CN111081523B - 间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室，间距调节装置包括：间距调节模块，其用于使第一部件与第二部件之间保持间距，并根据设定间距值调节间距；间距调节模块包括用于使第一部件与第二部件之间发生相对位移的驱动单元和用于使驱动单元连接至第一部件或第二部件中任意一方的连接单元；驱动单元包括马达或气缸；连接单元包括连接杆与连接件；连接间距调节模块的控制模块，其用于设定间距值，并控制间距调节模块调节间距。本发明通过控制模块实时控制间距调节模块对第一部件与第二部件之间的间距进行调节，实现了对刻蚀工艺腔室中工艺气体喷淋头与晶圆静电卡盘间距的实时且连续的调节，节省了设备维护成本，提高了工艺的可调性。

Description

间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造设备领域，特别是涉及一种间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室。

背景技术

在半导体制造的干法刻蚀或薄膜沉积等工艺制程中，工艺气体喷淋头与晶圆之间的间距是工艺过程的重要可调参数之一。通过调整该间距数值，可以有效调节等离子体的密度、分布以及离子轰击(ion bombardment)强度，从而得到理想的工艺结果。

目前，在需要改变该间距尺寸的刻蚀工艺腔室中，一般通过在包含工艺气体喷淋头的部件与腔室固定结构间安装不同尺寸的调节垫块，实现对不同间距尺寸的调节。根据工艺制程的调试要求，还可以通过设置多种具有相近尺寸的调节垫块以实现对该间距尺寸的微调。

然而，上述调节方法需要通过设备的维护实现，伴随着腔室的开腔拆卸、维护和重新安装。这不但耗时耗力，增加了额外的设备维护成本，也存在设备维护异常导致宕机的风险。并且，上述调节后还伴随着设备复机、先导片验证等流程，导致单一腔室无法根据间隙实时切换工艺制程，从而难以及时应对线上产品对不同间距的切换要求。此外，可以调节的间距尺寸也受限于调节垫块设置的数量，无法得到连续的间距可调值，这也不利于对工艺参数的调试。

因此，有必要提出一种新的间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室，解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室，用于解决现有技术中需要通过设备维护调节喷淋头与晶圆之间的间距的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种间距调节装置，用于调节第一部件与第二部件之间的间距，其特征在于，包括：

间距调节模块，其用于使所述第一部件与所述第二部件之间保持间距，并根据设定的间距值对所述间距进行调节；所述间距调节模块包括用于使所述第一部件与所述第二部件之间发生相对位移的驱动单元和用于使所述驱动单元连接至所述第一部件和所述第二部件中的任意一方的连接单元；所述驱动单元包括马达或气缸；所述连接单元包括连接杆与连接件；

连接所述间距调节模块的控制模块，其用于设定所述间距值，并根据所述间距值控制所述间距调节模块调节所述间距。

作为本发明的一种可选方案，所述连接杆包括螺杆；所述连接件包括内螺纹连接件。

作为本发明的一种可选方案，所述控制模块包括间距值设置单元、限位单元、间距量测单元和控制单元；所述间距值设置单元连接所述控制单元，用于设置所述间距值并向所述控制单元输出所述间距值；所述限位单元连接所述第一部件和/或所述第二部件，用于对所述第一部件和/或所述第二部件的移动位置进行限位，所述限位单元还连接所述控制单元并将限位结果输出至所述控制单元；所述间距量测单元分别连接所述控制单元、所述第一部件和所述第二部件，用于实时量测所述第一部件与所述第二部件之间的实际间距值，并将所述实际间距值输出至所述控制单元；所述控制单元还连接所述驱动单元，用于根据所述间距值、所述限位结果和所述实际间距值控制所述驱动单元调节所述第一部件与所述第二部件之间的所述间距。

作为本发明的一种可选方案，所述限位单元包括限位结构和限位传感器；所述限位结构连接所述第一部件和/或所述第二部件，用于对所述第一部件和/或所述第二部件的移动位置进行限位；所述限位传感器连接所述控制单元，用于检测所述限位结构的所述限位结果并将所述限位结果输出至所述控制单元。

作为本发明的一种可选方案，所述间距量测单元包括间距传感器；所述间距传感器设置于所述第一部件和所述第二部件中的任意一方上，用于实时量测所述第一部件与所述第二部件之间的实际间距值；所述间距传感器还连接所述控制单元并将所述实际间距值输出至所述控制单元。

作为本发明的一种可选方案，所述间距调节模块包括第一间距调节模块，当所述间距调节装置用于调节所述第一部件和所述第二部件之间的间距时，所述第一间距调节模块与所述第一部件连接。

作为本发明的一种可选方案，所述间距调节模块还包括第二间距调节模块，当所述间距调节装置用于调节所述第一部件和所述第二部件之间的间距时，所述第二间距调节模块与所述第二部件连接。

本发明还提供了一种半导体设备，其特征在于：所述半导体设备包括如本发明所述的间距调节装置。

本发明还提供了一种刻蚀工艺腔室，包括：

用于容纳晶圆进行刻蚀工艺的密封腔室结构；

活动连接所述密封腔室顶部的顶部基板，所述顶部基板的下方设有用于喷淋工艺气体的工艺气体喷淋头，所述工艺气体喷淋头位于所述密封腔室内部；

活动连接所述密封腔室底部的底部平台，所述底部平台的上方设有用于固定晶圆的晶圆静电卡盘，所述晶圆静电卡盘位于所述密封腔室内部；

连接所述顶部基板的第一驱动单元，用于驱动所述顶部基板与所述密封腔室发生相对位移；

连接所述底部平台的第二驱动单元，用于驱动所述底部平台与所述密封腔室发生相对位移；

连接所述第一驱动单元和所述第二驱动单元的控制模块，用于控制所述第一驱动单元驱动所述顶部基板与所述密封腔室发生相对位移，以及控制所述第二驱动单元驱动所述底部平台与所述密封腔室发生相对位移，以调节所述工艺气体喷淋头和所述晶圆静电卡盘之间的间距；

所述控制模块包括间距值设置单元、限位单元、间距量测单元和控制单元；

所述间距值设置单元连接所述控制单元，用于设置所述工艺气体喷淋头和所述晶圆静电卡盘之间的间距值并向所述控制单元输出所述间距值；

所述限位单元包括限位结构和限位传感器，所述限位结构连接所述顶部基板和/或所述底部平台，用于对所述顶部基板和/或所述底部平台相对所述密封腔室的移动位置进行限位，所述限位传感器连接所述控制单元，用于检测所述限位结构的所述限位结果并将所述限位结果输出至所述控制单元；

所述间距量测单元连接所述顶部基板和/或所述底部平台，用于实时量测所述工艺气体喷淋头与所述晶圆静电卡盘之间的实际间距值；所述间距量测单元还连接所述控制单元并将所述实际间距值输出至所述控制单元；

所述控制单元还连接所述第一驱动单元和所述第二驱动单元，用于根据所述间距值、所述限位结果和所述实际间距值控制所述第一驱动单元和所述第二驱动单元调节所述工艺气体喷淋头和所述晶圆静电卡盘之间的所述间距。

作为本发明的一种可选方案，所述顶部基板与所述密封腔室之间设有活动密封结构；所述底部平台与所述密封腔室之间设有活动密封结构。

如上所述，本发明提供一种间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室，具有以下有益效果：

本发明通过引入一种新的间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室，通过所述控制模块实时控制所述间距调节模块对第一部件与第二部件之间的间距进行调节，实现了对刻蚀工艺腔室中工艺气体喷淋头与晶圆静电卡盘间距的实时且连续的调节，节省了设备维护成本，提高了工艺的可调性。

附图说明

图1显示为本发明实施例一中提供的间距调节装置的连接关系示意图。

图2显示为本发明实施例二中提供的间距调节装置的连接关系示意图。

图3显示为本发明实施例三中提供的半导体设备的截面示意图。

图4显示为本发明实施例三中提供的半导体设备的悬挂杆的俯视图。

元件标号说明

101 间距调节模块

101a 驱动单元

101b 连接单元

102 控制模块

102a 间距值设置单元

102b 限位单元

102c 间距量测单元

102d 控制单元

201 第一部件

202 第二部件

301 第一间距调节模块

301a 第一驱动单元

301b 第一连接单元

302 控制模

302a 间距值设置单元

302b 限位单元

302c 间距量测单元

302d 控制单元

303 第二间距调节模块

303a 第二驱动单元

303b 第二连接单元

401 第一部件

402 第二部件

501 工艺气体喷淋头

502 晶圆静电卡盘

503 腔室壁

504 顶盖

505 底座

506 底部平台

507 供气管路

508 晶圆

509 马达

510 第一连接块

511 螺杆

512 悬挂杆

512a 内螺纹结构

512b 悬挂连接杆

512c 悬挂连接件

513 顶部基板

514 气缸

514a 第一气缸

514b 第二气缸

515 第二连接块

516 支撑杆

517 传动杆

518 第一接头

519 第二接头

520 限位结构

521 限位传感器

522 间距量测传感器

523 活动密封圈

524 波纹管

525 第一密封环

526 第二密封环

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。

实施例一

请参阅图1，本实施例提供了一种间距调节装置，用于调节第一部件201与第二部件202之间的间距，其特征在于，包括：

间距调节模块101，其用于使所述第一部件201与所述第二部件202之间保持间距，并根据设定的间距值对所述间距进行调节；所述间距调节模块101包括用于使所述第一部件201与所述第二部件202之间发生相对位移的驱动单元101a和用于使所述驱动单元101a连接至所述第一部件201和所述第二部件202中的任意一方的连接单元101b；所述驱动单元101a包括马达或气缸；所述连接单元101b包括连接杆与连接件；

连接所述间距调节模块101的控制模块102，其用于设定所述间距值，并根据所述间距值控制所述间距调节模块101调节所述间距。

如图1所示，本实施例中所提供的第一部件201与第二部件202包括半导体工艺设备等机械设备中需要保持并调节间距的两个部件结构。通过所述间距调节模块101可以使所述第一部件201与所述第二部件202之间在保持一定间距的前提下，对所述间距的大小进行调节。而所述控制模块102则连接所述间距调节模块101，根据设定的间距值，控制所述间距调节模块101调节所述间距。

作为示例，如图1所示，所述间距调节模块101包括：

驱动单元101a，其用于使所述第一部件201与所述第二部件202之间发生相对位移；

连接单元101b，其用于使所述驱动单元101a连接至所述第一部件201或所述第二部件202中的任意一方。

在图1中，所述间距调节模块101中的所述驱动单元101a用于提供驱动力，驱使所述第一部件201与所述第二部件202中的任意一方相对另一方产生位移，从而调节间距。所述驱动单元101a通过所述连接单元101b与所述第一部件201或所述第二部件202中的任意一方相连接。可选地，所述驱动单元101a包括马达或气缸，所述连接单元101b包括连接杆与连接件。具体地，当所述驱动单元101a为马达时，所述连接杆包括螺杆；所述连接件包括内螺纹连接件。通过所述马达驱动所述螺杆旋转，进而带动内螺纹连接件产生位移。

作为示例，如图1所示，所述控制模块102包括间距值设置单元102a、限位单元102b、间距量测单元102c和控制单元102d。所述间距值设置单元102a用于输入设定的间距值，并将所设间距值输出至所述控制单元102d，所述控制单元102d连接所述驱动单元101a，并根据所设间距值控制所述驱动单元101a进行驱动。所述控制单元102d还分别连接至所述限位单元102b和所述间距量测单元102c。所述限位单元102b分别连接所述第一部件201和/或所述第二部件202，对其相对位置进行限位，并将间距是否超过限位极限值等限位结果反馈至所述控制单元102d，所述控制单元102d根据限位结果控制所述驱动单元101a的动作。所述间距量测单元102c分别连接所述第一部件201与所述第二部件202，以实时量测所述第一部件201与所述第二部件202之间的间距，并将实时的间距值反馈至所述控制单元102d，所述控制单元102d根据实时间距值与设定的间距值调整所述驱动单元101a的动作。可选地，所述限位单元102b包括限位结构和限位传感器，所述限位结构连接所述第一部件201和/或所述第二部件202，用于对所述第一部件201和/或所述第二部件202的移动位置进行限位；所述限位传感器连接所述控制单元102d，用于检测所述限位结构的所述限位结果并将所述限位结果输出至所述控制单元102d；所述间距量测单元102c包括间距传感器，所述间距传感器设置于所述第一部件201和所述第二部件202中的任意一方上，用于实时量测所述第一部件201与所述第二部件202之间的实际间距值；所述间距传感器还连接所述控制单元102d并将所述实际间距值输出至所述控制单元102d。

实施例二

请参阅图2，本实施例提供了一种间距调节装置，与实施例一中的方案相比，本实施例的区别在于，本实施例中所设间距调节模块为多个。具体地，本实施例中设置了两个所述间距调节模块，分别为第一间距调节模块301与第二间距调节模块303。

如图2所示，所述第一间距调节模块301与所述第二间距调节模块303分别连接至所述第一部件401与所述第二部件402。具体地，所述第一间距调节模块301包括第一驱动单元301a和第一连接单元301b；所述第二间距调节模块303包括第二驱动单元303a和第二连接单元303b。其中，所述第一驱动单元301a通过所述第一连接单元301b连接至所述第一部件401；所述第二驱动单元303a通过所述第二连接单元303b连接至所述第二部件402。本实施例通过为所述第一部件401与所述第二部件402分别设置对应的间距调节模块，进一步增加了本发明所述间距调节装置的间距调节能力。

作为示例，所述第一驱动单元301a和所述第二驱动单元303a包括马达和气缸，可以都选用马达或者都选用气缸，或者其中一方选用马达而另一方选用气缸。而所述第一连接单元301b和所述第二连接单元303b则可以根据驱动单元的不同设置进行相应选择。

作为示例，控制模块302包括间距值设置单元302a、限位单元302b、间距量测单元302c和控制单元302d。以上各个单元的设置与实施例一中所述基本相同。其中，所述控制单元302d还连接至所述第二驱动单元303a，即，所述控制单元302d能够同时控制所述第一驱动单元301a和所述第二驱动单元303a的动作。例如，当所述第一部件401与所述第二部件402之间的间距需要从30mm调整至20mm时，所述控制单元302d可以控制所述第一驱动单元301a驱动所述第一部件401向所述第二部件402相对移动5mm，同时控制所述第二驱动单元303a驱动所述第二部件402向所述第一部件401相对移动5mm，从而使所述第一部件401与所述第二部件402相对移动10mm。

实施例三

请参阅图3，本实施例提供了一种半导体设备，其特征在于：所述半导体设备包括如实施例二中所提供的间距调节装置。

作为示例，所述半导体设备包括半导体干刻设备的刻蚀工艺腔室，所述间距调节装置用于调节工艺气体喷淋头501与晶圆静电卡盘502之间的间距值d。

如图3所示，半导体干刻设备的刻蚀工艺腔室具有由腔室壁503、顶盖504和底座505构成的密封腔室结构。其中，所述工艺气体喷淋头501设置于所述顶部基板513上，所述晶圆静电卡盘502设置于底部平台506上。在刻蚀工艺过程中，工艺气体通过供气管路507供给至所述工艺气体喷淋头501，在射频电源的作用下形成等离子体，并对所述晶圆静电卡盘502上固定的晶圆508进行刻蚀。可以看出，所述工艺气体喷淋头501与晶圆表面的距离才是工艺过程需要控制的间距，然而由于晶圆本身较薄，以上间距可以用所述工艺气体喷淋头501与所述晶圆静电卡盘502之间的间距进行近似。图中还未展示的是，所述供气管路507是连通于所述工艺气体喷淋头501的。所述顶盖504和所述底座505在图中未显示的部分分别还连接固定于其他固定结构上。所述顶部基板513中还包含射频电源等其他未展示的结构。还要指出的是，本实施例为了清楚展示本发明的主要方案，省去了所述刻蚀工艺腔室中晶圆传输系统、终点检测系统及抽真空系统等其他次要部件，且实际刻蚀工艺腔室还可包含更为复杂的结构和布局。

如图2和图3所示，在本实施例所提供的刻蚀工艺腔室中，所述间距调节装置中所设的间距调节模块为两个，其部件和连接关系可参考实施例二中的图2所示。在图2中，所述第一部件401代表了所述工艺气体喷淋头501及其所在的顶部基板513，而所述第二部件402代表了晶圆静电卡盘502及其所在的底部平台506。此外，在图3中仅展示了控制模块302的部分单元，并未画出所述间距值设置单元302a和所述控制单元302d的对应部件。

如图2和图3所示，所述第一间距调节模块301的所述第一驱动单元301a对应于图3中的马达509，所述第一连接单元301b包括图3中的第一连接块510、螺杆511和具有内螺纹结构的悬挂杆512。所述第一连接块510将所述马达509的转轴连接于所述螺杆511，所述螺杆511连接于所述悬挂杆512的内螺纹结构中，并能通过旋转与所述悬挂杆512产生上下相对位移。其中，所述马达509固定于图中未显示出的固定结构上，可选地，可以与所述顶盖504固定于同一固定结构上。通过上述结构设置，当所述马达509驱动时，在所述螺杆511的转动下，所述悬挂杆512通过其内螺纹结构的传动，实现上下位移，进而带动所述顶部基板513及下方的所述工艺气体喷淋头501。如图4所示，是所述悬挂杆512的俯视图，在所述悬挂杆512的中心位置设有所述内螺纹结构512a，外围共设有三根悬挂连接杆512b，并在末端设有对应数量的悬挂连接件512c，以连接到所述顶部基板513。此外，所述悬挂连接杆512b的数量还可以根据实际需要进行增减，例如，设为两根或四根。

如图2和图3所示，所述第二间距调节模块303的所述第二驱动单元303a对应于图3中的气缸514，所述第二连接单元303b包括图3中的第二连接块515、支撑杆516和传动杆517。其中，所述支撑杆516连接固定所述底部平台506，所述第二连接块515将所述支撑杆516固定于所述传动杆517上，所述传动杆517的两端分别连接至第一气缸514a和第二气缸514b，所述第一气缸514a和所述第二气缸514b的活塞杆分别通过第一接头518和第二接头519连接固定于所述底座505上。当所述气缸514驱动时，带动所述传动杆517上下位移，进而带动所述支撑杆516和所述底部平台506产生上下位移。此外，所述气缸514还可通过其两侧的螺栓及底部的底板固定于所述传动杆517上，以提升传动结构的稳定性。还需要指出的是，本实施例中，设置了所述第一气缸514a和所述第二气缸514b等两个气缸驱动所述传动杆517，而在本发明的其他实施案例中，还可以根据实际需求对气缸的数量进行增减，所述传动杆517的外形结构也可以根据气缸数量的变化进行调整。此外，在所述第一气缸514a和所述第二气缸514b处可以分别加装侦测气缸位移量的传感器，以更精确地反馈气缸的实际位移量。

如图2和图3所示，所述控制模块302中的限位单元302b包括限位结构520和限位传感器521。所述限位传感器521固定于所述悬挂杆512上，所述限位结构520固定于所述顶盖504上。当所述悬挂杆512带动所述顶部基板513上下移动时，所述限位传感器521将限位于其上方和下方的限位结构中，当所述限位传感器521靠近或碰触到所述限位结构520时，将碰触信号发送至所述控制单元302d，所述控制单元302d将控制所述马达509停止动作，以防止所述顶部基板513的位置过高或过低。所述限位传感器521可以是接触式传感器，也可以是光学传感器。

如图2和图3所示，所述控制模块302中的间距量测单元302包括间距量测传感器522。所述间距量测传感器522可以为多个，并均匀分布于所述工艺气体喷淋头501的外围。其用于实时量测所述工艺气体喷淋头501与所述晶圆静电卡盘502之间的间距值d，并将该间距值d实时反馈至所述控制单元302d，所述控制单元302d根据设定的间距值与反馈的实时间距值d控制所述第一间距调节模块301或所述第二间距调节模块303进一步动作，以调整所述工艺气体喷淋头501与所述晶圆静电卡盘502之间的间距。所述间距量测传感器522可以选用激光测距传感器。

作为示例，如图3所示，所述工艺气体喷淋头501或所述晶圆静电卡盘502所在的活动部件与所述刻蚀工艺腔室的固定部件之间设有活动密封结构。具体地，在本实施例中，所述工艺气体喷淋头501所在的所述顶部基板513与所述顶盖504之间设有活动密封圈523，所述活动密封圈523紧贴所述顶部基板513与所述顶盖504设置，并且在所述顶部基板513与所述顶盖504之间出现相对位移时也能确保密封性能。所述晶圆静电卡盘502所在的所述底部平台506与所述底座505之间设有波纹管524，所述波纹管524套设在所述支撑杆516外围，且其与所述底部平台506的连接处设有第一密封环525，其与所述底座505的连接处设有第二密封环526，当所述底部平台506相对于所述底座505进行上下移动时，所述波纹管524能够伸缩并配合所述底部平台506的移动，并通过所述第一密封环525和所述第二密封环526确保其密封性能。通过以上密封结构的设置，进一步确保了刻蚀工艺腔室在引入本发明所述间距调节装置后的密封性能，防止因密封性能低下而影响工艺稳定性。

通过本实施例所提供的刻蚀工艺腔室，工艺调试人员可以在不进行开腔维护的前提下，对所述工艺气体喷淋头501与所述晶圆静电卡盘502之间的间距值d进行连续的调整。这不但大幅节省了刻蚀设备的维护成本，减少了维护所耗费的人力物力，也提升了刻蚀设备的工艺调节能力以及整体稼动时间。

综上所述，本发明提供了一种间距调节装置、半导体设备及刻蚀工艺腔室，所述间距调节装置包括：间距调节模块，其用于使所述第一部件与所述第二部件之间保持间距，并根据设定的间距值对所述间距进行调节；连接所述间距调节模块的控制模块，其用于设定所述间距值，并根据所述间距值控制所述间距调节模块调节所述间距。本发明通过所述控制模块实时控制所述间距调节模块对第一部件与第二部件之间的间距进行调节，实现了对刻蚀工艺腔室中工艺气体喷淋头与晶圆静电卡盘间距的实时且连续的调节，节省了设备维护成本，提高了工艺的可调性。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种间距调节装置，用于调节第一部件与第二部件之间的间距，其特征在于，包括：

间距调节模块，其用于使所述第一部件与所述第二部件之间保持间距，并根据设定的间距值对所述间距进行调节；所述间距调节模块包括用于使所述第一部件与所述第二部件之间发生相对位移的驱动单元和用于使所述驱动单元连接至所述第一部件和所述第二部件中的任意一方的连接单元；所述驱动单元包括马达或气缸；所述连接单元包括连接杆与连接件；

连接所述间距调节模块的控制模块，其用于设定所述间距值，并根据所述间距值控制所述间距调节模块调节所述间距；

所述控制模块包括间距值设置单元、限位单元、间距量测单元和控制单元；所述间距值设置单元连接所述控制单元，用于设置所述间距值并向所述控制单元输出所述间距值；所述限位单元连接所述第一部件和/或所述第二部件，用于对所述第一部件和/或所述第二部件的移动位置进行限位，所述限位单元还连接所述控制单元并将限位结果输出至所述控制单元；所述间距量测单元分别连接所述控制单元、所述第一部件和所述第二部件，用于实时量测所述第一部件与所述第二部件之间的实际间距值，并将所述实际间距值输出至所述控制单元；所述控制单元还连接所述驱动单元，用于根据所述间距值、所述限位结果和所述实际间距值控制所述驱动单元调节所述第一部件与所述第二部件之间的所述间距。

2.根据权利要求1所述的间距调节装置，其特征在于：所述连接杆包括螺杆；所述连接件包括内螺纹连接件。

3.根据权利要求1所述的间距调节装置，其特征在于：所述限位单元包括限位结构和限位传感器；所述限位结构连接所述第一部件和/或所述第二部件，用于对所述第一部件和/或所述第二部件的移动位置进行限位；所述限位传感器连接所述控制单元，用于检测所述限位结构的所述限位结果并将所述限位结果输出至所述控制单元。

4.根据权利要求1所述的间距调节装置，其特征在于：所述间距量测单元包括间距传感器；所述间距传感器设置于所述第一部件和所述第二部件中的任意一方上，用于实时量测所述第一部件与所述第二部件之间的实际间距值；所述间距传感器还连接所述控制单元并将所述实际间距值输出至所述控制单元。

5.根据权利要求1所述的间距调节装置，其特征在于：所述间距调节模块包括第一间距调节模块，当所述间距调节装置用于调节所述第一部件和所述第二部件之间的间距时，所述第一间距调节模块与所述第一部件连接。

6.根据权利要求5所述的间距调节装置，其特征在于：所述间距调节模块还包括第二间距调节模块，当所述间距调节装置用于调节所述第一部件和所述第二部件之间的间距时，所述第二间距调节模块与所述第二部件连接。

7.一种半导体设备，其特征在于：所述半导体设备包括如权利要求1至6中任意一项所述的间距调节装置。

8.一种刻蚀工艺腔室，其特征在于，包括：

用于容纳晶圆进行刻蚀工艺的密封腔室；

活动连接所述密封腔室顶部的顶部基板，所述顶部基板的下方设有用于喷淋工艺气体的工艺气体喷淋头，所述工艺气体喷淋头位于所述密封腔室内部；

活动连接所述密封腔室底部的底部平台，所述底部平台的上方设有用于固定所述晶圆的晶圆静电卡盘，所述晶圆静电卡盘位于所述密封腔室内部；

连接所述顶部基板的第一驱动单元，用于驱动所述顶部基板与所述密封腔室发生相对位移；

连接所述底部平台的第二驱动单元，用于驱动所述底部平台与所述密封腔室发生相对位移；

连接所述第一驱动单元和所述第二驱动单元的控制模块，用于控制所述第一驱动单元驱动所述顶部基板与所述密封腔室发生相对位移，以及控制所述第二驱动单元驱动所述底部平台与所述密封腔室发生相对位移，以调节所述工艺气体喷淋头和所述晶圆静电卡盘之间的间距；

所述控制模块包括间距值设置单元、限位单元、间距量测单元和控制单元；

所述间距值设置单元连接所述控制单元，用于设置所述工艺气体喷淋头和所述晶圆静电卡盘之间的间距值并向所述控制单元输出所述间距值；

所述限位单元包括限位结构和限位传感器，所述限位结构连接所述顶部基板和/或所述底部平台，用于对所述顶部基板和/或所述底部平台相对所述密封腔室的移动位置进行限位，所述限位传感器连接所述控制单元，用于检测所述限位结构的限位结果并将所述限位结果输出至所述控制单元；

所述间距量测单元连接所述顶部基板和/或所述底部平台，用于实时量测所述工艺气体喷淋头与所述晶圆静电卡盘之间的实际间距值；所述间距量测单元还连接所述控制单元并将所述实际间距值输出至所述控制单元；

所述控制单元还连接所述第一驱动单元和所述第二驱动单元，用于根据所述间距值、所述限位结果和所述实际间距值控制所述第一驱动单元和所述第二驱动单元调节所述工艺气体喷淋头和所述晶圆静电卡盘之间的所述间距。

9.根据权利要求8所述的刻蚀工艺腔室，其特征在于：所述顶部基板与所述密封腔室之间设有活动密封结构；所述底部平台与所述密封腔室之间设有活动密封结构。

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