CN111128838A - 静电吸盘 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种静电吸盘，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够进一步抑制电弧放电的发生。具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路；及第1多孔质部，设置在所述基座板与所述陶瓷电介体基板的所述第1主面之间且与所述气体导入路相对的位置，其特征为，所述第1多孔质部具有分别具有多个孔且相互离开设置的多个疏松部分，所述多个疏松部分分别在相对于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向以规定角度倾斜的方向上延伸。

Description

静电吸盘
技术领域
本发明的形态涉及一种静电吸盘。
背景技术
在氧化铝等的陶瓷电介体基板之间夹住电极并进行烧成而制作的陶瓷制的静电吸盘是在内置的电极上外加静电吸附用电力，并通过静电力来吸附硅晶片等的基板。在这样的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板的表面与吸附对象物即基板的背面之间流入氦(He)等惰性气体，对吸附对象物即基板的温度进行控制。
例如，在化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))装置、溅射(sputtering)装置、离子注入装置、蚀刻(etching)装置等对基板进行处理的装置中，存在处理中会带来基板的温度上升的装置。在用于这样的装置的静电吸盘中，在陶瓷电介体基板与吸附对象物即基板之间流入He等惰性气体，通过使惰性气体接触基板来抑制基板的温度上升。
在通过He等惰性气体来对基板温度进行控制的静电吸盘中，将用于导入He等惰性气体的孔(气体导入路)设置于陶瓷电介体基板及支撑陶瓷电介体基板的基座板。另外，在陶瓷电介体基板上设置连通于基座板的气体导入路的穿通孔。由此，从基座板的气体导入路导入的惰性气体，通过陶瓷电介体基板的穿通孔而被引导至基板的背面。
在此，在装置内对基板进行处理时，有时会发生从装置内的等离子体朝向金属制的基座板的放电(电弧放电)。基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔有可能容易成为放电的路径。于是，存在如下技术，通过在基座板的气体导入路及陶瓷电介体基板的穿通孔中设置多孔质部，从而提高对电弧放电的抗性(绝缘强度等)。例如，在专利文献1中公开有如下静电吸盘，通过在气体导入路内设置陶瓷烧结多孔体，将陶瓷烧结多孔体的构造及膜孔作为气体流路，从而提高在气体导入路内的绝缘性。另外，在专利文献2中公开有如下静电吸盘，在气体扩散用空隙内设置有由陶瓷多孔体所构成且用于防止放电的处理气体流路用的放电防止构件。另外，在专利文献3中公开有如下静电吸盘，作为如氧化铝这样的多孔质电介体而设置电介体插入物，从而降低电弧放电。在这样的具有多孔质部的静电吸盘中，要求开发出能够进一步抑制电弧放电的发生的静电吸盘。
专利文献
专利文献1：日本国特开2010-123712号公报
专利文献2：日本国特开2003-338492号公报
专利文献3：日本国特开平10-50813号公报
发明内容
本发明是基于这样的问题的认知而进行的，所要解决的技术问题是提供一种静电吸盘，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够有效地抑制电弧放电的发生。
第1发明为一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路；及第1多孔质部，设置在所述基座板与所述陶瓷电介体基板的所述第1主面之间且与所述气体导入路相对的位置，其特征为，所述第1多孔质部具有分别具有多个孔且相互离开设置的多个疏松部分，所述多个疏松部分分别在相对于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向以规定角度倾斜的方向上延伸。
根据该静电吸盘，由于在第1多孔质部设置有分别具有多个孔且相互离开设置的多个疏松部分，因此能够确保对电弧放电的抗性及流动的气体流量。而且，由于多个疏松部分分别在相对于从基座板朝向陶瓷电介体基板的第1方向以规定角度倾斜的方向上延伸，因此当电流在设置于疏松部分的孔内部流动时，认为电子难以被加速。因此，能够有效地抑制电弧放电的发生。
第2发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1发明中，从所述气体导入路导入的气体可在所述多个孔中流通。
根据该静电吸盘，能够向陶瓷电介体基板的第1主面侧引导从气体导入路导入的气体。
第3发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1或第2发明中，所述第1方向与所述疏松部分所延伸的方向之间的角度为5°以上、30°以下。
根据该静电吸盘，容易抑制电弧放电的发生。
第4发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第3的任意一个发明中，所述第1多孔质部还具有紧密部分，其位于所述多个疏松部分的彼此之间且具有比所述疏松部分的密度更高的密度，所述疏松部分具有设置在所述孔与所述孔之间的壁部，在与相对于所述第1方向以规定角度倾斜的方向大致正交的方向上，所述壁部的尺寸的最小值小于所述紧密部分的尺寸的最小值。
根据该静电吸盘，由于在第1多孔质部设置有疏松部分及紧密部分，因此能够确保对电弧放电的抗性及气体流量，同时能够提高第1多孔质部的机械强度(刚性)。
第5发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第4的任意一个发明中，所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1主面与所述第1多孔质部之间的第1孔部，所述陶瓷电介体基板及所述第1多孔质部中的至少任意一个，具有位于所述第1孔部与所述第1多孔质部之间的第2孔部，在大致正交于所述第1方向的第2方向上，所述第2孔部的尺寸比所述第1多孔质部的尺寸更小，比所述第1孔部的尺寸更大。
根据该静电吸盘，通过设置在与气体导入路相对的位置的第1多孔质部，能够确保在第1孔部中流动的气体的流量，同时能够提高对电弧放电的抗性。另外，由于设置有具有规定尺寸的第2孔部，因此能够将导入到尺寸较大的第1多孔质部的气体的大部分，介由第2孔部导入到尺寸较小的第1孔部。即，能够实现电弧放电的降低及气体流动的顺畅化。
第6发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第5的任意一个发明中，设置于所述第2多孔质部的多个孔，比设置于所述第1多孔质部的多个孔在3维上更为分散，在所述第1方向上穿通的孔的比例，所述第1多孔质部比所述第2多孔质部更多。
根据该静电吸盘，由于能够通过设置具有在3维上分散的多个孔的第2多孔质部来得到更高的绝缘强度，因此能够更加有效地抑制电弧放电的发生。另外，通过设置在第1方向上穿通的孔的比例较多的第1多孔质部，从而能够实现气体流动的顺畅化。
第7发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第6的任意一个发明中，设置于所述第2多孔质部的多个孔的直径的平均值，比设置于所述第1多孔质部的多个孔的直径的平均值更大。
根据该静电吸盘，由于设置有孔的直径较大的第2多孔质部，因此能够实现气体流动的顺畅化。另外，由于孔的直径较小的第1多孔质部设置在吸附对象物侧，因此能够更加有效地抑制电弧放电的发生。
第8发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第6的任意一个发明中，设置于所述第2多孔质部的多个孔的直径的平均值，比设置于所述第1多孔质部的多个孔的直径的平均值更小。
根据该静电吸盘，由于设置有孔径较小的第2多孔质部，因此能够更加有效地抑制电弧放电的发生。
第9发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第8的任意一个发明中，还具备设置在所述第1多孔质部与所述气体导入路之间且具有多个孔的第2多孔质部，设置在所述第1多孔质部的所述多个孔的直径的偏差，比设置在所述第2多孔质部的多个孔的直径的偏差更小。
通过减小设置于第1多孔质部的多个孔的直径的偏差，从而能够更加精密地抑制流动的气体的流量及绝缘强度。
第10发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第9的任意一个发明中，所述第1多孔质部及所述陶瓷电介体基板作为主成分而含有氧化铝，所述陶瓷电介体基板的所述氧化铝的纯度，比所述第1多孔质部的所述氧化铝的纯度更高。
根据该静电吸盘，确保静电吸盘的抗等离子性等性能，而且能够确保第1多孔质部的机械强度。作为一个例子，通过使第1多孔质部含有微量的添加物，从而促进第1多孔质部的烧结，能够确保对气孔的控制及机械强度。
第11发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第10的任意一个发明中，还具备设置在所述第1多孔质部与所述气体导入路之间的第2多孔质部，所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1主面与所述第1多孔质部之间的第1孔部，所述第2多孔质部具有：陶瓷多孔体，具有多个孔；及致密部，比所述陶瓷多孔体更致密，在向垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向的平面进行投影时，构成为所述致密部与所述第1孔部发生重叠，所述第2多孔部与所述第1孔部并不重叠。
由于在该静电吸盘中以重叠方式构成有致密部与第1孔部，因此产生的电流迂回致密部而流动。因此，由于能够加长电流流动的距离(导电路程)，所以电子难以被加速，以至于能够抑制电弧放电的发生。根据该静电吸盘，能够在确保气体流的同时有效地抑制电弧放电的发生。
第12发明为如下静电吸盘，其特征为，在第11发明中，所述陶瓷多孔体具有：多个疏松部分，具有多个孔；及紧密部分，具有比所述疏松部分的密度更高的密度，所述陶瓷多孔体中，所述多个疏松部分分别在所述第1方向上延伸，所述紧密部分位于所述多个疏松部分的彼此之间，所述疏松部分具有设置在所述孔的彼此之间的壁部，在所述第2方向上，所述壁部的尺寸的最小值，比所述紧密部分的尺寸的最小值更小。
根据该静电吸盘，由于陶瓷多孔体中设置有在第1方向上延伸的疏松部分及紧密部分，因此能够确保对电弧放电的抗性及气体流量，同时能够提高第2多孔质部的机械强度(刚性)。
第13发明为如下静电吸盘，其特征为，在第1～第12的任意一个发明中，在将大致正交于所述第1方向的方向作为第2方向时，所述第1多孔质部具有在所述第2方向上位于所述陶瓷电介体基板侧的第1区域，所述陶瓷电介体基板具有在所述第2方向上位于所述第1区域侧的第1基板区域，将所述第1区域与所述第1基板区域设置成接触，所述第1区域中的平均粒径不同于所述第1基板区域中的平均粒径。
根据该静电吸盘，由于第1区域中的平均粒径不同于第1基板区域中的平均粒径，因此在第1多孔质部与陶瓷电介体基板的界面上能够提高第1多孔质部与陶瓷电介体基板的结合强度。
第14发明为如下静电吸盘，其特征为，在第12或第13发明中，所述第1基板区域中的所述平均粒径，比所述第1区域中的所述平均粒径更小。
根据该静电吸盘，在第1多孔质部与陶瓷电介体基板的界面上，能够提高第1多孔质部与陶瓷电介体基板的结合强度。另外，由于第1基板区域中的粒径较小，因此能够提高陶瓷电介体基板的强度，能够抑制制作时、流程中发生的应力而产生裂纹等的风险。
第15发明为如下静电吸盘，其特征为，在第12～第14的任意一个发明中，所述陶瓷电介体基板包含第2基板区域，所述第1基板区域位于所述第2基板区域与所述第1多孔质部之间，所述第1基板区域中的所述平均粒径，比所述第2基板区域中的所述平均粒径更小。
在接触第1区域而设置的第1基板区域中，例如在制造工序中的烧结时，优选通过与第1区域之间的扩散等相互作用而提高与第1区域之间的界面强度。另一方面，第2基板区域中，优选发挥陶瓷电介体基板的材料本来的特性。根据该静电吸盘，由于使第1基板区域中的平均粒径比第2基板区域中的平均粒径更小，因此能够同时实现第1基板区域中的界面强度的确保及第2基板区域中的陶瓷电介体基板的特性。
第16发明为如下静电吸盘，其特征为，在第15发明中，所述第1区域中的所述平均粒径，比所述第2基板区域中的所述平均粒径更小。
根据该静电吸盘，由于第1区域中的平均粒径比第2基板区域中的平均粒径更小，因此能够提高第1区域中的机械强度。
第17发明为如下静电吸盘，其特征为，在第12、13、15、16任意一个发明中，所述第1区域中的所述平均粒径，比所述第1基板区域中的所述平均粒径更小。
根据该静电吸盘，在第1多孔质部与陶瓷电介体基板的界面上，能够提高第1多孔质部与陶瓷电介体基板的结合强度。另外，由于第1区域中的平均粒径较小，因此第1多孔质部的强度提高，所以能够抑制流程中粒子发生脱落，能够减少颗粒。
根据本发明的形态，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够有效地抑制电弧放电的发生。
附图说明
图1是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图2(a)及图2(b)是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。
图3(a)及图3(b)是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第1多孔质部的模式图。
图4是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第1多孔质部的模式化俯视图。
图5是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第1多孔质部的模式化俯视图。
图6(a)及图6(b)是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第1多孔质部的模式化俯视图。
图7(a)及图7(b)是例示第1实施方式所涉及的其他第1多孔质部的模式图。
图8是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图9(a)及图9(b)是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图10是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第2多孔质部的模式化剖视图。
图11是例示第1实施方式所涉及的其他静电吸盘的模式化剖视图。
图12是例示第1实施方式所涉及的其他静电吸盘的模式化剖视图。
图13(a)是例示第2实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。图13(b)是例示第2多孔质部的俯视图。
图14是例示第2实施方式所涉及的静电吸盘的变形例的模式化剖视图。
图15是例示第2多孔质部的模式图。
图16是表示沿着Z方向观察的第2多孔质部的一部分的放大图。
图17是表示沿着Z方向观察的第2多孔质部的一部分的放大图。
图18是表示沿着Z方向观察的1个疏松部分内的孔的放大图。
图19是例示第2实施方式所涉及的其他静电吸盘的模式化剖视图。
图20是例示第2实施方式所涉及的其他静电吸盘的模式化剖视图。
符号说明
11-陶瓷电介体基板；11a-第1主面；11b-第2主面；11p-第1基板区域；12-电极；13-点；14-槽；15-穿通孔；15a-孔部；15b-孔部(第1孔部)；15c-孔部(第2孔部)；15w-内壁；20-连接部；50-基座板；50U-上面；50a-上部；50b-下部；51-输入路；52-输出路；53-气体导入路；55-连通路；60-粘接部；70-第2多孔质部；70a-第2多孔质部；70U-上面；71-陶瓷多孔体；71p-孔；72-陶瓷绝缘膜；73-陶瓷多孔体；74-致密部；75-致密部；76-疏松部分；76a～76g-第1～第7疏松部分；77-紧密部分；78-孔；78a～78g-第1～第7孔；79-壁部；80-吸附保持用电压；90-第1多孔质部；90L-下面；90U-上面；90p-第1区域；91-多孔区域；91s-侧面；93-致密区域；93s-侧面；94-疏松部分；94a～94g-第1～第7疏松部分；95-紧密部分；96-孔；96a～96g-第1～第7孔；97-壁部；110-静电吸盘；W-对象物；SP-空间；ROI1-评价范围；ROI2-评价范围。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。并且，在各附图中，对于相同的构成要素标注相同符号并适当省略详细说明。
第1实施方式
图1是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
如图1所示，第1实施方式所涉及的静电吸盘110具备陶瓷电介体基板11、基座板50、第1多孔质部90。
陶瓷电介体基板11是例如由烧结陶瓷形成的平板状的基体材料。例如，陶瓷电介体基板11含有氧化铝(Al2O3)。例如，陶瓷电介体基板11由高纯度的氧化铝所形成。陶瓷电介体基板11中的氧化铝的浓度为例如99原子％(at omic％)以上、100原子％以下。通过使用高纯度的氧化铝，能够提高陶瓷电介体基板11的抗等离子性。陶瓷电介体基板11具有：第1主面11a，放置吸附对象物W；及第2主面11b，位于第1主面11a的相反侧。吸附对象物W例如是硅晶片等半导体基板。
在陶瓷电介体基板11中设置电极12。电极12设置在陶瓷电介体基板11的第1主面11a与第2主面11b之间。电极12以插入于陶瓷电介体基板11中的方式形成。静电吸盘110如下，通过对电极12外加吸附保持用电压80，从而在电极12的第1主面11a侧产生电荷，利用静电力吸附保持对象物W。
在此，在第1实施方式的说明中，将从基座板50朝向陶瓷电介体基板11的方向称为Z方向(相当于第1方向的一个例子)，将与Z方向大致正交的方向的1个称为Y方向(相当于第2方向的一个例子)，将与Z方向、Y方向大致正交的方向称为X方向(相当于第2方向的一个例子)。
电极12的形状是沿向陶瓷电介体基板11的第1主面11a及第2主面11b的薄膜状。电极12是用于吸附保持对象物W的吸附电极。电极12既可以是单极型也可以是双极型。图1所示的电极12是双极型，同一面上设置有2极的电极12。
电极12上设置有向陶瓷电介体基板11的第2主面11b侧延伸的连接部20。连接部20例如是与电极12导通的过孔(via)(实心型)、导通孔(Via Hole)(中空型)。连接部20还可以是通过钎焊等的适当的方法进行连接的金属端子。
基座板50是支撑陶瓷电介体基板11的构件。陶瓷电介体基板11介由图2(a)所示的粘接部60固定在基座板50上。例如，能够将硅酮粘接剂发生硬化的部分作为粘接部60。
基座板50例如是金属制。基座板50例如分成铝制的上部50a与下部50b，在上部50a与下部50b之间设置有连通路55。连通路55的一端侧连接于输入路51，连通路55的另一端侧连接于输出路52。
基座板50也发挥静电吸盘110的温度调整的功能。例如，在对静电吸盘110进行冷却时，从输入路51流入冷却介质，通过连通路55从输出路52流出。由此，通过冷却介质吸收基座板50的热，能够冷却安装在其上的陶瓷电介体基板11。另一方面，在对静电吸盘110进行保温时，也能够在连通路55内放入保温介质。也能够将发热体内置于陶瓷电介体基板11、基座板50。通过调整基座板50、陶瓷电介体基板11的温度，能够调整被静电吸盘110所吸附保持的对象物W的温度。
另外，在陶瓷电介体基板11的第1主面11a侧，根据需要设置有点13，在点13之间设置有槽14。即，第1主面11a是凹凸面，具有凹部及凸部。第1主面11a的凸部相当于点13，第1主面11a的凹部相当于槽14。槽14在XY平面内连续延伸。在放置于静电吸盘110的对象物W的背面与包含槽14的第1主面11a之间形成空间。
陶瓷电介体基板11具有连接于槽14的穿通孔15。在从第2主面11b到第1主面11a的跨度上设置穿通孔15。即，穿通孔15从第2主面11b到第1主面11a为止在Z方向上延伸，穿通陶瓷电介体基板11。
通过适当选择点13的高度(槽14的深度)以及点13与槽14的面积比率、形状等，从而能够将对象物W的温度、附着于对象物W的颗粒控制在优选的状态。
将气体导入路53设置于基座板50。气体导入路53例如以穿通基座板50的方式被设置。气体导入路53还可以不穿通基座板50而从其他气体导入路53的途中发生分支而设置到陶瓷电介体基板11侧。另外，气体导入路53还可以设置在基座板50的多个部位。
气体导入路53连通于穿通孔15。即，流入气体导入路53的气体(氦(He)等)，在通过气体导入路53之后流入穿通孔15。
流入穿通孔15的气体，在通过穿通孔15之后流入设置在对象物W与包含槽14的第1主面11a之间的空间。由此，利用气体能够直接冷却对象物W。
将第1多孔质部90例如能够在Z方向上设置于基座板50与陶瓷电介体基板11的第1主面11a之间且与气体导入路53相对的位置，例如，将第1多孔质部90设置于陶瓷电介体基板11的穿通孔15。例如，将第1多孔质部90插入于穿通孔15。
图2(a)及图2(b)是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的模式图。图2(a)例示第1多孔质部90的周边。图2(a)相当于图1所示的区域A的放大图。图2(b)是图2(a)中的第1多孔质部90的C-C线剖视图。
并且，为了避免变得烦杂，图2(a)中省略点13(例如，参照图1)而进行了描绘。
在该例子中，穿通孔15具有孔部15a、孔部15b(相当于第1孔部的一个例子)。孔部15a的一端位于陶瓷电介体基板11的第2主面11b。
另外，陶瓷电介体基板11能够具有在Z方向上位于第1主面11a与第1多孔质部90之间的孔部15b。孔部15b连通于孔部15a，延伸至陶瓷电介体基板11的第1主面11a。即，孔部15b的一端位于第1主面11a(槽14)。孔部15b是连接第1多孔质部90与槽14的连接孔。孔部15b的直径(沿向X方向的长度)比孔部15a的直径(沿向X方向的长度)更小。通过设置直径较小的孔部15b，能够提高设置在陶瓷电介体基板11与对象物W之间的空间(例如包含槽14的第1主面11a)的设计自由度。例如，如图2(a)所示，能够使槽14的宽度(沿向X方向的长度)比第1多孔质部90的宽度(沿向X方向的长度)更小。由此，例如在设置于陶瓷电介体基板11与对象物W之间的空间中，能够抑制放电。
孔部15b的直径为例如0.05毫米(mm)以上、0.5mm以下。孔部15a的直径为例如1mm以上、5mm以下。并且，孔部15b还可以间接连通于孔部15a。即，还可以设置有连接孔部15a与孔部15b的孔部15c(相对于第2孔部的一个例子)。如图2(a)所示，能够将孔部15c设置于陶瓷电介体基板11。还可以将孔部15c设置于第1多孔质部90。还可以将孔部15c设置于陶瓷电介体基板11及第1多孔质部90。即，陶瓷电介体基板11及第1多孔质部90中的至少任意一个，可以具有位于孔部15b与第1多孔质部90之间的孔部15c。此时，如果将孔部15c设置于陶瓷电介体基板11，则能够提高在孔部15c周围的强度，能够抑制在孔部15c周边发生倾斜等。因此，能够更加有效地抑制电弧放电的发生。如果将孔部15c设置于第1多孔质部90，则容易对孔部15c与第1多孔质部90进行对位。因此，更加容易同时实现电弧放电的降低及气体流动的顺畅化。孔部15a、孔部15b及孔部15c例如分别呈在Z方向上延伸的圆筒状。
此时，在X方向或Y方向上，能够使孔部15c的尺寸比第1多孔质部90的尺寸更小，比孔部b的尺寸更大。根据第1实施方式所涉及的静电吸盘110，通过设置在与气体导入路53相对的位置的第1多孔质部90，能够确保在孔部15b中流动的气体的流量，同时能够提高对电弧放电的抗性。另外，由于孔部15c的X方向或Y方向的尺寸大于孔部15b的该尺寸，因此能够将导入到尺寸较大的第1多孔质部90的气体的大部分，介由孔部15c导入到尺寸较小的孔部15b。即，能够实现电弧放电的降低及气体流动的顺畅化。
如上所述，陶瓷电介体基板11具有向第1主面11a开口且连通于第1孔部15的至少1个槽14。在Z方向上，能够使孔部15c的尺寸比槽14的尺寸更小。这样，能够介由槽14向第1主面11a侧供给气体。因此，容易向第1主面11a的更大的范围供给气体。另外，由于孔部15c在X方向或Y方向上的尺寸比槽14的尺寸更小，因此能够缩短气体通过孔部15c的时间。即，在实现气体流动的顺畅化的同时能够更加有效地抑制电弧放电的发生。
如上所述，能够在陶瓷电介体基板11与基座板50之间设置粘接部60。在Z方向上，能够使孔部15c的尺寸比粘接部60的尺寸更小。这样，能够提高陶瓷电介体基板11与基座板50的接合强度。另外，由于在Z方向上的孔部15c的尺寸比粘接部60的尺寸更小，因此在实现气体流动的顺畅化的同时能够更加有效地抑制电弧放电的发生。
在该例子中，将第1多孔质部90设置于孔部15a。因此，第1多孔质部90的上面90U并不向第1主面11a露出。即，第1多孔质部90的上面90U位于第1主面11a与第2主面11b之间。另一方面，第1多孔质部90的下面90L向第2主面11b露出。
第1多孔质部90具有：多孔区域91，具有多个孔；及致密区域93，比多孔区域91更加致密。致密区域93是孔比多孔区域91更少的区域或实质上并不具有孔的区域。致密区域93的气孔率(百分比：％)比多孔区域91的气孔率(％)更低。因此，致密区域93的密度(克/立方厘米：g/cm3)比多孔区域91的密度(g/cm3)更高。由于致密区域93比多孔区域91更致密，因此例如致密区域93的刚性(机械强度)比多孔区域91的刚性更高。
致密区域93的气孔率例如为包含于致密区域93的空间(孔)在致密区域93的整个体积中所占的体积比例。多孔区域91的气孔率例如为包含于多孔区域91的空间(孔)在多孔区域91的整个体积中所占的体积比例。例如，多孔区域91的气孔率为5％以上、40％以下，优选10％以上、30％以下，致密区域93的气孔率为0％以上、5％以下。
第1多孔质部90呈柱状(例如圆柱状)。另外，多孔区域91呈柱状(例如圆柱状)。致密区域93接触多孔区域91或连续于多孔区域91。如图2(b)所示，当沿着Z方向观察时，致密区域93围住多孔区域91的外周。致密区域93呈围住多孔区域91的侧面91s的筒状(例如圆筒状)。换言之，多孔区域91设置成在Z方向上穿通致密区域93。从气体导入路53流入穿通孔15的气体，通过设置于多孔区域91的多个孔而供向槽14。
通过设置具有这样的多孔区域91的第1多孔质部90，从而能够确保在穿通孔15中流动的气体流量，同时能够提高对电弧放电的抗性。另外，由于第1多孔质部90具有致密区域93，因此能够提高第1多孔质部90的刚性(机械强度)。
例如，将第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11进行了一体化。对2个构件进行了一体化的状态是指例如通过烧结等对2个构件进行化学结合的状态。在2个构件之间，并不设置用于将一个构件固定于另一个构件的材料(例如粘接剂)。即，在第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11之间并未设置有粘接剂等其他构件而对第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11进行了一体化。
更具体而言，在对第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11进行了一体化的状态下，第1多孔质部90的侧面(致密区域93的侧面93s)接触穿通孔15的内壁15w，第1多孔质部90被第1多孔质部90接触的内壁15w所支撑而固定于陶瓷电介体基板11。
例如，在成为陶瓷电介体基板11的烧结前的基体材料上设置穿通孔，将第1多孔质部90嵌入于该穿通孔。通过在此状态下对陶瓷电介体基板11(及嵌合的第1多孔质部90)进行烧结，从而能够对第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11进行一体化。
像这样，通过与陶瓷电介体基板11进行一体化，从而将第1多孔质部90固定于陶瓷电介体基板11。由此，与通过粘接剂等将第1多孔质部90固定于陶瓷电介体基板11时相比，能够更加提高静电吸盘110的强度。例如，不会因粘接剂的腐蚀、烧蚀等而静电吸盘发生老化。
在对第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11进行一体化时，第1多孔质部90外周的侧面承受来自陶瓷电介体基板11的力。另一方面，为了确保气体的流量而在第1多孔质部90设置多个孔时，第1多孔质部90的机械强度降低。因此，在将第1多孔质部一体化于陶瓷电介体基板11时，从陶瓷电介体基板11施加于第1多孔质部90的力而第1多孔质部90有可能发生破损。
与此相对，由于第1多孔质部90具有致密区域93，因此能够提高第1多孔质部90的刚性(机械强度)，能够将第1多孔质部90一体化于陶瓷电介体基板11。
并且，第1实施方式中，还可以并不一定将第1多孔质部90一体化于陶瓷电介体基板11。例如，如图12所示，还可以使用粘接剂将第1多孔质部90安装于陶瓷电介体基板。
另外，致密区域93位于形成穿通孔15的陶瓷电介体基板11的内壁15w与多孔区域91之间。即，在第1多孔质部90的内侧设置有多孔区域91，在外侧设置有致密区域93。通过在第1多孔质部90的外侧设置致密区域93，从而能够提高对从陶瓷电介体基板11施加于第1多孔质部90的力的刚性。由此，能够容易对第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11进行一体化。另外，例如，在第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11之间设置粘接构件61(参照图12)时，能够利用致密区域93抑制通过第1多孔质部90内部的气体接触粘接构件61。由此，能够抑制粘接构件61发生老化。另外，通过在第1多孔质部90的内侧设置多孔区域91，从而抑制陶瓷电介体基板11的穿通孔15被致密区域93堵住，能够确保气体的流量。
致密区域93的厚度(多孔区域91的侧面91s与致密区域93的侧面93s之间的长度L0)为例如100μm以上、1000μm以下。
第1多孔质部90的材料使用具有绝缘性的陶瓷。第1多孔质部90(各自多孔区域91及致密区域93)含有氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)及氧化钇(Y2O3)中的至少任意一个。由此，能够得到第1多孔质部90的较高的绝缘强度及较高的刚性。
例如，第1多孔质部90将氧化铝、氧化钛及氧化钇中的任意一个作为主成分。
此时，能够使陶瓷电介体基板11的氧化铝的纯度比第1多孔质部90的氧化铝的纯度更高。这样，能够确保静电吸盘110的抗等离子性等性能，而且能够确保第1多孔质部90的机械强度。作为一个例子，通过使第1多孔质部90含有微量的添加物，从而促进第1多孔质部90的烧结，能够确保对气孔的控制及机械强度。
本说明书中，能够通过荧光X线分析、ICP-AES法(Inductively Cou pled Plasma-Atomic Emission Spectrometry：电感耦合等离子体原子发射光谱法)等对陶瓷电介体基板11的氧化铝等的陶瓷纯度进行测定。
例如，多孔区域91的材料与致密区域93的材料相同。但是，多孔区域91的材料与致密区域93的材料还可以不同。多孔区域91的材料的组成与致密区域93的材料的组成还可以不同。
另外，如图2(a)所示，多孔区域91(设置有后述的多个疏松部分94的区域)与电极12之间的X方向或Y方向的距离D1，比第1主面11a与电极12之间的Z方向的距离D2更长。通过进一步加长设置于第1多孔质部90的多孔区域91与电极12之间的X方向或Y方向的距离D1，从而能够抑制在第1多孔质部90的放电。另外，通过进一步缩短第1主面11a与电极12之间的Z方向的距离D2，从而能够加大吸附放置于第1主面11a的对象物W的力。
图3(a)及图3(b)是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第1多孔质部的模式图。
图3(a)是图3(b)中的第1多孔质部90的D-D线剖视图。图3(b)是第1多孔质部90的ZY平面上的剖视图。
如图3(a)及图3(b)所示，在该例子中，多孔区域91具有多个疏松部分94、紧密部分95。多个疏松部分94分别具有多个孔。紧密部分95比疏松部分94更加致密。即，紧密部分95是孔比疏松部分94更少的部分或实质上并不具有孔的部分。紧密部分95的气孔率比疏松部分94的气孔率更低。因此，紧密部分95的密度比疏松部分94的密度更高。紧密部分95的气孔率还可以与致密区域93的气孔率相同。由于紧密部分95比疏松部分94更致密，因此紧密部分95的刚性比疏松部分94的刚性更高。
1个疏松部分94的气孔率例如为包含于该疏松部分94的空间(孔)在该疏松部分94的整个体积中所占的体积比例。紧密部分95的气孔率例如为包含于紧密部分95的空间(孔)在紧密部分95的整个体积中所占的体积比例。例如，疏松部分94的气孔率为20％以上、60％以下，优选30％以上、50％以下，紧密部分95的气孔率为0％以上、5％以下。
即，第1多孔质部90分别具有多个孔，具有相互离开设置的多个疏松部分94。从气体导入路53导入的气体可在设置于疏松部分94的多个孔中流通。多个疏松部分94分别在相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向上延伸。例如，多个疏松部分94分别呈柱状(圆柱状或多角柱状)，设置成在相对于Z方向以规定角度θ倾斜的状态下穿通多孔区域91。紧密部分95位于多个疏松部分94的彼此之间。紧密部分95呈隔开相互邻接的疏松部分94的壁状。如图3(a)所示，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，紧密部分95设置成围住多个疏松部分94的各自的外周。紧密部分95在多孔区域91的外周连续于致密区域93。
设置在多孔区域91内的疏松部分94的数量为例如50个以上、1000个以下。如图3(a)所示，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，多个疏松部分94彼此呈相互大致相同的大小。例如，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，多个疏松部分94在多孔区域91内各向同性地均等地分散。例如，邻接的疏松部分94彼此的距离(即紧密部分95的厚度)大致一定。
例如，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，致密区域93的侧面93s与多个疏松部分94中最靠近侧面93s的疏松部分94之间的距离L11为100μm以上、1000μm以下。
像这样，通过在多孔区域91中设置多个疏松部分94、比疏松部分94更致密的紧密部分95，从而与多孔区域内在3维上随机分散有多个孔的情况相比，能够确保对电弧放电的抗性及在穿通孔15中流动的气体流量，同时能够提高第1多孔质部90的刚性。
例如，如果多孔区域的气孔率变大，则气体的流量增加，同时对电弧放电的抗性及刚性降低。与此相对，通过设置紧密部分95，从而即使在加大气孔率的情况下，也能够抑制对电弧放电的抗性及刚性降低。
另外，当从陶瓷电介体基板11侧朝向基座板50侧的电流在孔部15b内部流动时，较多地发生电弧放电。因此，认为如果多个疏松部分94分别相对于Z方向以规定角度θ倾斜，则当电流在设置于疏松部分94的孔的内部流动时，电子难以被加速。因此，能够抑制电弧放电的发生。
根据本发明者们所得到的知识，优选Z方向与疏松部分94所延伸的方向之间的角度θ为5°以上、30°以下。这样，容易抑制电弧放电的发生。而且，如果将角度θ做成5°以上、15°以下，则不会缩小设置于疏松部分94的孔的直径，能够抑制电弧放电的发生。另外，能够不加大孔的直径而确保所需的气体流量。
表1表示角度θ与DC破坏电压、He流量的关系。
并且，是在30Torr时的DC击穿电压及He流量。
另外，评价中，当DC破坏电压为2.5kV以上且He流量为4.9sccm以上时作为合格。并且，表1中，用“○”表示合格，用“×”表示不合格。
表1
角度θ DC破坏电压(kV) He流量(sccm) 评价
0° 2.4 5.0 ×
5° 2.5 5.0 ○
15° 2.7 4.9 ○
在此，如果减小设置于疏松部分94的孔的直径，则容易抑制电弧放电的发生。但是，如果减小孔的直径，则有可能无法充分确保气体的流量。
此时，如从表1可知，如果加大角度θ，则能够提高DC破坏电压。因此，如果加大角度θ，则能够不减小孔的直径而抑制电弧放电的发生。
但是，如从表1可知，如果加大角度θ，则由于孔中的管路阻力变大，因此He流量变小。此时，如果加大孔的直径，则虽然能够提高He流量，但是DC破坏电压变小。
如从表1可知，如果将角度θ做成5°以上、15°以下，则能够不减小设置于疏松部分94的孔的直径而抑制电弧放电的发生。另外，能够不加大孔的直径而确保所需的气体流量。
并且，例如，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，设想包括全部多个疏松部分94的最小的圆、椭圆或多角形。能够将该圆、椭圆或多角形的内侧作为多孔区域91而将该圆、椭圆或多角形的外侧认为是致密区域93。
如以上说明，第1多孔质部90能够具有：多个疏松部分94，具有包含第1孔、第2孔的多个孔96；及紧密部分95，具有比疏松部分94的密度更高的密度。多个疏松部分94分别在相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向上延伸。紧密部分95位于多个疏松部分94的彼此之间。疏松部分94具有设置在孔96(第1孔)与孔96(第2孔)之间的壁部97。在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向大致正交的方向上，能够使壁部97的尺寸的最小值比紧密部分95的尺寸的最小值更小。这样，由于在第1多孔质部90设置有在相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向上延伸的疏松部分94、紧密部分95，因此能够确保对电弧放电的抗性及气体流量，同时能够提高第1多孔质部90的机械强度(刚性)。
另外，如果多个疏松部分94分别相对于Z方向以规定角度θ倾斜，则当电流在设置于疏松部分94的孔的内部流动时，认为电子难以被加速。因此，能够抑制电弧放电的发生。
在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向大致正交的方向上，能够使分别设置于多个疏松部分94的多个孔96的尺寸，比紧密部分95的尺寸更小。这样，由于能够充分减小多个孔96的尺寸，因此能够进一步提高对电弧放电的抗性。
另外，能够使分别设置于多个疏松部分94的多个孔96的纵横比(纵横尺寸比)为30以上、10000以下。这样，能够进一步提高对电弧放电的抗性。更优选多个孔96的纵横比(纵横尺寸比)的下限为100以上，上限为1600以下。
另外，在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向大致正交的方向上，能够使分别设置于多个疏松部分94的多个孔96的尺寸为1微米以上、20微米以下。这样，由于能够排列孔的尺寸为1～20微米的在1个方向上延伸的孔，因此能够在抑制偏差的同时实现对电弧放电的较高的抗性。
另外，如后述的图6(a)、(b)所示，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，第1孔96a位于疏松部分94的中心部，在多个孔96中，邻接于第1孔96a且围住第1孔96a的孔96b～96g的数量可为6个。这样，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，能够以较高各向同性且较高密度配置多个孔。由此，能够确保对电弧放电的抗性及流动的气体流量，同时能够提高第1多孔质部90的刚性。
图4是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第1多孔质部的模式化俯视图。
图4表示沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察的第1多孔质部90的一部分，相当于图3(a)的放大图。
当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，多个疏松部分94分别呈大致六角形(大致正六角形)。当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，多个疏松部分94具有：第1疏松部分94a，位于多孔区域91的中心部；及6个疏松部分94(第2～第7疏松部分94b～94g)，围住第1疏松部分94a。
第2～第7疏松部分94b～94g邻接于第1疏松部分94a。第2～第7疏松部分94b～94g是在多个疏松部分94中最接近第1疏松部分94a的疏松部分94。
在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向大致正交的方向上，第2疏松部分94b、第3疏松部分94c与第1疏松部分94a并排。即，第1疏松部分94a位于第2疏松部分94b与第3疏松部分94c之间。
在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向大致正交的方向上，第1疏松部分94a的长度L1(第1疏松部分94a的直径)，比第1疏松部分94a与第2疏松部分94b之间的长度L2更长，比第1疏松部分94a与第3疏松部分94c之间的长度L3更长。
并且，长度L2及长度L3分别相当于紧密部分95的厚度。即，在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向大致正交的方向上，长度L2是第1疏松部分94a与第2疏松部分94b之间的紧密部分95的长度。长度L3是第1疏松部分94aと第3疏松部分94c之间的紧密部分95的长度。长度L2与长度L3大致相等。例如，长度L2是长度L3的0.5倍以上、2.0倍以下。
另外，在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向大致正交的方向上，长度L1与第2疏松部分94b的长度L4(第2疏松部分94b的直径)大致相等，与第3疏松部分94c的长度L5(第3疏松部分95c的直径)大致相等。例如，长度L4及长度L5分别为长度L1的0.5倍以上、2.0倍以下。
像这样，第1疏松部分94a邻接于多个疏松部分94中的6个疏松部分94并被这些所围住。即，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，在多孔区域91的中心部，与1个疏松部分94邻接的疏松部分94的数量为6个。由此，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，能够以较高各向同性且较高密度配置多个疏松部分94。由此，能够确保对电弧放电的抗性及在穿通孔15中流动的气体流量，同时能够提高第1多孔质部90的刚性。另外，能够抑制对电弧放电的抗性的偏差、在穿通孔15中流动的气体流量的偏差、第1多孔质部90的刚性的偏差。
疏松部分94的直径(长度L1、L4或L5等)为例如50μm以上、500μm以下。紧密部分95的厚度(长度L2或L3等)为例如10μm以上、100μm以下。疏松部分94的直径比紧密部分95的厚度更大。另外，紧密部分95的厚度比致密区域93的厚度更薄。
图5是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第1多孔质部的模式化俯视图。
图5表示沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察的第1多孔质部90的一部分。图5是1个疏松部分94的周边的放大图。
如图5所示，在该例子中，疏松部分94具有：多个孔96；及壁部97，设置在多个孔96的彼此之间。
多个孔96分别在相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向上延伸。多个孔96分别呈在1个方向上延伸的毛细管状(1维毛细管构造)，在相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向上穿通疏松部分94。壁部97呈隔开相互邻接的孔96的壁状。如图5所示，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，壁部97设置成围住多个孔96的各自的外周。壁部97在疏松部分94的外周连续于紧密部分95。
设置在1个疏松部分94内的孔96的数量为例如50个以上、1000个以下。如图5所示，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，多个孔96彼此呈相互大致相同的大小。例如，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，多个孔96在疏松部分94内各向同性地均等地分散。例如，邻接的孔96彼此的距离(即壁部97的厚度)大致一定。
像这样，通过在疏松部分94内排列在1个方向上延伸的孔96，从而与疏松部分内在3维上随机分散有多个孔的情况相比，能够通过较小的偏差来实现对电弧放电的较高的抗性。
在此，对多个孔96的“毛细管状构造”进一步进行说明。
近几年，进一步推进了将半导体的高集成化为目的的电路线宽的细线化、电路间距的细微化。对静电吸盘外加更大的功率，要求以更高水准对吸附对象物进行温度控制。在这样的背景下，要求即使在大功率环境下也要确实地抑制电弧放电，同时充分确保气体流量，同时以较高精度控制该流量。在第1实施方式所涉及的静电吸盘110中，在为了防止氦供给孔(气体导入路53)中的电弧放电而以往就已经设置有的陶瓷塞子(第1多孔质部90)中，例如到数微米～十数微米的水准为止减小该孔径(孔96的直径)(对孔96的直径在以后进行详细叙述)。如果到该水准为止减小直径，则有可能难以控制气体的流量。于是，本发明中，例如，进一步对孔96的形状进行了研究，以便使其沿向Z方向。具体而言，以往是通过较大的孔来确保流量，而且通过使其形状在3维上变复杂来防止电弧放电。另一方面，本发明中，例如将孔96的直径到数微米～十数微米的水准为止进行细微来防止电弧放电，相反地通过将其形状单纯化来确保流量。即，基于完全不同于以往的思维而研究出了本发明。
并且，疏松部分94的形状并不局限于六角形，还可以是圆(或椭圆)及其他的多角形。例如，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，设想包括全部以10μm以下的间隔排列的多个孔96的最小的圆、椭圆或多角形。能够将该圆、椭圆或多角形的内侧作为疏松部分94而将该圆、椭圆或多角形的外侧认为紧密部分95。
图6(a)及图6(b)是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第1多孔质部的模式化俯视图。
图6(a)及图6(b)表示沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察的第1多孔质部90的一部分，是表示1个疏松部分94内的孔96的放大图。
如图6(a)所示，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，多个孔96具有：第1孔96a，位于疏松部分94的中心部；及6个孔96(第2～第7孔96b～96g)，围住第1孔96a。第2～第7孔96b～96g邻接于第1孔96a。第2～第7孔96b～96g是在多个孔96中最接近第1孔96a的孔96。
在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向正交的方向上，第2孔96b、第3孔96c与第1孔96a并排。即，第1孔96a位于第2孔96b与第3孔96c之间。
在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向正交的方向上，例如，第1孔96a的长度L6(第1孔96a的直径)，比第1孔96a与第2孔96b之间的长度L7更长，比第1孔96a与第3孔96c之间的长度L8更长。
并且，长度L7及长度L8分别相当于壁部97的厚度。即，在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向正交的方向上，长度L7是第1孔96a与第2孔96b之间的壁部97的长度。长度L8是第1孔96a与第3孔96c之间的壁部97的长度。长度L7与长度L8大致相等。例如，长度L7是长度L8的0.5倍以上、2.0倍以下。
另外，在与相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向正交的方向上，长度L6与第2孔96b的长度L9(第2孔96b的直径)大致相等，与第3孔96c的长度L10(第3孔96c的直径)大致相等。例如，长度L9及长度L10分别为长度L6的0.5倍以上、2.0倍以下。
例如，如果孔的直径较小，则对电弧放电的抗性及刚性提高。另一方面，如果孔的直径较大，则能够增加气体流量。孔96的直径(长度L6、L9或L10等)为例如1微米(μm)以上、20μm以下。通过排列直径为1～20μm的在1个方向上延伸的孔，能够通过较小的偏差来实现对电弧放电的较高的抗性。更优选孔96的直径为3μm以上、10μm以下。
在此，对孔96的直径的测定方法进行说明。使用扫描式电子显微镜(例如，日立高新技术公司、S-3000)通过1000倍以上的倍率取得图像。使用市场上销售的图像解析软件，对孔96算出相当于100个圆的直径，将该平均值作为孔96的直径。
进一步优选多个孔96的直径偏差。通过减小直径的偏差，从而能够更加精密地抑制流动的气体的流量及绝缘强度。作为多个孔96的直径的偏差，可利用在所述孔96的直径的算出中取得的相当于100个圆的直径的累积分布。具体而言，应用粒度分布测定中普遍使用的累积分布50vol％时的粒径D50(中位直径)及累积分布90vol％时的粒径D90的概念，用横轴为孔径(μm)、纵轴为相对孔量(％)时的孔96的累积分布曲线，求出该孔径的累积分布50vol％时的孔径(相当于D50直径)及累积分布90vol％时的孔径(相当于D90直径)。优选将多个孔96的直径的偏差抑制为满足D50：D90≤1：2的关系的程度。
壁部97的厚度(长度L7、L8等)为例如1μm以上、10μm以下。壁部97的厚度比紧密部分95的厚度更薄。
像这样，第1孔96a邻接于多个孔96中的6个孔96并被这些所围住。即，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，在疏松部分94的中心部，与1个孔96邻接的孔96的数量为6个。由此，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，能够以较高各向同性且较高密度配置多个孔96。由此，能够确保对电弧放电的抗性及在穿通孔15中流动的气体流量，同时能够提高第1多孔质部90的刚性。另外，能够抑制对电弧放电的抗性的偏差、在穿通孔15中流动的气体流量的偏差、第1多孔质部90的刚性的偏差。
图6(b)表示疏松部分94内的多个孔96的配置的其他例。如图6(b)所示，在该例子中，多个孔96以第1孔96a为中心以同心圆状配置。由此，当沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察时，能够以较高各向同性且较高密度配置多个孔。
并且，例如能够采用压出成形制造如以上说明的构造的第1多孔质部90。另外，能够通过使用扫描式电子显微镜等显微镜的观察来分别测定长度L0～L10。
对本说明书中的气孔率的评价进行说明。在此，以第1多孔质部90中的气孔率的评价为例进行说明。
取得如图3(a)的俯视图那样的图像，通过图像解析算出在多孔区域91中多个疏松部分94所占的比例R1。使用扫描式电子显微镜(例如，日立高新技术公司、S-3000)取得图像。将加速电压做成15kV、倍率做成30倍而取得BSE图像。例如，图像尺寸为1280×960像素，图像灰度为256级灰度。
使用图像解析软件(例如Win-ROOFVer6.5(三谷商事株式会社))算出在多孔区域91中多个疏松部分94的所占比例R1。
能够如以下所述地使用Win-ROOFVer6.5算出比例R1。
将评价范围ROI1(参照图3(a))作为包含全部疏松部分94的最小圆(或椭圆)。
进行基于单一阈值(例如0)的二值化处理，算出评价范围ROI1的面积S1。
进行基于2个阈值(例如0及136)的二值化处理，算出评价范围ROI1内的多个疏松部分94的合计面积S2。此时，进行疏松部分94内的填孔处理及被认为是干扰的较小面积区域的削除(阈值：0.002以下)。另外，通过图像的亮度、对比度来适当调整2个阈值。
作为对面积S1的面积S2的比例，算出比例R1。即，比例R1(％)＝(面积S2)/(面积S1)×100。
第1实施方式中，在多孔区域91中多个疏松部分94的所占比例R1为例如40％以上、70％以下，优选50％以上、70％以下。比例R1为例如60％左右。
取得如图5的俯视图那样的图像，通过图像解析算出在疏松部分94中多个孔96所占的比例R2。比例R2例如相当于疏松部分94的气孔率。使用扫描式电子显微镜(例如，日立高新技术公司、S-3000)取得图像。将加速电压做成15kV、倍率做成600倍而取得BSE图像。例如，图像尺寸为1280×960像素，图像灰度为256级灰度。
使用图像解析软件(例如Win-ROOFVer6.5(三谷商事株式会社))算出在疏松部分94中多个孔96的所占比例R2。
能够如以下所述地使用Win-ROOFVer6.5算出比例R1。
将评价范围ROI2(参照图5)做成疏松部分94的形状近似六角形。评价范围ROI2内包含设置于1个疏松部分94的全部孔96。
进行基于单一阈值(例如0)的二值化处理，算出评价范围ROI2的面积S3。
进行基于2个阈值(例如0及96)的二值化处理，算出评价范围ROI2内的多个孔96的合计面积S4。此时，进行孔96内的填孔处理及被认为是干扰的较小面积区域的削除(阈值：1以下)。另外，通过图像的亮度、对比度来适当调整2个阈值。
作为对面积S3的面积S4的比例，算出比例R2。即，比例R2(％)＝(面积S4)/(面积S3)×100。
第1实施方式中，在疏松部分94中多个孔96的所占比例R2(疏松部分94的气孔率)为例如20％以上、60％以下，优选30％以上、50％以下。比例R2为例如40％左右。
多孔区域91的气孔率例如为在多孔区域91中多个疏松部分94所占的比例R1与在疏松部分94中多个孔96所占的比例R2的乘积。例如，当比例R1为60％、比例R2为40％时，能够将多孔区域91的气孔率算出为24％左右。
通过使用具有这样的气孔率的多孔区域91的第1多孔质部90，从而能够确保穿通孔15中流动的气体流量，同时能够提高绝缘强度。
同样，能够算出陶瓷电介体基板、第2多孔质部70的气孔率。并且，优选对应于观察对象而将扫描式电子显微镜的倍率适当选择为例如数十倍～数千倍的范围。
图7(a)及图7(b)是例示第1实施方式所涉及的其他第1多孔质部的模式图。
图7(a)是沿着相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向进行观察的第1多孔质部90的俯视图，图7(b)相当于图7(a)的一部分的放大图。
如图7(a)及图7(b)所示，在该例子中，疏松部分94的平面形状为圆形。像这样，疏松部分94的平面形状还可以并不是六角形。
图8是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图8相当于图2所示的区域B的放大图。即，图8表示第1多孔质部90(致密区域93)与陶瓷电介体基板11的界面F1附近。并且，在该例子中，第1多孔质部90及陶瓷电介体基板11的材料使用氧化铝。
如图8所示，第1多孔质部90具有：第1区域90p，X方向或Y方向上位于陶瓷电介体基板11侧；及第2区域90q，X方向或Y方向上连续于第1区域90p。第1区域90p及第2区域90q是第1多孔质部90的致密区域93的一部分。
第1区域90p在X方向或Y方向上位于第2区域90q与陶瓷电介体基板11之间。第1区域90p是从界面F1在X方向或Y方向上离40～60μm左右的区域。即，第1区域90p的沿向X方向或Y方向的宽度W1(在垂直于界面F1的方向上的第1区域90p的长度)为例如40μm以上、60μm以下。
另外，陶瓷电介体基板11具有：第1基板区域11p，X方向或Y方向上位于第1多孔质部90(第1区域90p)侧；及第2基板区域11q，X方向或Y方向上连续于第1基板区域11p。将第1区域90p与第1基板区域11p设置成接触。第1基板区域11p在X方向或Y方向上位于第2基板区域11q与第1多孔质部90之间。第1基板区域11p是从界面F1在X方向或Y方向上离40～60μm左右的区域。即，第1基板区域11p的沿向X方向或Y方向的宽度W2(在垂直于界面F1的方向上的第1基板区域11p的长度)为例如40μm以上、60μm以下。
图9(a)及图9(b)是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图9(a)是图8所示的第1区域90p的一部分的放大图。图9(b)是图8所示的第1基板区域11p的一部分的放大图。
如图9(a)所示，第1区域90p包含多个粒子g1(晶粒)。另外，如图9(b)所示，第1基板区域11p包含多个粒子g2(晶粒)。
第1区域90p中的平均粒径(多个粒子g1的直径的平均值)不同于第1基板区域11p中的平均粒径(多个粒子g2的直径的平均值)。
由于第1区域90p中的平均粒径不同于第1基板区域11p中的平均粒径，因此在界面F1上能够提高第1多孔质部90的晶粒与陶瓷电介体基板11的晶粒的结合强度(界面强度)。例如，能够抑制第1多孔质部90从陶瓷电介体基板11发生剥离以及晶粒发生脱落。
并且，平均粒径可使用如图9(a)及图9(b)这样的截面图像中的晶粒的当量圆直径的平均值。当量圆直径是具有与作为对象的平面形状的面积相同面积的圆的直径。
也优选对陶瓷电介体基板11与第1多孔质部90进行一体化。通过将第1多孔质部90一体化于陶瓷电介体基板11，从而能够固定于陶瓷电介体基板11。由此，与通过粘接剂等将第1多孔质部90固定于陶瓷电介体基板11时相比，能够提高静电吸盘的强度。例如，能够抑制粘接剂的腐蚀、烧蚀等而静电吸盘发生老化。
在该例子中，第1基板区域11p中的平均粒径比第1区域90p中的平均粒径更小。由于第1基板区域11p中的粒径较小，因此在第1多孔质部与陶瓷电介体基板的界面上能够提高第1多孔质部与陶瓷电介体基板的结合强度。另外，由于第1基板区域中的粒径较小，因此能够提高陶瓷电介体基板11的强度，能够抑制制作时、流程中发生的应力而产生裂纹等的风险。例如，第1区域90p中的平均粒径为3μm以上、5μm以下。例如，第1基板区域11p中的平均粒径为0.5μm以上、2μm以下。第1基板区域11p中的平均粒径为第1区域90p中的平均粒径的1.1倍以上、5倍以下。
另外，例如，第1基板区域11p中的平均粒径比第2基板区域11q中的平均粒径更小。在接触第1区域90p而设置的第1基板区域11p中，例如在制造工序中的烧结时，优选通过与第1区域90p之间的扩散等相互作用而提高与第1区域90p之间的界面强度。另一方面，第2基板区域11q中，优选发挥陶瓷电介体基板11的材料本来的特性。通过使第1基板区域11p中的平均粒径比第2基板区域11q中的平均粒径更小，从而能够同时实现第1基板区域11p中的界面强度的确保及第2基板区域11q中的陶瓷电介体基板11的特性。
第1区域90p中的平均粒径还可以比第1基板区域11p中的平均粒径更小。由此，在第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11的界面上，能够提高第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11的结合强度。另外，由于第1区域90p中的平均粒径较小，因此第1多孔质部90的强度提高，所以能够抑制流程中粒子发生脱落，能够减少颗粒。
例如，在第1多孔质部90及陶瓷电介体基板11各自中，通过调整材料的组成、温度等烧结条件，从而能够调整平均粒径。例如，调整陶瓷材料的烧结中所加入的烧结助剂的量、浓度。例如，作为烧结助剂而使用的氧化镁(MgO)抑制晶粒的异常成长。
另外，与前述内容同样，还可以使第1区域90p中的平均粒径比第2基板区域11q中的平均粒径更小。这样，能够提高第1区域90p中的机械强度。
再次参照图2(a)对静电吸盘110的构造继续进行说明。静电吸盘110也可以还具有第2多孔质部70。能够将第2多孔质部70在Z方向上设置在第1多孔质部90与气体导入路53之间。例如，第2多孔质部70嵌入在基座板50的陶瓷电介体基板11侧。如图2(a)所示，例如在基座板50的陶瓷电介体基板11侧设置锪孔部53a。以筒状设置锪孔部53a。通过适当地设计锪孔部53a的内径，从而将第2多孔质部70嵌合于锪孔部53a。
第2多孔质部70的上面70U向基座板50的上面50U露出。第2多孔质部70的上面70U与第1多孔质部90的下面90L相对。在该例子中，第2多孔质部70的上面70U与第1多孔质部90的下面90L之间成为空间SP。空间SP还可以被第2多孔质部70及第1多孔质部90中的至少任意一个所填埋。即，第2多孔质部70与第1多孔质部90还可以并不接触。
第2多孔质部70具有：陶瓷多孔体71，具有多个孔；及陶瓷绝缘膜72。陶瓷多孔体71以筒状(例如圆筒形)被设置并嵌合于锪孔部53a。虽然优选第2多孔质部70的形状为圆筒形，但是并不限定于圆筒形。陶瓷多孔体71使用具有绝缘性的材料。陶瓷多孔体71的材料例如可以是Al2O3、Y2O3、ZrO2、MgO、SiC、AlN、Si3N4。陶瓷多孔体71的材料还可以是SiO2等的玻璃。陶瓷多孔体71的材料也可以是Al2O3-TiO2、Al2O3-MgO、Al2O3-SiO2、Al6O13Si2、YAG、ZrSiO4等。
陶瓷多孔体71的气孔率为例如20％以上、60％以下。陶瓷多孔体71的密度为例如1.5g/cm3以上、3.0g/cm3以下。在气体导入路53中流动的He等气体，通过陶瓷多孔体71的多个孔而从设置于陶瓷电介体基板11的穿通孔15送往槽14。
陶瓷绝缘膜72设置在陶瓷多孔体71与气体导入路53之间。陶瓷绝缘膜72比陶瓷多孔体71更致密。陶瓷绝缘膜72的气孔率为例如10％以下。陶瓷绝缘膜72的密度为例如3.0g/cm3以上、4.0g/cm3以下。陶瓷绝缘膜72设置于陶瓷多孔体71的侧面。
陶瓷绝缘膜72的材料例如使用Al2O3、Y2O3、ZrO2、MgO等。陶瓷绝缘膜72的材料还可以使用Al2O3-TiO2、Al2O3-MgO、Al2O3-SiO2、Al6O13Si2、YAG、ZrSiO4等。
陶瓷绝缘膜72通过喷镀形成于陶瓷多孔体71的侧面。喷镀是指如下方法，通过加热使涂覆材料熔化或软化，以微粒状进行加速，冲突于陶瓷多孔体71的侧面，对以偏平状压扁的粒子进行凝固、堆积而形成被膜。例如还可以通过物理汽相沉积(PVD(Physical VaporDeposition))、化学汽相沉积(CVD)、溶胶-凝胶法、气溶胶沉降法等来制作陶瓷绝缘膜72。作为陶瓷绝缘膜72，在通过喷镀形成陶瓷时，膜厚为例如0.05mm以上、0.5mm以下。
陶瓷电介体基板11的气孔率为例如1％以下。陶瓷电介体基板11的密度为例如4.2g/cm3。
如前所述，通过扫描式电子显微镜来测定陶瓷电介体基板11及第2多孔质部70中的气孔率。根据JIS(日本工业标准)C 2141 5.4.3测定密度。
当第2多孔质部70嵌合于气体导入路53的锪孔部53a时，处于陶瓷绝缘膜72与基座板50接触的状态。即，在向槽14引导He等气体的穿通孔15与金属制的基座板50之间，存在绝缘性较高的陶瓷多孔体71及陶瓷绝缘膜72。通过使用这样的第2多孔质部70，从而与只是将陶瓷多孔体71设置于气体导入路53时相比，能够发挥更高的绝缘性。
另外，X方向或Y方向上，能够使第2多孔质部70的尺寸比第1多孔质部90的尺寸更大。由于能够通过设置这样的第2多孔质部70来得到更高的绝缘强度，因此能够更加有效地抑制电弧放电的发生。
另外，设置于第2多孔质部70的多个孔与设置于第1多孔质部90的多个孔相比3维上更为分散，能够使第1多孔质部90的在Z方向上穿通的孔的比例比第2多孔质部70更多。由于能够通过设置具有3维上分散的多个孔的第2多孔质部70来得到更高的绝缘强度，因此能够更加有效地抑制电弧放电的发生。另外，通过设置在相对于Z方向以规定角度θ倾斜的方向上穿通的孔的比例较多的第1多孔质部90，能够实现气体流动的顺畅化。
另外，Z方向上能够使第2多孔质部70的尺寸比第1多孔质部90的尺寸更大。这样，由于能够得到更高的绝缘强度，因此能够更加有效地抑制电弧放电的发生。
另外，能够使设置于第2多孔质部70的多个孔的直径的平均值比设置于第1多孔质部90的多个孔的直径的平均值更大。这样，由于设置有孔的直径较大的第2多孔质部70，因此能够实现气体流动的顺畅化。另外，由于孔的直径较小的第1多孔质部90设置在吸附对象物侧，因此更加有效地抑制电弧放电的发生。
另外，由于能够减小多个孔的直径的偏差，因此能够更加有效地抑制电弧放电。
图10是例示第1实施方式所涉及的静电吸盘的第2多孔质部70的模式化剖视图。
图10是陶瓷多孔体71的截面的一部分的放大图。
在陶瓷多孔体71的内部，设置于陶瓷多孔体71的多个孔71p在X方向、Y方向及Z方向上呈3维地分散。换言之，陶瓷多孔体71呈在X方向、Y方向及Z方向上扩散的3维网状构造。多个孔71p在陶瓷多孔体71中例如随机分散。
由于多个孔71p在3维上分散，因此多个孔71p的一部分也会向陶瓷多孔体71的表面露出。因此，在陶瓷多孔体71的表面上形成有细微的凹凸部。即，陶瓷多孔体71的表面比较粗糙。通过陶瓷多孔体71的表面粗糙度，能够在陶瓷多孔体71的表面上容易形成喷镀膜即陶瓷绝缘膜72。例如，喷镀膜与陶瓷多孔体71的接触提高。另外，能够抑制陶瓷绝缘膜72发生剥离。
设置于陶瓷多孔体71的多个孔71p的直径的平均值比设置于多孔区域91的多个孔96的直径的平均值更大。孔71p的直径为例如10μm以上、50μm以下。通过孔的直径较小的多孔区域91，能够控制(限制)在穿通孔15中流动的气体流量。由此，能够抑制起因于陶瓷多孔体71的气体流量的偏差。如前所述，通过扫描式电子显微镜求出孔71p的直径及孔96的直径。
另外，还能够使设置于陶瓷多孔体71的多个孔71p的直径的平均值，比设置于多孔区域91的多个孔96的直径的平均值更小。由此，由于能够使电流难以流动，因此能够更加有效地抑制电弧放电的发生。
考虑所需的气体流量及电弧放电的抑制而适当决定多个孔71p的直径的平均值即可。
图11是例示第1实施方式所涉及的其他静电吸盘的模式化剖视图。
与图2(a)同样，图11例示第1多孔质部90的周边。
在该例子中，在设置于陶瓷电介体基板11的穿通孔15中，并未设置有孔部15b(连接第1多孔质部90与槽14的连接孔)。例如，穿通孔15的直径(沿向X方向的长度)在Z方向上并不发生变化，而是呈一定。
如图11所示，第1多孔质部90的上面90U的至少一部分，向陶瓷电介体基板11的第1主面11a侧露出。例如，第1多孔质部90的上面90U在Z方向上的位置与槽14的底在Z方向上位置相同。
像这样，还可以将第1多孔质部90配置于穿通孔15的大致整体。由于在穿通孔15中设置有直径较小的连接孔，因此能够加大在穿通孔15中流动的气体流量。另外，能够在穿通孔15的大部分中配置绝缘性较高的第1多孔质部90，能够得到对电弧放电的较高的抗性。
图12是例示第1实施方式所涉及的其他静电吸盘的模式化剖视图。
与图2(a)同样，图12例示第1多孔质部90的周边。
在该例子中，并未将第1多孔质部90一体化于陶瓷电介体基板11。
在第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11之间设置有粘接构件61(粘接剂)。通过粘接构件61将第1多孔质部90粘接于陶瓷电介体基板11。例如，粘接构件61设置在第1多孔质部90的侧面(致密区域93的侧面93s)与穿通孔15的内壁15w之间。第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11还可以并不接触。
粘接构件61例如使用硅酮粘接剂。粘接构件61例如是具有弹性的弹性构件。粘接构件61的弹性率例如比第1多孔质部90的致密区域93的弹性率更低，比陶瓷电介体基板11的弹性率更低。
在通过粘接构件61来粘接第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11的构造中，能够将粘接构件61作为对第1多孔质部90的热收缩与陶瓷电介体基板11的热收缩之差的缓冲材。
第2实施方式
图13(a)是例示第2实施方式所涉及的静电吸盘的模式化剖视图。
图13(b)是例示第2多孔质部70a的俯视图。
图14是例示第2实施方式所涉及的静电吸盘的变形例的模式化剖视图。
在前述的第1实施方式所涉及的静电吸盘的情况下，第2多孔质部70具有陶瓷多孔体71、陶瓷绝缘膜72。与此相对，在第2实施方式所涉及的静电吸盘的情况下，能够使第2多孔质部70a具有陶瓷多孔体73、致密部74、致密部75。能够使其他的构成要素相同于第1实施方式所涉及的静电吸盘的情况。
能够使陶瓷多孔体73例如相同于前述的陶瓷多孔体71。
能够使致密部75例如相同于前述的致密区域93。
致密部75接触陶瓷多孔体73或连续于陶瓷多孔体73(呈一体地形成)。如图13(b)所示，当沿着Z方向观察时，致密部75围住陶瓷多孔体73的外周。致密部75呈围住陶瓷多孔体73的侧面73s的筒状(例如圆筒状)。换言之，陶瓷多孔体73设置成在Z方向上穿通致密部75。从气体导入路53流入第2多孔质部70a的气体，通过设置于陶瓷多孔体73的多个孔而供向第1多孔质部90。
通过设置具有这样的陶瓷多孔体73的第2多孔质部70a，从而能够确保在穿通孔15中流动的气体流量，同时能够提高对电弧放电的抗性。另外，由于第2多孔质部70a具有致密部75，因此能够提高第2多孔质部70a的刚性(机械强度)。另外，由于第2多孔质部70a具有致密部74，因此能够进一步抑制电弧放电的发生。
致密部74比陶瓷多孔体73更致密。在向垂直于从基座板50朝向陶瓷电介体基板11的第1方向(Z方向)的平面(XY平面)进行投影时，构成为致密部74与第1孔部15b发生重叠，陶瓷多孔体73与第1孔部15b并不重叠。根据这样的结构，产生的电流迂回致密部74而流动。因此，由于能够加长电流流动的距离(导电路程)，所以电子难以被加速，以至于能够抑制电弧放电的发生。根据该静电吸盘，能够在确保气体流的同时有效地抑制电弧放电的发生。
在该例子中，在向垂直于Z方向的平面进行投影时，在致密部74的周围设置有陶瓷多孔体73。由于在与第1孔部15b相对的位置配置致密部74而提高对电弧放电的抗性，同时在其周围设置有陶瓷多孔体73，因此能够确保充分的气体流。即，能够同时实现电弧放电的降低及气体流动的顺畅化。
如图13(a)所示，还可以使致密部74的沿向Z方向的长度，比第2多孔质部70a的沿向Z方向的长度更小。在Z方向上，在致密部74与基座板50之间还可以设置陶瓷多孔体73。根据这样的结构，在抑制电弧放电的发生的同时能够实现气体流的顺畅化。
另外，如图14所示，致密部74的沿向Z方向的长度，还可以大致相同于第2多孔质部70a的沿向Z方向的长度。通过将致密部74的长度做成充分长，从而能够更加有效地抑制电弧放电的发生。
致密部74既可以由实质上并不具有孔的致密体所构成，如果比陶瓷多孔体73更致密，则还可以构成为具有多个孔。当致密部74具有多个孔时，优选使该孔的直径比陶瓷多孔体73所具有的孔的直径更小。
能够使致密部74的气孔率(百分比：％)比陶瓷多孔体73的气孔率(％)更低。因此，能够使致密部74的密度(克/立方厘米：g/cm3)比陶瓷多孔体73的密度(g/cm3)更高。
在此，当从陶瓷电介体基板11侧朝向基座板50侧的电流在孔部15b内部流动时，较多地发生电弧放电。因此，如果设置有具有较低气孔率的致密部74，则如图13(a)、图14所示，电流200迂回致密部74而流动。因此，由于能够加长电流200流动的距离(导电路程)，所以电子难以被加速，以至于能够抑制电弧放电的发生。
致密部74的气孔率例如为包含于致密部74的空间(孔)在致密部74的整个体积中所占的体积比例。陶瓷多孔体73的气孔率例如为包含于陶瓷多孔体73的空间(孔)在陶瓷多孔体73的整个体积中所占的体积比例。例如，陶瓷多孔体73的气孔率为5％以上、40％以下，优选10％以上、30％以下，致密部74的气孔率为0％以上、5％以下。此时，优选致密部74的气孔率为陶瓷多孔体73的气孔率的50％以下。
即，致密部74设置于陶瓷多孔体73。致密部74与孔部15b相对。致密部74的气孔率为陶瓷多孔体73的气孔率的50％以下。
另外，还可以使致密部74所具有的孔的直径成为陶瓷多孔体73所具有的孔的直径的80％以下。
而且，还可以使致密部74并不具有孔。
即使致密部74所具有的孔的直径为陶瓷多孔体73所具有的孔的直径的80％以下，或者致密部74并不具有孔，也能够得到与前述的具有气孔率时相同的效果。即，即使是这样，也由于能够加长电流200流动的距离(导电路程)，因此能够使电子难以被加速，以至于能够抑制电弧放电的发生。
在Z方向上，致密部74的气体导入路53侧的面既可以设置在陶瓷多孔体73的内部，也可以从陶瓷多孔体73的气体导入路53侧的面露出。致密部74的孔部15b侧的面既可以设置在陶瓷多孔体73的内部，也可以从陶瓷多孔体73的孔部15b侧的面露出。如果致密部74的孔部15b侧的面从陶瓷多孔体73的孔部15b侧的面露出，则能够加长绝缘距离，因此能够抑制孔部15b成为放电的路径。如果致密部74的气体导入路53侧的面从陶瓷多孔体73的气体导入路53侧的面露出，则能够加长绝缘距离，因此能够抑制孔部15b成为放电的路径。例如，如图14所示，优选致密部74从陶瓷多孔体73的气体导入路53侧的面到陶瓷多孔体73的孔部15b侧的面为止在Z方向上延伸。这样，能够进一步抑制电弧放电的发生。
另外，当沿着Z方向观察时，优选孔部15b与致密部74发生重叠。这样，通过致密部74能够更加确实地使在孔部15b内部从陶瓷电介体基板11侧流向基座板50侧的电流发生迂回。因此，由于能够加长绝缘距离，因此能够抑制孔部15b成为放电的路径。
图15是例示第2多孔质部70a的模式图。图15是沿着Z方向观察的第2多孔质部70a的俯视图。
如图15所示，陶瓷多孔体73具有多个疏松部分76、紧密部分77。多个疏松部分76分别具有多个孔。紧密部分77比疏松部分76更致密。即，紧密部分77是孔比疏松部分76更少的部分或实质上并不具有孔的部分。并且，能够使第2多孔质部70a的结构相同于前述的第1多孔质部90的结构。此时，能够使陶瓷多孔体73对应于多孔区域91，疏松部分76对应于疏松部分94，紧密部分77对应于紧密部分95。因此，省略对这些的详细说明。
在该例子中，在将第1多孔质部90a一体化于陶瓷电介体基板11且使第2多孔质部70a的结构相同于前述的第1多孔质部90的结构时，如果使第1多孔质部90a的多个孔的平均值大于第2多孔质部70a的多个孔的平均值，则能够进一步提高第1多孔质部90的机械强度，能够同时实现较高的击穿(arcing)抗性及强度。
另外，当沿着Z方向观察时，能够使致密部75の侧面75s与多个疏松部分76中最靠近侧面75s的疏松部分76之间的距离L21为100μm以上、1000μm以下。
图16表示沿着Z方向观察的第2多孔质部70a的一部分，相当于图15的放大图。
当沿着Z方向观察时，多个疏松部分76分别呈大致六角形(大致正六角形)。当沿着Z方向观察时，多个疏松部分76具有：第1疏松部分76a；及6个疏松部分76(第2～第7疏松部分76b～76g)，围住第1疏松部分76a。此时，能够使疏松部分76a～76g对应于疏松部分94a～94g。另外，能够使长度L21～L25对应于长度L1～L5。因此，省略对这些的详细说明。
图17表示沿着Z方向观察的第2多孔质部70a的一部分。图17是1个疏松部分76的周边的放大图。
如图17所示，在该例子中，疏松部分76具有：多个孔78；及壁部79，设置在多个孔78的彼此之间。此时，能够使疏松部分76对应于疏松部分94，紧密部分77对应于紧密部分95，孔78对应于孔96，壁部79对应于壁部97。因此，省略对这些的详细说明。
图18表示沿着Z方向观察的第2多孔质部70a的一部分，是表示1个疏松部分76内的孔78的放大图。
如图18所示，多个孔78具有：第1孔78a，位于疏松部分76的中心部；及6个孔78(第2～第7孔78b～78g)，围住第1孔78a。第2～第7孔78b～78g邻接于第1孔78a。第2～第7孔78b～78g是在多个孔78中最接近第1孔78a的孔78。此时，能够使第1孔78a对应于第1孔96a，第2孔78b对应于第2孔96b，第3孔78c对应于第3孔96c，第4孔78d对应于第4孔96d，第5孔78e对应于第5孔96e，第6孔78f对应于第6孔96f，第7孔78g对应于第7孔96g。因此，省略对这些的详细说明。
图19是例示第2实施方式所涉及的其他静电吸盘的模式化剖视图。
与图13(a)同样，图19例示第2多孔质部70a的周边。
在该例子中，在设置于陶瓷电介体基板11的穿通孔15中，并未设置有孔部15b(连接第1多孔质部90与槽14的连接孔)。例如，穿通孔15的直径(沿向X方向的长度)在Z方向上并不发生变化，而是呈一定。
如图19所示，第1多孔质部90的上面90U的至少一部分，向陶瓷电介体基板11的第1主面11a侧露出。例如，第1多孔质部90的上面90U在Z方向上的位置与槽14的底在Z方向上的位置相同。
像这样，还可以将第1多孔质部90配置于穿通孔15的大致整体。由于在穿通孔15中并未设置直径较小的连接孔，因此能够加大在穿通孔15中流动的气体流量。另外，能够在穿通孔15的大部分中配置绝缘性较高的第1多孔质部90，能够得到对电弧放电的较高的抗性。
图20是例示第2实施方式所涉及的其他静电吸盘的模式化剖视图。
与图13(a)同样，图20例示第1多孔质部90的周边。
在该例子中，并未将第1多孔质部90一体化于陶瓷电介体基板11。
在第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11之间设置有粘接构件61(粘接剂)。通过粘接构件61将第1多孔质部90粘接于陶瓷电介体基板11。例如，粘接构件61设置在第1多孔质部90的侧面(致密区域93的侧面93s)与穿通孔15的内壁15w之间。第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11还可以并不接触。
粘接构件61例如使用硅酮粘接剂。粘接构件61例如是具有弹性的弹性构件。粘接构件61的弹性率例如比第1多孔质部90的致密区域93的弹性率更低，比陶瓷电介体基板11的弹性率更低。
在通过粘接构件61来粘接第1多孔质部90与陶瓷电介体基板11的构造中，能够将粘接构件61作为对第1多孔质部90的热收缩与陶瓷电介体基板11的热收缩之差的缓冲材。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不局限于上述的内容。例如，虽然作为静电吸盘110而例示了利用库仑力的结构，但是即使是利用约翰逊拉别克力的结构也可以加以应用。另外，关于前述的实施方式，只要具备本发明的特征，则本领域技术人员适当加以设计变更的技术也包含在本发明的范围内。另外，只要技术上可行，则可对前述的各实施方式所具备的各要素进行组合，这些组合后的技术只要包含本发明的特征，则也包含在本发明的范围内。

Claims (17)

1.一种静电吸盘，具备：
陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面；
基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有气体导入路；
及第1多孔质部，设置在所述基座板与所述陶瓷电介体基板的所述第1主面之间且与所述气体导入路相对的位置，其特征为，
所述第1多孔质部具有分别具有多个孔且相互离开设置的多个疏松部分，
所述多个疏松部分分别在相对于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向以规定角度倾斜的方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征为，从所述气体导入路导入的气体可在所述多个孔中流通。
3.根据权利要求1或2所述的静电吸盘，其特征为，所述第1方向与所述疏松部分所延伸的方向之间的角度为5°以上、30°以下。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1多孔质部还具有紧密部分，其位于所述多个疏松部分的彼此之间且具有比所述疏松部分的密度更高的密度，
所述疏松部分具有设置在所述孔与所述孔之间的壁部，
在与相对于所述第1方向以规定角度倾斜的方向大致正交的方向上，所述壁部的尺寸的最小值小于所述紧密部分的尺寸的最小值。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1主面与所述第1多孔质部之间的第1孔部，
所述陶瓷电介体基板及所述第1多孔质部中的至少任意一个，具有位于所述第1孔部与所述第1多孔质部之间的第2孔部，
在大致正交于所述第1方向的第2方向上，所述第2孔部的尺寸比所述第1多孔质部的尺寸更小，比所述第1孔部的尺寸更大。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
设置于所述第2多孔质部的多个孔，比设置于所述第1多孔质部的多个孔在3维上更为分散，
在所述第1方向上穿通的孔的比例，所述第1多孔质部比所述第2多孔质部更多。
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，设置于所述第2多孔质部的多个孔的直径的平均值，比设置于所述第1多孔质部的多个孔的直径的平均值更大。
8.根据权利要求1～6中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，设置于所述第2多孔质部的多个孔的直径的平均值，比设置于所述第1多孔质部的多个孔的直径的平均值更小。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
还具备设置在所述第1多孔质部与所述气体导入路之间且具有多个孔的第2多孔质部，
设置在所述第1多孔质部的所述多个孔的直径的偏差，比设置在所述第2多孔质部的多个孔的直径的偏差更小。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
所述第1多孔质部及所述陶瓷电介体基板作为主成分而含有氧化铝，
所述陶瓷电介体基板的所述氧化铝的纯度，比所述第1多孔质部的所述氧化铝的纯度更高。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
还具备设置在所述第1多孔质部与所述气体导入路之间的第2多孔质部，
所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1主面与所述第1多孔质部之间的第1孔部，
所述第2多孔质部具有：陶瓷多孔体，具有多个孔；
及致密部，比所述陶瓷多孔体更致密，
在向垂直于从所述基座板朝向所述陶瓷电介体基板的第1方向的平面进行投影时，构成为所述致密部与所述第1孔部发生重叠，所述第2多孔部与所述第1孔部并不重叠。
12.根据权利要求11所述的静电吸盘，其特征为，
所述陶瓷多孔体具有：多个疏松部分，具有多个孔；及紧密部分，具有比所述疏松部分的密度更高的密度，
所述陶瓷多孔体中，
所述多个疏松部分分别在所述第1方向上延伸，所述紧密部分位于所述多个疏松部分的彼此之间，
所述疏松部分具有设置在所述孔的彼此之间的壁部，
在所述第2方向上，所述壁部的尺寸的最小值，比所述紧密部分的尺寸的最小值更小。
13.根据权利要求1～12中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
在将大致正交于所述第1方向的方向作为第2方向时，
所述第1多孔质部具有在所述第2方向上位于所述陶瓷电介体基板侧的第1区域，
所述陶瓷电介体基板具有在所述第2方向上位于所述第1区域侧的第1基板区域，
将所述第1区域与所述第1基板区域设置成接触，
所述第1区域中的平均粒径不同于所述第1基板区域中的平均粒径。
14.根据权利要求12或13任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述第1基板区域中的所述平均粒径，比所述第1区域中的所述平均粒径更小。
15.根据权利要求12～14中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，
所述陶瓷电介体基板包含第2基板区域，
所述第1基板区域位于所述第2基板区域与所述第1多孔质部之间，
所述第1基板区域中的所述平均粒径，比所述第2基板区域中的所述平均粒径更小。
16.根据权利要求15所述的静电吸盘，其特征为，所述第1区域中的所述平均粒径，比所述第2基板区域中的所述平均粒径更小。
17.根据权利要求12、13、15、16中任意一项所述的静电吸盘，其特征为，所述第1区域中的所述平均粒径，比所述第1基板区域中的所述平均粒径更小。
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