CN111142784A - 存储器元件配置处理和操作调整 - Google Patents

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Abstract

本申请案涉及存储器元件配置处理和操作调整。一种存储器配置处理系统可以在存储器组件的运行时间期间为所述存储器组件的目标存储器单元生成配置文件。所述存储器配置处理系统可以基于触发条件来识别目标存储器单元，所述触发条件例如为存储器单元跨越错误恢复中指定深度，接收特定于供应商VS的命令，存储器单元停用或过高的后台扫描速率。所述存储器配置处理系统可以存储所述所生成的配置文件，且可以利用所述所生成的配置文件来实时地调整所述存储器装置的一或多个存储元件的操作参数。

Description

存储器元件配置处理和操作调整
技术领域
本发明大体上涉及一种存储器子系统，且更具体地，涉及识别存储器元件以进行配置处理来记录或调整对应操作参数。
背景技术
存储器子系统可以为存储系统，例如固态驱动器(SSD)，且可包含一或多个存储数据的存储器组件。存储器组件可为例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。通常，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器组件处并从存储器组件检索数据。
发明内容
本发明的一个实施例涉及一种方法。所述方法包括：识别用于对存储器装置的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；在所述存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述目标存储器单元中的每一者生成配置文件；及存储所述所生成的配置文件。
本发明的另一实施例涉及一种非暂时性计算机可读存储媒体。所述非暂时性计算机可读存储媒体包括指令，当所述指令由一或多个处理装置执行时，致使所述一或多个处理装置：识别用于对存储器装置的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；在所述存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述存储器单元中的每一者生成配置文件；及与对应于一或多个先前触发条件的先前生成的配置文件相关联地存储所述所生成的配置文件。
本发明的另一实施例涉及一种系统。所述系统包括：存储器；及一或多个处理器，其执行包括以下的操作：识别用于对存储器组件的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；在包含所述存储器组件的存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述存储器单元中的每一者生成配置文件；及存储所述所生成的配置文件。
附图说明
从下面给出的详细描述和从本发明的各种实施例的附图将更全面理解本发明。
图1根据本发明的一些实施例说明包含存储器子系统的实例性计算环境。
图2为根据本发明的一些实施例的识别一组存储器单元以在运行时间期间进行配置处理以用于记录或用于操作参数调整的流程图。
图3为根据本发明的一些实施例的选择与一或多个所识别存储器单元有关的额外存储器单元的概念图。
图4A为根据本发明的一些实施例的利用电压分布对存储器单元进行配置处理的概念图。
图4B为根据本发明的一些实施例的利用自动重试校准(ARC)程序对存储器单元进行配置处理的概念图。
图4C为根据本发明的一些实施例的利用连续读取电平校准(cRLC)程序对存储器单元进行配置处理的概念图。
图5为根据本发明的一些实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
本发明的各方面针对在运行时间期间识别存储器子系统的元件；对所识别存储器元件进行配置处理；及记录配置文件或基于配置文件进行操作调整。存储器子系统在本文中也被称作为“存储器装置”。存储器子系统的实例为存储系统，例如固态驱动器(SSD)。在一些实施例中，存储器子系统为混合存储器/存储器子系统。在各种实施方案中，存储器子系统可以包含非易失性存储器组件，例如，与非(NAND)。通常，主机系统可以利用包含一或多个存储器组件的存储器子系统，所述存储器组件可以由例如页、块、平面、裸片或其群组的存储器单元制成。尽管本文中所描述的技术通常指的是对存储器单元进行配置处理，但在各种实施方案中，所述技术可以用于以不同的粒度来识别和配置处理存储器元件，例如存储器单元(例如，页、块、平面、裸片等)、整个存储器组件(例如，NAND组件)、整个存储器装置(例如，SSD)或存储器装置组。主机系统可以提供待存储在存储器子系统中的数据，且可以请求从存储器子系统中检索的数据。
存储器配置处理系统可以识别存储器组件的目标存储器单元(例如页、块等)以进行表征，执行表征过程并存储表征结果或使用表征结果来实施自动动作。可以通过选择满足触发条件的存储器单元来完成识别目标存储器单元，例如：页跨越错误恢复中的指定深度，接收特定于供应商(VS)的命令，块停用或过高的后台扫描折叠率。表征过程可以包含电压阈值(vt)分布、自动读取校准(ARC)分析、连续读取电平校准(cRLC)分析、位错误计数差异(DiffEC)度量或获取存储器度量(例如，擦除计数、相关联存储器单元温度、读数计数、开机时间等)。
当前的媒体表征系统依赖于故障事件之后收集有限的数据。由于例如以下因素，因此所收集数据可能不完整：相当长的时间流逝，存储器装置已经历一或多个电源循环，或已将不同的配置参数应用于存储器装置。此外，可能仅在有限的情况下(例如，仅在灾难性故障之后或在运行日志记录测试套件时)启动数据收集。例如，当错误恢复程序达到某些级别时，可以移动数据，且可以停用存储器单元。这可能不会触发数据收集程序。然而，出于安全原因，可以擦除停用的存储器单元。当执行稍后数据收集程序时，关于停用的存储器单元的信息不完整，但是丢失的数据原本有助于识别故障原因。此外，由于数据的不完整性质以及由于获取数据的延迟，数据提供用于映射到纠正措施的不良密钥，且在存储器装置的操作期间，当纠正措施最有效时，无法实现此纠正措施。
本发明的各方面通过识别较宽范围的配置处理触发器来解决上述和其它缺陷，所述配置处理触发器引起对特定相关联的存储元件的选择以进行配置处理。这将生成更多的数据，从而产生更准确的存储器元件配置文件。本发明进一步通过在触发事件之后(例如在存储器装置的运行期间)立即执行数据收集来解决这些缺陷，这防止准确配置处理所必需的数据的丢失且允许在纠正措施最有效时采取纠正动作。例如，在上述存储器单元停用实例中，触发器可能为在达到错误恢复级别时将导致存储器单元停用的触发器。可以在擦除存储器单元之前对存储器单元进行配置处理并保存配置文件。此可以安全地安置存储器单元，同时保留可能有助于识别故障原因的配置文件信息。
图1根据本发明的一些实施例说明包含存储器子系统110的实例计算环境100。存储器子系统110可包含媒体，例如存储器组件112A到112N。存储器组件112A到112N可为易失性存储器组件、非易失性存储器组件或此类组合。在一些实施例中，存储器子系统为存储系统。存储系统的实例为SSD。在一些实施例中，存储器子系统110为混合存储器/存储子系统。通常，计算环境100可以包含使用存储器子系统110的主机系统120。例如，主机系统120可以将数据写入到存储器子系统110，且从存储器子系统110读取数据。
主机系统120可为计算装置，例如桌上型计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置，或包含存储器和处理装置的此类计算装置。主机系统120可以包含或耦合到存储器子系统110，使得主机系统120可以从存储器子系统110读取数据或向存储器子系统110写入数据。主机系统120可以经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。如本文中所使用，“耦合到”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接或直接通信连接(例如，无需中间组件)，无论是有线的还是无线的，包含例如电、光、磁等连接。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行附接SCSI(SAS)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间传输数据。当存储器子系统110通过PCIe接口与主机系统120耦合时主机系统120可进一步利用NVM高速(NVMe)接口来存取存储器组件112A到112N。物理主机接口可提供用于在存储器子系统110与主机系统120之间传递控制、地址、数据和其它信号的接口。
存储器组件112A到112N可包含不同类型的非易失性存储器组件和/或易失性存储器组件的任何组合。非易失性存储器组件的实例包含与非(NAND)型快闪存储器。存储器组件112A到112N中的每一者可以包含一或多个存储器单元阵列，例如单级单元(SLC)或多级单元(MLC)(例如，三级单元(TLC)或四级单元(QLC))。在一些实施例中，特定存储器组件可包含存储器单元的SLC部分以及MLC部分两者。存储器单元中的每一者可以存储由主机系统120使用的一或多个位的数据(例如，数据块)。尽管描述例如NAND型快闪存储器的非易失性存储器组件，但存储器组件112A到112N可以基于例如易失性存储器的任何其它类型的存储器。在一些实施例中，存储器组件112A到112N可为但不限于随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、相变存储器(PCM)、磁随机存取存储器(MRAM)、负或(NOR)快闪存储器、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和非易失性存储器单元的交叉点阵列。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠的交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的改变执行位存储。此外，与许多基于快闪存储器的存储器相比，交叉点非易失性存储器可执行写入就地操作，其中可编程非易失性存储器单元而不会先前擦除非易失性存储器单元。此外，存储器组件112A到112N的存储器单元可经分组为存储器页或数据块，其可指代用于存储数据的存储器组件的单元。
存储器系统控制器115(下文中被称作为“控制器”)可与存储器组件112A到112N通信以执行例如在存储器组件112A到112N处读取数据、写入数据或擦除数据的操作以及其它此类操作。控制器115可包含例如一或多个集成电路和/或离散组件的硬件、缓冲存储器或其组合。控制器115可为微控制器、专用逻辑电路(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)，或其它合适处理器。控制器115可以包含经配置以执行存储在本地存储器119中的指令的处理器(处理装置)117。在所说明实例中，控制器115的本地存储器119包含嵌入式存储器，所述嵌入式存储器经配置以存储用于执行各种过程、操作、逻辑流以及控制存储器子系统110的操作包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信的例程的指令。在一些实施例中，本地存储器119可以包含存储存储器指针、所提取数据等的存储器寄存器。本地存储器119还可包含用于存储微代码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的实例存储器子系统110已经说明为包含控制器115，但在本发明的另一实施例中，存储器子系统110可不包含控制器115，且可替代地依赖于外部控制(例如，由外部主机，或由与存储器子系统分开的处理器或控制器提供)。
通常，控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将命令或操作转换为指令或适当的命令，以实现对存储器组件112A到112N的期望存取。控制器115可负责与存储器组件112A到112N相关联的其它操作，例如磨损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和纠错码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作以及逻辑块地址与物理块地址之间的地址转换。控制器115可进一步包含主机接口电路，以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路可将从主机系统接收的命令转换为命令指令以存取存储器组件112A到112N，以及将与存储器组件112A至112N相关联的响应转换为用于主机系统120的信息。
存储器子系统110还可包含未说明的额外电路或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可包含高速缓冲存储器或缓冲器(例如，DRAM)和地址电路(例如，行解码器和列解码器)，其可从控制器115接收地址并将地址解码以存取存储器组件112A到112N。
存储器子系统110包含存储器配置处理系统113，其可用于在存储器组件中识别对应于触发器或另一目标存储器单元的目标存储器单元，并在存储器装置的运行时间期间对目标存储器单元进行配置处理。在一些实施例中，控制器115包含存储器配置处理系统113的至少一部分。例如，控制器115可包含处理器117(处理装置)，其经配置以执行存储在本地存储器119中的指令以执行本文中所描述的操作。在一些实施例中，存储器配置处理系统113为主机系统110、应用程序或操作系统的部分。
存储器配置处理系统113可以识别触发条件，例如页跨越指定级别的错误恢复，接收特定于供应商(VS)的命令，块停用或过高的后台扫描速率。然后，存储器配置处理系统113可以确定对应触发条件的一或多个目标存储器单元，例如进入错误恢复的页，VS命令中识别的存储器元件，已停用或具有过高折叠率的块。在一些实施方案中，目标存储器单元可以包含与触发条件相关联的存储器单元以及在相关联的存储器单元附近的存储器单元。然后，存储器配置处理系统113可以使用例如电压阈值(vt)分布、自动读取校准(ARC)分析、连续读取电平校准(cRLC)分析、DiffEC度量或通过获取目标存储器的度量(例如操作计数、温度，开机时间等)来配置处理目标存储器单元。存储器配置处理系统113可以存储用于稍后分析(单独或与其它配置文件一起)的配置文件，或可以在映射中使用配置文件作为对应于所述配置文件类型的失败原因和/或纠正措施的密钥。在映射具有在被选择时映射会提供对应结果的方面的情况下，所述方面被称为映射“密钥”。下文描述关于存储器配置处理系统113的操作的更多细节。
图2为根据本技术的一些实施方案的用于识别一组存储器元件以在运行时间期间进行配置处理以用于记录或用于操作参数调整的方法200的流程图。方法200可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路、专用逻辑、可编程逻辑，微代码，装置的硬件、集成电路等)，软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法200由图1的存储器配置处理系统113执行。尽管以特定的顺序或次序显示，但除非另有说明，否则可以修改过程的次序。因此，所说明的实施例应仅理解为实例，且所说明的过程可以不同次序执行，且某些过程可并行执行。另外，在各种实施例中可省略一或多个过程。因此，并非每一实施例中都需要所有过程。其它过程流程也是可能的。
在框202处，处理逻辑可以识别触发条件，所述触发条件表示用于对存储器组件的一或多个存储器单元进行配置处理的机会。在各种实施方案中，当存储器单元进入错误恢复时，当错误恢复包含一序列多个级且在接收到VS命令时达到错误恢复序列中的指定级时，当存储器单元已被识别为停用，或当将用于后台扫描的动态配置触发器(例如计时器或I/O事件限制)设置为低于阈值时，方法可识别触发条件。方法200可用于识别不同粒度的存储元件，例如存储器单元(例如，页、块、平面、裸片等)，整个存储器组件(例如，NAND组件)或整个存储器装置(例如，SSD)。例如，当页进入错误恢复的特定级时，可能会发生一个触发条件，而当块已经识别用于停用时，可能会发生另一触发条件。
在现有系统中，到达错误恢复序列中某些深度的页可能为可恢复的，且操作继续无需进行配置处理。然而，在没有关于发生错误时所收集的存储器单元的状况的数据的情况下，不可能跟踪错误统计信息，更不用说确定类似错误类型的组的可能原因。由于达到某些错误恢复级而进行的配置处理可以提供必要的数据，以实施此类跟踪并识别因果关系。例如，进入需要RAID恢复的错误恢复级表示严重故障。获取关于此类错误的配置处理信息可用于识别发生此类错误的常见原因或操作状况，所述常见原因或操作状况可映射到纠正措施，以避免此代价高昂的错误纠正程序。
由VS命令导致的配置处理触发进一步提供对先前不可用信息的存取。这为用户或另一应用程序提供为VS命令中指定的任何存储器元件动态获取数据的能力，而不仅仅为失败的那些。例如，可以执行测试，且可以获取存储器组件或装置的特定区域中所有存储器单元的配置文件，或横跨存储器组件或装置的样本。
配置处理触发也可能由存储器后台扫描的方面引起。后台扫描可以通过读取存储器单元开始。在后台扫描期间，对存储器单元进行解码。后台扫描可以通过跟踪纠错码(ECC)引擎所需的位校正次数来确定所述存储器单元的质量度量。在一些实施方案中，可能针对具有低于阈值的质量度量的任何存储器单元发生配置处理触发。在某些实施方案中，某些质量度量可能致使后台扫描程序对存储器单元执行刷新重定位事件(例如，将数据移动到另一存储器单元并擦除原始存储器单元，且在一些状况下停用原始存储器单元的使用)。在一些实施方案中，此类刷新重定位事件也可以触发配置处理。在一些实施方案中，可以跟踪选择存储器单元用于刷新重定位事件的速率(在特定区域内和/或特定时间段内)。达到阈值的速率可能为另一配置处理触发事件。在一些实施方案中，后台扫描发生的速率可以为动态的，响应于动态计时器阈值或达到动态I/O事件限制中的一者或两者而发生。可以基于从先前的后台扫描、其它I/O操作、测试程序等收集的数据来设置这些后台扫描触发器。在一些实施方案中，将动态后台扫描触发器中的一者设置为高于阈值的系统可以为配置处理触发器。
在框204处，处理逻辑可以选择对应于框202的触发条件的一或多个存储器单元作为目标存储器单元。对于由于存储器单元进入错误恢复或到达错误恢复的特定级而导致的配置处理触发事件，目标存储器单元可为进入错误恢复的存储器单元。对于由于接收到VS命令而导致的配置处理触发事件，目标存储器单元可以为由VS命令识别的一或多个存储器单元。对于由于经识别用于停用的存储器单元而导致的配置处理触发事件，目标存储器单元可以为经识别用于停用的存储器单元。对于基于后台扫描的特性的配置处理触发，目标存储器单元可以为选择用于刷新重定位事件的存储器单元，选择用于停用的存储器单元，识别刷新重定位事件的速率中所涉及的一组一或多个存储器单元，导致后台扫描频率改变中所涉及的一组一或多个存储器单元，或最近扫描的一组存储器单元(在特定数目的后台扫描内的时间段内)。在一些实施方案中，可以例如以比与配置处理触发器直接相关联的存储器单元更高的粒度来识别其它目标存储器元件。例如，处理逻辑可以选择含有为其发起错误恢复的页的块。作为另一实例，目标存储器组件可以为较低粒度的存储器单元。例如，处理逻辑可以选择后台扫描触发刷新重定位事件的块中的页的全部或子集。例如，所选择的子集可以为随机选择子集、均匀分布子集等。
在框206处，处理逻辑可以用与在框204处选择的目标存储器单元有关的额外目标存储器单元来扩充目标存储器单元组。图3中提供用于选择与先前所选择目标页有关的额外目标页的实例300。在实例300中，页302已被选择为目标存储器单元。处理逻辑还可以选择与目标页配对的页304(同一字线中的页)和/或与目标页相邻的页(例如，同一堆叠310中在先前所选择页的字线上面字线306和/或下面字线308中的页)。在一些实施方案中，处理逻辑不选择任何额外目标存储器单元，而是仅继续进行在框204处识别的目标存储器单元。
在框208处，处理逻辑可以为目标存储器单元生成一或多个配置文件。在一些实施方案中，处理逻辑可以为目标组存储器单元(包含在框206处添加到目标组的任何存储器单元)中的每一存储器单元生成配置文件。在各种实施方案中，生成配置文件可以包含计算电压阈值(vt)分布，执行自动读取校准(ARC)分析，执行连续读取电平校准(cRLC)分析(可以包含获得DiffEC度量)，记录存储器单元的度量或其任何组合。
电压阈值分析可以识别对特定存储器区域执行读取操作所需的电压(读取阈值电压)方面。处理逻辑可以计算这些电压在目标存储器单元一部分的存储器区域中的分布。处理逻辑可以执行各种类型的电压阈值分布分析，例如有条件或无条件的电压阈值分布分析。当已知由存储器单元存储的数据时，可以执行条件电压阈值分布分析。在这些状况下，系统知晓存储器单元在理想情况下将如何存储已知数据，并将其与存储数据的实际分布进行比较。在无条件电压阈值分布中，可能未知存储器单元存储的数据，然而处理逻辑可以各种电压读取存储器单元(例如，在读取存储器单元的同时横跨范围扫掠电压)。图4A中提供数据结果的实例400，所述数据结果来自在零到五伏的电压范围内横跨NAND块扫掠电压，这产生来自NAND块的输出。读取的结果可以提供目标存储器单元中每一位所驻留的位置(例如，电压电平)的指示。在实例400中，垂直虚线指示对应于经编码页值的部分的所识别谷值。这些结果可以用横跨目标存储器单元的直方图进行描述，可以将其转换为分布。
处理逻辑可以通过首先使用初始读取阈值电压(例如，先前校准的读取电压阈值，例如图4B中的校准阈值536)执行读取操作来执行ARC分析。然后，处理逻辑可以使用越来越大和越来越小的读取电压来迭代多个额外读取操作。多次读取的结果可用于生成直方图，例如，图4B中的条436A-D。处理逻辑可以基于多次读取的结果内插新的读取阈值。例如，直方图可以被转换为适合于直方图条(例如条436A-D)的高度的曲线(例如曲线438)。处理逻辑可以在拟合曲线的最低点处识别新的读取阈值(例如，在新的读取阈值440处)。处理逻辑可以在存储器单元的配置文件中包含所确定的新读取阈值，或从先前校准的读取阈值的移位方向和移位量级。
处理逻辑可以通过针对存储器单元的每一初始读取电压阈值(即“谷值”)执行设置数目的读取操作(例如三个)来执行cRLC分析。可以相对于存储器单元的一组预期的谷值位置中的每一者(例如，页)执行此组读取，其中每一预期的谷值对应于存储器单元的部分的先前所校准读取电压阈值。处理逻辑可以执行以不同的初始读取电压阈值开始的每一读取操作。基于每一读取操作发生的位错误计数，处理逻辑可以确定是否通过移位初始读取电压阈值来实现更好的结果。
可以重复执行读取组和选择改进的初始读取电压阈值的过程，直到发生收敛为止，其可能为cRLC结果。在一些实施方案中，当所识别的移位量和移位方向没有从当前谷值的先前迭代改变超过阈值量时，或当针对当前谷值最近指定的迭代次数(例如两次迭代)之间的方差低于阈值量时，将视为达到收敛。处理逻辑可以在存储器单元的配置文件中包含新读取阈值，或从先前校准的读取阈值的移位方向和移位量级。
由cRLC分析得出的配置文件还可以包含差异错误计数(DiffEC)结果。DiffEC结果可以提供对应于初始读取电压阈值的谷值的表征，所述初始读取电压阈值可以在y轴上包含谷值的深度和宽度和/或距离，介于A)y轴上读取结果的最左侧和最右侧的平均值与B)读取结果中间的y轴值之间。在图4C中展示由cRLC程序得到的表征实例。
在各种实施方案中，目标存储器单元配置文件可以包含上文所描述电压阈值分布、ARC结果、cRLC结果或DiffEC结果中的一或多个的任何组合。另外或替代地，目标存储器单元配置文件可以包含目标存储器单元的一或多个额外度量，例如总操作计数、擦除操作计数、读取操作计数、相关联存储器单元温度、开机时间等。
在一些实施方案中，可在存储器装置的运行时间期间生成在框208处生成的配置文件。在存储器装置运行时间期间生成的配置文件意指起始创建配置文件的与触发事件相关的数据仍驻留在存储器装置中。例如，这可以包含在擦除存储器单元之前(例如为了停用)检索关于存储器单元的信息。作为另一实例，这可以包含在从触发事件起的阈值时间量之内，例如在温度可能改变显着量之前进行温度测量。作为又一实例，这可以包含在存储器装置经历电源周期之前检索数据以进行配置处理。
在框210处，处理逻辑可以存储或利用在框208生成的配置文件。在一些实施方案中，可以与为其创建配置文件的存储器单元相关联地存储配置文件。这有助于对在存储器装置运行时间期间收集的数据进行稍后分析。在一些实施方案中，可以存储由多个不同的触发条件产生的配置文件，从而累积存储器装置配置文件以用于进行稍后分析。所存储的配置文件可以用于调整存储器单元的操作参数和/或用于存储器装置的其它存储器元件。因为可以在存储器装置的运行时间期间生成配置文件，所以当改变可能最有效时，可以实时(例如在配置处理触发事件之后立即)执行调整。如本文中所使用，“实时”是指在设置的时间量内或在发生对应动作之前。例如，实时调整可以意指调整从触发事件开始或在随后的特定事件(例如完成重定位事件)发生之前的阈值时间量内发生。在一些实施方案中，配置文件或配置文件中的特性的映射可用于选择要采取的动作。例如，一个映射可以指定，如果ARC结果显示横跨目标存储器单元的平均初始读取电压阈值移位至少为0.15伏，那么用于在错误恢复中重试读取的电压变化应减少0.05伏。在一些实施方案中，映射可以应用于配置文件集。例如，映射可以指定，如果至少阈值数目个配置文件展示特定的特性(例如，超过指定的谷值宽度)，那么应增加后台扫描频率。
图5说明计算机系统500的实例机器，在所述计算机系统内可执行用于致使机器执行本文中所论述的方法中的任何一或多者的指令集。在一些实施例中，计算机系统500可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含耦合到，或利用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用于执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的存储器配置处理系统113的操作)。在替代实施例中，机器可连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网和/或因特网中的其它机器。机器可在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份运行，作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器运行，或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器运行。
所述机器可为个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、移动电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或网桥，或能够执行规定由所述机器进行的动作的指令集(按顺序或其它方式)的任何机器。此外，虽然说明单个机器，但术语“机器”还应被视为包含单独或联合执行一(或多个)指令集以执行本文所论述的方法中的任何一或多种的任何机器集合。
实例计算机系统500包含经由总线530彼此通信的处理装置502、主存储器504(例如，只读存储器(ROM)、快闪存储器、动态随机存取存储器(DRAM)例如同步DRAM(SDRAM)或Rambus公司DRAM(RDRAM)等，静态存储器506(例如，快闪存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)以及数据存储系统518。
处理装置502表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元，等等。更具体地，处理装置可为复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器，或实施其它指令集的处理器，或实施指令集组合的处理器。处理装置502还可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理装置502经配置以执行用于执行本文中所论述的操作和步骤的指令526。计算机系统500可进一步包含网络接口装置508以经由网络520进行通信。
数据存储系统518可包含机器可读存储媒体524(也被称作为计算机可读媒体)，其上存储体现本文中所描述的方法或功能中的任何一或多者的一或多个指令526或软件。指令526还可在计算机系统500执行所述指令期间完全或至少部分地驻留在主存储器504内和/或处理装置502内，主存储器504和处理装置502也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体524、数据存储系统518和/或主存储器504可对应于图1的存储器子系统110。
在一个实施例中，指令526包含指令，以实施对应于配置处理组件的功能(例如，图1的存储器配置处理系统113)。虽然机器可读存储媒体524在实例实施例中被展示为单个媒体，但是术语“机器可读存储媒体”应被视为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被视为包含能够存储或编码指令集以供机器执行且使机器执行本发明的方法的任何一或多者的任何媒体。因此，术语“机器可读存储媒体”应被视为包含但不限于固态存储器、光学媒体和磁媒体。
已在计算机存储器内的算法和数据位的操作的符号表示的形式来呈现前面的详细描述的一些部分。这些算法描述和表示为由所属数据处理领域的技术人员用于以向所属领域的其它技术人员传达其工作的本质的方式。算法此处且通常被认为导致所要结果的自洽操作序列。操作为需要物理操纵物理量的操作。通常，但非必需地，这些数量可采取能够存储，组合，比较或以其它方式操纵的电或磁信号的形式。将这些信号称作位、值、元素、符号、字符、项、数字等有时已证明是便利的(主要出于共用的原因)。
然而，应牢记，所有这些和相似术语应与适当物理量相关联且仅为应用于这些量的便利标签。本发明可指计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程，其将表示为计算机系统的寄存器和存储器内的物理(电子)量的数据操纵和变换为类似地表示为计算机系统存储器或寄存器或其它此类信息存储系统内的物理量的其它数据。
本发明还涉及用于执行本文中操作的设备。此设备可为特定目的而专门构造，或其可包含由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，例如但不限于任何类型的磁盘，包含软盘、光盘、CD-ROM和磁光盘，只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁或光卡，或适用于存储电子指令的任何类型的媒体，每一者都耦合到计算机系统总线。
本文中所呈现的算法和显示并不与任何特定计算机或其它设备内在地相关。根据本文中的教示，各种通用系统可与程序一起使用，或可证明构造更专用的装置以执行所述方法为方便的。各种这些系统的结构将如以下描述中所示。另外，不参考任何特定编程语言描述本发明。应理解，可使用各种编程语言来实施如本文所描述的本发明的教示。
本发明可经提供作为计算机程序产品或软件，其可包含机器可读媒体，具有存储于其上的指令，所述指令可用于对计算机系统(或其它电子装置)进行编程以根据本发明执行处理。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。在一些实施例中，机器可读(例如，计算机可读)媒体包含机器(例如，计算机)可读存储媒体，诸如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁性磁盘存储媒体、光存储媒体、快闪存储器组件等。
在上述说明书中，本发明的实施例已经参考其特定实例性实施例描述。显而易见的是，在不脱离所附权利要求书中所阐明的本发明的实施例的更广泛的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改。因此，说明书和图式应视为说明性而非限制性。
所属领域的技术人员将了解，上文所描述的图1到5中所说明的组件和块可以各种方式来变更。例如，可以重新布置逻辑的次序，可以并行执行子步骤，可以省略所说明的逻辑，可以包含其它逻辑，等等。在一些实施方案中，上文所描述组件中的一或多者可以执行下文所描述的过程中的一或多者。
在本说明书中对“实施方案”(例如，“一些实施方案”、“各种实施方案”、“一个实施方案”、“实施方案”等)的引用意指结合实施方案所描述的特定特征、结构或特性是包括在本发明的至少一个实施方案中。这些短语在说明书中各个地方的出现不一定都指的是同一实施方案，也不是与其它实施方案互斥的单独或替代的实施方案式。此外，描述可由一些实施方案而非其它实施方案所展现的各种特征。类似地，描述了各种要求，其可能为一些实施方案的要求，而不是其它实施方案的要求。
如本文中所使用的，高于阈值意指比较中的项目的值高于指定的其它值，比较中的项目是在特定的指定数目个具有最大值的项目中，或比较中的项目具有在指定的最高百分比值内的值。如本文中所使用的，低于阈值意指比较中的项目的值低于指定的其它值，比较中的项目是在特定的指定数目个具有最小值的项目中，或比较中的项目具有在指定的最低百分比值内的值。如本文中所使用的，在阈值内意指比较中的项目的值在两个指定的其它值之间，比较中的项目在中间的指定数目个项目中，或比较中的项目具有在指定的中间百分比范围内的值。相对术语，例如高或不重要，在未另有定义时，可以理解为指派一个值并确定所述值与已建立的阈值的比较方式。例如，短语“选择快速连接”可以理解为意指选择具有经指派的对应于其高于阈值的连接速度值的连接。
如本文中所使用，单词“或”是指一组项目的任何可能的排列。例如，短语“A、B或C”是指A、B、C或其任何组合中的至少一者，例如以下中的任一者：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A、B和C；或例如A和A的任何项目的倍数；B、B和C；A、A、B、C和C；等。
尽管已以结构特征和/或方法动作特有的语言来阐述标的物，但应理解，随附权利要求书中所定义的标的物未必限制于文所描述的特定特征或动作。出于说明的目的，本文中已经描述特定的实施例和实施方案，但可以在不脱离实施例和实施方案的范围的情况下进行各种修改。上文所描述的特定特征和动作是作为实施随附权利要求书的实例形式而揭示。因此，实施例和实施方式仅受所附权利要求书限制。
上文所述的任何专利、专利申请和其它参考文献均通过引用的方式并入本文中。如果需要，可以对各方面进行修改，以采用上文所描述的各种参考文献的系统、功能和概念来提供又一些实施方案。如果通过引用的方式并入的文档中的陈述或标的物与本申请案的陈述或标的物冲突，那么以本申请案为准。

Claims (20)

1.一种方法，其包括：
识别用于对存储器装置的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；
选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；
用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；
在所述存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述目标存储器单元中的每一者生成配置文件；及
存储所述所生成的配置文件。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中所述触发条件包括存储器单元进入错误恢复的识别；且
其中对应于所述所识别的触发条件的所述目标存储器单元包括进入错误恢复的所述存储器单元。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中所述存储器装置在存储器单元的错误恢复中使用包括多个级的序列；
其中所述触发条件包括错误恢复中的存储器单元至少达到所述错误恢复序列中的阈值级的识别；且
其中对应于所述所识别的触发条件的所述目标存储器单元包括达到所述阈值级的所述存储器单元。
4.根据权利要求1所述的方法，
其中所述触发条件包括存储器单元已被选择用于停用的识别；且
其中对应于所述所识别的触发条件的所述目标存储器单元包括经选择用于停用的所述存储器单元。
5.根据权利要求1所述的方法，
其中所述存储器装置使用后台扫描程序；且
其中所述触发条件包括：
动态配置的后台扫描间隔已被设置为高于阈值水平的识别；或
后台扫描生成低于阈值的一或多个存储器单元的质量度量的识别。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括利用所述所存储的配置文件实时地调整所述存储器装置的一或多个存储器元件的操作参数。
7.根据权利要求1所述的方法，
其中所述存储器装置包括与非NAND存储器组件；且
其中所述目标存储器单元包括所述NAND存储器组件中的页，所述NAND存储器组件中的块或所述NAND存储器组件中的页和块的组合。
8.根据权利要求1所述的方法，
其中所述选择对应于所述所识别的触发条件的所述组一或多个目标存储器单元包括从存储器块内选择页；且
其中所述一或多个额外存储器单元包括：
与所述所选择页在同一字线上的一或多个页；及
紧在所述存储器块的与所述所选择页在同一堆叠中的所述字线上面和/或下面的字线中的一或多个页。
9.根据权利要求1所述的方法，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括为所述目标存储器单元中的每一者计算电压阈值(vt)分布。
10.根据权利要求1所述的方法，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括对所述目标存储器单元中的每一者执行自动读取校准ARC分析。
11.根据权利要求1所述的方法，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括对所述目标存储器单元中的每一者执行连续读取电平校准cRLC分析。
12.根据权利要求1所述的方法，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括：为所述目标存储器单元中的每一者记录度量，所述度量包括以下中的一或多者：总操作计数、擦除操作计数、读取操作计数、相关联温度、开机时间或其任何组合。
13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过调整所述存储器装置的一或多个存储器元件的操作参数来作用于所述所存储的配置文件，其中调整所述操作参数包括：
存取配置文件特性到动作的映射；
在所述映射中使用所述配置文件中的至少一者作为密钥，以识别指定对所述一或多个存储器元件的所述操作参数的所述调整的动作；及
通过对所述操作参数进行所述调整来实施所述动作。
14.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括指令，当所述指令由一或多个处理装置执行时，致使所述一或多个处理装置：
识别用于对存储器装置的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；
选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；
用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；
在所述存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述存储器单元中的每一者生成配置文件；及
与对应于一或多个先前触发条件的先前生成的配置文件相关联地存储所述所生成的配置文件。
15.根据权利要求14所述的计算机可读存储媒体，
其中所述存储器装置在存储器单元的错误恢复中使用包括多个级的序列；
其中所述触发条件包括错误恢复中的存储器单元至少达到所述错误恢复序列中的阈值级的识别；且
其中对应于所述所识别的触发条件的所述目标存储器单元包括达到所述阈值级的所述存储器单元。
16.根据权利要求14所述的计算机可读存储媒体，
其中所述触发条件包括以下中的一者：
存储器单元已被选择用于停用的识别；
动态配置的后台扫描间隔已被设置为高于阈值水平的识别；或
后台扫描生成低于阈值的一或多个存储器单元的质量度量的识别。
17.根据权利要求14所述的计算机可读存储媒体，其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括以下中的一或多者：
计算所述目标存储器单元中的每一者的电压阈值(vt)分布；
对所述目标存储器单元中的每一者执行自动读取校准ARC分析；
对所述目标存储器单元中的每一者执行连续读取电平校准cRLC分析；或
其任何组合。
18.一种系统，其包括：
存储器；及
一或多个处理器，其执行包括以下的操作：
识别用于对存储器组件的一或多个存储器单元进行配置处理的触发条件；
选择对应于所述所识别的触发条件的一组一或多个目标存储器单元；
用与所选择的所述组一或多个目标存储器单元有关的一或多个额外存储器单元来扩充所述组目标存储器单元；
在包含所述存储器组件的存储器装置的运行时间期间，为经扩充的所述组目标存储器单元中的所述存储器单元中的每一者生成配置文件；及
存储所述所生成的配置文件。
19.根据权利要求18所述的系统，其中所述操作进一步包括：通过以下操作，基于所述所存储的配置文件，调整所述存储器装置的一或多个存储器元件的操作参数：
存取配置文件特性到动作的映射；
在所述映射中使用所述所存储的配置文件中的至少一者作为密钥，以识别指定对所述一或多个存储器元件的所述操作参数的所述调整的动作；及
通过对所述操作参数进行所述调整来实施所述动作。
20.根据权利要求18所述的系统，
其中所述触发条件包括以下中的一者：
错误恢复中的存储器单元至少达到多级错误恢复序列中的阈值级的识别；
存储器单元已被选择用于停用的识别；
动态配置的后台扫描间隔已被设置为高于阈值水平的识别；或
后台扫描生成低于阈值的一或多个存储器单元的质量度量的识别；且
其中为所述目标存储器单元中的每一者生成所述配置文件包括以下中的一或多者：
计算所述目标存储器单元中的每一者的电压阈值(vt)分布；
对所述目标存储器单元中的每一者执行自动读取校准ARC分析；
对所述目标存储器单元中的每一者执行连续读取电平校准cRLC分析；或
其任何组合。
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