CN111030291B - 一种电源路径管理电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电源路径管理电路，包括第一电源路径选择电路、第二电源路径选择电路和一比较器，第一电源路径选择电路的输入端连接第一供电电源，第二电源路径选择电路的输入端连接第二供电电源，第一电源路径选择电路的输出端和第二电源路径选择电路的输出端同时连接比较器的第三输入端，比较器的第一输入端连接经分压后的第一供电电源，比较器的第二输入端连接经分压后的第二供电电源，当比较器的第三输入端的电压大于预设的第一电压阈值时，比较器判断第一供电电源和第二供电电源输入的电压高低，并根据判断结果选择相应的电源路径为用电设备供电，本发明采用高压隔离加开关选通的方式进行电源路径选择，实现了对不同电源的稳定切换。

Description

一种电源路径管理电路

技术领域

本发明具体涉及一种电源选择电路，尤其涉及一种电源路径管理电路。

背景技术

在BMU(电池管理单元/电池管理芯片)中，给芯片内部供电的通路有两条：适配器(ACIN)和电池(BAT)。当充电适配器插入时，ACIN电压大于BAT电压，芯片需要将内部电源切换到ACIN通路，以减小BAT功耗，同时要维持电源切换时内部电压稳定。当适配器拔出时，ACIN电压低于BAT电压，芯片需要将电源切换到BAT通路，同样的，切换时要维持芯片内部电压稳定以保证芯片电路工作正常。

目前对于电源路径的选择普遍采用以下两种方案：

第一种方案如图4所示，直接利用两个共阴极二极管选择电源路径，再通过LDO低压差线性稳压器稳定到芯片需要的电压后输出给芯片。然而当芯片功耗较大时，需要大面积的二极管，同时需要片外电容稳定LDO的输出电压。大面积二极管不易于芯片集成，片外电容的使用无疑增加了电源路径选择电路的外围成本。

第二种方案如图5所示，利用二极管选出电源路径用于小电流电路，而大电流路径则通过比较器(comparator)和电平移位器(LS)控制两个高压PMOS(MP1、MP2)开关实现，但高压PMOS开关需要很大的面积，更加不利于芯片集成。

另外上述两个方案都需要通过LDO低压差线性稳压器稳压后才能将所选择的电源输出给芯片使用，但LDO本身需要较大的静态功耗，降低了电路效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电源路径管理电路，以解决上述技术问题。

本发明解决其技术问题采取的技术方案是,

提供一种电源路径管理电路，包括第一电源路径选择电路、第二电源路径选择电路和一比较器，所述第一电源路径选择电路的输入端连接第一供电电源ACIN，所述第二电源路径选择电路的输入端连接第二供电电源BAT，所述第一电源路径选择电路的输出端和所述第二电源路径选择电路的输出端同时连接所述比较器的第三输入端，所述比较器的第一输入端连接经分压后的所述第一供电电源ACIN，所述比较器的第二输入端连接经分压后的所述第二供电电源BAT，当所述比较器的第三输入端的输入电压大于预设于所述比较器中的一第一电压阈值时，所述比较器判断输入的所述第一供电电源ACIN和所述第二供电电源BAT的电压高低，

若所述第一供电电源ACIN输入的电压高于所述第二供电电源BAT输入的电压，则所述比较器驱动所述第一电源路径选择电路中的第一路径选择开关导通，将所述第一供电电源ACIN作为所述电源路径管理电路的输出电压为用电设备供电；

若所述第二供电电源BAT输入的电压高于所述第一供电电源ACIN输入的电压，则所述比较器驱动所述第二电源路径选择电路中的第二路径选择开关导通，将所述第二供电电源BAT作为所述电源路径管理电路的输出电压为所述用电设备供电。

作为本发明的一种优选方案，所述第一电源路径选择电路包括稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的负极通过串接一电阻R1连接所述第一供电电源ACIN，所述第一供电电源ACIN同时连接一第一源极跟随器的漏极，

所述第一源极跟随器的栅极通过串接一电阻R2连接在所述稳压二极管D1和所述电阻R1的相交点101上，所述第一源极跟随器的栅极与所述电阻R2的相交点103处连接有一电容C1，所述电容C1的另一端接地；

所述第一源极跟随器的源极连接所述第一路径选择开关的源极，所述第一路径选择开关的栅极连接所述比较器，所述第一路径选择开关的漏极作为所述第一电源路径选择电路的输出端连接所述比较器的第三输入端；

所述第一路径选择开关的源极和漏极之间还串接有一第一体二极管。

作为本发明的一种优选方案，所述第二电源路径选择电路包括稳压二极管D2，所述稳压二极管D2的负极通过串接一电阻R3连接所述第二供电电源BAT，所述第二供电电源BAT同时连接一第二源极跟随器的漏极，

所述第二源极跟随器的栅极通过串接一电阻R4连接在所述稳压二极管D2和所述电阻R3的相交点102上，所述第二源极跟随器的栅极与所述电阻R4的相交点104处连接有一电容C2，所述电容C2的另一端接地；

所述第二源极跟随器的源极连接所述第二路径选择开关的源极，所述第二路径选择开关的栅极连接所述比较器，所述第二路径选择开关的漏极作为所述第二电源路径选择电路的输出端连接所述比较器的第三输入端；

所述第二路径选择开关的源极和漏极之间还串接有一第二体二极管。

作为本发明的一种优选方案，所述第一电源路径选择电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极连接所述第一供电电源ACIN，所述第一供电电源ACIN同时连接一第一源极跟随器的漏极，

所述第二PMOS管的源极依次串接一正接的二极管D3和反接的稳压二极管D1后接地，所述第一源极跟随器的栅极通过串接一电阻R2连接在所述二极管D3和所述稳压二极管D1的相交点211上，所述第一源极跟随器的栅极与所述电阻R2的相交点203处连接有一电容C1，所述电容C1的另一端接地；

所述第一PMOS管的源极依次串接一电阻R1和电阻R5后接地，所述第一PMOS管的源极同时连接自身的栅极；

所述第一源极跟随器的源极通过所述第一路径选择开关连接至所述比较器的第三输入端；

所述第一供电电源ACIN经分压后连接所述比较器的第一输入端，

所述比较器可控制所述第一路径选择开关的导通状态。

作为本发明的一种优选方案，所述第二电源路径选择电路包括第三PMOS管和第四PMOS管，所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极相连，所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极连接所述第二供电电源BAT，所述第二供电电源BAT同时连接一第二源极跟随器的漏极，

所述第四PMOS管的源极依次串接一正接的二极管D4和反接的稳压二极管D2后接地，所述第二源极跟随器的栅极通过串接一电阻R4连接在所述二极管D4和所述稳压二极管D2的相交点212上，所述第二源极跟随器的栅极与所述电阻R4的相交点204处连接有一电容C2，所述电容C2的另一端接地；

所述第三PMOS管的源极依次串接一电阻R3和电阻R6后接地，所述第三PMOS管的源极同时连接自身的栅极；

所述第二源极跟随器的源极通过所述第二路径选择开关连接至所述比较器的第三输入端；

所述第二供电电源BAT经分压后连接所述比较器的第二输入端，

所述比较器可控制所述第二路径选择开关的导通状态。

所述相交点211和所述相交点212相连。

作为本发明的一种优选方案，所述二极管D3和所述二极管D4为肖特基二极管。

作为本发明的一种优选方案，所述第一源极跟随器或所述第二源极跟随器为LDMOS管。

作为本发明的一种优选方案，所述第一路径选择开关或所述第二路径选择开关为PMOS管。

作为本发明的一种优选方案，所述电源路径管理电路还包括一电荷泵电路，所述电荷泵电路的输入端连接所述电源路径管理电路的输出端VOUT，所述电荷泵电路的输出端连接所述相交点212，并连接所述相交点211，所述电荷泵电路用于为所述第一源极跟随器或所述第二源极跟随器补充栅极电压。

作为本发明的一种优选方案，所述电源路径管理电路还包括一电压检测模块，所述电压检测模块连接所述电荷泵电路，并连接所述电源路径管理电路的输出端VOUT，所述电压检测模块用于检测所述电源路径管理电路的输出端VOUT电压是否大于一预设的一第二电压阈值，

若是，则断开所述电荷泵电路的电压输出，以停止所述电荷泵电路对所述第一源极跟随器或所述第二源极跟随器栅极电压的补充，

若否，则保持电压监测状态。

本发明选出来的电源不需要额外的稳压电路，不需要片外大电容维持稳定，更加易于集成。另外，本发明采用高压隔离加开关选通的方式进行电源路径选择，输入电压可以是低压或高压，同时具有防反灌作用，实现了对不同电源的稳定切换。

附图说明

图1是本发明实施例一提供的电源路径管理电路的电路结构图；

图2是本发明实施例二提供的电源路径管理电路的电路结构图；

图3是本发明实施例三提供的电源路径管理电路的电路结构图；

图4是传统的电源路径选择电路的电路结构示意图一；

图5是传统的电源路径选择电路的电路结构示意图二。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

实施例一

本发明实施例一提供的一种电源路径管理电路，请参照图1，包括第一电源路径选择电路、第二电源路径选择电路和一比较器110，第一电源路径选择电路的输入端连接第一供电电源ACIN，第二电源路径选择电路的输入端连接第二供电电源BAT，第一电源路径选择电路的输出端105和第二电源路径选择电路的输出端105同时连接比较器110的第三输入端3，比较器110的第一输入端1连接经分压后的第一供电电源ACIN，比较器110的第二输入端2连接经分压后的第二供电电源BAT，当比较器110的第三输入端3的输入电压大于预设于比较器中的一第一电压阈值时，比较器110判断输入的第一供电电源ACIN和第二供电电源BAT的电压高低，

若第一供电电源ACIN输入的电压高于第二供电电源BAT输入的电压，则比较器110驱动第一电源路径选择电路中的第一路径选择开关106导通，将第一供电电源ACIN作为电源路径管理电路的输出电压为用电设备供电；

若第二供电电源BAT输入的电压高于第一供电电源ACIN输入的电压，则比较器110驱动第二电源路径选择电路中的第二路径选择开关导通107，将第二供电电源BAT作为电源路径管理电路的输出电压为用电设备供电。

请继续参照图1，优选地，第一电源路径选择电路包括稳压二极管D1，稳压二极管D1的负极通过串接一电阻R1连接第一供电电源ACIN，第一供电电源ACIN同时连接一第一源极跟随器LDMOS1的漏极，

第一源极跟随器LDMOS1的栅极通过串接一电阻R2连接在稳压二极管D1和电阻R1的相交点101上，第一源极跟随器LDMOS1的栅极与电阻R2的相交点103处连接有一电容C1，电容C1的另一端接地；

第一源极跟随器LDMOS1的源极连接第一路径选择开关106的源极，第一路径选择开关106的栅极连接比较器110，第一路径选择开关106的漏极作为第一电源路径选择电路的输出端105连接比较器110的第三输入端3；

第一路径选择开关106的源极和漏极之间还串接有一第一体二极管1061。

第二电源路径选择电路包括稳压二极管D2，稳压二极管D2的负极通过串接一电阻R3连接第二供电电源BAT，稳压二极管D2用于稳定第二供电电源BAT的输入电压，第二供电电源BAT同时连接一第一源极跟随器LDMOS2的漏极，

第二源极跟随器LDMOS2的栅极通过串接一电阻R4连接在稳压二极管D2和电阻R3的相交点102上，第二源极跟随器的栅极与电阻R4的相交点104处连接有一电容C2，电容C2的另一端接地；电阻R4和电容C2组成RC滤波电路对第二供电电源BAT进行滤波处理；

第二源极跟随器LDMOS2的源极连接第二路径选择开关107的源极，第二路径选择开关107的栅极连接比较器110，第二路径选择开关107的漏极作为第二电源路径选择电路的输出端105连接比较器110的第三输入端3；

第二路径选择开关107的源极和漏极之间还串接有一第二体二极管1071。

优选地，第一源极跟随器LDMOS1和第二源极跟随器LDMOS2为LDMOS管。

第一路径选择开关106和第二路径选择开关107优选为PMOS管。

请参照图1，实施例提供的电源路径管理电路的工作原理简述如下：

两个电源输入端口ACIN、BAT通过路径选择后,105节点输出VOUT，第一路径选择开关106和第二路径选择开关107受比较器110控制，比较器110的输入为两个分压网络108、109的输出，108为ACIN分压网络，109为BAT分压网络。该方案的实现原理如下：

无论是单电源或双电源输入，ACIN和BAT在各自的电源路径选择电路上通过稳压管产生相对稳定的电压，比如5V，即图1中101或102节点的节点电压，然后经过RC滤波电路后，103或104节点的节点电压作为LDMOS管的栅极电压。LDMOS管形成源极跟随器，再通过PMOS管106或107的体二极管将能量传到105节点，如果105节点的电压足够高(高于第一阈值电压)，那么比较器110开始比较两个供电电源输入电压的高低，并根据比较结果选择电源路径。比如，如果ACIN电压高于BAT电压，比较器则驱动第一路径选择开关106导通，此时电流不再走体二极管1061，而是通过第一路径选择开关106直接提供给VOUT105。

本实施例一提供的电源路径管理电路采用高压隔离加开关选通的方式实现了对电源路径的自动选择。

另外，实施例一提供的电源路径选择方案中只有两个LDMOS承受高压，由于LDMOS源极跟随器的电平移位作用，105节点电压VOUT为低压(通常只有5V)，并且由于源极跟随器开环工作，即使VOUT端没有设置电容，源极跟随器仍然能够快速响应负载变化且不会带来稳定性稳定，因此实施例一提供的电源路径管理电路可以直接集成到芯片中而不需要外部电容。

但实施例一提供的方案同样存在一些缺点，首先，工作电压不能太低，原因是LDMOS管的VGS电压比较大，以BAT供电模式为例，当输入电压较低时，VOUT得到的电压为BAT-VGS-VD，其中VD是体二极管正向导通压降，比如BAT为2.5V，那么VOUT可能只有1V，导致内部电路无法正常工作(比如无法驱动比较器工作)。

其次，假设电池电压足够高，比如为8V，此时插入12V适配器，也即ACIN电压快速升高，比较器110快速反应将电源路径选择到106通路，但是由于101到103节点的RC滤波作用，103节点电压可能还远低于稳定值，但此时电源通路已经切换到ACIN通路，这会造成105节点的VOUT电压有一个较大的跌落，可能影响芯片内部电路工作。为了解决这个问题，本发明实施例二提供了另外一种解决方案。

实施例二

请参照图2，实施例二提供的电源路径管理电路中的第一电源路径选择电路包括第一PMOS管P1和第二PMOS管P2，第一PMOS管P1的栅极和第二PMOS管P2的栅极相连，第一PMOS管P1的漏极和第二PMOS管P2的漏极连接第一供电电源ACIN，第一供电电源ACIN同时连接第一源极跟随器LDMOS1的漏极；

第二PMOS管P2的源极依次串接一正接的二极管D3和反接的稳压二极管D1后接地，第一源极跟随器LDMOS1的栅极通过串接一电阻R2连接在二极管D3和稳压二极管D1的相交点211上，第一源极跟随器LDMOS1的栅极与电阻R2的相交点203处连接有一电容C1，电容C1的另一端接地；

第一PMOS管P1的源极依次串接一电阻R1和电阻R5后接地，第一PMOS管P1的源极同时连接自身的栅极；

第一源极跟随器LDMOS1的源极通过第一路径选择开关206连接至比较器210的第三输入端3；

第一供电电源ACIN经分压后连接比较器210的第一输入端1；

比较器210可控制第一路径选择开关206的导通状态。

请继续参照图2，第二电管路径选择电路包括第三PMOS管P3和第四PMOS管P4，第三PMOS管的栅极和第四PMOS管的栅极相连，第三PMOS管的漏极和第四PMOS管的漏极连接第二供电电源BAT，第二供电电源BAT同时连接一第二源极跟随器LDMOS2的漏极，

第四PMOS管的源极依次串接一正接的二极管D4和反接的稳压二极管D2后接地，第二源极跟随器LDMOS2的栅极通过串接一电阻R4连接在二极管D4和稳压二极管D2的相交点212上，第二源极跟随器LDMOS2的栅极与电阻R4的相交点204处连接有电容C2，电容C2的另一端接地；

第三PMOS管的源极依次串接一电阻R3和电阻R6后接地，第三PMOS管的源极同时连接自身的栅极；

第二源极跟随器LDMOS2的源极通过第二路径选择开关207连接至比较器210的第三输入端3；

第二供电电源BAT经分压后连接比较器210的第二输入端2，

比较器210可控制第二路径选择开关207的导通状态；

相交点211和相交点212相连。

第一路径选择开关206和第二路径选择开关207可同样优选为PMOS管。

二极管D3和D4优选为肖特基二极管。

实施例二提供的电源路径选择方案的实现原理简述如下：

将211节点和212节点相连形成一个201节点，目的是当只有一路电源工作时提前偏置好另一路LDMOS管的gate，以减小实现电源路径切换时VOUT节点205的电压跌落。图2中的二极管D3和D4优选采用低压降肖特基二极管以减小压降且防止ACIN和BAT通过并接在第一路径选择开关206上的体二极管和并接在第二路径选择开关207上的体二极管互通。

但实施例二提供的电源路径管理方案虽然解决了电源通路切换后的输出电压跌落的问题，但还是未能解决不能工作在低电压的问题，为了解决这个问题，本发明实施例三进一步改进了实施例二提供的电源路径管理电路。

实施例三

请参照图3，实施例三与实施例二的区别在于，实施例三提供的电源路径管理电路还包括一电荷泵电路213，电荷泵电路结构为现有的电路结构。电荷泵电路213的输入端2131连接电源路径管理电路的输出端VOUT节点205，电荷泵电路213的输出端2132连接相交点212，并连接相交点211，电荷泵电路213用于为第一源极跟随器LDMOS1或第二源极跟随器LDMOS2补充栅极电压。

电荷泵电路213的输出驱动第一源极跟随器LDMOS1或第二源极跟随器LDMOS2的栅极，当栅极电压提高时，第一源极跟随器LDMOS1或第二源极跟随器LDMOS2的源极电压也跟着提高，继而电荷泵的输出电压也升高，这形成了一个正反馈，至到电荷泵电路213的输出电压达到稳压二极管D1或D2的击穿电压。

电荷泵电路213虽然解决了电源路径管理电路不能工作在低电压的问题，但电荷泵电路213会增加电源路径管理电路的功耗，为了解决这个问题，请继续参照图3，实施例3提供的电源路径管理电路还包括一电压检测模块214，电压检测模块214为现有的电压检测电路。电压检测模块214连接电荷泵电路，并连接电源路径管理电路的输出端VOUT节点205，电压检测模块214用于检测电源路径管理电路的输出端VOUT电压是否大于一预设的一第二电压阈值，

若是，则断开电荷泵电路213的电压输出，以停止电荷泵电路213对第一源极跟随器LDMOS1或第二源极跟随器LDMOS2栅极电压的补充，

若否，则保持电压监测状态。

以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (9)

1.一种电源路径管理电路，其特征在于，包括第一电源路径选择电路、第二电源路径选择电路和一比较器，所述第一电源路径选择电路的输入端连接第一供电电源ACIN，所述第二电源路径选择电路的输入端连接第二供电电源BAT，所述第一电源路径选择电路的输出端和所述第二电源路径选择电路的输出端同时连接所述比较器的第三输入端，所述比较器的第一输入端连接经分压后的所述第一供电电源ACIN，所述比较器的第二输入端连接经分压后的所述第二供电电源BAT，当所述比较器的第三输入端的输入电压大于预设于所述比较器中的一第一电压阈值时，所述比较器判断输入的所述第一供电电源ACIN和所述第二供电电源BAT的电压高低，

若所述第一供电电源ACIN输入的电压高于所述第二供电电源BAT输入的电压，则所述比较器驱动所述第一电源路径选择电路中的第一路径选择开关导通，将所述第一供电电源ACIN作为所述电源路径管理电路的输出电压为用电设备供电；

若所述第二供电电源BAT输入的电压高于所述第一供电电源ACIN输入的电压，则所述比较器驱动所述第二电源路径选择电路中的第二路径选择开关导通，将所述第二供电电源BAT作为所述电源路径管理电路的输出电压为所述用电设备供电；所述第一电源路径选择电路包括稳压二极管D1，所述稳压二极管D1的负极通过串接一电阻R1连接所述第一供电电源ACIN，所述第一供电电源ACIN同时连接一第一源极跟随器的漏极，

所述第一源极跟随器的栅极通过串接一电阻R2连接在所述稳压二极管D1和所述电阻R1的相交点(101)上，所述第一源极跟随器的栅极与所述电阻R2的相交点(103)处连接有一电容C1，所述电容C1的另一端接地；

所述第一源极跟随器的源极连接所述第一路径选择开关的源极，所述第一路径选择开关的栅极连接所述比较器，所述第一路径选择开关的漏极作为所述第一电源路径选择电路的输出端连接所述比较器的第三输入端；

所述第一路径选择开关的源极和漏极之间还串接有一第一体二极管。

2.如权利要求1所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第二电源路径选择电路包括稳压二极管D2，所述稳压二极管D2的负极通过串接一电阻R3连接所述第二供电电源BAT，所述第二供电电源BAT同时连接一第二源极跟随器的漏极，

所述第二源极跟随器的栅极通过串接一电阻R4连接在所述稳压二极管D2和所述电阻R3的相交点(102)上，所述第二源极跟随器的栅极与所述电阻R4的相交点(104)处连接有一电容C2，所述电容C2的另一端接地；

所述第二源极跟随器的源极连接所述第二路径选择开关的源极，所述第二路径选择开关的栅极连接所述比较器，所述第二路径选择开关的漏极作为所述第二电源路径选择电路的输出端连接所述比较器的第三输入端；

所述第二路径选择开关的源极和漏极之间还串接有一第二体二极管。

3.如权利要求1所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第一电源路径选择电路包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极连接所述第一供电电源ACIN，所述第一供电电源ACIN同时连接一第一源极跟随器的漏极，

所述第二PMOS管的源极依次串接一正接的二极管D3和反接的稳压二极管D1后接地，所述第一源极跟随器的栅极通过串接一电阻R2连接在所述二极管D3和所述稳压二极管D1的相交点(211)上，所述第一源极跟随器的栅极与所述电阻R2的相交点(203)处连接有一电容C1，所述电容C1的另一端接地；

所述第一PMOS管的源极依次串接一电阻R1和电阻R5后接地，所述第一PMOS管的源极同时连接自身的栅极；

所述第一源极跟随器的源极通过所述第一路径选择开关连接至所述比较器的第三输入端；

所述第一供电电源ACIN经分压后连接所述比较器的第一输入端，

所述比较器可控制所述第一路径选择开关的导通状态。

4.如权利要求3所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第二电源路径选择电路包括第三PMOS管和第四PMOS管，所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极相连，所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极连接所述第二供电电源BAT，所述第二供电电源BAT同时连接一第二源极跟随器的漏极，

所述第四PMOS管的源极依次串接一正接的二极管D4和反接的稳压二极管D2后接地，所述第二源极跟随器的栅极通过串接一电阻R4连接在所述二极管D4和所述稳压二极管D2的相交点(212)上，所述第二源极跟随器的栅极与所述电阻R4的相交点(204)处连接有一电容C2，所述电容C2的另一端接地；

所述第三PMOS管的源极依次串接一电阻R3和电阻R6后接地，所述第三PMOS管的源极同时连接自身的栅极；

所述第二源极跟随器的源极通过所述第二路径选择开关连接至所述比较器的第三输入端；

所述第二供电电源BAT经分压后连接所述比较器的第二输入端，

所述比较器可控制所述第二路径选择开关的导通状态，

所述相交点(211)和所述相交点(212)相连。

5.如权利要求4所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述二极管D3和所述二极管D4为肖特基二极管。

6.如权利要求2或4所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第一源极跟随器或所述第二源极跟随器为LDMOS管。

7.如权利要求2或4所述的电源路径管理电路，其特征在于，所述第一路径选择开关或所述第二路径选择开关为PMOS管。

8.如权利要求4所述的电源路径管理电路，其特征在于，还包括一电荷泵电路，所述电荷泵电路的输入端连接所述电源路径管理电路的输出端VOUT，所述电荷泵电路的输出端连接所述相交点(212)，并连接所述相交点(211)，所述电荷泵电路用于为所述第一源极跟随器或所述第二源极跟随器补充栅极电压。

9.如权利要求8所述的电源路径管理电路，其特征在于，还包括一电压检测模块，所述电压检测模块连接所述电荷泵电路，并连接所述电源路径管理电路的输出端VOUT，所述电压检测模块用于检测所述电源路径管理电路的输出端VOUT电压是否大于一预设的一第二电压阈值，

若是，则断开所述电荷泵电路的电压输出，以停止所述电荷泵电路对所述第一源极跟随器或所述第二源极跟随器栅极电压的补充，

若否，则保持电压监测状态。

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