CN111128651A - 一种等离子体淋浴器电源控制方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000003574 free electron Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/248—Components associated with high voltage supply
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/248—Components associated with the control of the tube
- H01J2237/2485—Electric or electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种等离子体淋浴器电源控制方法,稳定弧流和灯丝电流,以此获得最佳发射电流。本方法涉及离子注入机,属于半导体器件制造领域。灯丝电源(3)用来加热灯丝(7),当灯丝温度达到电子的逸出功时,就会释电子;弧压电源(2)用来加速灯丝所释放的电子,向弧室(5)运动,最终在弧室上形成弧流;进入弧室的电子在磁铁(6)作用下轰击由气源(4)导入弧室的气体,用于产生使晶圆呈电中性的二次电子;电源控制器(1)是将弧压电源和灯丝电源进行闭环控制,通过将弧流与设定值A进行比较,将其偏差值再与设定值B进行比较来调节灯丝电流,直到弧流稳定在设定值A附近;同时使灯丝电流在限值设定值B以下,保护灯丝不会熔断。
Description
技术领域
本发明涉及一种等离子体淋浴器电源控制方法,应用到离子注入机中,属于半导体器件制造领域。
背景技术
等离子体淋浴器,实际上是一个直接加热式离子源。在半导体制造工艺装备离子注入机中,该部件对保障晶圆合格率起着至关重要的作用。
等离子体淋浴器,是利用加热的灯丝发出的自由电子在弧电压及磁场的驱动下,轰击气体分子产生二次电子,并在弧室内形成等离子体。等离子体里的二次电子会被经过的正离子束吸取出弧室,而低能的正离子会被离子束排除在外。从而二次电子就会与离子束一同到达晶圆,阻止了由于离子注入而形成的正离子体的产生,使得晶圆表面呈电中性,进而防止了尖端放电的出现。弧流的大小将直接影响二次电子的发射电流,发射电流是确保晶圆表面呈电中性的关键。弧流的大小是我们的控制目标。
本发明是通过电源控制器将弧压电源与灯丝电源进行闭环控制,实现弧流在设定值附近的自动稳定,以此来最佳稳定二次电子的发射电流;同时可使灯丝电流在设定限值以下,以保护灯丝不会由于过电流而熔断。
发明内容
如图1所示,等离子体淋浴器工作包括电源控制器(1)、弧压电源(2)、灯丝电源(3)、氙气源(4)、弧室(5)、磁铁(6)及灯丝(7)。其特征在于:
灯丝电源(3)加上一定的电流使灯丝(7)加热,当灯丝(7)的温度达到电子的逸出功时,灯丝(7)会释放自由电子。在灯丝(7)与弧室(5)之间加上一弧压电源(2),自由电子在弧电压的作用下,以一定的速度和能量进入弧室(5),最终吸附到弧室(5)上形成弧流。灯丝电流越大,弧流越大;灯丝电流越小,弧流越小。进入弧室(5)的自由电子在磁铁(6)的磁场作用下轰击由气源(4)送入弧室(5)的气体,产生二次电子,并在弧室(5)内形成等离子体。电源控制器(1)对灯丝电源(3)和弧压电源(2)进行闭环控制,以此来稳定灯丝电流与弧流,其控制方法如图2所示,其特征在于:
电源控制器(1)比较弧流(10)与设定值A(8),若偏差值小于误差范围,则使偏差比较信号向上调节;若偏差值大于误差范围,则使偏差比较信号向下调节;然后再将调节后的偏差比较信号与设定值B(9)进行比较,从而来稳定灯丝电流(11),以达到稳定弧流(10)的作用。同时保证灯丝电流在设定值B(9)限值之下。
本发明的优点是:
由于器件的反应时间在微秒级,因此该电源控制方法可能在等离子体淋浴器开始工作5ms内实现弧流和灯丝电流的稳定,简化了等离子体淋浴器起弧的工作过程,同时提高了其工作的稳定性,保证了晶圆的合格率。此外还能确保灯丝电流在最大允许的限值之下,防止灯丝被熔断,减小了后期维护成本。
附图说明
本发明的具体实施方式:
图1是本发明的等离子体淋浴器的框图
图2是本发明的电源控制方法图
具体实施方式
下面结合附图具体实施例对本发明作进一步介绍,但这些描述不作为对本发明的限定。
图1示意一种等离子体淋浴器电源控制方法,其包括:电源控制器(1)、弧压电源(2)、灯丝电源(3)、氙气源(4)、弧室(5)、磁铁(6)及灯丝(7)。灯丝电源(1)用来给等离子体淋浴器的灯丝(7)加热,当被加热的灯丝(7)温度达到电子的逸出功时,就会释放自由电子。弧压电源(2)连接在灯丝(7)与弧室(5)之间,产生弧压电场,用来加速灯丝(7)所释放的自由电子,向弧室(5)运动,最终吸附到弧室(5)上形成弧流(10);灯丝电流(11)越大,弧流(10)越大,灯丝电流(11)越小,弧流(10)越小。进入弧室(5)的自由电子在磁铁(6)的磁场作用下轰击由气源(4)送入弧室(5)的气体,生二次电子,并在弧室(5)内形成等离子体。
电源控制器(1)对弧压电源(2)和灯丝电源(3)实现闭环控制,其调节过程如图2所示。首先通过设置设定A(8)和设定值B(9),电源控制器(1)会给灯丝电源(3)触发信号来给定一个灯丝电流(11),在弧压电源(2)的作用下,会在弧室(5)内起弧,从而产生弧流(10)。然后电源控制器(1)将当前弧流(10)与设定值A(8)比较与运算,若偏差值小于误差范围,则使偏差比较信号向上调节;若偏差值大于误差范围,则使偏差比较信号向下调节。其次将调节后的偏差比较信号与设定值B(9)进行比较,从而来稳定灯丝电流(11),以达到稳定弧流(10)的作用。同时保证灯丝电流在设定值B(9)限值之下。
本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
Claims (2)
1.一种等离子体淋浴器电源控制方法,包括:电源控制器(1)、弧压电源(2)、灯丝电源(3)、气源(4)、弧室(5)、磁铁(6)及灯丝(7)。
2.一种等离子体淋浴器电源控制方法,其特征在于:灯丝电源(1)用来给等离子体淋浴器的灯丝(7)加热,当被加热的灯丝(7)温度达到电子的逸出功时,就会释放自由电子;弧压电源(2)用来加速灯丝(7)所释放的自由电子,向弧室(5)运动,最终吸附到弧室(5)上形成弧流;进入弧室(5)的自由电子在磁铁(6)的磁场作用下轰击由气源(4)送入弧室(5)的气体,用于产生使晶圆呈电中性的二次电子;电源控制器(1)是将弧压电源(2)和灯丝电源(3)进行闭环控制,通过将弧流当前值与设定值A(8)进行比较,将其偏差值再与设定值B(9)进行比较从而来调节灯丝电流,直到弧流值稳定在设定值A(8)的附近。以此达到获得二次电子最佳稳定的发射电流;同时可使灯丝电流在限值设定值B(9)以下,以保护灯丝不会由于过电流而熔断。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811309622.7A CN111128651A (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 一种等离子体淋浴器电源控制方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811309622.7A CN111128651A (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 一种等离子体淋浴器电源控制方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111128651A true CN111128651A (zh) | 2020-05-08 |
Family
ID=70495007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811309622.7A Pending CN111128651A (zh) | 2018-10-31 | 2018-10-31 | 一种等离子体淋浴器电源控制方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111128651A (zh) |
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