐射结构21在B41频段的回波损耗幅度均小于-5dB;在图8中,在WiFi 2.4G和B41(2.4GHz~2.655GHz)频段,图1中的结构的平均隔离度比现有技术的平均隔离度高4dB以上,其中,传输系数表示两天线间的传输系数,传输系数越低表示隔离度越高。因此,第一主辐射结构11的长度较短,对应于WiFi 2.4G及邻近频段的模式重要性系数较低,在第一主辐射结构11上不易激发起这些频段的电流(对于这些频段的电流,第一主辐射结构11呈现高阻特性),因此第二主辐射结构21在B41激励时能量流动到第一主辐射结构11的馈电端口(即第一信号输入端14处)的部分就少。同时图1中WiFi 2.4G频段是依靠第一寄生辐射结构12辐射,这部分结构对于WiFi 2.4G及邻近频段的电流呈现低阻特性,第二主辐射结构21在B41激励时,能量被吸引到第一寄生辐射结构12上,产生再辐射,对于第一主辐射结构11的馈电端口而言,能量被第一寄生辐射结构12分流了其中一部分,隔离度提高。
下面对模式重要性系数进行说明:
在第一天线1和第二天线2相距较近时,认为第一天线1和第二天线2的电流为:
第一天线1:
J1=a1*j1+a2*j2+a3*j3+…
第二天线2:
J2=b1*j1+b2*j2+b3*j3+…
其中,J1、J2和ji(i=1,2,3等)都是矢量,ai和bi(i=1,2,3等)都是标量(模式加权系数),模式加权系数正比于模式重要性系数;j1、j2和j3等是相互正交的电流基,相互点乘为0(不相关);当第一天线1和第二天线2长度相近(长度之差小于第一预设差值,其中第一预设差值是判定第一天线1和第二天线2的长度是否相近的限值)时,ai和bi相近(差值小于第二预设差值,其中第二预设差值是判定ai和bi是否相近的限值),因此J1和J2相点乘,得到的值比较大,表现出来就是隔离度比较差。当第一天线1和第二天线2长度相差较大(长度之差大于第三预设差值,其中第三预设差值是判定第一天线1和第二天线2的长度是否相差很大的限值),或者,第一主辐射结构11和第二主辐射结构21间距较远(间距大于预设间距,其中预设间距是判定第一主辐射结构11和第二主辐射结构21的间隔是否较远的限值)时,ai和bi相差比较大(差值大于第四预设差值,其中第四预设差值是判定ai和bi是否相差较大的限值),可以表现为ai大时bi小,或ai小时bi大,因此J1和J2相点乘,得到的值比较小,表现出来就是隔离度比较好。其中,J1和J2相点乘得到的值较大和较小是相对来说,隔离度较好和较差也是相对来说。
例如:两天线长度相近或者两天线距离较近,其电流模式加权情况1如下:
第一天线1:
J1=0.6*j1+0.4*j2
第二天线2:
J2=0.4*j1+0.6*j2
例如:两天线长度相差较大或者两天线距离较远,其电流模式加权情况2如下:
第一天线1:
J1=0.9*j1+0.1*j2
第二天线2:
J2=0.1*j1+0.9*j2
由于j1和j2正交,因此情况1的第一天线和第二天线电流相关性比情况2的高,隔离度差。
如图9和图10所示,横坐标为频率,纵坐标为幅度,实线对应于图1,虚线对应于现有技术;如图9所示,第一天线1比现有技术在WiFi 2.4G频段和WiFi 5G频段的辐射效率高0.5dB左右。如图10所示,第一天线1比现有技术在B41频段的辐射效率高0.65dB左右。
综上,本发明上述实施例中,通过所述第一主辐射结构11与所述第二主辐射结构21的长度关系,使第一主辐射结构11工作在高频段,第一寄生辐射结构12的工作频段为WiFi 2.4G,所述第一主辐射结构11对于B41或B40可以呈现出相对的高阻特性,分布在第一天线1的倒F天线结构的电流强度就会降低,也就是对应频段电流的模式重要性系数降低,此时第一天线1的端口在这个结构上的加载分到的电流就会下降,表现出来就是隔离度提高。而且由于第一寄生辐射结构12此时在B41或B40的模式重要性系数升高,第二天线2的能量会更倾向于分布在第一寄生辐射结构12,即在第一天线1馈电端口处的能量分布会下降,隔离度升高。第一寄生辐射结构12作为第一天线1的WiFi 2.4G辐射结构,对于第二天线2来说能量分布到第一寄生辐射结构12上,也是利于辐射的,其对应隔离改善的频段,辐射效率也是有提高的(并没有在其他地方被消耗或吸收掉);即通过调整第一天线1和第二天线2的模式的权重,最终使得两天线在临近工作频段(如:WiFi 2.4G和B41)内,有良好的隔离度和辐射效率,无需使用额外的解耦手段,非常易于实现。
本发明实施例还提供了一种电子设备,包括如上所述的天线装置。
如图4所示,所述天线装置更适用于在电子设备中角落位置的布局和设计;如图1至3所示,所述天线装置更适用于在电子设备的四个侧边上布局和设计。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上所述的是本发明的优选实施方式,应当指出对于本技术领域的普通人员来说,在不脱离本发明所述的原理前提下还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种天线装置,其特征在于,包括:
第一主辐射结构(11),所述第一主辐射结构(11)上设置有第一信号输入端(14);
与所述第一主辐射结构(11)耦合连接的第一寄生辐射结构(12),所述第一主辐射结构(11)的开路端与所述第一寄生辐射结构(12)的开路端相对设置,且形成有第一缝隙(13);
第二主辐射结构(21),所述第二主辐射结构(21)上设置有第二信号输入端(24);
接地结构(3),所述接地结构(3)分别与所述第一主辐射结构(11)的接地端和所述第二主辐射结构(21)的接地端连接;
其中,所述第一主辐射结构(11)的长度小于或等于所述第二主辐射结构(21)的长度的M倍,或者,所述第一主辐射结构(11)的长度大于或等于所述第二主辐射结构(21)的长度的N倍;所述第一寄生辐射结构(12)的长度处于所述第二主辐射结构(21)的长度的P倍和Q倍之间;其中,0<M≤0.7,1.5≤N,0.5≤P≤1,1<Q≤1.5;
其中,所述第一主辐射结构(11)的工作频段为n78、n79或WiFi5G,所述第一寄生辐射结构(12)的工作频段为WiFi 2.4G;
所述第二主辐射结构(21)的工作频段为1.7GHz-2.7GHz;
其中,所述第一主辐射结构(11)和所述第二主辐射结构(21)形成一体结构;或者,
所述第一主辐射结构(11)的接地端和所述第二主辐射结构(21)的接地端互相靠近但不连接。
2.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述M为1/2。
3.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述N为2。
4.根据权利要求1至3任一项所述的天线装置,其特征在于,所述P为0.7,Q为1.3。
5.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述天线装置还包括:
与所述第二主辐射结构(21)耦合连接的第二寄生辐射结构(22),所述第二寄生辐射结构(22)的开路端与所述第二主辐射结构(21)的开路端相对设置,且形成有第二缝隙(23)。
6.根据权利要求5所述的天线装置,其特征在于,所述第二寄生辐射结构(22)的长度大于或等于所述第一主辐射结构(11)的长度的0.7倍,且所述第二寄生辐射结构(22)的长度小于或等于所述第一主辐射结构(11)的长度的1.3倍。
7.根据权利要求5所述的天线装置,其特征在于,所述第二寄生辐射结构(22)的工作频段为n78、n79或WiFi 5G。
8.根据权利要求1所述的天线装置,其特征在于,所述第一寄生辐射结构(12)和/或所述第二主辐射结构(21)上还设置有可调节器件;
其中,所述第一寄生辐射结构(12)上的可调节器件靠近所述第一寄生辐射结构(12)的开路端,所述第二主辐射结构(21)上的可调节器件靠近所述第二主辐射结构(21)的开路端。
9.根据权利要求8所述的天线装置,其特征在于,所述可调节器件包括以下任意一项:
开关、电容和电感的组合,其中,所述开关分别与所述电容和所述电感串联连接;
开关和电容的串联组合;
开关和电感的串联组合;
可调节电容。
10.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1至9中任一项所述的天线装置。
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