CN111077382A - 线圈的可靠性试验装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及线圈的可靠性试验装置。本发明一实施方式的试验装置包括：第一测量端子，其与作为试验评价对象的第一线圈的一端连接；第二测量端子，其与所述第一线圈的另一端连接；直流电源，其与所述第一测量端子连接；第一半导体开关，其连接在所述第二测量端子与地之间；和驱动部，其使所述第一半导体开关导通、截止。本发明能够诊断线圈的寿命故障模式中的异常。

Description

线圈的可靠性试验装置
技术领域
本发明涉及线圈的可靠性试验装置。
背景技术
由于线圈有各种故障模式，因此需要使用与故障模式相对应的试验装置，来诊断线圈是正常还是异常。线圈的故障模式分为由于施加电流时的发热导致的电流故障模式，和由于施加电压而发生绝缘击穿的绝缘故障模式。绝缘故障模式还分为因对线圈施加超过额定电压的过电压而发生绝缘击穿的过电压故障模式，和因反复施加接近额定电压的电压而发生绝缘击穿的寿命故障模式。
通过从直流电源将与诊断条件对应的电流施加到被测线圈，测量施加后的线圈的L(电感)、Q(品质因子)、R(电阻)和Z(阻抗)等特性值，能够诊断电流故障模式中是否存在异常。
通过对被测线圈施加大大超过该线圈的额定电压的脉冲电压，评价在该线圈两端产生的衰减振荡电压，能够诊断过电压故障模式中是否存在异常。在日本特开2012-058221号公报和日本特开2017-211280号公报中公开了这种试验装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-058221号公报
专利文献2：日本特开2017-211280号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在用于诊断寿命故障模式中的异常的可靠性试验装置中，需要反复施加与诊断条件对应的电压，同时防止被测线圈(即作为试验对象的线圈)中发生其他模式下的异常。因此，在线圈的可靠性试验装置中，希望对被测线圈施加电流的时间短，以防止在电流故障模式下发生异常，并且希望大于所需的大电压不施加到被测线圈，以使得在过电压故障模式下不发生异常。然而，到目前为止还没有满足这些要求的线圈的可靠性试验装置。
近年来，很难发生磁饱和的金属磁性材料已被用作供大电流流过的线圈的磁性材料。由于由金属磁性材料制成的磁性成形体中容易发生绝缘故障模式下的问题或故障，因此不仅需要诊断过电压故障模式下是否存在异常，也非常需要诊断寿命故障模式下是否存在异常。
本发明的目的在于解决或减轻上述问题的至少一部分。本发明的一个更具体的目的在于提供一种用于诊断线圈的寿命故障模式中是否存在异常的可靠性试验装置。本发明的其他目的通过整个说明书的记载来阐明。
用于解决技术问题的技术方案
依照本发明一实施方式的试验装置，其包括：第一测量端子，其与作为试验评价对象的第一线圈的一端连接；第二测量端子，其与所述第一线圈的另一端连接；直流电源，其与所述第一测量端子连接；第一半导体开关，其连接在所述第二测量端子与地之间；和驱动部，其使所述第一半导体开关导通、截止。
在本发明的一个实施方式中，所述第一半导体开关是FET开关，其栅极与所述驱动部连接，其漏极与所述第二测量端子连接，其源极连接地。
在本发明的一个实施方式中，还包括电压限制元件，其将所述第一半导体开关截止时施加到所述第一线圈的反电动势限制为第一电压。
在本发明的一个实施方式中，所述电压限制元件是稳压二极管。
在本发明的一个实施方式中，在所述第一测量端子和所述第二测量端子之间，与所述第一线圈串联地连接至少第二线圈。
在本发明的一个实施方式中，在所述第一测量端子和所述第二测量端子之间，与所述第一线圈并联地连接至少第二线圈。
在本发明的一个实施方式中，所述第二线圈的一端与所述第一测量元件连接，所述第二线圈的另一端与第三测量端子连接，还包括连接在所述第三测量端子与地之间的第二半导体开关。
依照本发明一实施方式的试验装置，还包括连接在所述第二测量端子与地之间的电容器。
依照本发明一实施方式的试验装置，还包括测量所述线圈的特性值的测量部。
发明效果
依照本说明书公开的试验装置，能够诊断线圈的寿命故障模式中的异常。
附图说明
图1是概略地表示依照本发明一实施方式的试验装置的功能的框图。
图2是说明在图1的试验装置中产生的反电动势的概略曲线图。
图3是示意性地表示依照本发明另一实施方式的试验装置的功能的框图。
图4是示意性地表示依照本发明另一实施方式的试验装置的功能的框图。
图5是示意性地表示依照本发明另一实施方式的试验装置的功能的框图。
图6是示意性地表示依照本发明另一实施方式的试验装置的功能的框图。
附图标记说明
10、110、210 试验装置
11a，11b、11c 测量端子
12、12a、12b 线圈
20、120、220 电压施加单元
21 直流电源
22、22a、22b MOSFET
23、23a、23b 稳压二极管
24 驱动部
25 直流电源
30 测量部。
具体实施方式
在下文中，适当地参考附图，对本发明的各种实施方式进行说明。另外，对多个图中相同的构成要素,在该多个附图中标注相同的附图标记。
首先，参照图1和图2，对依照本发明的一实施方式的试验装置10进行说明。图1是概略地表示依照本发明的一实施方式的试验装置10的功能的框图，图2是说明在试验装置10中产生的反电动势的概略曲线图。
如图所示，试验装置10包括：电压施加单元20，其对被测线圈(作为试验对象的线圈)12施加电压；和测量部30，其进行用于诊断线圈12的故障的测量。被测线圈12经由测量端子11a和测量端子11b连接到试验装置10。线圈12的一端连接到测量端子11a，另一端连接到测量端子11b。线圈12也可以直接连接到测量端子11a和测量端子11b，或者也可以通过未图示的探针间接连接。测量部30经由切换部31a和切换部31b与线圈12并联地连接到电压施加单元20。以这种方式，电感器12选择性地连接到电压施加单元20或者测量部30。即，电感器12根据切换部31a和切换部31b的切换而仅电连接到电压施加单元20和测量部30的一者。
电压施加单元20包括直流电源21、MOSFET 22、稳压二极管23和驱动部24。电压施加单元20在通过切换部31a和切换部31b将测量部30从线圈12断开的期间动作。电压施加单元20利用这些构成要素和必要时其他电路元件对线圈12反复施加规定电压，从而可以对该线圈12施加与在实际电路(例如，DC－DC转换器的开关电路)中长期使用的情况下同样的电压应力。
直流电源21连接在测量端子11a与地之间，对被测线圈12施加直流电压VD。
MOSFET 22是MOS场效应晶体管，其根据从驱动部24施加到栅极的施加电压而导通、截止(ON、OFF)。MOSFET22连接在测量端子11b与地之间。更具体而言，MOSFET 22的栅极、漏极与源极分别连接到驱动部24、测量端子11b和地。在图2中，示出N沟道型MOSFET作为MOSFET 22，但是也可以使用P沟道型MOSFET。
MOSFET 22是根据来自驱动部24的施加电压而导通、截止的半导体开关的示例。能够适用于本发明的半导体开关不限于MOSFET 22。作为能够适用于本发明的半导体开关，可以使用除MOSFET之外的各种FET。作为本发明的半导体开关，除了MOSFET之外，还可以使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)、双极晶体管(Bip-Tr)、结型场效应晶体管(J-FET)和其他各种半导体开关。
驱动部24基于二进制的控制信号Sc对MOSFET 22的栅极供给驱动信号。控制信号Sc例如是高电平和低电平这样的二进制信号。当控制信号Sc为低电平时供给从驱动部24到MOSFET 22的驱动信号，当控制信号Sc为高电平时则不供给从驱动部24到MOSFET 22的驱动信号。在MOSFET 22中，当由于来自驱动部24的驱动信号的输入而MOSFET 22的栅极电压VG超过阈值电压时，电流在漏极与源极之间流动。MOSFET 22优选具有比该在漏极与源极之间流动的电流大的额定漏极电流值。由驱动部24对MOSFET 22的驱动方式不限于本说明书中明确说明的驱动方式。
稳压二极管23是具有规定的击穿电压VA的稳压二极管。稳压二极管23连接在MOSFET 22的源极与漏极之间。稳压二极管23的阳极连接到MOSFET 22的漏极，阴极连接到MOSFET 22的源极。由此，稳压二极管23能够将源极与漏极之间的电压限制为其击穿电压VA，因此能够保护MOSFET 22免受MOSFET 22截止时产生的反电动势的影响。利用稳压二极管23，能够将MOSFET 22截止时施加到线圈12的反电动势限制为击穿电压VA与直流电源电压VD之差VA－VD。当MOSFET 22的耐电压大于反电动势时，可以省略稳压二极管23。稳压二极管23是电压限制元件的示例，该电压限制元件限制因作为半导体开关的MOSFET 22截止时产生的反电动势而施加到线圈12的浪涌电压。稳压二极管23是具有规定的击穿电压VA的二极管。击穿电压中有由齐纳击穿确定的击穿电压和由雪崩击穿确定的击穿电压。有时将由齐纳击穿确定击穿电压的稳压二极管称为齐纳二极管。有时将由雪崩击穿确定击穿电压的稳压二极管称为雪崩二极管。有时也将齐纳二极管(在狭义上)和雪崩二极管统称为齐纳二极管(广义上)。由雪崩击穿引起的击穿电压可能大于由齐纳击穿而引起的击穿电压，因此优选使用雪崩二极管作为稳压二极管23以进行需要高电压的试验。
MOSFET 22截止时产生的反电动势与MOSFET 22的输出电容Coss成反比。因此，优选MOSFET 22的输出电容Coss低，使得能够用小电流产生试验中所需大小的反电动势。
测量部30构成为进行用于诊断线圈12中是否存在异常的测量。测量部30可以在试验装置10所具有的显示器(未示出)或外部装置的显示器上显示测量值。也可以在测量部30中设置显示测量值的显示器。
在一个实施方式中，测量部30构成为测量线圈12的特性值。能够由测量部30测量的线圈12的特性值包括L、Q、R、Z和IR。测量部30可以构成为测量线圈12的L、Q、R、Z和IR中的一个或多个。线圈12的特性值能够由例如LQR计、阻抗分析器、绝缘电阻计和其他各种测量装置来测量。也就是说，测量部30可以为LQR计、阻抗分析器、绝缘电阻计和其他各种测量装置。测量部30能够在显示器上显示关于所测量的线圈12的电感值、电阻值，和/或可用于其它线圈12的故障诊断的测量值。进行试验的试验者能够基于显示器上显示的测量部30的测量值来判断线圈12中是否存在异常。
测量部30也可以包括存储部、判断部、显示部、通信部和控制部。测量部30的这些构成要素经由例如总线彼此电连接。存储部能够存储从测量部30获得的测量值、线圈12是否存在异常的判断结果、用于该判断的阈值以及控制其他试验装置10所需的各种信息。也可以在存储部中存储控制程序。判断部可以构成为通过比较存储于存储部中的阈值与测量部30的测量值来确定线圈12中是否存在异常。显示部可以构成为显示测量部30的测量值、判断部的判断结果和其他各种信息。通信部可以构成为将测量部30的测量值、判断部的判断结果和其他信息发送到外部装置，并从外部装置接收所需信息。控制部构成为控制存储部、判断部、显示部、通信部和其他功能。控制部是将存储于存储部中的控制程序加载到存储器中并执行所加载的程序中包含的命令的运算装置。
测量部30可以与电压施加单元20一起设置在一个装置中，也可以设置在与电压施加单元20不同的装置中。在测量部30与电压施加单元20一起设置在一个装置中的情况下，测量部30经由切换部31a和切换部31b与线圈12并联地连接到电压施加单元20。在电压施加单元20对线圈12施加电压的期间，切换部31a和切换部31b进行切换以使得将电压施加单元20连接到线圈12而将测量部30从线圈12和电压施加单元20断开电连接。在完成试验所需的电压应力的施加之后(例如，在MOSFET 22导通、截止规定次数之后)，对切换部31a和切换部31b进行切换，以将测量部30连接到线圈12而将电压施加单元20从线圈12和测量部30断开电连接。在该切换后，由测量部30对线圈12进行测量。在测量部30设置在与电压施加单元20不同的装置的情况下，使由电压施加单元20施加了所需电压的线圈12从电压施加单元20分离，将该线圈12设置在设置有测量部30的装置的测量端子之间从而由测量部30进行测量。
下面，参照图2，对试验装置10的动作进行说明。试验装置10具有的电路中，存在线圈12的寄生电容和寄生电阻以及其他寄生成分(寄生电容、寄生电感和寄生电阻)。然而，由于这些寄生成分是十分小的值，因此在试验装置10的动作说明中忽略它们，除非试验装置10的动作受到实质性影响。
在使用试验装置10的试验中，首先，利用电压施加单元20将与试验条件对应的电压以与试验条件对应的次数施加到被测线圈12，将与实际使用环境相同程度的电压应力施加该线圈12，然后利用测量部30测量该被施加了电压应力的线圈的特性值。在下文中，将依次说明利用电压施加单元20对线圈12反复施加电压的动作和利用测量部30测量线圈12的特性值的动作。
为了进行试验，首先，将被测线圈12连接到测量端子11a和测量端子11b。此外，将切换部31a和切换部31b断开以使测量部30从电压施加单元20断开电连接。
接着，将低电平控制信号Sc提供给电压施加单元20的驱动部24。驱动部24根据该控制信号Sc将驱动信号供给到MOSFET 22。利用该驱动信号，栅极电压VG在时刻t1达到阈值电压，由此MOSFET22导通。也就是说，在时刻t1，栅极电压VG达到阈值电压，电流在MOSFET22的漏极与源极之间流动。由此，线圈电流IL也流过相对于直流电源21与MOSFET 22串联连接的线圈12。由于线圈电流IL随着栅极电压VG的增加而增加，因此线圈电流IL的波形具有如图所示的三角波形状。
接着，当控制信号Sc从低电平切换到高电平时，不再从驱动部24向MOSFET 22供给驱动信号。其结果，栅极电压VG在时刻t2变得低于阈值电压，MOSFET 22截止。当MOSFET 22截止时，在漏极与源极之间以及线圈12中流动的线圈电流IL瞬间被切断。因此，在控制装置10的电路中产生反电动势VDS，在MOSFET 22的漏极与源极之间以及线圈12的两端分别施加由该反电动势VDS引起的浪涌电压。当该反电动势大于稳压二极管23的击穿电压VA时，在MOSFET 22的漏极与源极之间施加与击穿电压VA相同大小的浪涌电压，在线圈12的两端施加击穿电压VA与直流电源的电压VD之差VA－VD也即浪涌电压。当电压施加单元20不包括稳压二极管23时，在MOSFET 22的漏极与源极之间施加作为浪涌电压的反电动势VDS，在线圈12的两端施加作为浪涌电压的、相当于反电动势V DS与直流电源的电压VD之差的电压(VDS－VD)。根据试验条件来适当确定稳压二极管23的击穿电压VA。例如，当对在反复施加一定电压V1的电路中使用的线圈的长期可靠性进行试验时，为了使当MOSFET 22截止时施加在线圈12两端的电压为V1，将稳压二极管23的击穿电压VA设定为V1+VD即可。
接着，当将控制信号Sc从高电平切换到低电平时，再次从驱动部24将驱动信号供给到MOSFET22。结果，栅极电压VG在时刻t3再次达到阈值电压，MOSFET22导通，线圈电流IL在MOSFET22的漏极与源极之间流动。接着，当将控制信号Sc从低电平切换到高电平时，线圈电流IL与上一周期一样瞬间被切断，当MOSFET 22在时刻t4截止时，在电压施加单元20的电路中产生反电动势。
以下也同样，基于控制信号Sc使MOSFET22导通和截止，由此能够将基于MOSFET22截止时产生的反电动势VDS的浪涌电压施加到线圈12。将MOSFET 22的导通、截止反复进行与试验条件对应的次数。例如，为了对导通、截止10万次后的线圈12的可靠性进行试验，进行10万次MOSFET的导通、截止，对线圈施加10万次浪涌电压。由于MOSFET 22或其他半导体开关能够高速地导通、截止，因此能够对线圈12以与使用该线圈12的实际电路(例如，DC－DC转换器的开关电路)相同的频率(例如从几MHz到几十MHz)施加电压应力。以比使用线圈12的实际电路中的频率高的频率使MOSFET 22或者其他半导体开关导通、截断，由此能够加速进行电压应力试验。
接下来，将切换部31a和切换部31b接通，将线圈12电连接到测量部30。测量部30根据试验目的来测量线圈12的电感、电阻或其他特性值。由测量部30测量出的测量值例如可以显示在显示器上。试验者能够基于该显示器上显示的测量值来判断线圈12正常还是异常。线圈12正常还是异常也可以由试验装置10或者其他装置中设置的运算装置根据规定的算法来确定。在一个实施方式中，可以通过将测量部30的测量值与规定的基准值比较来判断线圈12中是否存在异常。在另一实施方式中，可以通过将表示测量部30的测量值的时间变化的测量曲线与预先存储的基准曲线比较来判断线圈12中是否存在异常。
如上所述，由电压施加单元20施加在实际使用线圈12的电路中假设的电压应力，由测量部30测量施加了该电压应力的线圈12的特性值，从而基于测量部的测量值来诊断线圈12中是否存在异常。以这种方式，对线圈12的长期可靠性进行试验。
接着，参照图3，对依照本发明另一实施方式的试验装置110进行说明。图3是概略地表示依照本发明另一实施方式的试验装置110的框图。在图3所示的试验装置110的构成要素中，对与图1的试验装置10的构成要素相同或相似的构成要素标注与图1中相同的附图标记，对这些相同或相似的构成要素省略详细说明。
图3所示的试验装置110具有电压施加单元120而替代电压施加单元20，该电压施加单元120在MOSFET 22的漏极与地之间具有与MOSFET 22并联地设置的直流电源25，这点与试验装置10不同。除了线圈电流IL之外，直流电源25还能够对线圈12施加直流电流。由此，能够将更接近使用线圈12的实际电路的电流应力施加到线圈12。
接着，参照图4，对依照本发明另一实施方式的试验装置210进行说明。图4是概略地表示依照本发明另一实施方式的试验装置210的框图。图4中所示的试验装置210的构成要素中，对与图1的试验装置10的构成要素相同或相似的构成要素标注与图1相同的附图标记，对这些相同或相似的构成要素省略详细说明。
图4所示的试验装置210构成为将MOSFET截止时产生的浪涌电压同时施加到多个线圈，这点与试验装置10的不同。具体而言，线圈12a和线圈12b这两个线圈与试验装置210连接。线圈12a的一端连接到测量端子11a，另一端连接到测量端子11b。线圈12b的一端连接到测量端子11a，另一端连接到测量端子11c。
在试验装置210具有的电压施加单元120中，MOSFET 22a设置在测量端子11b与地之间，MOSFET 22b设置在测量端子11c与地之间。MOSFET 22a和MOSFET 22b构成为与MOSFET22相同。在图示的实施方式中，从一个驱动部24供给去向MOSFET 22a和MOSFET 22b的驱动信号。由此，MOSFET 22a的动作和MOSFET 22b的动作是同步的。在另一个实施方式中，可以由与将驱动信号供给到MOSFET 22a的驱动部24不同的驱动部(未图示)对MOSFET 22b输入驱动信号。
在电压施加单元120中，稳压二极管23a与MOSFET 22a并联地设置，稳压二极管23b与MOSFET 22b并联地设置。稳压二极管23a和稳压二极管23b构成为与稳压二极管23相同。
当将MOSFET 22a从导通切换到截止时，在MOSFET 22a的漏极与地之间产生与MOSFET 22a的输出电容成反比的反电动势。对线圈12a施加由该反电动势引起的浪涌电压。同样，当将MOSFET 22b从导通切换到截止时，在MOSFET 22b的漏极与地之间产生与MOSFET22b的输出电容成反比的反电动势。对线圈12b施加由该反电动势引起的浪涌电压。
测量部30经由切换部31a、切换部31b和开关31c，与线圈12并联地连接到电压施加单元220。电压施加单元220在切换部31a、切换部31b和开关31c断开期间动作。
试验装置210可以连接三个以上的被测线圈。试验装置210可以具有与被测线圈的数量对应的数量的MOSFET。
利用试验装置210，能够对多个线圈(在图示的示例中为线圈12a和线圈12b这两个线圈)并行地施加浪涌电压。因此，通过由试验装置210将浪涌电压并行地施加到多个线圈，能够高效地进行可靠性试验。
图5和图6示出了依照本发明又一实施方式的试验装置。如图5所示，在本发明的一个实施方式中，可以为将两个被测线圈以串联连接在测量端子11a与测量端子11b之间的方式连接到试验装置10。也可以将三个以上被测线圈串联地连接到试验装置10。此外，如图6所示，在本发明的一个实施方式中，可以为将两个被测线圈以并联连接在测量端子11a与测量端子11b之间的方式连接到试验装置10。也可以将三个以上被测线圈并联地连接到试验装置10。
接着，对上述实施方式的作用效果进行说明。利用上述一实施方式中的试验装置10，在MOSFET 22导通的期间，利用来自直流电源21的电压VD而电流流过线圈12和MOFSET22。当MOFSET 22截止时，在线圈12以及MOFSET 22的漏极与源极之间流动的电流瞬间被切断，因此在电路中瞬间产生比直流电源21的施加电压VD大的反电动势。因此，通过反复进行MOFSET 22的导通、截止控制，能够对被测线圈12反复施加与大于来自直流电源21的施加电压VD的反电动势对应的浪涌电压。这样一来，利用试验装置10，通过电压施加单元20的动作，能够对被测线圈12施加与在实际使用环境中施加的电压应力同样的电压应力。通过测量部30的测量来获取以这种方式被施加了电压应力的线圈12的特性值，能够对线圈12的长期可靠性进行试验。
为了进行寿命故障模式下的故障诊断，也考虑以与上述实施方式中说明的方案不同的方式，利用能够高速动作的交流放大器将直流电源的电压放大，将该放大的电压反复施加到被测线圈。然而，当利用交流放大器对被测线圈施加电压时，电流总是流过该线圈，因此容易发生由电流故障模式引起的故障。与此相对，在上述一实施方式中，当产生反电动势VDS时，MOFSET 22截止而使电路绝缘，因此没有电流流过被测线圈12。由此，在被测线圈中难以发生电流故障模式下的故障。这样一来，利用试验装置10，能够在被测线圈12中不发生电流故障模式下的故障，而诊断寿命故障模式中是否存在异常。
依照上述一实施方式，能够利用稳压二极管23限制来限制产生反电动势时施加到线圈12的两端的电压。具体而言，在线圈12的两端，并不施加反电动势VDS本身，而是施加稳压二极管23的击穿电压VA与直流电源的电压VD之差VA－VD。由此，能够防止线圈12由于试验装置10施加电压而发生过电压故障模式下的故障。此外，利用稳压二极管23，能够防止对MOSFET 22施加超过其耐电压的电压。
依照上述一实施方式，能够将多个线圈串联或并联地连接到试验装置10。由此，能够并行地对多个线圈进行可靠性试验。因此，通过使用试验装置10，能够高效地实施线圈的可靠性试验。
在试验装置110和试验装置210中也可以同样地发挥关于试验装置10说明的作用效果。
本说明书中说明的各构成要素的尺寸、材料和配置不限于实施方式中明确说明的那些，并且每个构成要素能够以具有本发明的范围内可包括的任意的尺寸、材料和配置的方式变形。另外，也可以将未在本说明书中明确说明的构成要素添加到已说明的实施方式中，或者也可以省略各实施方式中说明的构成要素的一部分。

Claims (20)

1.一种试验装置，其特征在于，包括：
第一测量端子，其与作为试验评价对象的第一线圈的一端连接；
第二测量端子，其与所述第一线圈的另一端连接；
直流电源，其与所述第一测量端子连接；
第一半导体开关，其连接在所述第二测量端子与地之间；和
驱动部，其使所述第一半导体开关导通、截止。
2.如权利要求1所述的试验装置，其特征在于：
所述第一半导体开关是FET开关，其栅极与所述驱动部连接，其漏极与所述第二测量端子连接，其源极连接地。
3.如权利要求1或2所述的试验装置，其特征在于：
还包括电压限制元件，其将所述第一半导体开关截止时施加到所述第一线圈的反电动势限制为第一电压。
4.如权利要求3所述的试验装置，其特征在于：
所述电压限制元件是稳压二极管。
5.如权利要求1至4中任一项所述的试验装置，其特征在于：
还包括连接在所述第二测量端子与地之间的另一直流电源。
6.如权利要求1至5中任一项所述的试验装置，其特征在于：
在所述第一测量端子和所述第二测量端子之间与所述第一线圈串联地连接至少第二线圈。
7.如权利要求1至6中任一项所述的试验装置，其特征在于：
在所述第一测量端子和所述第二测量端子之间与所述第一线圈并联地连接至少第二线圈。
8.如权利要求7所述的试验装置，其特征在于：
所述第二线圈的一端与所述第一测量元件连接，所述第二线圈的另一端与第三测量端子连接，
还包括连接在所述第三测量端子与地之间的第二半导体开关。
9.如权利要求1至8中任一项所述的试验装置，其特征在于：
还包括测量所述线圈的特性值的测量部。
10.一种试验方法，其特征在于：
该试验方法对连接在连接着直流电源的第一测量端子与第二测量端子之间的第一线圈的可靠性进行试验，包括以下步骤：
电压施加步骤，其通过使连接于所述第二测量端子与地之间的第一半导体开关导通、截止，在所述第一半导体开关截止时对所述第一线圈施加反电动势；和
测量所述第一线圈的特性值的测量步骤。
11.如权利要求10所述的试验方法，其特征在于：
所述测量步骤中，在使所述半导体开关导通、截止试验次数之后测量所述第一线圈的所述特性值。
12.如权利要求10或11所述的试验方法，其特征在于：
所述电压施加步骤中，将所述第一半导体开关截止时施加到所述第一线圈的反电动势限制为第一电压。
13.如权利要求10至12中任一项所述的试验方法，其特征在于：
还包括判断步骤，其通过将在所述测量步骤中测量出的所述特性值与基准特性值比较来判断所述第一线圈是否存在异常。
14.如权利要求10至12中任一项所述的试验方法，其特征在于：
还包括判断步骤，其通过将表示在所述测量步骤中测量出的所述特性值的时间变化的测量曲线与基准曲线比较来判断所述第一线圈是否存在异常。
15.如权利要求10至14中任一项所述的试验方法，其特征在于：
还包括显示步骤，其显示在所述测量步骤中测量出的所述特性值。
16.如权利要求10至15中任一项所述的试验方法，其特征在于：
还包括将所述第一半导体开关截止时施加到所述第一线圈的反电动势限制为第一电压的步骤。
17.如权利要求10至16中任一项所述的试验方法，其特征在于：
还包括由连接在所述第二测量端子与地之间的另一直流电源对所述第一线圈施加直流电流的步骤。
18.如权利要求10至17中任一项所述的试验方法，其特征在于：
所述电压施加步骤中，在所述第一半导体开关截止时对所述第一线圈和第二线圈施加反电动势，其中所述第二线圈与所述第一线圈串联地连接在所述第一测量端子和所述第二测量端子之间。
19.如权利要求10至17中任一项所述的试验方法，其特征在于：
所述电压施加步骤中，在所述第一半导体开关截止时对所述第一线圈和第二线圈施加反电动势，其中所述第二线圈与所述第一线圈并联地连接在所述第一测量端子和所述第二测量端子之间。
20.如权利要求19所述的试验方法，其特征在于：
所述第二线圈的一端与所述第一测量元件连接，所述第二线圈的另一端与第三测量端子连接，
所述电压施加步骤中，通过使连接于所述第三测量端子与地之间的第二半导体开关导通、截止，在所述第二半导体开关截止时对所述第二线圈施加反电动势。
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