CN111052298B - 用于带电粒子浸没以增强电压对比缺陷信号的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

公开了用于在带电粒子束装置中实施带电粒子浸没的系统和方法。根据特定实施例，带电粒子束系统包括带电粒子源和控制器，控制器控制带电粒子束系统以第一模式和第二模式发射带电粒子束，在第一模式中束被散焦，而在第二模式中束被聚焦在样本的表面上。

Description

用于带电粒子浸没以增强电压对比缺陷信号的系统和方法
相关申请的交叉参考
本申请要求2017年8月2日提交的美国申请62/540,548和2017年8月26日提交的美国申请62/550,613的优先权，它们通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开总体上涉及带电粒子束装置领域，更具体地，涉及用于在带电粒子束装置中实施带电粒子浸没(flooding)的系统和方法。
背景技术
在集成电路(IC)的制造工艺中，未完成或完成的电路部件被检查，以确保它们按设计制造且没有缺陷。使用光学显微镜的检查系统具有的分辨率通常可达到几百纳米，并且分辨率受到波长的限制。随着IC部件的物理尺寸不断减小到100纳米以下甚至10纳米以下，需要比光学显微镜具有更高分辨率的检查系统。此外，晶圆上的电气缺陷(诸如开路接触故障、开路/短路布线故障等)不能通过光学检查而检测到。
带电粒子(例如，电子)束显微镜(诸如扫描电子显微镜(SEM)，其分辨率小于纳米)用作用于检查具有小于100纳米范围的特征尺寸的晶圆上的IC部件的实用工具。通过SEM，初级电子束(电子束)的电子可聚焦在被检查晶圆的探针斑处。初级电子与晶圆的交互可产生一个或多个次级电子束。次级电子束可包括反向散射电子、次级电子或俄歇电子，其由初级电子与晶圆的交互而产生。一个或多个次级电子束的强度可基于晶圆的内部和/或外部结构的特性而变化，由此指示晶圆是否包括缺陷。
次级电子束的强度可使用检测设备或检测器来确定。次级电子束可在检测器表面上的预定位置形成一个或多个束斑。检测器可生成表示被检测次级电子束的强度的电信号(例如，电流、电压等)。电信号可通过测量电路装置(例如，模数转换器)来测量，以获得所检测电子的分布。在检测时间窗期间收集的电子分布数据与入射到晶圆表面的初级电子束的对应扫描路径数据组合可用于重建被检查晶圆结构的图像。重建的图像可用于揭示晶圆的内部和/或外部结构的各种特征，并且可用于揭示晶圆中可能存在的任何缺陷。
此外，可使用带电粒子检查系统的电压对比法来检测晶圆上的物理和电气缺陷。为了检测电压对比缺陷，通常采用称为预充电的工艺，其中在进行检查之前，将带电粒子施加于将被检查的区域。预充电的优势包括：1)减少将导致图像的散焦和失真的晶圆表面的充电；以及2)能够向晶圆的特征施加适当的电压，使得缺陷和周围的非缺陷特征在检查时表现不同。此外，预充电增强了缺陷的电压对比信号，使得可以在带电粒子检查系统中获得令人满意的信噪比(SNR)并且将容易检测到缺陷。
目前，已经采用专用电子束浸没枪作为对晶圆表面进行预充电以及设置充电条件的有用工具。专用电子束浸没枪可增强电压对比缺陷信号，以便增加缺陷检测灵敏度和/或吞吐量。在浸没过程中，浸没枪被用于提供相对大量的电子来给预定区域充电。随后，电子束检查系统的初级电子源被应用于扫描预充电区域内的区域以实现该区域的成像。
虽然传统的浸没枪能够生成大的带电粒子电流并且可以在短时间内实现整个晶圆的浸没，但传统的浸没枪在带电粒子束检查应用中面临缺陷。例如，在小存储器件的带电粒子束检查中，由于待检查区域小而否定了传统浸没枪的优点。浸没枪还由于其独立于检查系统的带电粒子源而面临限制。此外，系统需要在两种不同的工作模式之间切换，一种模式用于浸没，一种模式用于检查。由于两种工作模式都处于高压状态下，因此接通一个而关闭另一个是耗时的，并且引入了系统设计复杂度。
此外，传统的浸没枪通常受到成本限制，并且是电子束检查系统中从属于其他子系统的子部件。因此，例如与SEM的初级束系统相比，传统浸没枪具有更简单的控制。因此，浸没枪具有有限的可控性和低精度。此外，试图通过改进专用浸没枪以获得更精确的可控性来解决这些限制的成本可能是不切实际的。此外，封装约束限制了在带电粒子束检查系统中占用空间的专用浸没枪可能的修改量。
本背景技术部分中公开的信息仅用于增强对本公开的背景技术的理解，而不应视为承认或任何形式的建议，即该信息构成本领域技术人员已知的现有技术。例如，相关技术的上述限制和缺点被认为是发明人为获得本发明概念而已经解决的事项，或者被认为是在构思本公开的过程中发现的事项。因此，上面的描述不能简单地称为在提出本申请之前为公众所知的信息。
发明内容
本公开的实施例提供了用于在带电粒子束检查装置中提供检查模式的同时提供带电粒子浸没模式的系统和方法。
在一些实施例中，提供了一种带电粒子束系统，其具有被配置为沿光轴发射带电粒子束的带电粒子源、被配置为允许带电粒子束通过的至少一个孔径以及控制器。控制器可被配置为控制带电粒子束系统，以便以第一模式发射带电粒子束，在第一模式中，带电粒子束以第一电流水平入射到样本上并且被散焦。控制器还可被配置为控制带电粒子束系统，以便以第二模式发射带电粒子束，在第二模式中，带电粒子束以第二电流水平入射到样本上，并且被聚焦到样本的表面。控制器还可被配置为在第一模式和第二模式之间切换带电粒子束系统。
在一些实施例中，提供了一种使用带电粒子束系统检查样本的方法。该方法可包括发射以第一电流水平入射到样本上的带电粒子束，其中带电粒子束在样本表面上被散焦。该方法还可包括发射以第二电流水平入射到样本上的带电粒子束，其中带电粒子束在样本表面上被聚焦。
所公开实施例的附加目的和优点将在下面的描述中部分阐述，并且部分将从描述中显而易见，或者可通过实施例的实践来学习。所公开实施例的目的和优点可通过权利要求中阐述的元件和组合来实现和获得。然而，本公开的示例性实施例不是必须实现这些示例性目的和优点，并且一些实施例可以不实现任何所提目的和优点。
应当理解，上面的一般描述和以下详细描述都只是示例性和解释性的，并且不限制所要求的公开主题。
附图说明
图1是示出与本公开的实施例一致的示例性电子束检查(EBI)系统的示意图。
图2是示出与本公开的实施例一致的可以是图1的示例性电子束检查系统的一部分的示例性单束电子束工具的示意图。
图3是示出与本公开的实施例一致的可以是图1的示例性电子束检查系统的一部分的示例性多束电子束工具的示意图。
图4是示出与本公开的实施例一致的示例性选择性可变孔径的示意图。
图5是示出与本公开的实施例一致的在散焦模式下操作的示例性电子束工具的示意图。
图6是示出与本公开的实施例一致的在成像模式下操作的示例性电子束工具的示意图。
图7是示出与本公开的实施例一致的在第一模式下操作的示例性单束带电粒子束工具的示意图。
图8是示出与本公开的实施例一致的在第二模式下操作的示例性单束带电粒子束工具的示意图。
图9是示出与本公开的实施例一致的在混合模式下操作的示例性单束带电粒子束工具的示意图。
图10是示出与本公开的实施例一致的用于检查晶圆的示例性方法的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述本公开的各种示例性实施例，附图中示出了本发明的一些示例性实施例。在不限制本发明的保护范围的情况下，实施例的所有描述和附图将示例性地参考电子束。
本文公开了本公开的详细说明性实施例。然而，本文公开的特定结构和功能细节仅用于描述本公开的示例实施例的目的。然而，本发明可以多种替代形式具体化，并且不应解释为仅限于本文阐述的明确陈述的实施例。
因此，尽管本公开的示例性实施例能够进行各种修改和替代，但其实施例在附图中以示例的方式示出并将在本文详细描述。然而，应当理解，无意将本发明的示例性实施例限于所公开的特定形式，相反，本发明的示例性实施例将涵盖落入本发明范围内的所有修改、等效和替代。相似的数字在附图的描述中表示相似的元素。
虽然本文讨论了多个示例性的值范围，但是应当理解，这些范围仅仅是示例。与本公开一致的特定实施例可在这些范围外操作。
在本公开中，轴向可以表示装置的光轴方向，而径向可以表示垂直于光轴的方向。坐标系的X和Y轴应理解为晶圆平面上的两个垂直的方向。
连接词“或者”包括由连接词关联的一个或多个所列元素的任何和所有组合。例如，措辞“包括A或B的装置”可表示包括A的装置(其中B不存在)、包括B的装置(其中A不存在)或者A和B都存在的装置。措辞“A、B、…和N中的至少一个”或者“A、B、…和N中的至少一个或者它们的组合”最广义地定义为表示从包括A、B、…N的组中选择的一个或多个元素，即，A、B、…N中的一个或多个的组合，包括单独的任何一个元素或者与一个或多个其他元素组合，这些元素也可以组合地包括未列出的附加元素。
在一个示例性方法中，电子束用于浸没在SEM工具中被检查的晶圆的表面。浸没可用于增强缺陷的电压对比信号以达到令人满意的信噪比(SNR)水平，使得可在SEM检查工艺中容易捕获缺陷。
在一个示例性实施例中，SEM工具的初级电子束用于替换系统中的离散浸没枪来浸没晶圆表面。在用于通过SEM工具检查晶圆的准备中，浸没可用于预充晶圆。预充电可用于增强电压对比型缺陷信号，例如，如在美国专利第8,748,815和8,759,762号中所讨论的，这两项专利整体通过引用并入本文。
简单地说，预充电可以在各种方案中实施，包括预扫描、散焦预扫描和浸没。例如，可以使用预扫描。在预扫描中，除其他条件外，与成像中使用的相同电流设置用于预扫描区域。然而，在预扫描期间，在束扫描区域时忽略图像数据，直到图像扫描开始并收集图像信号。
此外，可以使用散焦预扫描。在散焦预扫描中，可以使用与成像时所使用的电流设置相同的电流设置。在预扫描期间，束被散焦。由于束被散焦，因此入射到样本上的电流密度减小，这允许使用稍大的总电流束。因此，散焦预扫描可比非散焦预扫描更有效。虽然可以使用稍大的电流束，但由于成像的电流要求，电流水平可能仍然受到限制。
此外，还可以使用浸没。浸没允许相对较大的区域被预充电，这在一些应用中可具有更好的效率。
在本公开的一个示例性实施例中，提供了一种装备有可调孔径的电子束源，诸如在电子束源尖端前方(朝向电子束辐射的方向)的孔径集合。该孔径集合可包括至少一个或多个孔径孔，用于调节浸没功能的所需束电流(剂量)。
在本公开的一个示例性实施例中，提供了一种使用SEM的本机电子光学器件的方法，将聚光透镜和物镜组合以形成浸没所需的束斑尺寸。SEM的初级束可用于成像和浸没。
可通过选择期望的孔径来调节电子束剂量。电流范围可设置为电子束源能够提供的最大可用束电流内的多个水平(诸如在μA范围中)。即，可通过选择对应的孔径来调整施加于晶圆的电子束的电流。例如，被配置为发射1μA量级束的孔径可用于电子束浸没。被配置为发射0.1至200nA范围中的束的孔径可用于进行检查。在两种模式下使用的可能发射电流的范围允许高水平的可调节性。用于浸没的电流范围可能与用于检查的电流范围重叠。因此，在一些实施例中，最大的检查电流可大于最小的浸没电流。例如，浸没电流范围可设置为80到1500nA。
束斑尺寸可以为但不限于亚微米到毫米(10^-4到10^0mm)的范围。在一些实施例中，可调孔径可用的束斑尺寸的范围可以从5μm到1mm。然后，具有适当斑尺寸的束可被用于浸没晶圆表面。
较大的束斑尺寸有助于降低施加于晶圆的电子束的电流密度。例如，典型的浸没枪被配置为发射100μA的束，束斑尺寸将变得非常大。然而，在电子束检查工具(诸如SEM工具)中，视场(FOV)是有限的，因此不需要浸没大面积的晶圆。此外，允许可调节性以提供更小的斑尺寸以进行更精确的充电控制可能是有利的。即，可以选择对于针对一些检查应用生成适当充电条件理想的斑尺寸，由此可以更有效地处理晶圆，同时避免对检查区域外的区域充电。
根据应用需要，电子束源孔径的设置可与柱孔径的设置组合，以形成具有最短切换时间的优化浸没束电流密度。
现在参考图1，其示出了与本公开的实施例一致的示例性电子束检查(EBI)系统100。如图1所示，EBI系统100包括主室101、加载/锁定室102、电子束工具104和设备前端模块(EFEM)106。电子束工具104位于主室101内。电子束工具104可以是单束系统或多束系统。控制器109电连接至电子束工具104。控制器109可以是被配置为执行EBI系统的各种控制的计算机。
EFEM 106包括第一加载端口106a和第二加载端口106b。EFEM106可包括附加加载端口。第一加载端口106a和第二加载端口106b可接收包含将被检查的晶圆(例如，半导体晶圆或由其他材料制成的晶圆)或样本(晶圆和样本在下文统称为“晶圆”)的晶圆前开式晶圆传送盒(FOUP)。EFEM 106中的一个或多个机械臂(未示出)可将晶圆运输到加载/锁定室102。
加载/锁定室102连接至加载/锁定真空泵系统(未示出)，该系统移除加载/锁定室102中的气体分子以达到低于大气压的第一压力。在达到第一压力后，一个或多个机械臂(未示出)可将晶圆从加载/锁定室102运输到主室101。主室101连接至主室真空泵系统(未示出)，该系统移除主室101中的气体分子以达到低于第一压力的第二压力。在达到第二压力后，晶圆经受电子束工具104的浸没或检查。
图2示出了一种单束装置，其中检查系统包括被配置为生成次级束的单个初级束。如图2所示的实施例，检测器可沿着光轴放置。在一些实施例中，检测器可离轴布置。
如图2所示，电子束工具104包括由机动台134支撑的晶圆保持器136，以保持将被检查的晶圆150。电子束工具104包括电子发射器，其可以包括阴极103、阳极120和枪孔径122。电子束工具104还包括束限制孔径125、聚光透镜126、柱孔径135、物镜组件132和电子检测器144。在一些实施例中，物镜组件132是改进的SORIL透镜，其包括极片132a、控制电极132b、偏转器132c和激励线圈132d。在一般成像过程中，从阴极103的尖端发射的电子束161由阳极120电压加速，穿过枪孔径122、束限制孔径125、聚光透镜126，并通过改进的SORIL透镜聚焦到探针斑，然后撞击晶圆150的表面。从晶圆表面发射的次级电子被检测器144收集以形成感兴趣区域的图像。
电子束工具的聚光镜和照明光学元件可包括或由电磁四极电子透镜补充。例如，如图2所示，电子束工具104包括第一四极透镜148和第二四极透镜158。在一些实施例中，四极透镜用于控制电子束。例如，可以控制第一四极透镜148来调整束电流，并且可以控制第二四极透镜158来调整束斑尺寸和束形状。
尽管图2将电子束工具104示出为一次仅使用一个初级电子束来扫描晶圆150的一个位置的单束检查工具，但电子束工具104也可以是使用多个初级电子束来同时扫描晶圆150上的多个位置的多束检查工具。
例如，图3示出了用于使用束分离器将初级束源的多个束定向到样本的多束装置。应容易理解，本公开的实施例也可以应用于单束装置。
如图3所示，电子束工具204包括机动台134和由机动台134支撑的晶圆保持器136，以保持将被检查的晶圆150。电子束工具204包括电子发射器，其可以包括阴极103、阳极120和枪孔径122。电子束工具204还包括束限制孔径124、聚光透镜126、源转换单元128、物镜组件132、束分离器138和电子检测器140。在一些实施例中，源转换单元128可包括微偏转器阵列129和波束限制板130。在一个实施例中，物镜组件132可包括改进的摆动减速浸入物镜(SORIL)，其包括极片132a、控制电极132b、偏转器132c和激励线圈132d。此外，电子束工具204可包括能量色散X射线光谱仪(EDS)检测器(未示出)以表征晶圆上的材料。
当电子束工具204操作时，将被检查的晶圆150被安装或放置在由机动台134支撑的晶圆保持器136上。在阳极120和阴极103之间施加电压，并且阴极103发射电子束160。发射的电子束穿过枪孔径122和束限制孔径124，这两个孔径可确定进入位于束限制孔径124下方的聚光透镜126的电子束的大小。在电子束160进入源转换单元128之前，聚光透镜126可聚焦发射的电子束160。微偏转器阵列129可将发射的电子束分成多个初级电子束160a、160b和160c。多个初级电子束的数目不限于三个，并且微偏转器阵列129可被配置为将发射的束分成更多数量的初级电子束。波束限制板130可以在进入物镜组件132之前设置多个初级电子束的尺寸。偏转器132c偏转初级电子束160a、160b和160c，以便于在晶圆上进行束扫描。例如，在扫描处理中，可以控制偏转器132c以在不同的时间点处将初级电子束160a、160b和160c同时偏转到晶圆150的顶面的不同位置，从而为晶圆150的不同部分的图像重建提供数据。
在物镜组件132中，激励线圈132d和极片132a生成磁场，该磁场在极片132a的一端处开始并且在极片132a的另一端处结束。晶圆150被初级电子束160扫描的部分可浸入磁场中并且可以带电，这又会产生电场。电场在与晶圆碰撞之前降低了在晶圆表面附近撞击初级电子束160的能量。与极片132a电隔离的控制电极132b控制晶圆上的电场以防止晶圆的微拱起并确保适当的束聚焦。
当接收到初级电子束160a、160b和160c时，反向散射的初级电子和次级电子可从晶圆150的部分发射。束分离器138可将次级和/或散射电子束170a、170b和170c(包括反向散射和次级电子)引导到电子检测器140的传感器表面。检测的电子束170a、170b和170c可在电子检测器140的传感器表面形成相应的束斑180a、180b和180c。电子检测器140可生成表示所接收束斑的强度的信号(例如，电压、电流等)，并且将该信号提供给处理系统，诸如控制器109。次级和/或散射电子束170a、170b和170c的强度以及由此产生的束斑可根据晶圆150的外部和/或内部结构而变化。此外，如上所讨论的，初级电子束160a、160b和160c可投射到晶圆150的顶面的不同位置，以生成不同强度的次级和/或散射电子束170a、170b和170c(以及由此产生的束斑)。因此，通过将束斑的强度与晶圆150的位置映射，处理系统可重建反映晶圆150的内部和/或外部结构的图像。
此外，电子束工具104可以是多柱孔径SEM系统的一部分。此外，电子束工具104还可以实施为电子束平版印刷(EBL)系统，诸如电子束直写(EBDW)系统。本申请不限制应用所公开的带电粒子发射器的特定系统或技术领域。因此，本公开可适用于任何带电粒子系统，诸如FIB(聚焦离子束)系统、AFM(原子力显微镜)系统或其他电子束系统(诸如SEM电子束检查系统)。
现在参考图4，图4示出了与本公开的实施例一致的选择性可变孔径板122a的示例性部件。代替枪孔径122或除枪孔径122之外，可设置选择性可变孔径板122a。此外，束限制孔径125和柱孔径135可设置为选择性可变孔径。
如图4所示，选择性可变孔径板122a可以是包含多个孔的板。例如，选择性可变孔径板122a包括第一孔径孔123a、第二孔径孔124a、第三孔径孔125a等。第一孔径孔123a所具有的直径被配置为允许电子束穿过，并且可以被配置为产生用于浸没的相对较大的斑尺寸。选择性可变孔径板122a可包括多个进一步逐渐变小的孔径孔，用于浸没较小区域和/或适合用于执行电子束检查。孔径板中孔的数量是可定制的。
由于从电子束源发射的电子可具有均匀的角密度，因此穿过孔径的电流与孔径孔大小直接相关。当在电子束源和将被辐照的区域之间设置一个选择性可变孔径板时，孔径板可被配置为使用四个不同尺寸的孔径孔，使例如150nA、300nA、600nA和1200nA的电子电流通过。由孔径指定的电流水平可确定样本上入射的电流水平。当多个孔径沿光轴方向串联布置时，电流水平可依次被修整，使得多个孔径均对入射到样本上的最终电流具有影响。
在一些实施例中，第一孔径孔125a的直径可在例如100-200μm的范围内。孔径板122a可设置有直径，例如为60μm的另一孔，该孔用于检查模式。在检查模式中，电子束聚焦到一点是有利的。例如，点聚焦探针斑可以为1nm的量级。窄聚焦探针斑有利于获得高成像分辨率。
在电子束工具中，选择性可变孔径板122a可定位在电子束工具中的电子发射器和晶圆之间。在一些实施例中，选择性改变孔径板122a可定位在电子束工具的电子发射器和聚光透镜之间。
选择性可变孔径板122a的材料是或者可以包括非磁性导电板，诸如铂、金、钼、铜、钽、铂铱(95:5)、石墨或其他的一种或多种。
在另一实施例中，可调孔径可设置为虹膜型孔径。虹膜型孔径可由电机控制以实现精确的束控制。
在示范性带电粒子检查系统的操作中，诸如通过使用EBI系统，在晶圆检查之前进行预充电。在一些实施例中，EBI系统100可在被配置为对将被检查的晶圆进行预充电的散焦模式下操作。EBI系统100也可以在被配置为通过电子束成像进行检查的成像模式下操作。在散焦模式和成像模式下，电子束工具的电子发射器生成电子束。
如图5所示，在散焦模式下，在散焦模式下操作的电子束工具204A的枪孔径122被配置为允许由电子发射器生成的电子束穿过枪孔径122。例如，在散焦模式下，电子束工具被配置为产生入射到晶圆150上的散焦电子束165。散焦电子束165可适合于辐照晶圆上将被检查的相对较大区域。可设置诸如束限制孔径125和柱孔径135的附加孔径，以允许散焦电子束不受阻碍地穿过。散焦电子束165可根据电流水平由孔径设置，使得电子束的电流被设置为第一电流水平。电流水平可以统一设置，使得所有的枪孔径122、束限制孔径125和柱孔径135影响穿过到达晶圆的束的电流水平。备选地，束电流水平可基本由枪孔径122来确定，而其他孔径被设置为足够大以使它们不会实质上影响束电流。散焦电子束165可穿过电子束工具的聚焦光学元件，诸如图5示意性示出的聚光透镜126和物镜132。然而，通过电子光学元件，散焦电子束165没有聚焦到晶圆150的表面上的精细点中。与配置用于电子束检查的探针斑相比，散焦电子束165相对散焦，因此使散焦电子束具有宽的斑尺寸。在一些实施例中，可横跨晶圆150的区域扫描散焦电子束165以进行预充电。在一些实施例中，散焦电子束165不横跨晶圆扫描，而是辐射较小区域。
在成像模式中，如图6所示，控制在成像模式下操作的电子束工具204B的聚焦光学元件，以将电子束聚焦到用于进行成像检查的精细点中。例如，在成像模式中，电子束工具被配置为产生入射到晶圆150上的检查电子束166。然后，通过在晶圆150上方以图案(例如，光栅图案)扫描束，检查电子束可用于成像。检查电子束166可设置为第二电流水平。
第一电流水平可大于或等于第二电流水平。例如，通常，预充电需要大电流水平。由于用于检查的电流水平通常较小，所以第二电流水平可小于第一电流水平。然而，第一电流水平不是必须大于第二电流水平，例如在使用大电流检查的情况下。
当第二电流水平被配置为小于第一电流水平时，可通过电子束工具的孔径来设置成像模式下的检查电子束的电流水平。例如，枪孔径122可被设置为允许电子束的相对较小电流通过。当选择性可变孔径板122a被用作枪孔径122时，可使用小于用于散焦电子束的孔径孔，以允许检查束入射到晶圆上。在一些实施例中，选择性可变孔径板122a由被配置为调整选择性可变孔径板122a的X和Y位置的电机控制，使得多个孔径孔(123a、124a、125a、126a、127a、128a)中的一个与电子发射器的光轴对准。电机可由来自控制器109的命令信号控制。
控制器109可控制电子束工具在散焦模式和成像模式之间切换。在散焦模式下，控制器109可控制被配置为移动选择性可变孔径板122a的电机，使得将散焦电子束设置为第一电流水平。在成像模式中，控制器109可控制选择性可变孔径板122a的电机，使得将检查电子束设置为第二电流水平。
此外，控制器109还可以控制电子光学元件，使得散焦电子束在散焦模式下被散焦。例如，可以控制电子光学元件的聚光透镜和物镜，使得电子束的焦点与晶圆表面不一致。电子光学元件可调整电子束，使其焦点在光轴方向上超出晶圆的平面，由此扩大斑尺寸。在成像模式中，控制器109可控制电子光学元件，使得检查电子束相对地比入射到晶圆上的散焦电子束更聚焦。具体地，控制器109可控制电子光学元件，使得检查电子束的焦点与晶圆表面一致。控制器109还可以使散焦电子束被指定为具有特定斑尺寸的这种方式来控制电子束工具。散焦电子束的斑尺寸可大于检查电子束的探针斑。此外，散焦电子束的斑可比检查电子束的探针斑更为分散。
图7示出了与本公开的实施例一致的在第一模式下操作的示例性带电粒子束工具304A。为了清楚，省略了一些元件。带电粒子束工具304A包括带电粒子源，其包括阴极303和阳极320。第一模式可包括浸没模式。在浸没模式中，第一枪孔径323与带电粒子源的光轴302对准，其尺寸使得第一电流水平的束被允许穿过第一枪孔径323a。第一电流水平可相对较大，例如，1000nA。
带电粒子束工具还包括聚光透镜326、柱孔径335和物镜332。在第一模式下操作的带电粒子束工具304A中，控制聚光透镜326以将1000nA束聚焦在柱孔径335的中心处。1000nA的束可以聚焦，使得基本上穿过第一枪孔径323a的带电粒子都穿过柱孔径335。因此，入射到位于带电粒子源下方的样本上的浸没束电流可基本上与第一电流水平相同。可通过将束聚焦到柱孔径335的中心来实现浸没模式，使得柱孔径335不限制束电流。由于聚焦束比柱孔径335的直径小得多，因此基本上所有束电流都将穿过孔径孔，并且可以作为浸没电流到达样本。
一旦到达样本，散焦束可扩展以照射样本包含区域380的区域。
浸没模式可包括对置于带电粒子源下方的样本进行初级束浸没。在初级束浸没中，物镜332可被控制以将束聚焦到期望水平。例如，可以控制物镜332以产生具有期望尺寸的初级束浸没斑381。斑尺寸可以在包括区域380的范围内进行调整。因此，束可被控制到期望的聚焦水平。
物镜332可通过可用于浸没模式的大范围的散焦束形状/尺寸下操作。浸没斑381的尺寸可向上调整为区域380的尺寸(其例如可以在亚毫米范围内，诸如0.5mm附近)以及向下调整为几乎是聚焦斑的尺寸(例如，可以为几纳米)。浸没模式中的斑尺寸范围可包括任何散焦斑，并且在一些示例性实施例中可包括0.1μm到500μm的范围。
图8示出了与本公开的实施例一致的在第二模式下操作的示例性带电粒子束工具304B。第二模式可包括成像模式。在成像模式中，第二枪孔径324a与带电粒子源的光轴302对准，使得第二电流水平的束被允许穿过第二枪孔径324a。第二电流水平可相对较小，例如20nA。
在第二模式下操作的带电粒子束工具304B中，控制聚光透镜326以聚焦20nA束用于进一步的精确控制。聚焦可与调整柱孔径335一起发生，或者独立于柱孔径335。例如，可使具有更多或更少带电粒子的束穿过柱孔径335，使得检查束利用精确控制在特定电流水平(诸如5nA或6.5nA)到达样本。物镜332被控制以将检查束聚焦到成像斑尺寸。一旦到达样本，聚焦束可在样本表面上的一点会聚，从而形成探针斑382。探针斑382的尺寸可在几纳米或更小的范围内。
在一些实施例中，浸没电子束可被配置为形成基本上包围带电粒子束工具的FOV的斑尺寸。
当处于第一模式时，控制器109可控制浸没剂量。例如，控制器109可在第一模式下辐射晶圆持续预定的时间段。
在一些实施例中，浸没处理可在连续移动模式下实施，其中，当浸没被开启时，晶圆被以受控速度沿X和Y方向移动的机动台134承载。移动速度可根据所需的浸没剂量和定时进行优化。在连续移动模式下，在成像扫描之前对晶圆的一个区域进行至少一次扫描，以根据次级电子发射效率对样本进行正充电或负充电。当以连续移动模式操作时，浸没和成像之间的切换时间相对较短，因为同一束可同时用于浸没和成像。此外，预充电区域可被精确控制。在一些实施例中，用于成像的初级电子束的小束电流可足以用于预扫描来平衡表面充电的状态和/或检测具有低泄漏率的电压对比缺陷。
浸没处理也可以在“跳跃(Leap)和浸没”模式中实施，其中浸没束以期望的剂量开启一段时间，而机动台134承载晶圆在所选位置停止。当检测到具有高泄漏率的一些电气缺陷(诸如铜互连中的薄空隙)时，在“跳跃和浸没”模式下进行浸没处理可能是有利的，这些缺陷需要大量电子来积累充电才能被检测到。
图9示出了与本公开的实施例一致的在混合模式下操作的示例性带电粒子束工具304C。在混合模式中，带电粒子束可组合浸没和成像模式的功能。在带电粒子束工具处于混合模式时，选择第一枪孔径323a与带电粒子源的光轴302对准。例如，第一枪孔径323a可具有被配置为通过1000nA的束的尺寸。同时，选择具有适于成像的尺寸的柱孔径。柱孔径可以是选择性可变孔径。柱孔径335的尺寸可小于第一枪孔径323a的尺寸。例如，柱孔径335的尺寸可被配置为通过5nA的束。
在混合模式中，可控制聚光透镜326来产生适合浸没和成像的束。聚光透镜326的控制可独立于调整束的孔径来进行。例如，如图9所示，可控制聚光透镜326以产生中间束350。中间束350不聚焦到柱孔径335的中心。因此，通过使用适当尺寸的柱孔径来限制束，可以实现对束电流的进一步控制。中间束350在穿过柱孔径335和物镜332时可适当地成形，使得束聚焦到样本表面上的一点并且变得适合于成像。此外，可控制聚光透镜326以将穿过第一枪孔径323a的1000nA束聚焦到柱孔径335的中心。1000nA束可被聚焦，使得基本上穿过第一枪孔径323a的所有带电粒子都穿过柱孔径335。因此，在混合模式中，也可以产生浸没束，其中入射到位于带电粒子源下方的样本上的电流与第一电流水平基本相同。一旦到达样本，散焦束可扩展以照射样本包含区域380的区域，并且可通过物镜332进一步聚焦以形成初级束浸没斑381。
在混合模式下操作可进一步提高切换速度。由于诸如聚光透镜326的电磁透镜可被电输入信号控制，因此调整透镜条件并从而改变穿过透镜的束轮廓所需的时间非常短。另一方面，孔径通过物理移动孔径板来改变，以使单独的孔径孔与束的光轴对准。在一些实施例中，例如，可以十倍于调整孔径的速度来调整聚光透镜。
在一些实施例中，通过在混合模式下操作会影响成像质量。例如，当大电流束穿过枪孔径时，束的一部分可入射到柱孔径的顶部上。这会稍微影响探针束的光学性能。例如，当使用非常大的电流(诸如成像所需电流的100倍)时，光学性能可足以进行成像以检查晶圆的缺陷。
在一些实施例中，使用相对较大的枪孔径，这允许具有通常高于用于成像或预扫描的电流水平的束通过。此外，带电粒子束工具可包括具有助推器的带电粒子源。助推器可用于将工具的初级束源的束电流提升到其最高水平，使得带电粒子源可如浸没枪一样操作。
在与本公开的实施例一致的示例性方法中，使用带电粒子束系统检查样本。该方法包括发射以第一电流水平入射到样本上的带电粒子束，同时该束在样本的表面上散焦。该发射步骤可以是浸没处理。例如，该发射步骤可包括在第一模式下操作EBI系统100，第一模式被配置为进行浸没来对将被检查的晶圆进行预充电。
图10是示出与本公开的实施例一致的示例性方法的流程图。如图10所示，用于检查晶圆的方法从样本加载的步骤S110开始。步骤S110可包括打开加载端口、插入晶圆、关闭加载端口、密封带电粒子束装置的柱以及抽真空。
接下来，在配置条件的步骤S120中，可设置用于执行分析的初始条件。例如，操作者可指定期望电压、孔径、带电粒子束电流水平和聚焦的设置。在一些实施例中，可自动地设置条件。
接下来，在定位样本台的步骤S130中，可微调晶圆的X和Y位置、倾斜、角度定向等。例如，可移动样本台以使晶圆上的期望检查区域与带电粒子束装置的FOV对准。
接下来，在步骤S140中，可进行晶圆的浸没。浸没处理可包括发射以第一电流水平入射到晶圆上的带电粒子束，同时该束在晶圆表面上散焦。例如，如本文所讨论的，可在第一模式下进行浸没处理。
接下来，在切换模式的步骤S150中，可以修改带电粒子束装置的条件。例如，可以调整上述电压、孔径、带电粒子束电流水平和聚焦。然而，在进行下一步之前，无需打开样本加载室、排出真空或重置电压水平。
在步骤S160中，如有必要，可进一步调整样本台。
在步骤S170中，可进行晶圆的检查。检测处理可包括发射以第二电流水平入射在晶圆上的带电粒子束，而带电粒子束聚焦在晶圆表面上。在检查期间，带电粒子束可横跨晶圆表面扫描，以基于检测的次级和/或反向散射带电粒子生成图像。例如，如本文所讨论的，检查处理可在第二模式下进行。
接下来，在验证的步骤S180中，可确认是否存在缺陷。所检测缺陷的位置可以用地址保存。还可以记录所检测缺陷的附加细节，诸如类型、严重性和区域的图像。此外，在检查步骤S170中分析的区域可登记为没有缺陷。此后，可执行附加步骤以检查晶圆的其它区域。
在区域的验证之后，该方法可进行到切换模式的步骤S190，准备重复步骤S140-S180。该方法可在用户的命令下终止，或者当所有期望区域都被检查过时终止。
如上所述，发射带电粒子束的步骤可包括以第一模式和第二模式操作EBI系统100，在第一模式中控制EBI系统100以将其电子束散焦到晶圆150的表面上，以及在第二模式中控制EBI系统100以将其电子束聚焦到用于进行成像检查的精细点。
示例性方法还可包括调整可调孔径，使得第二电流水平小于第一电流水平。可通过手动或经由带电粒子束系统的控制器通过机器来进行孔径的调整。
示例性方法还可以包括从第一模式切换到第二模式，反之亦然。在一些实施例中，模式可快速地来回切换。例如，当被检查结构仅能够在短时间内保持电荷(这可能是由于电流泄露等)时，可期望频繁地切换模式。在这种情况下，示例性处理可包括浸没区域(0.2s)、切换模式(0.1s)、检查区域(0.5s)、切换模式和移动到新区域等。
当在混合模式下操作时，可进一步缩短切换时间，由此改进进行快速切换的性能。
附图中的流程图和框图示出了根据本公开的各种示例性实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实施的架构、功能和操作。关于这点，流程图或框图中的每个块可表示包括用于实施特定逻辑功能的一个或多个可执行指令的模块、段或代码部分。应该理解，在一些备选实施方式中，块中指示的功能可以不以图中所示的顺序发生。例如，根据所涉及的功能，连续示出的两个块可实质上并发地执行，或者两个块有时可逆顺序执行。还应理解，流程图或框图的每个块以及这些块的组合可通过执行特定功能或动作的基于专用硬件的系统来实施，或者由专用硬件和计算机指令的组合来实施。
系统、方法和计算机程序产品的可能实施可存储在内部和/或外部数据存储器中。内部/外部存储器可以是易失性或非易失性、磁性、半导体、磁带、光学、可移动、不可移动或其他类型的存储设备或者有形和/或非暂态计算机可读介质。例如，非暂态介质的常见形式包括软盘、柔性盘、硬盘、固态驱动器、磁带或任何其他磁性数据存储介质、CD-ROM、任何其他光学数据存储介质、具有孔图案的任何物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM或任何其他闪存、NVRAM、高速缓存器、寄存器、任何其他存储芯片或盒以及它们的网络版本。
本公开的示例性实施例与传统的浸没枪浸没处理相比可实现特定的优越优势，包括以下优点。例如，可以从浸没模式快速切换到成像/检查模式，反之亦然。在使用离散浸没枪的典型处理中，切换到成像模式可需要几分钟。然而，在示例性实施例中，如果切换时间不小于一秒，则切换时间可减少到几秒。因此，可实现一到两个数量级的机器时间的节省。
缩短切换时间的一个优点是减少了等待时间(在浸没之后开始检查)。通过减少由于等待时间造成的泄漏电荷量，可以提高检查灵敏度。由于特定类型的应用对等待/延迟时间敏感，并且电子束浸没生成的充电条件可在释放(泄漏)之前不会持续很久，因此显著的切换时间节省帮助覆盖更多可用的应用。此外，节省时间有利于提高产量。
与传统浸没枪相比，带电粒子束系统的初级束源(诸如SEM柱)具有更为复杂的本地电子光学能力和可控性，这使得利用这些能力生成精确控制水平内所需的束电流密度、剂量、场电位等实现主要优势。例如，可以使用各种能级设置。在一些实施例中，在100eV-3000eV的范围内可操作用于浸没和成像的初级束源。在该范围内，可精确地选择例如199eV或1777eV的能级。可以选择值以单独优化期望处理，诸如浸没或成像。
多个孔径的使用允许精确控制将穿过孔径并前进到样本的目标电流。目标电流可根据应用和期望处理(诸如浸没或检查)进行控制。在一些实施例中，可以使用用于浸没的相同孔径来执行检查功能。在一些实施例中，用于浸没和成像的相同孔径可以是电子束检查工具中提供的最小孔径。
此外，在一些情况下，第一模式和第二模式可共享单个枪孔径，以首先满足浸没的电流要求，然后通过组合使用聚光透镜、物镜和柱孔径将束电流降低到适合于检查的水平。
中和是预充电控制的一种应用。在一些实施例中，执行浸没以在电子束检查之前将晶圆表面的电荷预设到特定水平。在一些实施例中，晶圆的表面电荷被中和，以便消除特定先前操作的影响，这些操作可能在晶圆上留下了不希望的电荷。根据各种浸没条件，可以灵活选择电子束源的操作参数。
根据示例性实施例，可提高浸没效率。例如，传统的浸没枪能够发射更高的电流，诸如数百微安，但由于其较大的束斑尺寸(例如，超过10mm)使其无法在不过度浸没不必要区域的情况下浸没较小区域。对于电子束检查机，由于过大的束斑、或者不精确的位置、或者束密度不均匀，可能不必要地浸没大于感兴趣区域10-100倍的区域。根据一些示例性实施例，使用由电子束检查工具的初级束源进行的浸没方法，浸没可精确地限于将被检查的区域。因此，增加的精度可节省使用部分晶圆或小面积浸没的检查应用的时间。
此外，与具有专用控制器或电源的传统浸没枪相比，可以实现成本节约。例如，示例性实施例可消除对冗余系统的需要，诸如用于专用浸没枪的单独控制器和电源。
在示例性实施例中，被配置为在两种模式下操作的带电粒子束源可共享单个控制器，用于浸没和检查两种功能。因此，具有双模带电粒子源的系统可省略不必要的部件，包括单独的专用浸没枪及其相关附件，诸如其控制器等。
可以使用以下条款进一步描述实施例：
1.一种带电粒子束系统，包括：
带电粒子源，被配置为沿光轴发射带电粒子束；
至少一个孔径，被配置为允许带电粒子束通过；以及
控制器，被配置为：
控制带电粒子束系统，以便以第一模式发射带电粒子束，在第一模式中，带电粒子束以第一电流水平入射到样本上，并且入射到样本上的带电粒子束被散焦；
控制带电粒子束系统，以便以第二模式发射带电粒子束，在第二模式中，带电粒子束以第二电流水平入射到样本上，并且入射到样本上的带电粒子束被聚焦到样本的表面；以及
在第一模式和第二模式之间切换带电粒子束系统。
2.根据第1条的带电粒子束系统，其中控制器进一步被配置为：
在第一模式中在样本的表面上形成第一斑；以及
在第二模式中在样本的表面上形成第二斑。
3.根据第1条的带电粒子束系统，其中第一电流水平大于或等于第二电流水平。
4.根据第1条的带电粒子束系统，其中第一电流水平大于第二电流水平。
5.根据第2条的带电粒子束系统，其中第一斑比第二斑更加散焦。
6.根据第2条的带电粒子束系统，其中控制器进一步被配置为：
形成具有第一斑尺寸的第一斑，以及
形成具有第二斑尺寸的第二斑，其中第一斑尺寸大于第二斑尺寸。
7.根据第1条的带电粒子束系统，其中控制器进一步被配置为：
在第一模式中对样本的表面执行带电粒子浸没；以及
在第二模式中对样本执行带电粒子束检查。
8.根据第1条的带电粒子束系统，进一步包括：
孔径板，其上形成有第一孔径和第二孔径，其中第一孔径的尺寸大于第二孔径的尺寸；以及
电机，被配置为调整孔径板的位置；
其中控制器被配置为：
移动孔径板，使得第一孔径在第一模式中与光轴对准；并且
移动孔径板，使得第二孔径在第二模式中与光轴对准。
9.根据第1条的带电粒子束系统，其中带电粒子束系统是扫描电子显微镜，并且带电粒子束是电子束。
10.一种使用带电粒子束系统检查样本的方法，该方法包括：
发射以第一电流水平入射到样本上的带电粒子束，带电粒子束在样本的表面上被散焦；以及
发射以第二电流水平入射到样本上的带电粒子束，带电粒子束在样本的表面上被聚焦。
11.根据第10条的方法，进一步包括：
调整可调孔径，使得第二电流水平小于第一电流水平。
12.根据第10条的方法，进一步包括：
对样本的表面执行带电粒子浸没；以及
对样本执行带电粒子束检查。
13.根据第10条的方法，进一步包括：
在第一电流水平下在样本的表面上形成第一斑；以及
在第二电流水平下在样本的表面上形成第二斑。
14.根据第10条的方法，其中第二电流水平小于第一电流水平。
15.根据第13条的方法，其中第二斑小于第一斑。
16.一种非暂态计算机可读介质，存储可由带电粒子系统的一个或多个处理器执行以使带电粒子系统执行方法的指令集合，所述方法包括：
指示带电粒子发射器，以便以第一模式发射带电粒子束，在第一模式中，带电粒子束以第一电流水平入射到样本上，并且入射到样本上的带电粒子束被散焦；
指示带电粒子系统在第一模式和第二模式之间切换；
指示带电粒子发射器，以便以第二模式发射带电粒子束，在第二模式中，带电粒子束以第二电流水平入射到样本上，并且入射到样本上的带电粒子束被聚焦到样本的表面。
17.根据第16条的计算机可读介质，其中可由带电粒子系统的一个或多个处理器执行的指令集合被配置为使带电粒子系统进一步执行：
指示电磁透镜以第一模式聚焦电子束，以在样本的表面上形成第一斑；以及
指示电磁透镜以第二模式聚焦电子束，以在样本的表面上形成第二斑。
18.根据第16条的计算机可读介质，其中可由带电粒子系统的一个或多个处理器执行的指令集合被配置为使带电粒子系统进一步执行：
将孔径从配置为允许第一模式的带电粒子束穿过的第一孔径孔改为配置为允许第二模式的带电粒子束穿过的第二孔径孔。
19.根据第16条的计算机可读介质，其中第一电流水平大于或等于第二电流水平。
20.根据第16条的计算机可读介质，其中第一电流水平大于第二电流水平。
21.根据第17条的计算机可读介质，其中第一斑比第二斑更加散焦。
22.根据第17条的计算机可读介质，其中可由带电粒子系统的一个或多个处理器执行的指令集合被配置为使带电粒子系统进一步执行：
形成具有第一斑尺寸的第一斑，以及
形成具有第二斑尺寸的第二斑，其中第一斑尺寸大于第二斑尺寸。
23.根据第16条的计算机可读介质，其中可由带电粒子系统的一个或多个处理器执行的指令集合被配置为使带电粒子系统进一步执行：
第一模式中的样本的表面的带电粒子浸没；以及
第二模式中的样本的带电粒子检查。
24.一种带电粒子束系统，包括：
带电粒子源，被配置为沿光轴发射带电粒子束；
至少一个孔径，被配置为允许带电粒子束通过；
至少一个电磁透镜，被配置为控制带电粒子束的聚焦；以及
控制器，被配置为：
控制带电粒子束系统，以便以浸没模式发射带电粒子束；
控制带电粒子束系统，以便以扫描模式发射带电粒子束；并且
在浸没模式和扫描模式之间切换带电粒子束系统。
25.根据第24条的带电粒子束系统，其中
在第一模式和第二模式中，至少一个孔径被设置为第一孔径孔；以及
至少一个电磁透镜在浸没模式和扫描模式之间改变带电粒子束的焦点。
26.根据第24条的带电粒子束系统，其中带电粒子源是带电粒子束工具的初级束。
应理解，本发明不限于上面所述以及附图所示的确切结构，并且可以在不脱离其范围的情况下进行各种修改和改变。此外，上述示例性实施例不一定是互斥的，而是可以彼此组合。例如，即使在第一模式和第二模式之间改变孔径，也可以实施连续移动模式。此外，孔径可包括圆孔、狭缝或任何适合于允许束通过的形状。
本发明的范围应该仅通过所附权利要求来限制。

Claims (15)

1.一种带电粒子束系统，包括：
带电粒子源，被配置为沿光轴发射带电粒子束；
可调孔径，被配置为允许所述带电粒子束通过，所述可调孔径是可改变的，用于提供选择的孔径尺寸；以及
控制器，被配置为：
控制所述带电粒子束系统，以便以第一模式发射所述带电粒子束，在所述第一模式中，所述带电粒子束以第一孔径尺寸通过所述可调孔径并且以第一电流水平入射到样本上，并且入射到所述样本上的所述带电粒子束被散焦，从而利用所述带电粒子束的带电粒子浸没所述样本的表面上的区域；
控制所述带电粒子束系统，以便以第二模式发射所述带电粒子束，在所述第二模式中，所述带电粒子束以第二孔径尺寸通过所述可调孔径并且以第二电流水平入射到所述样本上，并且入射到所述样本上的所述带电粒子束被聚焦到所述样本的所述表面；并且
在所述第一模式和所述第二模式之间切换所述带电粒子束系统。
2.根据权利要求1所述的带电粒子束系统，其中所述控制器进一步被配置为：
在所述第一模式中在所述样本的表面上形成第一斑；以及
在所述第二模式中在所述样本的表面上形成第二斑。
3.根据权利要求1所述的带电粒子束系统，其中所述第一电流水平大于或等于所述第二电流水平。
4.根据权利要求1所述的带电粒子束系统，其中所述第一电流水平大于所述第二电流水平。
5.根据权利要求2所述的带电粒子束系统，其中所述第一斑比所述第二斑更加散焦。
6.根据权利要求2所述的带电粒子束系统，其中所述控制器进一步被配置为：
形成具有第一斑尺寸的所述第一斑，以及
形成具有第二斑尺寸的所述第二斑，其中所述第一斑尺寸大于所述第二斑尺寸。
7.根据权利要求1所述的带电粒子束系统，其中所述控制器进一步被配置为：
在所述第二模式中对所述样本执行带电粒子束检查。
8.根据权利要求1所述的带电粒子束系统，进一步包括：
孔径板，其上形成有第一孔径和第二孔径，其中所述第一孔径的尺寸大于所述第二孔径的尺寸；以及
电机，被配置为调整所述孔径板的位置；
其中所述控制器被配置为：
移动所述孔径板，使得所述第一孔径在所述第一模式中与所述光轴对准；并且
移动所述孔径板，使得所述第二孔径在所述第二模式中与所述光轴对准。
9.根据权利要求1所述的带电粒子束系统，其中所述带电粒子束系统是扫描电子显微镜，并且所述带电粒子束是电子束。
10.一种使用带电粒子束系统检查样本的方法，所述方法包括：
以第一孔径尺寸通过可调孔径板发射带电粒子束，以使所述带电粒子束以第一电流水平入射到所述样本上，所述带电粒子束在所述样本的表面上被散焦，从而利用所述带电粒子束的带电粒子浸没所述样本的所述表面上的区域；以及
以第二孔径尺寸通过可调孔径板发射带电粒子束，以使所述带电粒子束以第二电流水平入射到所述样本上，所述带电粒子束在所述样本的表面上被聚焦。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
调整所述可调孔径，使得所述第二电流水平小于所述第一电流水平。
12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
对所述样本执行带电粒子束检查。
13.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
在所述第一电流水平下在所述样本的表面上形成第一斑；以及
在所述第二电流水平下在所述样本的表面上形成第二斑。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二电流水平小于所述第一电流水平。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二斑小于所述第一斑。
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