CN111048451A - 气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法 - Google Patents
气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111048451A CN111048451A CN201911324538.7A CN201911324538A CN111048451A CN 111048451 A CN111048451 A CN 111048451A CN 201911324538 A CN201911324538 A CN 201911324538A CN 111048451 A CN111048451 A CN 111048451A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- annealing
- solar cell
- gas flow
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000137 annealing Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 124
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 24
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本公开涉及气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法。例如，提供了一种气体流通装置，适于向太阳能电池硅片提供用于退火的气体。该气体流通装置可以包括第一端部，设置有适于接收用于退火的气体的进气口。该气体流通装置还可以包括与所述第一端部相邻的第二端部。该气体流通装置进一步包括弯曲管状主体，位于所述第一端部与所述第二端部之间，所述弯曲管状主体上间隔地设置有多个出气口，该多个出气口适于将所述用于退火的气体传递至将被退火的所述太阳能电池硅片的表面。以此方式，可以提升退火操作的均匀性，使太阳能电池硅片表面上形成的硅化物膜更加均匀。
Description
技术领域
本公开涉及太阳能电池领域，更具体地，涉及气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法。
背景技术
太阳能电池的平价化是从业人员不断追求的目标。常规PERC(钝化发射极和背面电池技术)电池的转换效率逐渐接近理论值，单从技术上提高转换效率、降低生产成本已变得愈发困难。增大太阳能电池硅片的尺寸则是另一种降低生产成本的简易途径。太阳能电池硅片的尺寸增大能够节约生产资源，达到减小电池制造成本的目的。现有常规PERC电池的基本制备流程依次包括：制绒—>扩散—>刻蚀—>正面激光—>退火—>PERC—>PECVD(等离子体增强的化学气相沉积)—>背面开槽—>印刷电极—>烧结。
在类似制备流程中，退火的作用是：在太阳能电池硅片表面形成SiO2膜，以便阻挡杂质离子，提高太阳能电池硅片的抗PID性能，还可以降低太阳能电池硅片表面的掺杂原子浓度。但是，由于太阳能电池硅片的尺寸增大，气流因素引起的太阳能电池硅片表面SiO2膜的不均匀性将变得更加严重，影响产品的一致性和效率。因此，急需开发一种适用于大尺寸太阳能电池硅片的退火进气方法，用于改善大尺寸太阳能电池硅片表面的SiO2膜或其他硅化物膜的均匀性。
发明内容
根据本公开的示例实施例，提供了一种用于对太阳能电池硅片进行退火的方案。
在本公开的第一方面中，提供了一种气体流通装置，适于向太阳能电池硅片提供用于退火的气体。该气体流通装置可以包括第一端部，设置有适于接收用于退火的气体的进气口。该气体流通装置还可以包括与所述第一端部相邻的第二端部。该气体流通装置进一步包括弯曲管状主体，位于所述第一端部与所述第二端部之间，所述弯曲管状主体上间隔地设置有多个出气口，该多个出气口适于将所述用于退火的气体传递至将被退火的所述太阳能电池硅片的表面。
在某些实施例中，所述弯曲管状主体包括：与所述第一端部连接的第一部分，所述第一部分上间隔地设置有多个出气口；与所述第二端部连接的第二部分，所述第二部分上间隔地设置有多个出气口；以及弯曲连接部分，设置在所述第一部分和所述第二部分之间，并且与所述第一部分和所述第二部分流体连通。
在某些实施例中，所述第一部分与所述第二部分并行延伸。
在某些实施例中，所述第一部分上的出气口的数目等于所述第二部分上的出气口的数目。
在某些实施例中，所述第一部分与所述第二部分均为直管。
在某些实施例中，弯曲管状主体的内径在6到18毫米之间，并且其中所述多个出气口的直径在1到3毫米之间。
在某些实施例中，所述第二端部设置有排气口或者被封闭。
在本公开的第二方面中，提供了一种退火炉。该退火炉可以包括腔体，适于容纳将被退火的太阳能电池硅片。该退火炉还可以包括根据本公开的第一方面中所述的气体流通装置，至少部分地被容纳在所述腔体中，使得所述多个出气口朝向所述太阳能电池硅片。
在某些实施例中，该退火炉还包括：气体供应装置，被耦合至所述进气口以供应所述用于退火的气体。
在本公开的第三方面中，提供了一种用于对太阳能电池进行退火的方法。该方法包括：将太阳能电池硅片放入退火炉的腔体内；经由至少部分地设置在所述腔体内的根据本公开的第一方面所述的气体流通装置向所述太阳能电池硅片传递用于退火的气体，以持续预定时间段；以及将经退火的所述太阳能电池硅片从所述腔体中移出。
应当理解，发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
附图说明
结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：
图1示出了工作中的传统退火炉的内部侧视图；
图2示出了根据本公开的实施例的气体流通装置的示意图；
图3示出了根据本公开的实施例的退火炉的内部侧视图；
图4示出了根据本公开的实施例的退火炉的内部俯视图；以及
图5示出了根据本公开的实施例的退火过程的流程图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。
在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
在传统的退火工艺中，存在退火气流的流量不均匀、流向随机的问题。图1示出了工作中的传统退火炉100的内部侧视图。如图1所示，在传统退火炉100的腔体110内部，放置有待退火处理的太阳能电池硅片120。应理解，太阳能电池硅片120与腔体110的底部之间可以设置处理台(未示出)，用于容纳太阳能电池硅片120。
当执行退火工艺时，用于退火的气体G被直接吹入腔体110。气体G可以是空气或氧气，也可以是其他用于形成硅化物膜的气体。当气体G流动经过太阳能电池硅片120的表面时，太阳能电池硅片120的表面可以形成氧化硅膜，如太阳能电池硅片120的顶部所示。反应后的气体可以借助设置在传统退火炉100开口处的抽气设备而从腔体110内排出。传统的退火操作的问题在于，由于传统退火炉100的进气方向与太阳能电池硅片120的表面平行，故太阳能电池硅片120的远离传统退火炉100开口的一侧所接触的氧气的含量会显著低于太阳能电池硅片120的接近传统退火炉100开口的一侧所接触的氧气的含量，从而导致了退火操作的不均匀性。如何在尽量不改动退火炉主体的前提下提升退火操作的均匀性，是本公开主要解决的问题。
为解决此问题，本公开提供了一种气体流通装置。该气体流通装置可以设置在退火炉内且与外部连通。该气体流通装置可以包括用于接收退火气体的进气口以及间隔地布置的多个出气口。此外，气体流通装置具有弯曲的形状，使得该气体流通装置的两个端部相邻设置。本公开的关键之处在于，气体流通装置的主体均处于退火炉内用于通过出气口来为太阳能电池硅片120提供氧气，同时气体流通装置的两个端部相邻设置，使得太阳能电池硅片120的整个表面得到较为均匀的氧气分布。
下面将结合附图以及多个相应的实施例来对用于对太阳能电池硅片进行退火的气体流通装置、退火炉的结构和工作原理进行详细描述。
图2示出了根据本公开的实施例的气体流通装置200的示意图。如图2所示，气体流通装置200可以包括第一端部211，其上设置有进气口210。进气口210可以被适配为接收用于退火的气体G，例如空气、氧气或者其他用于形成硅化物膜的气体。此外，如图2所示，气体流通装置200还可以包括位于第一端部211与第二端部221之间弯曲管状主体，其上间隔地设置有多个出气口230-1、230-2、230-3、230-4、230-5、230-6、230-7、230-8、230-9、230-10(下文中可以统称为出气口230)。出气口230可以适于将用于退火的气体G传递至将被退火的太阳能电池硅片120的表面。
作为示例，气体流通装置200可以具有“U”形形状，从而使得气体流通装置200的第一端部211与第二端部221相邻。应理解，气体流通装置200还可以具有其他形状，例如，“C”形、“M”形等。总之，凡是使得气体流通装置200的第一端部211和第二端部221相邻设置的任何弯曲形状均适用于本公开。还应理解，气体流通装置200还具有与进气口210对应的排气口220。由于气体流通装置200本身具有多个出气口230，故排气口220可以根据需求被设置为连通或关闭。
以此方式，可以提升退火操作的均匀性，使得太阳能电池硅片120的整个表面均能接触到浓度基本一致的退火气体。
详细来说，以气体G为空气为例，出气口230-1的氧气含量假设为C。由于气体G在流经整个气体流通装置200的过程中存在氧气含量递减的问题，故出气口230-2的氧气含量会降低至C-d(此处d为氧气含量的递减量)。以此类推，出气口230-3的氧气含量会降低至C-2d。出气口230-4的氧气含量会降低至C-3d。出气口230-5的氧气含量会降低至C-4d。出气口230-6的氧气含量会降低至C-5d。出气口230-7的氧气含量会降低至C-6d。出气口230-8的氧气含量会降低至C-7d。出气口230-9的氧气含量会降低至C-8d。出气口230-10的氧气含量会降低至C-9d。由于气体流通装置200的第一端部211和第二端部221相邻设置，故氧气含量差异较大的出气口230-1和出气口230-10、甚至出气口230-2和出气口230-9会被相邻设置。因此，利用气体的扩散效应，相邻设置的每对出气口均可以实现氧气的“共享”，从而尽可能地使氧气均匀分布。
在某些实施例中，气体流通装置200的内径可以被设置为在6到18毫米之间。优选地，气体流通装置200的内径可以被设置为在9到15毫米之间。以此方式，可以在缩短退火工艺时间的同时减少气体流通装置200所占用的空间。
在某些实施例中，出气口230的直径可以被设置为在1到3毫米之间。优选地，出气口230的直径可以被设置为在1.5到2.5毫米之间。以此方式，可以在缩短退火工艺时间的同时使流出各出气口230的气体G中的氧的含量更均匀。
下面将结合图3详细描述气体流通装置200在退火炉300中的操作。图3示出了根据本公开的实施例的退火炉300的内部侧视图。与图1的传统退火炉100类似地，在图3中的退火炉300包括腔体110，腔体110用于容纳将被退火的太阳能电池硅片120。应理解，太阳能电池硅片120与腔体110的底部之间可以设置处理台(未示出)，用于容纳太阳能电池硅片120。
此外，退火炉300还可以包括气体流通装置200。气体流通装置200位于腔体110内，耦合至气体供应装置(未示出)，以向太阳能电池硅片120的表面传递用于退火的气体G。与图2类似地，气体流通装置200可以包括：进气口210，位于第一端部211处并且用于接收气体G；以及多个出气口230，沿气体流通装置200间隔地布置，并且用于将气体G传递至太阳能电池硅片120的表面。优选地，气体流通装置200具有弯曲的形状，以使得第一端部211与第二端部221相邻。此外，退火炉300还可以包括气体供应装置(未示出)，其被耦合至进气口210以供应用于退火的气体。
如图3所示，从气体流通装置200向太阳能电池硅片120的表面喷出的多条气流中的每条气流均是上述每对相邻设置的出气口的排出的气流的和。由于气体G在流经气体流通装置200的每个出气口230的氧气含量依次递减，故上述每条气流中的氧气含量近似相等。依次方式，实现了退火操作均匀性的提升。
为了更为详细地说明，图4进一步示出了根据本公开的实施例的退火炉300的内部俯视图。如图4所示，气体流通装置200被布置在太阳能电池硅片120上方，并且气体流通装置200的出气口230(图4中未示出)均朝向太阳能电池硅片120的表面设置。
此外，气体流通装置200还可以包括与第一端部211(图4中未示出)连接的第一部分410，其上间隔地设置有多个出气口。气体流通装置200还可以包括与第二端部221连接的第二部分420，其上间隔地设置有多个出气口。此外，如图4所示，气体流通装置200还可以包括设置在第一部分410和第二部分420之间的弯曲连接部分，该弯曲连接部分与第一部分410和第二部分420流体连通。结合图3，第一部分410被适配为从位于气体流通装置200外的退火炉300的炉口向退火炉300的内部延伸，并且第二部分420被适配为从退火炉300的内部向退火炉300的炉口延伸。在某些实施例中，第一部分410和第二部分420可以被设置为并行延伸。在某些实施例中，第一部分410和第二部分420均为直管。
优选地，结合图2，多个出气口230中位于第一部分410上的出气口的数目等于多个出气口230中位于所述第二部分420上的出气口的数目。备选地或附加地，气体流通装置200以及其上的多个出气口230可以被设置为关于退火炉300的纵轴对称。应理解，退火炉300的纵轴应当平行于进气方向。以此方式，实现了退火操作的均匀性。
优选地，还可以将图4中的“U”形气体流通装置从中部使第一部分410和第二部分420交叉旋转，从而形成“8”形(这里数字“8”存在顶部开口，开口的两端分别对应于气体流通装置200的进气口210和排气口220)。此种方式仅增加了气体流通装置200的部分厚度(交叉部分为原厚度的两倍)，但可以使太阳能电池硅片120的表面接收到更为均匀的氧气。
应理解，本公开提供的气体流通装置200旨在向退火炉300的腔体110内提供分布更为均匀的气体G。因此，太阳能电池硅片120在腔体110内的布置方式仅是示例性的，不限于图3和图4的实施方式。例如，多个太阳能电池硅片120还可以按批次地布置在腔体110内，且每个太阳能电池硅片均相隔预定距离，且其表面均平行于出气口230的气流方向。
图5示出了根据本公开的实施例的退火过程500的流程图。在某些实施例中，退火过程500可以在图3示出的退火炉300中实现。现参照图3描述根据本公开实施例的退火过程500。为了便于理解，在下文描述中提及的具体数据均是示例性的，并不用于限定本公开的保护范围。
在510，可以将太阳能电池硅片120放入退火炉300的腔体110内。作为示例，可以将将太阳能电池硅片120放入腔体110内的载物台上。
在520，可以经由至少部分地设置在腔体110内的上述气体流通装置200向太阳能电池硅片120传递用于退火的气体G，以持续预定时间段。作为示例，气体流通装置200的内径可以被设置为在6到18毫米之间。优选地，气体流通装置200的内径可以被设置为在9到15毫米之间。此外，作为示例，气体流通装置200的出气口230的直径可以被设置为在1到3毫米之间。优选地，出气口230的直径可以被设置为在1.5到2.5毫米之间。
530，将经退火的太阳能电池硅片120从腔体110中移出。
通过如上方式，在退火炉300的主体结构并未改动的前提下，退火操作的均匀性得到了显著提升，从而使太阳能电池硅片120的表面上所形成的SiO2膜更加均匀。由此，可以实现低成本的大硅片太阳能电池的量产。
综上，通过讨论以上多个实施例，本公开的特征和优点已经被详细示出。
尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。
Claims (10)
1.一种气体流通装置，适于向太阳能电池硅片提供用于退火的气体，所述气体流通装置包括：
第一端部，设置有适于接收用于退火的气体的进气口；
与所述第一端部相邻的第二端部；以及
弯曲管状主体，位于所述第一端部与所述第二端部之间，所述弯曲管状主体上间隔地设置有多个出气口，所述多个出气口适于将所述用于退火的气体传递至将被退火的所述太阳能电池硅片的表面。
2.根据权利要求1所述的气体流通装置，其中所述弯曲管状主体包括：
与所述第一端部连接的第一部分，所述第一部分上间隔地设置有多个出气口；
与所述第二端部连接的第二部分，所述第二部分上间隔地设置有多个出气口；以及
弯曲连接部分，设置在所述第一部分和所述第二部分之间，并且与所述第一部分和所述第二部分流体连通。
3.根据权利要求2所述的气体流通装置，其中所述第一部分与所述第二部分并行延伸。
4.根据权利要求3所述的气体流通装置，其中所述第一部分上的出气口的数目等于所述第二部分上的出气口的数目。
5.根据权利要求2所述的气体流通装置，其中所述第一部分与所述第二部分均为直管。
6.根据权利要求1所述的气体流通装置，其中弯曲管状主体的内径在6到18毫米之间，并且其中所述多个出气口的直径在1到3毫米之间。
7.根据权利要求1所述的气体流通装置，其中所述第二端部设置有排气口或者被封闭。
8.一种退火炉，包括：
腔体，适于容纳将被退火的太阳能电池硅片；以及
根据权利要求1至7中任一项所述的气体流通装置，至少部分地被容纳在所述腔体中，使得所述多个出气口朝向所述太阳能电池硅片。
9.根据权利要求8所述的退火炉，还包括：
气体供应装置，被耦合至所述进气口以供应所述用于退火的气体。
10.一种用于对太阳能电池进行退火的方法，包括：
将太阳能电池硅片放入退火炉的腔体内；
经由至少部分地设置在所述腔体内的根据权利要求1-7中的任一项所述的气体流通装置向所述太阳能电池硅片传递用于退火的气体，以持续预定时间段；以及
将经退火的所述太阳能电池硅片从所述腔体中移出。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911324538.7A CN111048451B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911324538.7A CN111048451B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111048451A true CN111048451A (zh) | 2020-04-21 |
| CN111048451B CN111048451B (zh) | 2022-11-25 |
Family
ID=70238223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911324538.7A Active CN111048451B (zh) | 2019-12-20 | 2019-12-20 | 气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111048451B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040137762A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-07-15 | Walter Schwarzenbach | Annealing process and device of semiconductor wafer |
| WO2017116905A1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | Mattson Technology, Inc. | Gas flow control for millisecond anneal system |
| US20170283945A1 (en) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate Processing Apparatus |
| CN206711913U (zh) * | 2017-05-12 | 2017-12-05 | 北京金晟阳光科技有限公司 | 均匀高效退火的太阳电池辐照退火炉 |
| CN107452832A (zh) * | 2016-06-01 | 2017-12-08 | 株式会社爱发科 | 退火处理装置以及退火处理方法 |
| CN209626246U (zh) * | 2019-04-22 | 2019-11-12 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 匀流装置 |
| CN110544645A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备 |
-
2019
- 2019-12-20 CN CN201911324538.7A patent/CN111048451B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040137762A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-07-15 | Walter Schwarzenbach | Annealing process and device of semiconductor wafer |
| WO2017116905A1 (en) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | Mattson Technology, Inc. | Gas flow control for millisecond anneal system |
| US20170283945A1 (en) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate Processing Apparatus |
| CN107452832A (zh) * | 2016-06-01 | 2017-12-08 | 株式会社爱发科 | 退火处理装置以及退火处理方法 |
| CN206711913U (zh) * | 2017-05-12 | 2017-12-05 | 北京金晟阳光科技有限公司 | 均匀高效退火的太阳电池辐照退火炉 |
| CN110544645A (zh) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备 |
| CN209626246U (zh) * | 2019-04-22 | 2019-11-12 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 匀流装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111048451B (zh) | 2022-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102820383B (zh) | 多晶硅太阳能电池扩散方法 | |
| CN103597119B (zh) | 用于等离子体处理的装置和方法 | |
| CN1490851A (zh) | 薄膜形成装置及形成方法 | |
| CN104269459A (zh) | 一种制备高方阻电池片的减压扩散工艺 | |
| CN107331730A (zh) | 管式perc太阳能电池的修复工艺及制备工艺 | |
| CN110165017B (zh) | 制备隧穿氧钝化接触结构的快速退火方法 | |
| CN104409339A (zh) | 一种硅片的p扩散方法和太阳能电池的制备方法 | |
| WO2023088173A1 (zh) | 一种气体扩散方法 | |
| CN115094521B (zh) | 一种硼扩散反应系统及其工艺方法 | |
| CN106856215A (zh) | 太阳能电池片扩散方法 | |
| CN111048451B (zh) | 气体流通装置、退火炉以及对太阳能电池进行退火的方法 | |
| CN103165497A (zh) | 一种氧化反应炉及利用该反应炉进行氧化反应的方法 | |
| CN212725343U (zh) | 一种硅片链式扩散氧化两用设备 | |
| CN211665168U (zh) | 混合装置及半导体加工设备 | |
| CN116314461A (zh) | 太阳能电池掺杂及选择性发射极及制备方法、设备和应用 | |
| CN112071953A (zh) | 一种板式设备制备钝化接触太阳能电池的方法及装置 | |
| CN217387086U (zh) | 一种进气结构 | |
| CN112442677A (zh) | 炉管和向炉管内通入反应气体的方法 | |
| CN102369307B (zh) | 用于制造太阳能电池的设备 | |
| CN103132054B (zh) | 等离子体处理装置 | |
| CN113151806A (zh) | 一种低压化学气相沉积炉进气装置 | |
| CN113277739A (zh) | 一种基于浮法镀膜联线系统 | |
| CN220619101U (zh) | 用于pecvd设备的供气装置和pecvd设备 | |
| CN213781995U (zh) | 碳化硅外延片的反应室及其排气装置和半导体设备 | |
| CN217757759U (zh) | 进气炉及扩散设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |