CN111142326B - 数字曝光机 - Google Patents

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    • GPHYSICS
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    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
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Abstract

本申请公开了一种数字曝光机,包括第一基板,第一基板上设有图案层,图案层上覆盖有反光层,反光层上设有TFT层,TFT层包括多个间隔设置的TFT,TFT层上设有液晶层,液晶层上设有遮光层,遮光层包括间隔设置的黑矩阵,每个TFT与一个黑矩阵一一对应设置,遮光层上设有第二基板。根据本申请实施例提供的技术方案,其中该数字曝光机中设置图案层和TFT层,两者结合实现不同图案的控制,使得形成的图案种类更加多样化,降低成本的同时可以重复使用,并且使用时反应速度能明显加快;进一步的,上述数字曝光机可以不受尺寸的限制,做到任意想要的尺寸,具有光明的使用前景。

Description

数字曝光机
技术领域
本发明一般涉及数字曝光领域,尤其涉及一种数字曝光机。
背景技术
直接成像数字曝光可被用于制作印刷电路板(PCB,Printed Circuit Board)、球栅阵列(BGA,Ball Grid Array Package)、芯片尺寸封装(CSP,Chip Scale Package)、平板显示、实时条形码标刻,以及计算机直接制版印刷等方面,这项打印工艺可直接将一副数字图像从计算机发送至一块印板上。
传统的数字曝光技术中,每次不同图案的曝光需要采用不同图案的掩膜板进行更换,所需的材料较多并且成本较高,更换不同图案的过程中花费的时间较多,效率较低;并且传统的掩膜板尺寸有限制,没法进行大尺寸产品的使用。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种数字曝光机。
一方面,提供一种数字曝光机,包括第一基板,所述第一基板上设有图案层,所述图案层上覆盖有反光层,
所述反光层上方设有TFT层,所述TFT层包括多个间隔设置的TFT,所述TFT层上设有液晶层,所述液晶层上设有遮光层,所述遮光层包括间隔设置的黑矩阵,每个所述TFT与一个所述黑矩阵一一对应设置,所述遮光层上设有第二基板。
根据本申请实施例提供的技术方案,通过制备一种全新的数字曝光机,其中该数字曝光机中设置图案层和TFT层,两者结合实现不同图案的控制,使得形成的图案种类更加多样化,降低成本的同时可以重复使用,并且使用时反应速度能明显加快;进一步的,上述数字曝光机可以不受尺寸的限制,做到任意想要的尺寸,具有光明的使用前景。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本实施例中数字曝光机结构示意图;
图2为本实施例中数字曝光机使用原理示意图一;
图3为本实施例中数字曝光机使用原理示意图二。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明,而非对该发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图1,本实施例提供一种数字曝光机10,包括第一基板1,所述第一基板1上设有图案层2,所述图案层2上覆盖有反光层3,
所述反光层3上方设有TFT层5(Thin Film Transistor,薄膜晶体管),所述TFT层5包括多个间隔设置的TFT51,所述TFT层5上设有液晶层7,所述液晶层7上设有遮光层8,所述遮光层8包括间隔设置的黑矩阵81,每个所述TFT51与一个所述黑矩阵81一一对应设置,所述遮光层8上设有第二基板9。
本实施例中提供上述数字曝光机,包括有两基板,在两基板之间设置图案层、反光层、TFT层和液晶层等结构,能够获得不同的图案,使得形成的图案种类更加多样化,能够重复使用、降低成本,并且不同图案之间的转换速度能明显加快,提高效率,同时该数字曝光机的尺寸不受限制,能够实现任意尺寸的制备,使用前景更广;
本实施例中的数字曝光机能够实现现有曝光掩膜板的直接替换,无需改变其他任何入射光发射器等设备的位置,并且采用该数字曝光机可以实现不同图案的切换,无需更换掩膜板的更换,若在以后生产过程中需要产生大尺寸的图案也可以采用本实施例中的数字曝光机,不会受尺寸的影响。
进一步的,所述图案层2包括多个间隔设置的斜坡面21,每个所述斜坡面21倾斜方向相同,每个所述斜坡面21与所述第一基板1之间的夹角为12-18°。
本实施例中首先提供一个第一基板,在该第一基板上形成图案层,该图案层至少包括多个斜坡面,并且斜坡面的倾斜方向相同,如图1所示,每个斜坡面与第一基板之间的夹角为12-18°,优选的设置斜坡面与第一基板之间的夹角为15°,该斜坡面的角度设置能够保证入射光从开口区的位置照射进来,通过反光层反射该入射光并且从开口区的位置射出,保证光线改变角度后射出。
本实施例中的图案层上设置多个斜坡面,可以将图案层设置为相互连接的一个面,该面上设置多个斜坡面即可;还可以将该图案层设置为多个独立的斜坡结构,如图1所示,还包括与第一基板垂直的垂直面,每个垂直面与一个斜坡面相交形成一个斜坡结构,其中该垂直面的设置便于图案层的制备,以下给出一种设置该图案层的方法,该方法不唯一,在此仅举一例说明,包括步骤:
在第一基板上设置无机层或者有机层作为图案层,在所述无机层或者所述有机层上进行第一次图案化处理,形成多个斜坡面;
随后在每个斜坡面上覆盖光刻胶,进行光刻形成与第一基板垂直的垂直面。
进一步的,所述遮光层8未设所述黑矩阵81的位置为开口区,所述斜坡面21与所述开口区一一对应设置。
本实施例中在液晶层上方设置遮光层进行部分入射光和出射光的遮挡,其中遮光层中仅仅包含黑矩阵,没有设置黑矩阵的位置完全裸露,便于满足透光的需求,本实施例中通过斜坡面将入射光以一定的角度反射出去,具体的将该斜坡面设置在开口区的位置,保证入射光照射进来照射到该斜坡面所在的位置;其中TFT层上设置的TFT与黑矩阵为一一对应设置,从另一角度来说,该斜坡面也是设置在TFT的开口区域。
进一步的,所述图案层2为无机层或者有机层,所述图案层2厚度为
本实施例提供的图案层采用无机材料或者有机材料进行制备均可,厚度设置便于斜坡面的设置。
进一步的,所述反光层3具体设置在所述图案层2的斜坡面21上。
本实施例中将反光层设置在斜坡面上,通过该反光层将入射光反射出去,如图2所示,当液晶部分打开时,入射光照射进来,经过反光层的反射,改变角度的出射光再由开口区射出。
进一步的,所述反光层3材料为银或铝,所述反光层3厚度为本实施例中设置的反光层采用可以反射光的金属材料即可,常用的为银或者铝,厚度设置能够实现光线发射即可。
进一步的,还包括平坦层4,所述平坦层4设置在所述反光层3与所述TFT层5之间,所述平坦层4覆盖所述反光层3和所述图案层2设置。
本实施例中还在图案层和反光层上设置平坦层,该平坦层的设置是为了满足图案层和反光层上方的平坦性,无机材料或者有机材料进行制备均可,其中无机材料制备需要满足可经受350℃固化的材料,保证平坦层顺利的制备即可。
进一步的,所述平坦层4为绝缘透明层,所述第二基板9的材料为透明材料。
本实施例中同时为了保证该数字曝光机将入射光线调整角度出射出去,该平坦层还需要采用绝缘透明材料进行制备;另外设置的第二基板材料也需要为透明材料,同样为了保证将入射光线调整角度出射出去。
进一步的,所述TFT层5与所述液晶层7之间还设有PI(聚酰亚胺薄膜,PolyimideFilm)层6。本实施例中还在TFT层和液晶层之间设置PI层作为绝缘层。
本实施例中,制备该数字曝光机首先设置第一基板,随后在第一基板上形成图案层,在图案层上制备发光层,具体的需要将反光层设置在图案层的斜坡面上;随后制备平坦层,该平坦层包覆图案层和反光层,满足平坦性的要求,随后在平坦层上设置TFT层,该TFT层上没有设置TFT的位置是开口区,上述斜坡面和设置在斜坡面上的反光层与开口区一一对应设置,其中对TFT的结构以及种类不做具体的限定,可以为TN(扭曲向列型)、ADS(面内转换型)或者HADS等等;
随后在TFT层上设置PI层,PI层上设液晶层,液晶层上设遮光层,也可以是彩膜层,但是该彩膜层上只设有黑矩阵,原本设置像素点的位置不设置结构,完全裸露,满足透光的需求,其中将黑矩阵与TFT一一对应设置,最后在遮光层上设置第二基板形成如图1所示的结构,该第二基板需要是透明材料。
如图2和图3所示,给出了本实施例中数字曝光机的光路原理,其中,在现有技术中数字曝光机10所在的位置为掩膜板,每次更换不同的图案时需要更换不同的掩膜板进行操作,本实施例中只需要将掩膜板更换为本申请中的数字曝光机10,其他设备所在的位置无需进行改变,操作较为方便。其中图3中右侧给出了一组入射光20,当需要某一类型的图形时,图3中所示的图形为11所示,指令传输至集成电路要求TFT层形成对应类型的信号,对应位置的液晶打开,参见图2上椭圆部分所示,有图案没图案均椭圆部分即图3中的图形11部分,需要设置部分液晶打开其他位置的液晶不打开形成设定的图案,液晶打开的位置,入射光由于特定角度反光层的存在,以需要的角度被反射出去,反射至固定的透镜30所在的位置,液晶未打开的位置将入射光反射至其他的位置;
此时,由于对应位置液晶的打开,位于液晶层下方的反光层可以进行入射光的反射,通过固定的透镜30将出射光射至未曝光的基板40的表面,可对应形成所需要的光刻图形,其他光线被激光收集器50收集。
本实施例中提供的数字曝光机能够根据需要形成不同的图案,重复使用,降低成本,同时在使用过程中,不同图案之间的切换反应速度加快,提高工作效率;且本实施例中的数字曝光机可以不受尺寸的限制进行制备,满足任意尺寸的需求。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解,本申请中所涉及的发明范围,并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案,同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下,由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (7)

1.一种数字曝光机,其特征在于,包括第一基板,所述第一基板上设有图案层,所述图案层上覆盖有反光层,所述图案层包括多个间隔设置的斜坡面,每个所述斜坡面倾斜方向相同,每个所述斜坡面与所述第一基板之间的夹角为12-18°,
所述反光层上方设有TFT层,所述TFT层包括多个间隔设置的TFT,所述TFT层上设有液晶层,所述液晶层上设有遮光层,所述遮光层包括间隔设置的黑矩阵,每个所述TFT与一个所述黑矩阵一一对应设置,所述遮光层上设有第二基板;所述遮光层未设所述黑矩阵的位置为开口区,所述斜坡面与所述开口区一一对应设置。
2.根据权利要求1所述的数字曝光机,其特征在于,所述图案层为无机层或者有机层,所述图案层厚度为
3.根据权利要求1所述的数字曝光机,其特征在于,所述反光层具体设置在所述图案层的斜坡面上。
4.根据权利要求3所述的数字曝光机,其特征在于,所述反光层材料为银或铝,所述反光层厚度为
5.根据权利要求1所述的数字曝光机,其特征在于,还包括平坦层,所述平坦层设置在所述反光层与所述TFT层之间,所述平坦层覆盖所述反光层和所述图案层设置。
6.根据权利要求5所述的数字曝光机,其特征在于,所述平坦层为绝缘透明层,所述第二基板的材料为透明材料。
7.根据权利要求1所述的数字曝光机,其特征在于,所述TFT层与所述液晶层之间还设有PI层。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1922550A (zh) * 2004-02-25 2007-02-28 麦克罗尼克激光系统公司 在光学无掩模光刻中用于曝光图案和模拟掩模的方法
CN201867584U (zh) * 2010-11-26 2011-06-15 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
JP2011150053A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2012194557A (ja) * 2012-04-09 2012-10-11 Nlt Technologies Ltd フォトマスク、及び、液晶表示装置の製造方法
TW201527893A (zh) * 2013-09-23 2015-07-16 Zeiss Carl Smt Gmbh 用於投影曝光裝置的刻面反射鏡

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2838526B1 (fr) * 2002-04-11 2004-07-02 Memscap Matrice de commutateurs optiques et procede de fabrication d'une telle matrice
US20090023609A1 (en) * 2005-12-08 2009-01-22 Moon Youn Jung Programmable mask for fabricating biomolecule array or polymer array, apparatus for fabricating biomolecule array or polymer array including the programmable mask, and method of fabricating biomolecule array or polymer array using the programmable mask and photochemical synthesis apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1922550A (zh) * 2004-02-25 2007-02-28 麦克罗尼克激光系统公司 在光学无掩模光刻中用于曝光图案和模拟掩模的方法
JP2011150053A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
CN201867584U (zh) * 2010-11-26 2011-06-15 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
JP2012194557A (ja) * 2012-04-09 2012-10-11 Nlt Technologies Ltd フォトマスク、及び、液晶表示装置の製造方法
TW201527893A (zh) * 2013-09-23 2015-07-16 Zeiss Carl Smt Gmbh 用於投影曝光裝置的刻面反射鏡

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