CN111105835B - 存储器读参考电压的确定方法 - Google Patents

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CN111105835B CN201911220037.4A CN201911220037A CN111105835B CN 111105835 B CN111105835 B CN 111105835B CN 201911220037 A CN201911220037 A CN 201911220037A CN 111105835 B CN111105835 B CN 111105835B
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Abstract

本发明提供一种存储器读参考电压的确定方法，所述存储器具有n个数据状态，所述数据状态对应的阈值电压依次升高，其中n为大于1的自然数，每一数据状态对应一初始读参考电压，该方法包括如下步骤：确定第n‑1个数据状态的读参考电压；获得第n‑1个数据状态的初始读参考电压与第n‑1个数据状态的读参考电压的差值；确定第n个数据状态的读参考电压：将第n个数据状态的初始读参考电压与差值之差作为基准，获得多个预设参考电压，将预设参考电压施加在存储器上，获得每一预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。本发明的优点是，极大地减少了读参考电压确定过程的读次数，且精度高，准确度高，能更好的满足用户需求。

Description

存储器读参考电压的确定方法
技术领域
本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种存储器读参考电压的确定方法。
背景技术
非易失性闪存(Nand flesh)颗粒是一种快速的存储介质，经常存储低密度奇偶校验编码数据，以便控制器对读取到的数据进行纠错。Nand flash颗粒的读写操作以页(Page)为单位，一个页内包含数千字节(KB)个存储器。
对于3D NAND产品，在使用的过程中会随时间产生各种可靠性问题，存储器的数据保持力(retention)的下降便是其中重要的一点，数据保持力的下降会极大的限制产品的使用寿命，进而威胁到存储数据的安全。
在实际的使用过程中，当控制器接收到数据读取指令时，会先对目标页施加缺省读参考电压(default read reference voltage)，然后根据缺省读参考电压从目标页中读取数据，进而确定存单元的数据状态。但是，在存储器的数据保持力下降的情况下，存储器的阈值电压会发生移动。该种情况下，若我们还依然对目标页施加该缺省读参考电压，会误读存储器的信息，会产生大量的错误位数(fail bit count，fbc)。
因此，如何确定存储单元的读参考电压，成为目前亟需解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种存储单元读参考电压的确定方法，其能够减少读参考电压确定过程的读次数，能更好的满足用户需求。
为了解决上述问题，本发明提供了一种存储器读参考电压的确定方法，所述存储器具有n个数据状态，所述数据状态对应的阈值电压依次升高，其中n为大于1的自然数，每一所述数据状态对应一初始读参考电压，所述方法包括如下步骤：确定第n-1个数据状态的读参考电压；获得第n-1个数据状态的初始读参考电压与第n-1个数据状态的读参考电压的差值；确定第n个数据状态的读参考电压：将第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差作为基准，获得多个预设参考电压，将所述预设参考电压施加在所述存储器上，获得每一预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。
进一步，确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法包括如下步骤：在所述存储器上依次施加多个参考电压，获得每一参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的参考电压作为第n-1个数据状态的读参考电压。
进一步，所述参考电压依次递增或者递减，所述错误位数逐渐减小，当错误位数增大时停止向所述存储器施加所述参考电压。
进一步，所述参考电压以一预设步长递增或者递减。
进一步，所述参考电压在(V(n-1)0+0.2)V～(V(n-1)0-0.3)V内取值，其中，V(n-1)0为第n-1个数据状态的初始读参考电压。
进一步，确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法包括如下步骤：粗调：在所述存储器上依次施加多个初级参考电压，所述初级参考电压以一第一步长改变，获得每一所述初级参考电压对应的错误位数；细调：将错误位数最小的初级参考电压作为基准，获得多个次级参考电压，所述次级参考电压以一第二步长改变，所述第二步长小于所述第一步长，将所述次级参考电压施加在所述存储器上，获得所述次级参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的所述次级参考电压作为第n-1个数据状态的读参考电压。
进一步，在粗调步骤中，所述初级参考电压以第一步长递增或者递减，所述错误位数逐渐减小，当错误位数增大时停止向所述存储器施加所述初级参考电压。
进一步，在细调步骤中，以错误位数最小的初级参考电压作为基准以所述第二步长向左或向右取值若干次，获得所述次级参考电压。
进一步，在确定第n个数据状态的读参考电压的步骤中，以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差作为起始电压，或以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增或者递减，获得所述预设参考电压。
进一步，所述起始电压以一预设步长递增或递减，获得所述预设参考电压。
进一步，获得每一所述预设参考电压对应的错误位数，所述错误位数逐渐减小，当错误位数增大时停止向所述存储器施加所述预设参考电压。
进一步，确定第n个数据状态的读参考电压的步骤包括以下步骤：粗调：以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差作为起始电压，或以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增或者递减，获得所述初级预设参考电压，在所述存储器上依次施加所述初级预设参考电压，所述初级预设参考电压以一第一步长改变，获得每一所述初级预设参考电压对应的错误位数；细调：将错误位数最小的初级预设参考电压作为基准，获得多个次级预设参考电压，所述次级预设参考电压以一第二步长改变，所述第二步长小于所述第一步长，将所述次级预设参考电压施加在所述存储器上，获得所述次级预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的次级预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。
进一步，在粗调步骤中，所述初级预设参考电压以第一步长递增或者递减，所述错误位数逐渐减小，当错误位数增大时停止向所述存储器施加所述初级预设参考电压。
进一步，在粗调步骤中，若所述初级预设参考电压递增或者递减时，所述错误位数一直增大，则改变所述初级预设参考电压的变化方向，使所述初级预设参考电压以所述第一步长递减或递增，以使所述错误位数逐渐减小。
进一步，在细调步骤中，以错误位数最小的初级预设参考电压作为基准，以所述第二步长向左或向右取值若干次，获得所述次级预设参考电压。
本发明的优点在于，采用两次低时延重试方法确定存储器的读参考电压，极大地减少了读参考电压确定过程的读次数，且精度高，准确度高，能更好的满足用户需求。
附图说明
图1是存储器中所有存储单元的阈值电压的统计分布图；
图2是阈值电压移动前后的示意图，其中阈值电压移动前采用虚线绘示，阈值电压移动后采用实线绘示；
图3是本发明存储器读参考电压的确定方法的一具体实施方式的步骤示意图；
图4是确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法的第一种方法的步骤示意图；
图5是存储器中所有存储单元在第n-1个数据状态及第n个数据状态阈值电压的统计分布图；
图6是确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法的第二种方法的步骤示意图；
图7是存储器中所有存储单元在第n-1个数据状态及第n个数据状态阈值电压的统计分布图；
图8是存储器中所有存储单元在第n-1个数据状态及第n个数据状态阈值电压的统计分布图；
图9是确定第n个数据状态的读参考电压的第一种方法的步骤示意图；
图10是存储器中所有存储单元在第n个数据状态及第n+1个数据状态阈值电压的统计分布图；
图11是确定第n个数据状态的读参考电压的第二种方法的步骤示意图；
图12是存储器中所有存储单元在第n个数据状态及第n+1个数据状态阈值电压的统计分布图；
图13是存储器中所有存储单元在第n-1个数据状态及第n个数据状态阈值电压的统计分布图；
图14是实测的读参考电压与采用现有的存储器读参考电压的确定方法确定的读参考电压的差值的累积分布图；
图15实测的读参考电压与采用本发明存储器读参考电压的确定方法确定的读参考电压的差值的累积分布图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的存储单元读参考电压的确定方法的具体实施方式做详细说明。
存储器存储信息的原理是通过改变存储在存储介质的电荷数量改变其阈值电压从而达到存储信息的目的。例如，处于擦除(erase)数据状态的存储单元，可以认为其存储介质中没有电子，故其阈值电压较小，一般小于0V，而对于存储数据状态的存储单元，存储介质中有电子，其阈值电压通常大于0V，因此，将阈值电压小于0V的情况认为其存储信息为1，而阈值电压大于0V的情况认为其存储信息为0，这样达到存储信息的目的。
随着技术的进步，目前可以实现在一个存储单元中存储多位信息，即多阶存储单元。其实现方法为：设计多组阈值电压，进而将存储器分为多个数据状态。
图1是存储器中所有存储单元的阈值电压的统计分布图。请参阅图1，横坐标为阈值电压，纵坐标为处于该阈值电压下的存储单元个数，当在存储器写入数据后，阈值电压统计分布近似于正态分布。在图1中，所述存储器包括八数据状态L1～L8态。从图1可以看出，每个数据状态的阈值电压均不相同，则在对其进行写操作时，需要施加对应的读参考电压，以从目标存储单元中读取数据，进而确定存储单元的数据状态。但是，在存储器的数据保持力下降的情况下，存储器的阈值电压会发生移动，通常会向左移。如图2所示，其为阈值电压移动前后的示意图，其中阈值电压移动前采用虚线绘示，阈值电压移动后采用实线绘示，阈值电压向左移动。在存储器的阈值电压已经移动的情况下，若我们还依然对目标存储单元施加初始读参考电压(即阈值电压移动之前的读参考电压)，会误读存储器的信息，从而产生大量的错误位数(fail bit count，fbc)。
因此，在对存储器进行读写操作之前，通常会进行读参考电压的调试，以使其符合要求，避免产生大量的错误位数。发明人发现，现有的读参考电压的调试方法耗时较长，不能满足需求。
所述存储器具有n个数据状态，所述数据状态对应的阈值电压依次升高，其中n为大于1的自然数，每一所述数据状态对应一初始读参考电压。发明人发现，在存储器的数据保持力下降的情况下，阈值电压高的数据状态的阈值电压移动幅度较大。鉴于上述原因，本发明提供了一种新的存储器读参考电压的确定方法，其能够降低读参考电压的调试的耗时，大大节约了时间，加快存储器的读写速度。
在本发明各个具体实施方式中，以所述存储器具有8个数据状态为例进行说明。可以理解的是，所述存储器的数据状态还可包括其他数量。
图3是本发明存储器读参考电压的确定方法的一具体实施方式的步骤示意图。请参阅图3，所述存储器读参考电压的确定方法包括如下步骤：
步骤S30，确定第n-1个数据状态的读参考电压。其中，所述第n-1个数据状态具有初始读参考电压V(n-1)0。
下面列举两种确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法。
图4是确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法的第一种方法的步骤示意图，图5是存储器中所有存储单元在第n-1个数据状态及第n个数据状态阈值电压的统计分布图，其中，图5仅示意性地绘示了第n-1个数据状态及第n个数据状态重叠区域的阈值电压的统计分布图；请参阅图4及图5，第一种确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法包括如下步骤：
步骤S40，在所述存储器上依次施加多个参考电压V1、V2 V3、V4……VX。
所述参考电压V1、V2 V3、V4……VX在V(n-1)0+0.2)V～(V(n-1)0-0.3)V内取值。
进一步，所述参考电压以一定的规律变化，例如，所述参考电压以一预设步长递增或者递减。当然，可以理解的是，所述预设步长可为固定步长，也可为可变步长。其中，所述预设步长为固定步长时，其值包括但不限于0.05V或0.025V等，其可为存储器读取设备本身设定的步长。在本具体实施方式中，在存储器的数据保持力下降的情况下，存储器的阈值电压会向左移动，则所述参考电压以一预设的固定步长递减，即所述参考电压从右至左取值。具体地说，如图5所示，在本具体实施方式中，所述参考电压自0.3V向左以0.05V的步长递减，进而获得多个参考电压。
步骤S41，获得每一参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的参考电压作为第n-1个数据状态的读参考电压。
对于存储器，其具有计算错误位数的功能，可直接获得该参考电压对应的错误位数。为了能够形象地说明错误位数与参考电压的关系，在图5中，可将所述参考电压所在直线与第n-1个数据状态及第n个数据状态之间围成的区域的面积作为错误数的判断依据。所述参考电压所在直线与第n-1个数据状态及第n个数据状态之间围成的区域的面积大，在错误位数大；所述参考电压所在直线与第n-1个数据状态及第n个数据状态之间围成的区域的面积小，则错误位数小。
请继续参考图5，在本具体实施方式中，随着所述参考电压依次递减，所述参考电压所在直线与第n-1个数据状态及第n个数据状态之间围成的区域的面积逐渐减小，即所述错误位数逐渐减小。当错误位数有增大的趋势时，即当所述错误位数由减小变为增大时停止向所述存储器施加所述参考电压。在已经施加在所述存储器上的参考电压中选取最小错误位数对应的参考电压作为第n-1个数据状态的读参考电压。从图5可以看出，参考电压V6对应的错误位数最小，则可将V6作为第n-1个数据状态的读参考电压。
图6是确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法的第二种方法的步骤示意图；请参阅图6，第二种确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法包括如下步骤：
粗调，图7是存储器中所有存储单元在第n-1个数据状态及第n个数据状态阈值电压的统计分布图，其中，图7仅示意性地绘示了第n-1个数据状态及第n个数据状态重叠区域的阈值电压的统计分布图，请参阅图6及图7：
步骤S60，在所述存储器上依次施加多个初级参考电压V10、V20、V30、V40……VX0。
所述参考电压V10、V20、V30、V40……VX0在V(n-1)0+0.2)V～(V(n-1)0-0.3)V内取值。所述初级参考电压以一第一步长改变。具体地说，所述初级参考电压以一第一步长递增或者递减。所述第一步长可为固定步长，也可为可变步长。其中，所述第一步长为固定步长时，其值包括但不限于0.05V或0.025V等，其可为存储器读取设备本身设定的步长。在本具体实施方式中，在存储器的数据保持力下降的情况下，存储器的阈值电压会向左移动，则所述初级参考电压以一固定的第一步长递减，即所述初级参考电压从右至左取值。具体地说，如图7所示，在本具体实施方式中，所述参考电压自0.3V向左以0.05V的步长递减，进而获得多个初级参考电压。
步骤S61，获得每一初级参考电压对应的错误位数。其中，错误位数的判断标准与第一种方法相同，不再赘述。在该步骤中，错误位数最小的初级参考电压可作为下一步骤的基准。例如，在本具体实施方式汇总，初级参考电压V60对应的错误位数最小，则可将初级参考电压V60下一步骤的基准。
细调，图8是存储器中所有存储单元在第n-1个数据状态及第n个数据状态阈值电压的统计分布图，其中，图8仅示意性地绘示了第n-1个数据状态及第n个数据状态重叠区域的阈值电压的统计分布图，请参阅图6及图8：
步骤S62，将步骤S61中获得的错误位数最小的初级参考电压作为基准，获得多个次级参考电压，所述次级参考电压以一第二步长改变，所述第二步长小于所述第一步长。所述第二步长可为固定步长，也可为可变步长。其中，所述第二步长为固定步长时，其值包括但不限于0.025V或0.0125V等，其可为存储器读取设备本身设定的步长。
具体地说，在本具体实施方式中，以步骤S61中获得的错误位数最小的初级参考电压V60作为基准以0.0125V的步长向左取值两次，并向右取值两次，获得所述次级参考电压V61、V62、V63、V64。
步骤S63，将所述次级参考电压施加在所述存储器上，获得所述次级参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的所述次级参考电压作为第n-1个数据状态的读参考电压。在本具体实施方式中，所述次级参考电压V62对应的错误位数最小，则将所述次级参考电压V61作为第n-1个数据状态的读参考电压。
在第二种确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法中，通过粗调步骤能够初步缩小读参考电压的范围，再通过细调进一步确定读参考电压，提高了确定读参考电压的准确度。
请继续参阅图3，步骤S31，获得第n-1个数据状态的初始读参考电压与第n-1个数据状态的读参考电压的差值。如上所述，每一个数据状态均具有一初始读参考电压，其可为所述存储器出厂时，各个数据状态的读参考电压。将第n-1个数据状态的初始读参考电压与在步骤S30中获得的第n-1个数据状态的读参考电压作差，获得一差值。例如，第n-1个数据状态的初始读参考电压为0.0575V，在步骤S30中获得的第n-1个数据状态的读参考电压为0.0375V，则两者的差值为0.02V。
请继续参阅图3，步骤S32，确定第n个数据状态的读参考电压：将第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差作为基准，获得多个预设参考电压，将所述预设参考电压施加在所述存储器上，获得每一预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。
下面列举两种确定第n个数据状态的读参考电压的方法。
图9是确定第n个数据状态的读参考电压的第一种方法的步骤示意图，图10是存储器中所有存储单元在第n个数据状态及第n+1个数据状态阈值电压的统计分布图，其中，图10仅示意性地绘示了第n个数据状态及第n+1个数据状态重叠区域的阈值电压的统计分布图。请参阅图9及图10，确定第n个数据状态的读参考电压的第一种方法包括如下步骤：
步骤S90，以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差作为起始电压，或以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增或者递减，获得所述预设参考电压。其中，所述预设参考电压可在(起始电压+0.2)V～(起始电压-0.3)V内取值。
进一步，所述预设参考电压以一定的规律变化，例如，所述预设参考电压以一预设步长递增或者递减。当然，可以理解的是，所述预设步长可为固定步长，也可为可变步长。其中，所述预设步长可为固定步长时，其值包括但不限于0.05V或0.025V等，其可为存储器读取设备本身设定的步长。
在本具体实施方式中，在存储器的数据保持力下降的情况下，存储器的阈值电压会向左移动，则所述预设参考电压选取为以预设的固定步长递减，即所述预设参考电压从右至左取值。例如，在步骤S31中获得的第n-1个数据状态的初始读参考电压与第n-1个数据状态的读参考电压的差值为0.02V，则以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与0.02V之差作为起始电压Vn1递减，获得多个预设参考电压。具体地说，如图10所示，以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差作为起始电压以0.05V步长递减，获得多个预设参考电压Vn1、Vn2、Vn3、Vn4……Vnx。
在本发明其他具体实施方式中，为了保证后续步骤中需要获取的第n个数据状态的读参考电压在所述预设参考电压的取值范围内，则可在第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增或者递减，获得所述预设参考电压。
请继续参阅图9及图10，步骤S91，将所述预设参考电压施加在所述存储器上，获得每一预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。其中，错误位数的判断标准在前文已经叙述，此处不再赘述。
进一步，在本具体实施方式中，随着所述预设参考电压递减，所述错误位数逐渐减小。当错误位数有增大的趋势时，即当所述错误位数由减小变为增大时停止向所述存储器施加所述预设参考电压。具体地说，如图10所示，当所述预设参考电压Vn5施加在存储器上时，所述错误位数由减小趋势变为增大趋势，则所述预设参考电压Vn4对应的错误位数最小，因此，将所述预设参考电压Vn4作为第n个数据状态的读参考电压。
其中，在该步骤中，随着所述参考电压的递减，若所述错误位数逐渐增大，而并非是逐渐减小，则说明最终要获取的读参考电压并不在所述预设参考电压取值范围内，则重复步骤S90并改变所述预设参考电压的变化方向，即以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差作为起始电压，或以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增，以使得错误位数逐渐减小。
图11是确定第n个数据状态的读参考电压的第二种方法的步骤示意图；请参阅图11，确定第n个数据状态的读参考电压的第二种方法包括如下步骤：
粗调，图12是存储器中所有存储单元在第n个数据状态及第n+1个数据状态阈值电压的统计分布图，其中，图12仅示意性地绘示了第n个数据状态及第n+1个数据状态重叠区域的阈值电压的统计分布图，请参阅图11及图12：
步骤S110，以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差作为起始电压，或以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增或者递减，获得所述初级预设参考电压。
所述初级预设参考电压可在(起始电压+0.2)V～(起始电压-0.3)V范围内取值。所述初级预设参考电压以一第一步长改变。具体地说，所述初级预设参考电压以一第一步长递增或者递减。所述第一步长可为固定步长，也可为可变步长。其中，所述第一步长为固定步长时，其值包括但不限于0.05V或0.025V等，其可为存储器读取设备本身设定的步长。在本具体实施方式中，在存储器的数据保持力下降的情况下，存储器的阈值电压会向左移动，则所述初级预设参考电压以一固定的第一步长递减，即所述初级预设参考电压从右至左取值。具体地说，如图12所示，以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差作为起始电压以0.05V步长递减，获得多个初级预设参考电压Vn1、Vn2、Vn3、Vn4……Vnx。
步骤S111，在所述存储器上依次施加所述初级预设参考电压，获得每一所述初级预设参考电压对应的错误位数。其中，错误位数的判断标准与前述判断标准相同，不再赘述。在该步骤中，错误位数最小的初级预设参考电压可作为下一步骤的基准。例如，在本具体实施方式中，所述预计预设参考电压以第一步长递减，所述初级预设参考电压对应的错误位数逐渐减小，当所述错误位数具有增大趋势时，停止向所述存储器施加初级预设参考电压，此时，初级预设参考电压Vn4对应的错误位数最小，则可将初级预设参考电压Vn4作为下一步骤的基准。
在步骤S111中，随着所述参考电压的递减，若所述错误位数逐渐增大，而并非是逐渐减小，则说明在该步骤中需要确定的初级预设参考电压并不在所述初级预设参考电压取值范围内，则重复步骤S110并改变所述预设参考电压的变化方向，即以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差作为起始电压，或以第n个数据状态的初始读参考电压Vn0与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增，以使得错误位数逐渐减小。
细调，图13是存储器中所有存储单元在第n-1个数据状态及第n个数据状态阈值电压的统计分布图，图13仅示意性地绘示了第n个数据状态及第n+1个数据状态重叠区域的阈值电压的统计分布图，请参阅图11及图13：
步骤S112，将步骤S111中获得的错误位数最小的初级预设参考电压作为基准，获得多个次级预设参考电压，所述次级预设参考电压以一第二步长改变，所述第二步长小于所述第一步长。所述第二步长可为固定步长，也可为可变步长。其中，所述第二步长为固定步长时，其值包括但不限于0.025V或0.0125V等，其可为存储器读取设备本身设定的步长。
具体地说，在本具体实施方式中，以步骤S111中获得的错误位数最小的次级预设参考电压Vn4作为基准以0.0125V的步长向左取值两侧，并向右取值两次，获得所述次级预设参考电压V41、V42、V43、V44。
步骤S113，将所述次级预设参考电压施加在所述存储器上，获得所述次级预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的所述次级预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。在本具体实施方式中，所述次级预设参考电压V41对应的错误位数最小，则将所述次级参考电压V41作为第n个数据状态的读参考电压。
在第二种确定第n个数据状态的读参考电压的方法中，通过粗调步骤能够初步缩小读参考电压的范围，再通过细调进一步确定读参考电压，提高了确定读参考电压的准确度。
本发明存储器读参考电压的确定方法将前一数据状态的读参考电压作为后一数据状态的读参考电压判断的基准，大大减少了在确定读参考电压时的读操作的次数，简单易行，节约时间，且能够提高校准精度。
图14是实测的读参考电压与采用现有的存储器读参考电压的确定方法确定的读参考电压的差值的累积分布图，图15实测的读参考电压与采用本发明存储器读参考电压的确定方法确定的读参考电压的差值的累积分布图，请参阅图14及图15，横坐标是实测的错误位数最小的读参考电压与通过算法推出的读参考电压的差异值，可以看出，图15所示图形更加收敛，80％以上的存储单元都正确地找到了读参考电压，这说明本发明存储器读参考电压的确定方法准确度高，且更精确。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，所述存储器具有多个数据状态，所述数据状态对应的阈值电压依次升高，每一所述数据状态对应一初始读参考电压，所述方法包括如下步骤：
确定第n-1个数据状态的读参考电压，所述读参考电压为错误位数最小的读参考电压，其中，n为大于1的自然数；
获得第n-1个数据状态的初始读参考电压与第n-1个数据状态的读参考电压的差值；
确定第n个数据状态的读参考电压：将第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差作为基准，获得多个预设参考电压，将所述预设参考电压施加在所述存储器上，获得每一预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。
2.根据权利要求1所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法包括如下步骤：
在所述存储器上依次施加多个参考电压，获得每一参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的参考电压作为第n-1个数据状态的读参考电压，其中，所述参考电压设置为，以所述初始读参考电压为基准增加或减少设定值。
3.根据权利要求2所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，所述参考电压依次递增或者递减，所述错误位数逐渐减小，当错误位数增大时停止向所述存储器施加所述参考电压。
4.根据权利要求3所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，所述参考电压以一预设步长递增或者递减。
5.根据权利要求2所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，所述参考电压在(V(n-1)0+0.2)V～(V(n-1)0-0.3)V内取值，其中，V(n-1)0为第n-1个数据状态的初始读参考电压。
6.根据权利要求1所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，确定第n-1个数据状态的读参考电压的方法包括如下步骤：
粗调：
在所述存储器上依次施加多个初级参考电压，所述初级参考电压以一第一步长改变，获得每一所述初级参考电压对应的错误位数，其中，所述初级参考电压设置为，以所述初始读参考电压为基准增加或减少设定值；
细调：
将错误位数最小的初级参考电压作为基准以第二步长向左和/或向右取值若干次，获得多个次级参考电压，所述第二步长小于所述第一步长，将所述次级参考电压施加在所述存储器上，获得所述次级参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的所述次级参考电压作为第n-1个数据状态的读参考电压。
7.根据权利要求6所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，在粗调步骤中，所述初级参考电压以第一步长递增或者递减，所述错误位数逐渐减小，当错误位数增大时停止向所述存储器施加所述初级参考电压。
8.根据权利要求1～7任意一项所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，在确定第n个数据状态的读参考电压的步骤中，以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差作为起始电压，或以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增或者递减，获得所述预设参考电压。
9.根据权利要求8所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，所述起始电压以一预设步长递增或递减，获得所述预设参考电压。
10.根据权利要求9所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，获得每一所述预设参考电压对应的错误位数，所述错误位数逐渐减小，当错误位数增大时停止向所述存储器施加所述预设参考电压。
11.根据权利要求1～7任意一项所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，确定第n个数据状态的读参考电压的步骤包括以下步骤：
粗调：
以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差作为起始电压，或以第n个数据状态的初始读参考电压与所述差值之差左移或右移一数值作为起始电压，递增或者递减，获得初级预设参考电压，在所述存储器上依次施加所述初级预设参考电压，所述初级预设参考电压以一第一步长改变，获得每一所述初级预设参考电压对应的错误位数；
细调：
将错误位数最小的初级预设参考电压作为基准，获得多个次级预设参考电压，所述次级预设参考电压以一第二步长改变，所述第二步长小于所述第一步长，将所述次级预设参考电压施加在所述存储器上，获得所述次级预设参考电压对应的错误位数，将错误位数最小的次级预设参考电压作为第n个数据状态的读参考电压。
12.根据权利要求11所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，在粗调步骤中，所述初级预设参考电压以第一步长递增或者递减，所述错误位数逐渐减小，当错误位数增大时停止向所述存储器施加所述初级预设参考电压。
13.根据权利要求12所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，在粗调步骤中，若所述初级预设参考电压递增或者递减时，所述错误位数一直增大，则改变所述初级预设参考电压的变化方向，使所述初级预设参考电压以所述第一步长递减或递增，以使所述错误位数逐渐减小。
14.根据权利要求11所述的存储器读参考电压的确定方法，其特征在于，在细调步骤中，以错误位数最小的初级预设参考电压作为基准，以所述第二步长向左或向右取值若干次，获得所述次级预设参考电压。
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