CN111030641A - 一种用于eoc的双向射频电平调节电路及其控制方法 - Google Patents

Abstract

一种用于EOC的双向射频电平调节电路及其控制方法，属于网络通信及广播电视技术领域。步骤：EOC终端上电并进入自动控制模式，EOC主芯片IC1控制使EOC终端工作在直通模式下，等待上线；EOC终端上线后，判断接收信号强度：若信号强度正常，则始终保持在直通模式，若信号强度过高，则EOC主芯片IC1控制衰减调节芯片IC3工作在高衰减下，若信号强度过低，则在发送信号时使射频放大芯片IC4接入上行射频链路，在接收信号时使下行射频链路工作在直通模式下；EOC终端实时监测信号强度，并根据上一步来控制信号通道。能够根据信号质量自动或远程手动调节射频信号强度，以适应于不同衰减、不同网络情况下的广电同轴网络。

Description

一种用于EOC的双向射频电平调节电路及其控制方法

技术领域

本发明属于网络通信及广播电视技术领域，具体涉及一种用于EOC的双向射频电平调节电路及其控制方法。

背景技术

FTTH网络改造已成为电信运营商的首选方案，并慢慢被广电运营商所采用，但在实施过程中，由于抛弃了广电原先的HFC网络，重新铺设无源光网络，因此存在投资大，施工难的问题，阻碍了广电网络改造的快速发展。随着HiNOC2.0、MoCA2.5等高带宽同轴接入EOC技术（下文称作新一代EOC产品）的出现，数据吞吐率达到1Gbps甚至2.5Gbps，已经能够接近或超过FTTH网络的性能，这些技术被越来越多的广电运营商所关注，或已经被应用于采用同轴电缆的接入网及家庭内部互联网。然而，高性能的带宽意味着需要采用更多的频带资源来进行支撑，第一代EOC所占用的频带资源为50MHz左右，后来增加到100～500MHz，广电网络由于射频资源的限制，只能采用860MHz以上的高频段资源，但是，我国的广电网络普遍采用的是1000MHz的无源分配网络，只保证了1000MHz以内的射频指标，而对于1000MHz以外的射频指标则无法保证，并且，衰减随着频率的提高而增大，导致新一代的EOC技术只能应用于网络情况较好或者线路衰减较小的网络情况，限制了新一代EOC技术的推广和应用。

鉴于上述已有技术，有必要研发一种能够针对不同衰减、不同网络情况，自动调节状态的自动切换电路，以提高新一代EOC产品的输出功率，有效解决现有网络制约新一代EOC技术发展的问题，为此，本申请人作了有益的设计，下面将要介绍的技术方案便是在这种背景下产生的。

发明内容

本发明的首要任务在于提供一种用于EOC的双向射频电平调节电路，使新一代EOC产品能够根据信号质量自动或远程手动调节射频信号强度，以适应于不同衰减、不同网络情况下的广电同轴网络。

本发明的另一任务在于提供一种用于EOC的双向射频电平调节电路的控制方法，该方法步骤简单并且能够保障所述用于EOC的双向射频电平调节电路的所述技术效果的全面体现。

本发明的首要任务是这样来完成的，一种用于EOC的双向射频电平调节电路，其特征在于：包括EOC主芯片IC1、第一射频切换芯片IC2、第二射频切换芯片IC5、衰减调节芯片IC3以及射频放大芯片IC4，所述的EOC主芯片IC1的RFC引脚连接第一射频切换芯片IC2的RFC引脚，第一射频切换芯片IC2的RF2引脚连接衰减调节芯片IC3的RF1引脚，衰减调节芯片IC3的RF2引脚连接第二射频切换芯片IC5的RF1引脚，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚连接射频输出接口，构成射频的直通或衰减通路，第一射频切换芯片IC2的RF1引脚连接射频放大芯片IC4的RF_in引脚，射频放大芯片IC4的RF_out引脚连接第二射频切换芯片IC5的RF2引脚，构成上行信号射频放大电路，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚分别与第一射频切换芯片IC1的CTRL2引脚及第二射频切换芯片IC2的CTRL2引脚连接，构成射频切换控制电路，用于切换射频通路，EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚与衰减调节芯片IC3的V1、V2控制引脚连接，构成衰减和直通控制电路，用于控制衰减调节芯片IC3工作在衰减模式或直通模式。

在本发明的一个具体的实施例中，还包括非门芯片IC6，所述的EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚与第二射频切换芯片IC5的CTRL2引脚直连，同时又经过非门芯片IC6反向后和第一射频切换芯片IC2的CTRL2引脚连接，EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚经过非门芯片IC6反向后和衰减调节芯片IC3的V1控制引脚连接，所述的衰减控制GPIO引脚的二次反向信号与衰减调节芯片IC3的V2控制引脚连接。

在本发明的另一个具体的实施例中，所述EOC主芯片IC1采用型号为MXL3710的MoCA主芯片，第一射频切换芯片IC2和第二射频切换芯片IC5均采用型号为PE42721的射频切换开关，衰减调节芯片IC3采用型号为MAADSS0008的射频数字衰减器，射频放大芯片IC4采用型号为GRF5040的高频放大芯片，非门芯片IC6选择型号为SN74LVC06A的六路非门芯片，EOC主芯片IC1的5脚连接耦合变压器T的2脚，EOC主芯片IC1的4脚连接耦合变压器T的3脚，耦合变压器T的1脚连接第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端与第一射频切换芯片IC2的5脚连接，第一射频切换芯片IC2的2脚连接第二电容C2的一端，第二电容C2的另一端与射频放大芯片IC4的3、4脚连接，射频放大芯片IC4的9、10脚共同与电感L1的一端以及第五电容C5的一端连接，第五电容C5的另一端连接第二射频切换芯片IC5的8脚，第二射频切换芯片IC5的5脚连接第六电容C6的一端，第六电容C6的另一端连接射频输出口，第二射频切换芯片IC5的10脚连接EOC主芯片IC1的11脚，第二射频切换芯片IC5的2脚连接第四电容C4的一端，第四电容C4的另一端连接衰减调节芯片IC3的3脚，衰减调节芯片IC3的4脚连接非门芯片IC6的11、12脚，衰减调节芯片IC3的5脚连接非门芯片IC6的10脚，衰减调节芯片IC3的1脚连接第三电容C3的一端，第三电容C3的另一端连接第一射频切换芯片IC2的8脚，第一射频切换芯片IC2的10脚连接非门芯片IC6的2脚，非门芯片IC6的1脚连接EOC主芯片IC1的11脚，非门芯片IC6的13脚连接EOC主芯片IC1的10脚，第一射频切换芯片IC2的12脚、第二射频切换芯片IC5的12脚以及射频放大芯片IC4的1脚共同连接3.3V直流电源，电感L1的另一端连接10V直流电源，非门芯片IC6的14脚连接1.8V直流电源，耦合变压器T的4脚、第一射频切换芯片IC2的1、3、4、6、7、9、11脚、衰减调节芯片IC3的2脚、第二射频切换芯片IC5的1、3、4、5、7、9、11脚、射频放大芯片IC4的2、5、6、7、8、11、12、13、14、15、16脚、非门芯片IC6的7脚共同接地，所述的耦合变压器T1采用DXW21BN7511S。

本发明的另一任务是这样来完成的，一种用于EOC的双向射频电平调节电路的控制方法，其特征在于包括如下步骤：

S1)EOC终端上电并进入自动控制模式，所述的EOC主芯片IC1通过TX/RX状态引脚控制第一射频切换芯片IC1和第二射频切换芯片IC2，同时通过衰减控制GPIO引脚控制衰减调节芯片IC3，使EOC终端工作在直通模式下，等待上线；

S2)EOC终端上线后，判断接收信号强度：若信号强度正常，则始终保持在直通模式，若信号强度过高，则由EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚控制衰减调节芯片IC3，使其工作在高衰减下，提高链路衰减，若信号强度过低，则在发送信号时由EOC主芯片IC1通过TX/RX状态引脚控制第一射频切换芯片IC2和第二射频切换芯片IC5，使射频放大芯片IC4接入上行射频链路，对射频信号进行放大，提高局端接收信号强度，在接收信号时EOC主芯片IC1通过TX/RX状态引脚控制第一射频切换芯片IC2和第二射频切换芯片IC5，同时EOC主芯片IC1通过衰减控制GPIO引脚控制衰减调节芯片IC3，使下行射频链路工作在直通模式下；

S3) EOC终端实时监测信号强度，并根据步骤S2)来控制信号通道。

在本发明的又一个具体的实施例中，在所述的步骤S1)中， EOC终端上电，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平，第一射频切换芯片IC2的RFC引脚和RF1引脚接通，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚和RF2引脚接通，同时EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出低电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为高电平，V2控制引脚为低电平，衰减调节芯片IC3工作在直通模式下，设备等待上线。

在本发明的再一个具体的实施例中，在所述的步骤S2）中，若信号强度过高，则EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出为高电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为低电平，V2控制引脚为高电平，衰减调节芯片IC3工作在衰减模式下；若信号强度过低，则在接收信号时，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平，此时第一射频切换芯片IC2切换至RF1通道，第二射频切换芯片IC5切换至RF2通道，同时，EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出低电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为高电平，V2控制引脚为低电平，衰减调节芯片IC3工作在直通模式下，在发送信号时，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为低电平，此时第一射频切换芯片IC2切换至RF2通道，第二射频切换芯片IC5切换至RF1通道，射频放大芯片IC4接入上行链路，对上行射频信号进行放大。

在本发明的还有一个具体的实施例中，在所述的步骤S3)中，若EOC终端接收到局端下发的手动控制指令，则根据局端控制指令的要求来切换至相应的信号通道。

本发明由于采用了上述结构，与现有技术相比，具有的有益效果是：在链路衰减大的情况下，能够自动切换至射频放大电路，增大输出电平以适应衰减大的网络情况；在链路衰减小的情况下，能够自动切换至衰减电路，以防止输入射频信号过高而对射频芯片造成不良影响；通过自动切换，能够实现双向直通、双向衰减、反向放大等多种电路组合，从而实现新一代EOC产品能够根据信号质量自动或远程手动调节射频信号强度，以适应于不同衰减、不同网络情况的广电同轴网络的目标；在EOC局端的配合下，能够有效解决同轴电缆线路衰减过大，导致EOC信号接收不稳定的问题，同时也解决了在低衰减情况下，由于接收射频过高而导致EOC主芯片射频工作不稳定的问题，进一步提高了设备的稳定性、可靠性，提高了广电运营商和用户的满意度。

附图说明

图1为本发明的一实施例的电连接原理图。

图2为本发明的一实施例的流程框图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式详细描述，但对实施例的描述不是对技术方案的限制，任何依据本发明构思作形式而非实质的变化都应当视为本发明的保护范围。

请参阅图1，一种用于EOC的双向射频电平调节电路，包括EOC主芯片IC1、第一射频切换芯片IC2、第二射频切换芯片IC5、衰减调节芯片IC3以及射频放大芯片IC4。所述的EOC主芯片IC1内置了CPU和射频处理电路，能够检测射频信号大小，并具有TX/RX状态引脚和控制衰减GPIO引脚。所述第一射频切换芯片IC2、第二射频切换芯片IC5采用专用的射频切换芯片，可以双向传输射频信号，具有一个总输入/输出引脚，为RFC引脚，两个分输入/输出引脚，分别为RF1引脚和RF2引脚，以及相应的控制引脚，为CTRL2引脚。第一射频切换芯片IC2和第二射频切换芯片IC5通过CTRL2引脚上的电压控制进行切换，当CTRL2引脚为低电压时切换至RF1引脚，当CTRL2引脚为高电压时切换至RF2引脚。所述衰减调节芯片IC3采用一体化芯片，内置衰减和直通电路，具有RF1引脚、RF2引脚及V1、V2控制引脚，可以双向传输射频信号，可通过V1、V2控制引脚上的电压来选择直通模式或衰减模式。当V1控制引脚为高电平且V2控制引脚为低电平时选择直通模式，当V1控制引脚为低电平且V2控制引脚为高电平时选择衰减模式。所述射频放大芯片IC4采用高输出射频放大芯片，用于提供高增益输出。

所述的EOC主芯片IC1的RFC引脚连接第一射频切换芯片IC2的RFC引脚，第一射频切换芯片IC2的RF2引脚连接衰减调节芯片IC3的RF1引脚，衰减调节芯片IC3的RF2引脚连接第二射频切换芯片IC5的RF1引脚，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚连接射频输出接口，构成射频的直通或衰减通路。第一射频切换芯片IC2的RF1引脚连接射频放大芯片IC4的RF_in引脚，射频放大芯片IC4的RF_out引脚连接第二射频切换芯片IC5的RF2引脚，构成上行信号射频放大电路。EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚分别与第一射频切换芯片IC1的CTRL2引脚及第二射频切换芯片IC2的CTRL2引脚连接，构成射频切换控制电路，用于切换射频通路。EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚与衰减调节芯片IC3的V1、V2控制引脚连接，构成衰减和直通控制电路，用于控制衰减调节芯片IC3是选择衰减工作模式还是直通工作模式。

进一步地，所述的用于EOC的双向射频电平调节电路还包括非门芯片IC6。所述的EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚与第二射频切换芯片IC5的CTRL2引脚直连，同时又经过非门芯片IC6反向后和第一射频切换芯片IC2的CTRL2引脚连接，由此构成射频切换控制电路。EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚经过非门芯片IC6反向后和衰减调节芯片IC3的V1控制引脚连接，所述的衰减控制GPIO引脚的二次反向信号与衰减调节芯片IC3的V2控制引脚连接，由此构成衰减和直通控制电路。

在本实施例中，所述EOC主芯片IC1采用型号为MXL3710的MoCA主芯片，第一射频切换芯片IC2和第二射频切换芯片IC5均采用型号为PE42721的射频切换开关。衰减调节芯片IC3采用型号为MAADSS0008的射频数字衰减器，具有15dB衰减和直通功能，具有V1、V2控制引脚，当V1控制引脚为低电平且V2控制引脚为高电平时对应15dB衰减功能，当V1控制引脚为高电平且V2控制引脚为低电平时对应直通功能。射频放大芯片IC4采用型号为GRF5040的高频放大芯片。非门芯片IC6选择型号为SN74LVC06A的六路非门芯片。所述的耦合变压器T1采用DXW21BN7511S。上述EOC主芯片IC1、第一、第二射频切换芯片IC2、IC5、衰减调节芯片IC3、射频放大芯片IC4、非门芯片IC6以及耦合变压器T1，均可选用现有公知器件，并不局限于上述具体实施例。

具体地，所述的EOC主芯片IC1输出的射频差分信号通过耦合变压器T1耦合后经第一电容C1输入第一射频切换芯片IC2的RFC引脚(5脚)，第一射频切换芯片IC2的RF1引脚（2脚）经第二电容C2连接射频放大芯片IC4的RF_in引脚（3脚和4脚），射频放大芯片IC4的使能引脚（1脚）直接连接3.3V直流电源进行使能，RF_out引脚通过电感L1连接10V直流电源，对整个射频放大芯片IC4进行供电，以保证射频放大芯片IC4工作在最佳状态，同时又通过第五电容C5和第二射频切换芯片IC5的RF2引脚（8脚）相连。第一射频切换芯片IC2的RF2引脚（8脚）经第三电容C3连接衰减调节芯片IC3的RF1引脚（1脚），衰减调节芯片IC3的RF2引脚（3脚）经第四电容C4和第二射频切换芯片IC5的RF1引脚（2脚）相连，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚（5脚）经第五电容C5连接射频输出口。

所述的EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚（10脚）和非门芯片IC6的输入引脚6A（13脚）相连，非门芯片IC6的输出引脚6Y（12脚）同输入引脚5A（11脚），同时连接衰减调节芯片IC3的V1控制引脚（4脚）。非门芯片IC6的输出引脚5Y（10脚）同衰减调节芯片IC3的V2控制引脚（5脚）连接。当EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚为低电平时，经过非门芯片IC6的转换后，V1控制引脚变为高电平，V2控制引脚变为低电平，此时衰减调节芯片IC3工作在直通状态。当EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚为高电平时，经过非门芯片IC6的转换后，V1控制引脚变为低电平，V2控制引脚变为高电平，此时衰减调节芯片IC3工作在15dB衰减状态。

所述的EOC主芯片IC1的TX/RX控制引脚（11脚）和非门芯片IC6的输入引脚1A（1脚）相连，同时连接第二射频切换芯片IC5的CTRL2引脚（10脚），第二射频切换芯片IC5的CTRL1引脚（11脚）直接接地。当EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为低电平时，第二射频切换芯片IC5的CTRL2引脚为低电平，RFC引脚和RF1引脚接通；当EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平时，第二射频切换芯片IC5的CTRL2引脚为高电平，此时RFC引脚和RF2引脚接通。非门芯片IC6的输出引脚1Y（2脚）和第二射频切换芯片IC5的CTRL2引脚（10脚）连接，第二射频切换芯片IC5的CTRL1引脚（11脚）直接接地。当EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为低电平时，第一射频切换芯片IC2的CTRL2引脚为高电平，此时RFC引脚和RF2引脚接通；当EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平时，第二射频切换芯片IC2的CTRL2引脚为低电平，此时RFC引脚和RF1引脚接通。

经上述电路连接，形成了两条射频通路。一条为EOC主芯片IC1→耦合变压器T1→第一射频切换芯片IC2→射频放大芯片IC4→第二射频切换芯片IC5→RF OUT（射频输出接口）的上行放大射频通路，当EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平时，第一射频切换芯片IC2的RFC引脚和RF1引脚接通，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚和RF2引脚接通，此链路连通。另一条为EOC主芯片IC1→耦合变压器T1→第一射频切换芯片IC2→衰减调节芯片IC3→第二射频切换芯片IC5→RF OUT的双向衰减/直通射频通路，当EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为低电平时，第一射频切换芯片IC2的RFC引脚和RF2引脚接通，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚和RF1引脚接通，此链路连通。

请参阅图2，对所述的用于EOC的双向射频电平调节电路的控制方法进行说明，控制方法具体包括如下步骤。

S1) EOC终端上电，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平，第一射频切换芯片IC2的RFC引脚和RF1引脚接通，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚和RF2引脚接通，同时EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出低电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为高电平，V2控制引脚为低电平，衰减调节芯片IC3工作在直通模式下，设备等待上线。

S2)EOC终端上线后，判断接收信号强度。若信号强度正常，则始终保持在直通模式，此时上下行射频信号均通过直通链路传输。若信号强度过高，EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出为高电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为低电平，V2控制引脚为高电平，衰减调节芯片IC3工作在15dB衰减模式下，此时上下行射频信号均通过衰减链路传输，同时衰减15dB，降低终端和局端设备的接收电平。若信号强度过低，则启动TDMA时分控制，下行射频信号由局端进行放大，在EOC终端上仍然通过直通链路传输，上行信号由EOC终端设备自行放大，在正常状态，EOC终端切换在直通模式，接收局端的下行信号，当接收到信号时，根据分配的时隙切换至放大链路进行信号的发送，待信号发送完成后，仍然切回至直通模式等待接收信号。按照上述时序，接收信号时，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平，此时第一射频切换芯片IC2切换至RF1通道，第二射频切换芯片IC5切换至RF2通道；同时，EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出低电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为高电平，V2控制引脚为低电平，衰减调节芯片IC3工作在直通模式下；在发送信号时，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为低电平，此时第一射频切换芯片IC2切换至RF2通道，第二射频切换芯片IC5切换至RF1通道，射频放大芯片IC4接入上行链路，对上行射频信号进行放大。

S3)EOC终端实时监测信号强度，并根据步骤S2)的控制方式来控制信号通道。特别地，若EOC终端接收到局端下发的手动控制指令，则根据局端控制指令的要求来切换至相应的信号通道。如指令为直通模式，则按照步骤S1)提及的控制方式进行控制，如指令为衰减模式或放大模式，则选择步骤S2)中与指令相对应的控制方式进行控制。

本发明能够根据信号强度，自动或手动调整工作模式，使设备能够工作在双向直通、双向衰减、上行放大等工作模式，以适应目前不同衰减、不同网络情况的广电同轴网络复杂的链路环境，提高了设备的稳定运行，给广电运营商的维护带来了方便。

Claims (7)

1.一种用于EOC的双向射频电平调节电路，其特征在于：包括EOC主芯片IC1、第一射频切换芯片IC2、第二射频切换芯片IC5、衰减调节芯片IC3以及射频放大芯片IC4，所述的EOC主芯片IC1的RFC引脚连接第一射频切换芯片IC2的RFC引脚，第一射频切换芯片IC2的RF2引脚连接衰减调节芯片IC3的RF1引脚，衰减调节芯片IC3的RF2引脚连接第二射频切换芯片IC5的RF1引脚，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚连接射频输出接口，构成射频的直通或衰减通路，第一射频切换芯片IC2的RF1引脚连接射频放大芯片IC4的RF_in引脚，射频放大芯片IC4的RF_out引脚连接第二射频切换芯片IC5的RF2引脚，构成上行信号射频放大电路，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚分别与第一射频切换芯片IC1的CTRL2引脚及第二射频切换芯片IC2的CTRL2引脚连接，构成射频切换控制电路，用于切换射频通路，EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚与衰减调节芯片IC3的V1、V2控制引脚连接，构成衰减和直通控制电路，用于控制衰减调节芯片IC3工作在衰减模式或直通模式。

2.根据权利要求1所述的一种用于EOC的双向射频电平调节电路，其特征在于还包括非门芯片IC6，所述的EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚与第二射频切换芯片IC5的CTRL2引脚直连，同时又经过非门芯片IC6反向后和第一射频切换芯片IC2的CTRL2引脚连接，EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚经过非门芯片IC6反向后和衰减调节芯片IC3的V1控制引脚连接，所述的衰减控制GPIO引脚的二次反向信号与衰减调节芯片IC3的V2控制引脚连接。

3.根据权利要求2所述的一种用于EOC的双向射频电平调节电路，其特征在于所述EOC主芯片IC1采用型号为MXL3710的MoCA主芯片，第一射频切换芯片IC2和第二射频切换芯片IC5均采用型号为PE42721的射频切换开关，衰减调节芯片IC3采用型号为MAADSS0008的射频数字衰减器，射频放大芯片IC4采用型号为GRF5040的高频放大芯片，非门芯片IC6选择型号为SN74LVC06A的六路非门芯片，EOC主芯片IC1的5脚连接耦合变压器T的2脚，EOC主芯片IC1的4脚连接耦合变压器T的3脚，耦合变压器T的1脚连接第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端与第一射频切换芯片IC2的5脚连接，第一射频切换芯片IC2的2脚连接第二电容C2的一端，第二电容C2的另一端与射频放大芯片IC4的3、4脚连接，射频放大芯片IC4的9、10脚共同与电感L1的一端以及第五电容C5的一端连接，第五电容C5的另一端连接第二射频切换芯片IC5的8脚，第二射频切换芯片IC5的5脚连接第六电容C6的一端，第六电容C6的另一端连接射频输出口，第二射频切换芯片IC5的10脚连接EOC主芯片IC1的11脚，第二射频切换芯片IC5的2脚连接第四电容C4的一端，第四电容C4的另一端连接衰减调节芯片IC3的3脚，衰减调节芯片IC3的4脚连接非门芯片IC6的11、12脚，衰减调节芯片IC3的5脚连接非门芯片IC6的10脚，衰减调节芯片IC3的1脚连接第三电容C3的一端，第三电容C3的另一端连接第一射频切换芯片IC2的8脚，第一射频切换芯片IC2的10脚连接非门芯片IC6的2脚，非门芯片IC6的1脚连接EOC主芯片IC1的11脚，非门芯片IC6的13脚连接EOC主芯片IC1的10脚，第一射频切换芯片IC2的12脚、第二射频切换芯片IC5的12脚以及射频放大芯片IC4的1脚共同连接3.3V直流电源，电感L1的另一端连接10V直流电源，非门芯片IC6的14脚连接1.8V直流电源，耦合变压器T的4脚、第一射频切换芯片IC2的1、3、4、6、7、9、11脚、衰减调节芯片IC3的2脚、第二射频切换芯片IC5的1、3、4、5、7、9、11脚、射频放大芯片IC4的2、5、6、7、8、11、12、13、14、15、16脚、非门芯片IC6的7脚共同接地，所述的耦合变压器T1采用DXW21BN7511S。

4.根据权利要求1所述的一种用于EOC的双向射频电平调节电路的控制方法，其特征在于包括如下步骤：

S1)EOC终端上电并进入自动控制模式，所述的EOC主芯片IC1通过TX/RX状态引脚控制第一射频切换芯片IC1和第二射频切换芯片IC2，同时通过衰减控制GPIO引脚控制衰减调节芯片IC3，使EOC终端工作在直通模式下，等待上线；

S2)EOC终端上线后，判断接收信号强度：若信号强度正常，则始终保持在直通模式，若信号强度过高，则由EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚控制衰减调节芯片IC3，使其工作在高衰减下，提高链路衰减，若信号强度过低，则在发送信号时由EOC主芯片IC1通过TX/RX状态引脚控制第一射频切换芯片IC2和第二射频切换芯片IC5，使射频放大芯片IC4接入上行射频链路，对射频信号进行放大，提高局端接收信号强度，在接收信号时EOC主芯片IC1通过TX/RX状态引脚控制第一射频切换芯片IC2和第二射频切换芯片IC5，同时EOC主芯片IC1通过衰减控制GPIO引脚控制衰减调节芯片IC3，使下行射频链路工作在直通模式下；

S3) EOC终端实时监测信号强度，并根据步骤S2)来控制信号通道。

5.根据权利要求4所述的一种用于EOC的双向射频电平调节电路的控制方法，其特征在于在所述的步骤S1)中， EOC终端上电，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平，第一射频切换芯片IC2的RFC引脚和RF1引脚接通，第二射频切换芯片IC5的RFC引脚和RF2引脚接通，同时EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出低电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为高电平，V2控制引脚为低电平，衰减调节芯片IC3工作在直通模式下，设备等待上线。

6.根据权利要求4所述的一种用于EOC的双向射频电平调节电路的控制方法，其特征在于在所述的步骤S2）中，若信号强度过高，则EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出为高电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为低电平，V2控制引脚为高电平，衰减调节芯片IC3工作在衰减模式下；若信号强度过低，则在接收信号时，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为高电平，此时第一射频切换芯片IC2切换至RF1通道，第二射频切换芯片IC5切换至RF2通道，同时，EOC主芯片IC1的衰减控制GPIO引脚输出低电平，此时衰减调节芯片IC3的V1控制引脚为高电平，V2控制引脚为低电平，衰减调节芯片IC3工作在直通模式下，在发送信号时，EOC主芯片IC1的TX/RX状态引脚为低电平，此时第一射频切换芯片IC2切换至RF2通道，第二射频切换芯片IC5切换至RF1通道，射频放大芯片IC4接入上行链路，对上行射频信号进行放大。

7.根据权利要求4所述的一种用于EOC的双向射频电平调节电路的控制方法，其特征在于在所述的步骤S3)中，若EOC终端接收到局端下发的手动控制指令，则根据局端控制指令的要求来切换至相应的信号通道。

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