CN111064354A - 一种抑制直流电源总线的过高电压的方法和电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路及其实现方法。该抑压电路在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，调整电源负极端线的电压值到抑制电压阈值，从而使将直流电源总线上的过高电压抑制在安全范围内。该电路易于实现，不需要软件控制，不需要重新选择器件或大幅改动原有设计，电路的面积更小，成本更低，效率更高。

Description

一种抑制直流电源总线的过高电压的方法和电路

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种用于抑制直流电源总线的过高电压的电路及其实现方法。

背景技术

在当前的网络通信设备或其他电子设备中，所要求的直流输入电源的电压范围是36V-60V。然而，在某些情况下，输入的直流电源的电压可能会有瞬时的高电压，达到75v左右，这会使通信设备的供电单元和随后的通信单元无法正常工作，或者冒着性能损失或宕机的风险工作。因此如何在当前设计电路的基础上进行改进，从而提供适合电压的直流电源是个值得研究的课题。

发明内容

本发明的目的是提供一种抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路及其实现方法。该电路易于实现，不需要软件控制，能够在短时间内将直流电源总线上的过高电压抑制在安全范围内，从而为通信设备系统提供稳定的输入电源。

根据本发明的第一方面的实施例，提供一种抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路，其中，直流电源总线包括电源正极端线和电源负极端线，电源负极端线与一个或多个抗涌MOS管(metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体场效应晶体管)的漏极相连，抗涌MOS管的源极与直流电源总线的输入负端相连，抗涌MOS管的栅极与直流电源总线的内部电路相连；其中，该抑压电路包括：

将与抗涌MOS管的栅极相连的通路断开，断开的通路两端为与直流电源总线内部电路相连的内部连接端和与抗涌MOS管的栅极相连的抑压控制端；

控制模块，用于在电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，使内部连接端和抑压控制端之间导通；在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，使内部连接端和抑压控制端之间断开，此时控制抑压控制端的电压，使电源负极端线的电压值调整到抑制电压阈值。

具体地，该控制模块包括：

一个开关MOS管，开关MOS管的漏极与内部连接端连接，开关MOS管的源极与抑压控制端连接；

开关子模块，开关子模块的输出端连接至开关MOS管的栅极，开关子模块用于在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，使开关子模块的输出端为低电平，在电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，使开关子模块的输出端为高电平。

具体地，该控制模块还包括：稳压子模块，在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时工作；稳压子模块的输出端连接至抑压控制端；稳压子模块用于当电源负极端线的电压值大于抑制电压阈值时，使稳压子模块的输出端的电平升高，当电源负极端线的电压值小于抑制电压阈值时，使稳压子模块的输出端的电平降低，当电源负极端线的电压值等于抑制电压阈值时，使稳压子模块的输出端的电压稳定，能让抗涌MOS管稳定的工作在线性区。

具体地，该开关子模块包括：

第一运算放大器，第一运算放大器用于比较电源正极端线和高电压门限值的大小，第一运算放大器的输出指示比较结果。

具体地，该稳压子模块包括：

第二运算放大器，第二运算放大器用于放大正相和反相输入信号的电压差，使输出信号的电压能让抗涌MOS管工作在线性区。

根据本发明的第二方面的实施例，提供一种实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法，其中，直流电源总线包括电源正极端线和电源负极端线，电源负极端线与一个或多个抗涌MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的漏极相连，抗涌MOS管的源极与直流电源总线的输入负端相连，抗涌MOS管的栅极与直流电源总线的内部电路相连；其中，该方法包括：

-S1：将与抗涌MOS管的栅极相连的通路断开，断开的通路两端为与直流电源总线内部电路相连的内部连接端和与抗涌MOS管的栅极相连的抑压控制端；

-S2：在电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，使内部连接端和抑压控制端之间导通；在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，使内部连接端和抑压控制端之间断开，此时控制抑压控制端的电压，使电源负极端线的电压值调整到抑制电压阈值。

具体地，步骤S2包括：

-S21：布置一个开关MOS管，开关MOS管的漏极与内部连接端连接，开关MOS管的源极与抑压控制端连接；

-S22：布置开关子模块，将开关子模块的输出端连接至开关MOS管的栅极，在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，使开关子模块的输出端为低电平，在电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，使开关子模块的输出端为高电平。

具体地，步骤S2还包括：

-S23：布置稳压子模块，使稳压子模块在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时工作；将稳压子模块的输出端连接至抑压控制端；当电源负极端线的电压值大于抑制电压阈值时，使稳压子模块的输出端的电平升高，当电源负极端线的电压值小于抑制电压阈值时，使稳压子模块的输出端的电平降低，当电源负极端线的电压值等于抑制电压阈值时，使稳压子模块的输出端的电压稳定，能让抗涌MOS管稳定的工作在线性区。

具体地，步骤S22包括：

-S221：布置第一运算放大器比较电源正极端线和高电压门限值的大小，第一运算放大器的输出指示比较结果。

具体地，步骤S23包括：

-S231：布置第二运算放大器放大正相和反相输入信号的电压差，使输出信号的电压能让抗涌MOS管工作在线性区。

根据本发明第三个方面的实施例，提供一种电子设备，该电子设备包括如前述的抑压电路。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：电路设计易于实现，不需要软件的控制，能够灵活地将直流电源总线上的过高电压抑制在预定的范围上，从而不需要重新选择耐更高电压的器件或大幅改动原有设计，使得电路的面积更小，成本更低，效率更高。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明的实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图。

图2是本发明的实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图；

图3为本发明的一个优选实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图；

图4是本发明的实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图；

图5为本发明的一个优选实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图；

图6为本发明实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图；

图7为本发明实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图；

图8为本发明的一个优选实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图；

图9为本发明实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图；

图10为本发明的一个优选实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图。

附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

具体实施方式

在更加详细地讨论示例性实施例之前应当提到的是，一些示例性实施例被描述成作为流程图描绘的处理或方法。虽然流程图将各项操作描述成顺序的处理，但是其中的许多操作可以被并行地、并发地或者同时实施。此外，各项操作的顺序可以被重新安排。当其操作完成时所述处理可以被终止，但是还可以具有未包括在附图中的附加步骤。所述处理可以对应于方法、函数、规程、子例程、子程序、子电路等等。

后面所讨论的方法(其中一些通过流程图示出)可以通过硬件、软件、固件、中间件、微代码、硬件描述语言或者其任意组合来实施。当用软件、固件、中间件或微代码来实施时，用以实施必要任务的程序代码或代码段可以被存储在机器或计算机可读介质(比如存储介质)中。(一个或多个)处理器可以实施必要的任务。

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

应当理解的是，虽然在这里可能使用了术语“第一”、“第二”等等来描述各个单元，但是这些单元不应当受这些术语限制。使用这些术语仅仅是为了将一个单元与另一个单元进行区分。举例来说，在不背离示例性实施例的范围的情况下，第一单元可以被称为第二单元，并且类似地第二单元可以被称为第一单元。这里所使用的术语“和/或”包括其中一个或更多所列出的相关联项目的任意和所有组合。

应当理解的是，当一个单元被称为“连接”或“耦合”到另一单元时，其可以直接连接或耦合到所述另一单元，或者可以存在中间单元。与此相对，当一个单元被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一单元时，则不存在中间单元。应当按照类似的方式来解释被用于描述单元之间的关系的其他词语(例如“处于...之间”相比于“直接处于...之间”，“与...邻近”相比于“与...直接邻近”等等)。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

还应当提到的是，在一些替换实现方式中，所提到的功能/动作可以按照不同于附图中标示的顺序发生。举例来说，取决于所涉及的功能/动作，相继示出的两幅图实际上可以基本上同时执行或者有时可以按照相反的顺序来执行。

下面结合附图对本发明作进一步详细描述。

图1为本发明的实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图。根据本发明的实施例的抑压电路可以在电子设备的电源提供单元或电源提供电路中使用。其中，该电子设备包括但不限于终端设备、网络设备、通信设备、医疗设备、测量仪器等带有电源提供单元的电子设备。终端设备包括但不限于智能手机、平板电脑、PDA、PC机等。网络设备包括但不限于单个网络服务器、多个网络服务器组成的服务器组或基于云计算(CloudComputing)的由大量计算机或网络服务器构成的云，其中，云计算是分布式计算的一种，由一群松散耦合的计算机集组成的一个超级虚拟计算机。通信设备包括但不限于路由器、交换机、基站、核心网、无线局域网控制器等设备。需要说明的是，电子设备，包括的终端设备、网络设备、通信设备等仅为举例，其他现有的或今后可能出现的带有抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的电子设备如可适用于本发明，也应包含在本发明保护范围以内，并以引用方式包含于此。

本发明实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路中，直流电源总线包括电源正极端线VIN和电源负极端线NEG，电源负极端线NEG与一个或多个抗涌MOS管M1的漏极相连，抗涌MOS管M1的源极与直流电源总线的输入负端相连，抗涌MOS管M1的栅极与直流电源总线的内部电路1相连；其中，该抑压电路包括：

将与抗涌MOS管M1的栅极相连的通路断开，断开的通路两端为与直流电源总线内部电路1相连的内部连接端K1和与抗涌MOS管M1的栅极相连的抑压控制端K2；

控制模块2，用于在电源正极端线VIN的电压值小于等于高电压门限值时，使内部连接端K1和抑压控制端K2之间导通；在电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值时，使内部连接端K1和抑压控制端K2之间断开，此时控制抑压控制端K2的电压，使电源负极端线NEG的电压值调整到抑制电压阈值。

如图1所示，本发明的实施例的抑压电路中的直流电源总线包括电源正极端线VIN和电源负极端线NEG，电源正极端线VIN和电源负极端线NEG作为一组直流电源，为后续电路或模块提供电源输入。在不含抑压电路的直流电源总线的电路中包括一个或多个抗涌MOS管M1。抗涌MOS管M1用于抵抗上电瞬间或其他时刻的浪涌电流。为了便于描述和理解，在本发明的实施例中，使用了包括一个MOS管的M1用于实施例的描述。需要说明的是，抗涌MOS管M1可以包括一个MOS管，也可以包括多个MOS管串联、并联或串并联在一起，使用效果与一个MOS管相同。而且M1的使用也不限于MOS管的类型、功率等指标。图中所示的MOS管M1仅为举例，其他各类型和各数量的MOS管，如可适用于本发明，也应包含在本发明保护范围以内，并以引用方式包含于此。M1的漏极与电源负极端线NEG相连，M1的源极与直流电源总线的输入负端相连，M1的栅极与内部电路1相连。直流电源总线的输入负端是抑压电路的参考地电平的位置，在图中以接地符号标识。输入负端的电压不一定等于大地电平的零电压，输入负端的电压值可以是正值也可以负值。在本发明实施例的抑压电路中的各信号或各端口的电压都是相对于输入负端的电压。内部电路1是指不含抑压功能的直流电源总线电路。在本发明的实施例的抑压电路中，将与M1的栅极相连的通路断开，断开的通路两端为内部连接端K1和抑压控制端K2，如图1所示，内部连接端K1是与内部电路1相连的断开的通路的一端，抑压控制端K2是与M1的栅极相连的断开的通路的另一端。

本发明的实施例的抑压电路还包括控制模块2。控制模块2的输入信号包括电源正极端线VIN和电源负极端线NEG，输出信号连接到内部连接端K1和抑压控制端K2上。

控制模块2在电源正极端线VIN的电压值小于等于高电压门限值时，控制模块2的输出信号使内部连接端K1和抑压控制端K2之间导通。高电压门限值是指抑压电路的后续电路或模块正常工作时所能承受的电源电压的上限值，也是抑压电路开始处理的直流电源总线上的过高电压的门限值。例如，后续电路或模块正常工作时所要求的电源电压的范围是48伏-60伏，当电源电压大于60伏时，后续电路或模块中的器件不能正常工作或需要降额工作，此时高电压门限值是60伏。高电压门限值可以是根据系统要求设定的固定值，也可以通过信号指示。例如，通过某个信号线的电压值的大小来表示高电压门限值的大小，信号线上的电压值为6伏时表示高电压门限值为60伏。电源正极端线VIN的电压值与高电压门限值之间的比较可以通过多种方式实现。电压正极端线上的电压与高电压门限值的比较可以通过信号指示来实现。例如，与电源正极端线VIN一起输入三根信号线，信号线上的高低电平可以指示电源正极端线VIN上电压的8个电压值范围。这些电压值的范围是事先确定好的，因此也就可以知道VIN的电压值与高电压门限值的大小。还可以将电压正极端线上的电压进行分压或降压之后与降低了相应比例的高电压门限值进行比较，以便于电路的设计和实现。例如，电压正极端线上的电压范围是60-80v，高电压门限值为80v。比较电压正极端线的电压和高电压门限值时，将电压正极端线上的电压分压或降压到6-8v的范围，与8v的门限值进行比较。

在电源正极端线VIN的电压值小于等于高电压门限值时，此时电源负极端线NEG上的电压值与参考地电平相同，电源的电压值在正常范围内，可以满足后续电路或模块的使用，抑压电路不需要对电源电压进行抑制。因此控制模块2控制其输出信号使内部连接端K1和抑压控制端K2之间导通，使抑压电路的抑压功能不起作用。此时K1和K2之间的导通可以是类似电路中导线连接导通的方式，也可以是通过二极管、三极管或MOS管等器件的导通特性使K1和K2之间导通。

当电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值时，此时控制模块2控制器输出信号使内部连接端K1和抑压控制端K2之间断开。K1和K2之间的断开可以是通过二极管、三极管或MOS管、运放等器件的截止特性使K1和K2之间断开。电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值时，此时需要对电源总线上的过高电压进行抑制。控制模块2通过控制调整抑压控制端K2上的电压，使电源负极端线NEG上的电压值调整到抑制电压阈值附近。抑制电压阈值是期望将电源正极端线VIN上的电压降低的数值，根据系统要求而定。例如，电源正极端线上输入的最高电压为75v，电源负极端线NEG上的电压与输入负端相同。抑压电路期望输出的电源电压范围是48v-60v之间，因此抑制电压阈值可以设置为15v。抑制电压阈值可以是根据系统要求而确定的固定值，也可以通过信号指示其大小。例如，通过某个信号线的电压值的大小来表示抑制电压阈值的大小，信号线上的电压值为5伏时表示抑制电压阈值为15伏。控制模块2在VIN的电压值过高时，利用M1的MOS管的特性，通过调整抑压控制端K2的电压值，最终使M1上的漏极和源极之间的电压保持稳定，从而将NEG上的电压值调整到抑制电压阈值附近，使得VIN和NEG之间的电压范围保持在电路要求的范围之内。

图2是本发明的一个优选实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图。如图2所示，图中所示标识的电源正极端线VIN、电源负极端线NEG、抗涌MOS管M1、内部电路1、内部连接端K1、抑压控制端K2与前面参照图1所描述的电源正极端线VIN、电源负极端线NEG、抗涌MOS管M1、内部电路1、内部连接端K1、抑压控制端K2的内容相同。在图2所示的优选实施例中，控制模块2包括一个开关MOS管M2以及开关子模块21。本发明的实施例中的开关MOS管M2不限于MOS管的类型，图中所示的开关MOS管M2仅为举例，其他各类型的MOS管，如可适用于本发明，也应包含在本发明保护范围以内，并以引用方式包含于此。

开关MOS管M2的漏极与内部连接端K1连接，开关MOS管M2的源极与抑压控制端K2连接。开关子模块21的输出端连接至开关MOS管M2的栅极。开关子模块21用于在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，使开关子模块21的输出端为低电平，在电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，使开关子模块21的输出端为高电平。

开关子模块21在电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，开关子模块21的输出端为高电平。因其输出端连接到M2的栅极，故M2的栅极上为高电平，MOS管M2的漏极和源极导通，因此K1和K2之间导通，抑压电路的抑压功能被旁路。开关子模块21在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，开关子模块21的输出端为低电平。因其输出端连接到M2的栅极，故M2的栅极上为低电平，MOS管M2的漏极和源极断开，因此K1和K2之间断开，抑压电路的抑压功能开启。

开关子模块21可以使用各种电压比较电路来比较电源正极端线的电压值与高电压门限值的大小。例如，开关子模块21使用参考信号上的电压值来代表高电压门限值的大小，使用专用电压比较器来比较参考信号的参考电压值和电源正极端线上的电压值的大小。又如，高电压门限值一般在电路中固定，不会频繁变化。因此开关子模块21可以使用单限比较器或阈值检测器来比较高电压门限值和电源正极端线上的电压值的大小。

图3是本发明的一个优选实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图。如图3所示，图中所示标识的电源正极端线VIN、电源负极端线NEG、抗涌MOS管M1、内部电路1、内部连接端K1、抑压控制端K2、开关MOS管M2与前面参照图2所描述的电源正极端线VIN、电源负极端线NEG、抗涌MOS管M1、内部电路1、内部连接端K1、抑压控制端K2、开关MOS管M2的内容相同。在图3所示的优选实施例中，开关子模块21包括第一运算放大器U1，该第一运算放大器U1用于比较电源正极端线VIN和高电压门限值的大小，第一运算放大器U1的输出信号通过高低电平指示比较结果：电源正极端线VIN电压值小于等于高电压门限值时，U1的输出信号为高电平；电源正极端线VIN电压值大于高电压门限值时，U1的输出信号为低电平。在该优选实施例中，参考信号1上的电压指示的是高电压门限值的大小。参考信号1可以是外部输入，也可以在抑压电路内部产生。第一运算放大器U1的正相和反相输入端分别连接参考信号1和电源正极端线VIN信号。图3中，第一运算放大器U1的正相输入端连接参考信号1，反相输入端连接电源正极端线VIN信号，第一运算放大器U1的输出连接到开关MOS管M2的栅极。需要说明的是，第一运算放大器U1的正相输入端可以与电源正极端线VIN信号相连，反相输入端可以与参考信号1相连，此时第一运算放大器U1的输出端反相之后连接到开关MOS管M2的栅极。另外考虑到器件选型的成本和器件所占面积的大小，可以将VIN信号分压之后与第一运算放大器U1连接，此时参考信号1上的电压值也相应地等比例的下降。这些在图3中并未明确标识。另外在本发明的实施例中也并未明确标识出电阻、电容、二极管、稳压管等器件的具体使用。但对本领域的技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的使用第一运算放大器U1用于比较电源正极端线VIN和高电压门限值的大小的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现使用第一运算放大器U1。

图4是本发明的一个优选实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图。如图4所示，图中所示标识的电源正极端线VIN、电源负极端线NEG、抗涌MOS管M1、内部电路1、内部连接端K1、抑压控制端K2与前面参照图1所描述的电源正极端线VIN、电源负极端线NEG、抗涌MOS管M1、内部电路1、内部连接端K1、抑压控制端K2的内容相同。在图4所示的优选实施例中，控制模块2包括稳压子模块22。

稳压子模块22在电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值时工作；稳压子模块22的输出端连接至抑压控制端K2；稳压子模块22用于当电源负极端线NEG的电压值大于抑制电压阈值时，使稳压子模块22的输出端的电平升高，当电源负极端线NEG的电压值小于抑制电压阈值时，使稳压子模块22的输出端的电平降低，当电源负极端线NEG的电压值等于抑制电压阈值时，使稳压子模块22的输出端的电压稳定，能让抗涌MOS管M1稳定的工作在线性区。

具体地说，稳压子模块22的启动条件是电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值，因此稳压子模块22中可以包括有电源正极端线VIN的电压与高电压门限值的比较功能，或由其它模块提供该功能的输入信号。当电源负极端线NEG的电压值大于抑制电压阈值时，稳压子模块22输出端的电平升高，此时K2的电平升高，抗涌MOS管M1的可变电阻减小，使得电压负极端线NEG与整个电路的输入负端之间的阻抗减小，从而使得NEG端的电压下降。当电源负极端线NEG的电压值小于抑制电压阈值时，稳压子模块22输出端的电平降低，此时K2的电平降低，抗涌MOS管M1的可变电阻增大，从而使得NEG端的电压上升。在以上控制K2的电平高低变化的共同作用下，电源负极端NEG的电压在抑制电压阈值的附近振荡并向抑制电压阈值的附近快速靠拢。当电源负极端线NEG的电压值等于抑制电压阈值时，稳压子模块22输出信号的电压保持稳定，可以使得抗涌MOS管M1稳定的工作在线性区。MOS管的稳定的工作在线性区是指MOS管的栅极电压保持稳定，使得MOS管保持工作在线性区的某个特定点，可变电阻保持稳定。抗涌MOS管M1稳定的工作在线性区时，此时M1的漏源极间的电压保持稳定，从而可以使得电源负极端线NEG的电压值也保持在抑制电压阈值附近。因此将电源正极端线VIN和电源负极端线NEG之间提供的直流电源总线的电压差控制在电路要求的范围内。

图5是本发明的一个优选实施例的抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路示意图。如图5所示，图中所示标识的电源正极端线VIN、电源负极端线NEG、抗涌MOS管M1、内部电路1、内部连接端K1、抑压控制端K2与前面参照图4所描述的电源正极端线VIN、电源负极端线NEG、抗涌MOS管M1、内部电路1、内部连接端K1、抑压控制端K2的内容相同。在图5所示的优选实施例中，稳压子模块22包括第二运算放大器U2，第二运算放大器U2用于放大正相和反相输入信号的电压差，使输出信号的电压能让抗涌MOS管M1工作在线性区。开关子模块21包括了比较电源正极端线VIN的电压值是否大于高电压门限值的功能，因此稳压子模块22中可以包括有开关子模块21，也可以使用开关子模块21的输出端信号作为稳压子模块22的输入。开关子模块21的输出端信号在电源正极端线VIN的电压值小于等于高电压门限值时为高电平，在电源正极端线VIN的电压值低于高电压门限值时为低电平。稳压子模块22可以直接使用开关子模块21的输出端信号，或将开关子模块21的输出端信号反相后使用。在该优选实施例中，参考信号2上的电压指示的是抑制电压阈值的大小。参考信号2可以是外部输入，也可以在抑压电路内部产生。第二运算放大器U2的正相和反相输入端分别连接电源负极端线NEG和参考信号2，电阻和电容作为U2输出的反馈，与第二运算放大器U2一起实现对输入端信号电压差的放大，U2的输出端信号的电压作用到抗涌MOS管M1的栅极上，使M1工作在MOS管的线性区。U2的输出端信号可以直接连接到抑压控制端K2，也可以经过电阻等器件分压或降压后与K2相连。当电源负极端线NEG电压值大于抑制电压阈值时，第二运算放大器U2将电源负极端线NEG电压与抑制电压阈值的差值信号放大，此时U2的输出端的电平升高，抑压控制端K2的电平升高，即M1的栅极的电压升高，M1在线性区的可变电阻减小，使得电压负极端线NEG与整个电路的输入负端之间的阻抗减小，从而使得NEG端的电压下降；当电源负极端线NEG的电压值小于抑制电压阈值时，U2输出端的电平降低，U2输出端的电压作用到M1的栅极上，M1的栅极的电压降低，使M1在线性区的可变电阻增大，使得电压负极端线NEG与整个电路的输入负端之间的阻抗增加，从而使得NEG端的电压上升；当电源负极端线NEG的电压值等于抑制电压阈值时，U2输出端的电压作用到M1的栅极上，使M1稳定在线性区的某个特定点上，可变电阻基本不变，从而使得NEG端的电压在抑制电压阈值附近不变。以上电源负极端线NEG的电压稳定在抑制电压阈值的过程是个振荡反复最终趋于稳定的过程。由于控制M1栅极的电压使M1都工作在线性区内，因此可以使NEG端的电压快速稳定在抑制电压阈值附近。考虑到器件选型的成本和器件所占面积的大小，可以将NEG信号分压之后与第二运算放大器U2连接，此时参考信号2上的电压值也相应地等比例的下降。这些在图5中并未明确标识。另外在本发明的实施例中也并未明确标识出其它电阻、电容、二极管、稳压管等器件的具体使用，但对本领域的技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，可以根据上述示范性实施例的描述而且在不背离本发明的使用第二运算放大器U2用于放大正相和反相输入信号的电压差，使输出信号的电压能让抗涌MOS管M1工作在线性区的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现使用第二运算放大器U2。

图6为本发明的实施例的在抑压电路中实现抑制直流电源总线的过高电压的方法的流程示意图。根据本发明的实施例的抑压电路可以在电子设备的电源提供单元或电源提供电路中使用。其中，电子设备包括但不限于终端设备、网络设备、通信设备、医疗设备、测量仪器等带有电源提供单元的电子设备。终端设备包括但不限于智能手机、平板电脑、PDA、PC机等。网络设备包括但不限于单个网络服务器、多个网络服务器组成的服务器组或基于云计算(Cloud Computing)的由大量计算机或网络服务器构成的云，其中，云计算是分布式计算的一种，由一群松散耦合的计算机集组成的一个超级虚拟计算机。通信设备包括但不限于路由器、交换机、基站、核心网、无线局域网控制器等设备。需要说明的是，电子设备，包括的终端设备、网络设备、通信设备等仅为举例，其他现有的或今后可能出现的带有抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的电子设备如可适用于本发明，也应包含在本发明保护范围以内，并以引用方式包含于此。

本发明实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法中，直流电源总线包括电源正极端线VIN和电源负极端线NEG，电源负极端线NEG与一个或多个抗涌MOS管M1的漏极相连，抗涌MOS管M1的源极与直流电源总线的输入负端相连，抗涌MOS管M1的栅极与直流电源总线的内部电路1相连；其中，该方法包括步骤S1和步骤S2。

在步骤S1中，将与抗涌MOS管M1的栅极相连的通路断开，断开的通路两端为与直流电源总线内部电路1相连的内部连接端K1和与抗涌MOS管M1的栅极相连的抑压控制端K2；

在步骤S2中，在电源正极端线VIN的电压值小于等于高电压门限值时，使内部连接端K1和抑压控制端K2之间导通；在电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值时，使内部连接端K1和抑压控制端K2之间断开，此时控制抑压控制端K2的电压，使电源负极端线NEG的电压值调整到抑制电压阈值。

本发明的实施例的抑压电路中的直流电源总线包括电源正极端线VIN和电源负极端线NEG，电源正极端线VIN和电源负极端线NEG作为一组直流电源，为后续电路或模块提供电源输入。在不含抑压电路的直流电源总线的电路中包括一个或多个抗涌MOS管M1。抗涌MOS管M1用于抵抗上电瞬间或其他时刻的浪涌电流。为了便于描述和理解，在本发明的实施例中，使用了包括一个MOS管的M1用于实施例的描述。需要说明的是，抗涌MOS管M1可以包括一个MOS管，也可以包括多个MOS串联、并联或串并联在一起，使用效果与一个MOS管相同。而且M1的使用也不限于MOS管的类型、功率等指标，此处MOS管M1仅为举例，其他各类型和各数量的MOS管，如可适用于本发明，也应包含在本发明保护范围以内，并以引用方式包含于此。M1的漏极与电源负极端线NEG相连，M1的源极与直流电源总线的输入负端相连，M1的栅极与内部电路1相连。直流电源总线的输入负端是抑压电路的参考地电平的位置。输入负端的电压不一定等于大地电平的零电压，输入负端的电压值可以是正值也可以负值。在本发明实施例的抑压电路中的各信号或各端口的电压都是相对于输入负端的电压。内部电路1是指不含抑压功能的直流电源总线电路。在步骤S1中，将与M1的栅极相连的通路断开，断开的通路两端为内部连接端K1和抑压控制端K2，内部连接端K1是与内部电路1相连的断开的通路的一端，抑压控制端K2是与M1的栅极相连的断开的通路的另一端。

在步骤S2中，在电源正极端线VIN的电压值小于等于高电压门限值时，使内部连接端K1和抑压控制端K2之间导通。高电压门限值是指抑压电路的后续电路或模块正常工作时所能承受的电源电压的上限值，也是抑压电路开始处理的直流电源总线上的过高电压的门限值。例如，后续电路或模块正常工作时所要求的电源电压的范围是48伏-60伏，当电源电压大于60伏时，后续电路或模块中的器件不能正常工作或需要降额工作，此时高电压门限值是60伏。高电压门限值可以是根据系统要求设定的固定值，也可以通过信号指示。例如，通过某个信号线的电压值的大小来表示高电压门限值的大小，信号线上的电压值为6伏时表示高电压门限值为60伏。电源正极端线VIN的电压值与高电压门限值之间的比较可以通过多种方式实现。电压正极端线上的电压与高电压门限值的比较可以通过信号指示来实现。例如，与电源正极端线VIN一起输入三根信号线，信号线上的高低电平可以指示电源正极端线VIN上电压的8个电压值范围。这些电压值的范围是事先确定好的，因此也就可以知道VIN的电压值与高电压门限值的大小。还可以将电压正极端线上的电压进行分压或降压之后与降低了相应比例的高电压门限值进行比较，以便于电路的设计和实现。例如，电压正极端线上的电压范围是60-80v，高电压门限值为80v。比较电压正极端线的电压和高电压门限值时，将电压正极端线上的电压分压或降压到6-8v的范围，与8v的门限值进行比较。

在电源正极端线VIN的电压值小于等于高电压门限值时，此时电源负极端线NEG上的电压值与参考地电平相同，电源的电压值在正常范围内，可以满足后续电路或模块的使用，抑压电路不需要对电源电压进行抑制。因此在步骤S2中控制使内部连接端K1和抑压控制端K2之间导通，使抑压电路的抑压功能不起作用。此时K1和K2之间的导通可以是类似电路中导线连接导通的方式，也可以是通过二极管、三极管或MOS管等器件的导通特性使K1和K2之间导通。

当电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值时，此时在步骤S2中，控制使内部连接端K1和抑压控制端K2之间断开。K1和K2之间的断开可以是通过二极管、三极管或MOS管、运放等器件的截止特性使K1和K2之间断开。电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值时，此时需要对电源总线上的过高电压进行抑制。在步骤S2中，通过控制调整抑压控制端K2上的电压，使电源负极端线NEG上的电压值调整到抑制电压阈值附近。抑制电压阈值是期望将电源正极端线VIN上的电压降低的数值，根据系统要求而定。例如，电源正极端线上输入的最高电压为75v，电源负极端线NEG上的电压与输入负端相同。抑压电路期望输出的电源电压范围是48v-60v之间，因此抑制电压阈值可以设置为15v。抑制电压阈值可以是根据系统要求而确定的固定值，也可以通过信号指示其大小。例如，通过某个信号线的电压值的大小来表示抑制电压阈值的大小，信号线上的电压值为5伏时表示抑制电压阈值为15伏。控制模块2在VIN的电压值过高时，利用M1的MOS管的特性，通过调整抑压控制端K2的电压值，最终使M1上的漏极和源极之间的电压保持稳定，从而将NEG上的电压值调整到抑制电压阈值附近，使得VIN和NEG之间的电压范围保持在电路要求的范围之内。

图7是本发明的一个实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图。如图7所示，图中所示标识的步骤S1和步骤S2与前面参照图6所描述的步骤S1和步骤S2的内容相同。在图7所示的优选实施例中，步骤S2包括步骤S21和步骤S22。在步骤S21中，布置一个开关MOS管M2，开关MOS管M2的漏极与内部连接端K1连接，开关MOS管M2的源极与抑压控制端K2连接。本发明的实施例中的开关MOS管M2不限于MOS管的类型，图中所示的开关MOS管M2仅为举例，其他各类型的MOS管，如可适用于本发明，也应包含在本发明保护范围以内，并以引用方式包含于此。

开关MOS管M2的漏极与内部连接端K1连接，开关MOS管M2的源极与抑压控制端K2连接。在步骤S22中，布置开关子模块21，开关子模块21的输出端连接至开关MOS管M2的栅极。开关子模块21用于在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，使开关子模块21的输出端为低电平，在电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，使开关子模块21的输出端为高电平。

开关子模块21在电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，开关子模块21的输出端为高电平。因其输出端连接到M2的栅极，故M2的栅极上为高电平，MOS管M2的漏极和源极导通，因此K1和K2之间导通，抑压电路的抑压功能被旁路。开关子模块21在电源正极端线的电压值大于高电压门限值时，开关子模块21的输出端为低电平。因其输出端连接到M2的栅极，故M2的栅极上为低电平，MOS管M2的漏极和源极断开，因此K1和K2之间断开，抑压电路的抑压功能开启。

开关子模块21可以使用各种电压比较电路来比较电源正极端线的电压值与高电压门限值的大小。例如，开关子模块21使用参考信号上的电压值来代表高电压门限值的大小，使用专用电压比较器来比较参考信号的参考电压值和电源正极端线上的电压值的大小。又如，高电压门限值一般在电路中固定，不会频繁变化。因此开关子模块21可以使用单限比较器或阈值检测器来比较高电压门限值和电源正极端线上的电压值的大小。

图8是本发明的一个优选实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图。如图8所示，图中所示标识的步骤S1、步骤S2、步骤S21和步骤S22与前面参照图7所描述的步骤S1、步骤S2、步骤S21和步骤S22的内容相同。在图8所示的优选实施例中，步骤S22包括步骤S221。在步骤S221中，布置第一运算放大器U1用于比较电源正极端线VIN和高电压门限值的大小，第一运算放大器U1的输出信号通过高低电平指示比较结果：电源正极端线VIN电压值小于等于高电压门限值时，U1的输出信号为高电平；电源正极端线VIN电压值大于高电压门限值时，U1的输出信号为低电平。在该优选实施例中，使用参考信号1上的电压指示高电压门限值的大小。参考信号1可以是外部输入，也可以在抑压电路内部产生。第一运算放大器U1的正相和反相输入端分别连接参考信号1和电源正极端线VIN信号。第一运算放大器U1的正相输入端连接参考信号1，反相输入端连接电源正极端线VIN信号，第一运算放大器U1的输出连接到开关MOS管M2的栅极。需要说明的是，第一运算放大器U1的正相输入端可以与电源正极端线VIN信号相连，反相输入端可以与参考信号1相连，此时第一运算放大器U1的输出端反相之后连接到开关MOS管M2的栅极。另外考虑到器件选型的成本和器件所占面积的大小，可以将VIN信号分压之后与第一运算放大器U1连接，此时参考信号1上的电压值也相应地等比例的下降。另外在本发明的实施例中也并未明确标识出电阻、电容、二极管、稳压管等器件的具体使用。但对本领域的技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的使用第一运算放大器U1用于比较电源正极端线VIN和高电压门限值的大小的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现使用第一运算放大器U1。

图9是本发明的一个优选实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图。如图9所示，图中所示标识的步骤S1、步骤S2与前面参照图6所描述的步骤S1、步骤S2的内容相同。在图9所示的优选实施例中，步骤S2还包括步骤S23。

在步骤S23中，布置稳压子模块22，使稳压子模块22在电源正极端线VIN的电压值大于高电压门限值时工作；将稳压子模块22的输出端连接至抑压控制端K2；当电源负极端线NEG的电压值大于抑制电压阈值时，使稳压子模块22的输出端的电平升高，当电源负极端线NEG的电压值小于抑制电压阈值时，使稳压子模块22的输出端的电平降低，当电源负极端线NEG的电压值等于抑制电压阈值时，使稳压子模块22的输出端的电压稳定，能让抗涌MOS管M1稳定的工作在线性区。

具体地说，在步骤S22中包括了比较电源正极端线VIN的电压值是否大于高电压门限值的功能，因此步骤S23中可以包括步骤S22，也可以使用步骤S22中开关子模块21的输出端信号作为步骤S23中稳压子模块22的输入。开关子模块21的输出端信号在电源正极端线VIN的电压值小于等于高电压门限值时为高电平，在电源正极端线VIN的电压值低于高电压门限值时为低电平。稳压子模块22可以直接使用开关子模块21的输出端信号，或将开关子模块21的输出端信号反相后使用。当电源负极端线NEG的电压值大于抑制电压阈值时，稳压子模块22输出端的电平升高，此时K2的电平升高，抗涌MOS管M1的可变电阻减小，使得电压负极端线NEG与整个电路的输入负端之间的阻抗减小，从而使得NEG端的电压下降。当电源负极端线NEG的电压值小于抑制电压阈值时，稳压子模块22输出端的电平降低，此时K2的电平降低，抗涌MOS管M1的可变电阻增大，从而使得NEG端的电压上升。在以上控制K2的电平高低变化的共同作用下，电源负极端NEG的电压在抑制电压阈值的附近震荡并向抑制电压阈值的附近快速靠拢。当电源负极端线NEG的电压值等于抑制电压阈值时，稳压子模块22输出信号的电压保持稳定，可以使得抗涌MOS管M1稳定的工作在线性区。MOS管稳定的工作在线性区是指MOS管的栅极电压保持稳定，使得MOS管保持工作在线性区的某个特定点，可变电阻保持稳定。抗涌MOS管M1稳定的工作在线性区时，此时M1的漏源极间的电压保持稳定，从而可以使得电源负极端线NEG的电压值也保持在抑制电压阈值附近。因此将电源正极端线VIN和电源负极端线NEG之间提供的直流电源总线的电压差控制在电路要求的范围内。

图10是本发明的一个优选实施例的实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法的流程示意图。如图10所示，图中所示标识的步骤S1、步骤S2、步骤S23与前面参照图9所描述的步骤S1、步骤S2、步骤S23的内容相同。在图10所示的优选实施例中，步骤S23包括步骤S231。在步骤S231中，布置第二运算放大器U2，第二运算放大器U2用于放大正相和反相输入信号的电压差，使输出信号的电压能让抗涌MOS管M1工作在线性区。在该优选实施例中，使用参考信号2上的电压指示抑制电压阈值的大小。参考信号2可以是外部输入，也可以在抑压电路内部产生。第二运算放大器U2的正相和反相输入端分别连接电源负极端线NEG和参考信号2，电阻和电容作为U2输出的反馈，与第二运算放大器U2一起实现对输入端信号电压差的放大，U2的输出端信号的电压作用到抗涌MOS管M1的栅极上，使M1工作在MOS管的线性区。U2的输出端信号可以直接连接到抑压控制端K2，也可以经过电阻等器件分压或降压后与K2相连。当电源负极端线NEG电压值大于抑制电压阈值时，第二运算放大器U2将电源负极端线NEG电压与抑制电压阈值的差值信号放大，此时U2的输出端的电平升高，抑压控制端K2的电平升高，即M1的栅极的电压升高，M1在线性区的可变电阻减小，使得电压负极端线NEG与整个电路的输入负端之间的阻抗减小，从而使得NEG端的电压下降；当电源负极端线NEG的电压值小于抑制电压阈值时，U2输出端的电平降低，U2输出端的电压作用到M1的栅极上，M1的栅极的电压降低，使M1在线性区的可变电阻增大，使得电压负极端线NEG与整个电路的输入负端之间的阻抗增加，从而使得NEG端的电压上升；当电源负极端线NEG的电压值等于抑制电压阈值时，U2输出端的电压作用到M1的栅极上，使M1稳定在线性区的某个特定点上，可变电阻基本不变，从而使得NEG端的电压在抑制电压阈值附近不变。以上电源负极端线NEG的电压稳定在抑制电压阈值的过程是个振荡反复最终趋于稳定的过程。由于控制M1栅极的电压使M1都工作在线性区内，因此可以使NEG端的电压快速稳定在抑制电压阈值附近。考虑到器件选型的成本和器件所占面积的大小，可以将NEG信号分压之后与第二运算放大器U2连接，此时参考信号2上的电压值也相应地等比例的下降。另外在本发明的实施例中也并未明确标识出其它电阻、电容、二极管等器件的具体使用。但对本领域的技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，可以根据上述示范性实施例的描述而且在不背离本发明的使用第二运算放大器U2用于放大正相和反相输入信号的电压差，使输出信号的电压能让抗涌MOS管M1工作在线性区的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现使用第二运算放大器U2。

需要注意的是，本发明的电路可采用专用集成电路(ASIC)或任何其他类似硬件设备来实现。另外，本发明的一些步骤或功能可采用硬件来实现。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化涵括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，显然“包括”一词不排除其他单元或步骤，单数不排除复数。系统权利要求中陈述的多个单元或装置也可以由一个单元或装置通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。

除非另行定义，否则这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)都具有与示例性实施例所属领域内的技术人员通常所理解的相同的含义。还应当理解的是，除非在这里被明确定义，否则例如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释成具有与其在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，而不应按照理想化的或者过于正式的意义来解释。

Claims (11)

1.一种抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路，其中，所述直流电源总线包括电源正极端线和电源负极端线，所述电源负极端线与一个或多个抗涌MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的漏极相连，所述抗涌MOS管的源极与所述直流电源总线的输入负端相连，所述抗涌MOS管的栅极与所述直流电源总线的内部电路相连；其中，所述抑压电路包括：

将与所述抗涌MOS管的栅极相连的通路断开，断开的通路两端为与所述直流电源总线内部电路相连的内部连接端和与所述抗涌MOS管的栅极相连的抑压控制端；

控制模块，用于在所述电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，使所述内部连接端和所述抑压控制端之间导通；在所述电源正极端线的电压值大于所述高电压门限值时，使所述内部连接端和所述抑压控制端之间断开，此时控制所述抑压控制端的电压，使所述电源负极端线的电压值调整到抑制电压阈值。

2.根据权利要求1所述的抑压电路，其中，所述控制模块包括：

一个开关MOS管，所述开关MOS管的漏极与所述内部连接端连接，所述开关MOS管的源极与所述抑压控制端连接；

开关子模块，所述开关子模块的输出端连接至所述开关MOS管的栅极，所述开关子模块用于在所述电源正极端线的电压值大于所述高电压门限值时，使所述开关子模块的输出端为低电平，在所述电源正极端线的电压值小于等于所述高电压门限值时，使所述开关子模块的输出端为高电平。

3.根据权利要求1所述的抑压电路，其中，所述控制模块还包括：

稳压子模块，在所述电源正极端线的电压值大于所述高电压门限值时工作；所述稳压子模块的输出端连接至所述抑压控制端；所述稳压子模块用于当所述电源负极端线的电压值大于所述抑制电压阈值时，使所述稳压子模块的输出端的电平升高，当所述电源负极端线的电压值小于所述抑制电压阈值时，使所述稳压子模块的输出端的电平降低，当所述电源负极端线的电压值等于所述抑制电压阈值时，使所述稳压子模块的输出端的电压稳定，能让所述抗涌MOS管稳定的工作在线性区。

4.根据权利要求2所述的抑压电路，其中，所述开关子模块包括：

第一运算放大器，所述第一运算放大器用于比较所述电源正极端线和所述高电压门限值的大小，所述第一运算放大器的输出指示比较结果。

5.根据权利要求3所述的抑压电路，其中，所述稳压子模块包括：

第二运算放大器，所述第二运算放大器用于放大正相和反相输入信号的电压差，使输出信号的电压能让所述抗涌MOS管工作在线性区。

6.一种实现抑制直流电源总线的过高电压的抑压电路的方法，其中，所述直流电源总线包括电源正极端线和电源负极端线，所述电源负极端线与一个或多个抗涌MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)的漏极相连，所述抗涌MOS管的源极与所述直流电源总线的输入负端相连，所述抗涌MOS管的栅极与所述直流电源总线的内部电路相连；其中，所述方法包括：

-S1：将与所述抗涌MOS管的栅极相连的通路断开，断开的通路两端为与所述直流电源总线内部电路相连的内部连接端和与所述抗涌MOS管的栅极相连的抑压控制端；

-S2：在所述电源正极端线的电压值小于等于高电压门限值时，使所述内部连接端和所述抑压控制端之间导通；在所述电源正极端线的电压值大于所述高电压门限值时，使所述内部连接端和所述抑压控制端之间断开，此时控制所述抑压控制端的电压，使所述电源负极端线的电压值调整到抑制电压阈值。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤S2包括：

-S21：布置一个开关MOS管，所述开关MOS管的漏极与所述内部连接端连接，所述开关MOS管的源极与所述抑压控制端连接；

-S22：布置开关子模块，将所述开关子模块的输出端连接至所述开关MOS管的栅极，在所述电源正极端线的电压值大于所述高电压门限值时，使所述开关子模块的输出端为低电平，在所述电源正极端线的电压值小于等于所述高电压门限值时，使所述开关子模块的输出端为高电平。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述步骤S2还包括：

-S23：布置稳压子模块，使所述稳压子模块在所述电源正极端线的电压值大于所述高电压门限值时工作；将所述稳压子模块的输出端连接至所述抑压控制端；当所述电源负极端线的电压值大于所述抑制电压阈值时，使所述稳压子模块的输出端的电平升高，当所述电源负极端线的电压值小于所述抑制电压阈值时，使所述稳压子模块的输出端的电平降低，当所述电源负极端线的电压值等于所述抑制电压阈值时，使所述稳压子模块的输出端的电压稳定，能让所述抗涌MOS管稳定的工作在线性区。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述步骤S22包括：

-S221：布置第一运算放大器比较所述电源正极端线和所述高电压门限值的大小，所述第一运算放大器的输出指示比较结果。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述步骤S23包括：

-S231:布置第二运算放大器放大正相和反相输入信号的电压差，使输出信号的电压能让所述抗涌MOS管工作在线性区。

11.一种电子设备，其中包括如权利要求1至5中任一项所述的抑压电路。

Images