CN111030615A - 6~18GHz超宽带大功率固态功放组件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,所述壳体内设置有通槽,通槽四周设置密封的冷水仓,壳体一侧设置有与冷水仓相联通的第一进水口,第一出水口;壳体顶部设置有四路功率分配器组件,壳体两侧分别设置有两个八路功率分配器组件;通槽内间隔设置有多个水冷板,每个水冷板上并列设置有多个末级固态功放组件;所述水冷板通过两侧的组件锁紧螺钉与通槽两侧的壳体相固定,水冷板内设置有冷水腔,冷水腔两侧分别设置有第二进水口,第二出水口。本发明外布局合理,采用冷水仓和水冷板两级水冷散热系统,确保在长期稳定工作;沉入式垫块可独立拆装,方便流水作业、气密性高、维修拆卸方便,备份能力强。采用GaN类型、GaAs类型芯片,保证良好的线性度,同时提高效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,属于雷达模拟器技术领域。
背景技术
现有的单只固态功放芯片的功率容量已经远无法满足在雷达、雷达模拟器、电子对抗等领域应用的要求,通过组件阵列的结构,增加输出单元数的方法来解决单只固态功放芯片的现有缺点,会带来阵列结构尺寸过大,结构布局难,散热设计难,装配结构难等问题。
另外,组件阵列结构增加了单个固态芯片烧结的数量,现有的固态芯片都是直接烧结到壳体上,如果多个固态芯片同时烧结,会因为烧结时间过长而出现空洞率不好把控得问题。单个固态芯片在后期维护时,焊料多次熔化,会出现增加其他芯片移位和空洞率的问题。
发明内容
目的:为了克服现有技术中存在的结构布局难、散热难、芯片装配难的问题,本发明提供一种6~18GHz超宽带大功率固态功放组件。
技术方案:为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
一种6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,包括:壳体,所述壳体内设置有通槽,通槽四周设置密封的冷水仓,壳体一侧设置有与冷水仓相联通的第一进水口,第一出水口;壳体顶部设置有四路功率分配器组件,壳体两侧分别设置有两个八路功率分配器组件;通槽内间隔设置有多个水冷板,每个水冷板上并列设置有多个末级固态功放组件;所述水冷板通过两侧的组件锁紧螺钉与通槽两侧的壳体相固定,水冷板内设置有冷水腔,冷水腔两侧分别设置有第二进水口,第二出水口。
作为优选方案,所述末级固态功放组件包括:第一隔离器,所述第一隔离器、0.25W功放模块、4dB衰减器、2.8W功放模块、第二隔离器依次相连,第二隔离器输出端与四路功率分配器输入端相连接,四路功率分配器输出端分别与10W功放模块、第三隔离器依次相连接。
作为优选方案,还包括控制保护模块:所述控制保护模块分别与0.25W功放模块、2.8W功放模块、10W功放模块相连接,用于给功放模块供电,并具备功放模块负压保护、温度检测、上电指示及过流、过压保护功能。
作为优选方案,所述0.25W功放模块、2.8W功放模块均采用GaAs类型芯片。
作为优选方案,所述10W功放模块采用GaN类型芯片。
作为优选方案,所述0.25W功放模块或2.8W功放模块或10W功放模块通过沉入式垫块与末级固态功放组件的壳体相连接;沉入式垫块包括:第一安装块,第一安装块上方设置有第二安装块,第二安装块四角设置有安装孔;第二安装块顶面设置有凸台,凸台顶面设置安装凹槽。
作为优选方案,所述沉入式垫块与级固态功放组件的壳体之间设置有铟片。
作为优选方案,所述沉入式垫块采用紫铜材质,所述固态功放组件的壳体采用铝材质。
作为优选方案,所述壳体两侧设置有固定脚,用于壳体与机架相连接。
作为优选方案,所述水冷板背面设置有定位销,所述水冷板4正面设置有拔插把手。
有益效果:本发明提供的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,末级固态功放组件与四路功率分配器、八路功率分配器在壳体内、外布局合理,采用冷水仓和水冷板两级水冷散热系统,确保在长期稳定工作;沉入式垫块的设计兼顾散热的要求情况下,可独立拆装,方便流水作业、气密性高、维修拆卸方便,备份能力强。采用GaN类型、GaAs类型芯片,保证良好的线性度,同时提高效率。
附图说明
图1为本发明组件的正面示意图;
图2为本发明组件的背面示意图;
图3为本发明组件的顶面示意图;
图4为本发明组件的侧面示意图;
图5为壳体的正面示意图;
图6为水冷板的顶面示意图;
图7为末级固态功放组件的电路示意图;
图8为沉入式垫块的正面示意图;
图9为沉入式垫块的顶面示意图;
图10为本发明工作时电路示意图;
图11为末级固态功放组件的安装沉入式垫块前的装配结构图;
图12为末级固态功放组件的安装沉入式垫块前的装配结构图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作更进一步的说明。
如图1-5所示,一种6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,包括:壳体7,所述壳体7内设置有通槽701,通槽701四周设置密封的冷水仓702,壳体7一侧设置有与冷水仓702相联通的第一进水口5,第一出水口6;壳体7顶部设置有四路功率分配器组件1,壳体7两侧分别设置有两个八路功率分配器组件2;通槽701内间隔设置有多个水冷板4,每个水冷板4上并列设置有多个末级固态功放组件3;所述水冷板4通过两侧的组件锁紧螺钉401与通槽701两侧的壳体7相固定,水冷板4内设置有冷水腔,冷水腔两侧分别设置有第二进水口402,第二出水口403。
所述水冷板4的数量设置为十个,所述水冷板4上并列设置有三个末级固态功放组件3。
如图6所示,所述壳体7两侧设置有固定脚8,用于壳体与机架相连接。
所述水冷板4背面设置有定位销404,用于通槽两侧壳体相定位。
所述水冷板4正面设置有拔插把手405,用于方便水冷板在通槽内推拉。
如图7所示,所述末级固态功放组件3包括:第一隔离器,所述第一隔离器、0.25W功放模块、4dB衰减器、2.8W功放模块、第二隔离器依次相连,第二隔离器输出端与四路功率分配器输入端相连接,四路功率分配器输出端分别与10W功放模块、第三隔离器依次相连接。
还包括控制保护模块:所述控制保护模块用于给功放芯片供电,并具备功放芯片负压保护、温度检测、上电指示及过流、过压保护功能。
所述0.25W功放模块、2.8W功放模块均采用GaAs类型芯片。
所述10W功放模块采用GaN类型芯片。
如图8-9所示,所述0.25W功放模块或2.8W功放模块或10W功放模块通过沉入式垫块与末级固态功放组件3的壳体相连接;沉入式垫块9包括:第一安装块901,第一安装块901上方设置有第二安装块902,第二安装块902四角设置有安装孔903;第二安装块顶面设置有凸台904,凸台904顶面设置安装凹槽905。
所述沉入式垫块9与级固态功放组件3的壳体之间设置有铟片。
所述沉入式垫块9采用紫铜材质,所述固态功放组件的壳体采用铝材质。
实施例:
如图10所示,本发明的组件阵列在接收到开机指令后,各末级固态功放组件给出加电、过流、过温状态指示,系统判断各固态功放芯片状态正常后,加射频信号,信号输送到四路功率分配器组件输出4路信号,分别送入4个八路功率分配器组件,4个八路功率分配器组件输出32路信号,其中吸收2路信号,故输出30路信号提供到末级固态功放组件,每个末级固态功放组件有4路输出,即通过各级功放芯片逐级推动放大,最终获得120路且每路输出10瓦连续波大功率,其中前级功放芯片(0.25W功放模块)和推动级功放芯片(2.8W功放模块)采用GaAs类型芯片,保证良好的线性度。末级功放芯片(10W功放模块)采用GaN类型芯片,在保证输出功率同时还兼顾效率的提高。
如图11-12所示,末级固态功放组件的数量共30个,共有120路端口输出,每路端口输出10W功率的连续波。末级固态功放组件壳体上设置有前级功放芯片放置处10,推动级功放芯片放置处11,末级功放芯片放置处12上均设置有沉入式垫块9,沉入式垫块9上分别设置有0.25W功放模块,2.8W功放模块,10W功放模块;另外三个功放模块还分别与控制保护模块17相连接,为三个功放模块提供电压和负压保护、温度检测、上电指示及过流、过压保护等功能。末级固态功放组件前端设置有射频输入接头14,和控制保护模块17的接头16,后端设置有射频输出接头15;末级固态功放组件壳体上的分配器安装处13设置有四路功率分配器。
装配时,功放模块用Au80Sn20金锡焊料人工摩擦烧结在Mo70Cu30载体,Mo70Cu30载体再用Sn62Pb36Ag2焊锡膏烧结在镀金的沉入式垫块上,沉入式垫块通过第一安装块上的定位孔906分别放置到功放芯片放置处,再用螺钉固定到末级固态功放组件铝质壳体上,沉入式垫块和铝质壳体之间垫一层0.05mm铟片,加强与壳体良好接触,减小接触热阻,沉入式垫块的设计兼顾散热的要求情况下可独立拆装,方便流水作业、气密性高、维修拆卸方便,备份能力强。
另外,沉入式垫块顶部的凸台904四周设置有凹槽台908,凹槽台908末端设置有腔体分隔柱907,用于配合功放模块放置在安装凹槽内。另外,凸台904四周还设置有封焊槽909,用于方便功放模块与沉入式垫块相焊接。
热设计的核心问题是解决功率器件在系统需要的-40℃~+55℃环境下长时间可靠工作,本专利功放组件阵列不仅功率器件数量多、发热量大,并且功率器件之间间距小导致热密度增加,整个组件阵列热耗峰值约为7200W,主要发热源为末级功放组件中的推动级功放芯片和末级功放芯片,其中单只推动级功放芯片热流密度约41W/cm²,单只末级功放芯片热流密度更是达到409W/cm²,这些问题都给本次热设计需要迫切解决的。
本发明采用组件壳体的冷水仓和水冷板两级水冷散热系统,将三块末级固态功放组件装在1块水冷板上,末级固态功放组件与水冷板之间均匀涂抹一层导热硅脂,满足散热条件下提高水冷源利用率。能够及时散发系统中近7200W的热耗,并保证功率放大器在-40℃~+55℃温度条件下稳定工作;末级固态功放组件内,沉入式垫块采用紫铜T2,其余壳体采用铝6061。紫铜材料的导热系数高为387W/(m·k),可针对性局部快速将热向四周导出。在装配上沉入式垫块和铝壳体之间垫一层0.05mm铟片,加强与壳体良好接触,减小接触热阻。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,包括:壳体,其特征在于:所述壳体内设置有通槽,通槽四周设置密封的冷水仓,壳体一侧设置有与冷水仓相联通的第一进水口,第一出水口;壳体顶部设置有四路功率分配器组件,壳体两侧分别设置有两个八路功率分配器组件;通槽内间隔设置有多个水冷板,每个水冷板上并列设置有多个末级固态功放组件;所述水冷板通过两侧的组件锁紧螺钉与通槽两侧的壳体相固定,水冷板内设置有冷水腔,冷水腔两侧分别设置有第二进水口,第二出水口。
2.根据权利要求1所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:所述末级固态功放组件包括:第一隔离器,所述第一隔离器、0.25W功放模块、4dB衰减器、2.8W功放模块、第二隔离器依次相连,第二隔离器输出端与四路功率分配器输入端相连接,四路功率分配器输出端分别与10W功放模块、第三隔离器依次相连接。
3.根据权利要求2所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:还包括控制保护模块:所述控制保护模块分别与0.25W功放模块、2.8W功放模块、10W功放模块相连接,用于给功放模块供电,并具备功放模块负压保护、温度检测、上电指示及过流、过压保护功能。
4.根据权利要求2所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:所述0.25W功放模块、2.8W功放模块均采用GaAs类型芯片。
5.根据权利要求2所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:所述10W功放模块采用GaN类型芯片。
6.根据权利要求2所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:所述0.25W功放模块或2.8W功放模块或10W功放模块通过沉入式垫块与末级固态功放组件的壳体相连接;沉入式垫块包括:第一安装块,第一安装块上方设置有第二安装块,第二安装块四角设置有安装孔;第二安装块顶面设置有凸台,凸台顶面设置安装凹槽。
7.根据权利要求6所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:所述沉入式垫块与级固态功放组件的壳体之间设置有铟片。
8.根据权利要求6所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:所述沉入式垫块采用紫铜材质,所述固态功放组件的壳体采用铝材质。
9.根据权利要求1所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:所述壳体两侧设置有固定脚,用于壳体与机架相连接。
10.根据权利要求1所述的6~18GHz超宽带大功率固态功放组件,其特征在于:所述水冷板背面设置有定位销,所述水冷板4正面设置有拔插把手。
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CN (1) | CN111030615B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117081525A (zh) * | 2023-10-17 | 2023-11-17 | 南京纳特通信电子有限公司 | 一种固态功放阵列系统 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN203660990U (zh) * | 2013-12-06 | 2014-06-18 | 北京北广科技股份有限公司 | 功率放大器冷却设备 |
CN205081773U (zh) * | 2015-10-21 | 2016-03-09 | 成都六三零电子设备有限公司 | 一种固态发射机 |
CN205142774U (zh) * | 2015-12-10 | 2016-04-06 | 北京北广科技股份有限公司 | 一种单功放模块降温插箱 |
CN105828582A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-08-03 | 四川汇英光电科技有限公司 | 一种搭载有Ku波段固态功放模块的装置 |
CN106026931A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-10-12 | 四川汇英光电科技有限公司 | 一种搭载有第三代半导体材料功放模块的装置 |
CN106952881A (zh) * | 2017-03-15 | 2017-07-14 | 北京北广科技股份有限公司 | 用于大功率固态功放的水冷功率合成器 |
CN206686515U (zh) * | 2017-05-11 | 2017-11-28 | 北京伟仕天成科技有限公司 | 一种水冷降温电源模块 |
CN108092635A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-29 | 南京长峰航天电子科技有限公司 | 一种Ku波段固态功率放大器 |
CN207475496U (zh) * | 2017-12-07 | 2018-06-08 | 南京长峰航天电子科技有限公司 | 一种x波段固态功放组件 |
CN108336050A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-07-27 | 上海东软医疗科技有限公司 | 冷却组件 |
CN207969270U (zh) * | 2018-03-26 | 2018-10-12 | 北京航天广通科技有限公司 | 一种水冷装置和水冷系统 |
-
2019
- 2019-11-12 CN CN201911099995.0A patent/CN111030615B/zh active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN203660990U (zh) * | 2013-12-06 | 2014-06-18 | 北京北广科技股份有限公司 | 功率放大器冷却设备 |
CN205081773U (zh) * | 2015-10-21 | 2016-03-09 | 成都六三零电子设备有限公司 | 一种固态发射机 |
CN205142774U (zh) * | 2015-12-10 | 2016-04-06 | 北京北广科技股份有限公司 | 一种单功放模块降温插箱 |
CN105828582A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-08-03 | 四川汇英光电科技有限公司 | 一种搭载有Ku波段固态功放模块的装置 |
CN106026931A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-10-12 | 四川汇英光电科技有限公司 | 一种搭载有第三代半导体材料功放模块的装置 |
CN106952881A (zh) * | 2017-03-15 | 2017-07-14 | 北京北广科技股份有限公司 | 用于大功率固态功放的水冷功率合成器 |
CN206686515U (zh) * | 2017-05-11 | 2017-11-28 | 北京伟仕天成科技有限公司 | 一种水冷降温电源模块 |
CN207475496U (zh) * | 2017-12-07 | 2018-06-08 | 南京长峰航天电子科技有限公司 | 一种x波段固态功放组件 |
CN108092635A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-29 | 南京长峰航天电子科技有限公司 | 一种Ku波段固态功率放大器 |
CN207969270U (zh) * | 2018-03-26 | 2018-10-12 | 北京航天广通科技有限公司 | 一种水冷装置和水冷系统 |
CN108336050A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-07-27 | 上海东软医疗科技有限公司 | 冷却组件 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117081525A (zh) * | 2023-10-17 | 2023-11-17 | 南京纳特通信电子有限公司 | 一种固态功放阵列系统 |
CN117081525B (zh) * | 2023-10-17 | 2024-01-23 | 南京纳特通信电子有限公司 | 一种固态功放阵列系统 |
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CN111030615B (zh) | 2024-02-13 |
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