CN111009738A - 天线装置 - Google Patents

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Abstract

一种天线装置包含多个第一天线单元、多个第二天线单元、多个第一切换电路和多个第二切换电路。多个第一天线单元产生操作于第一频率的射频信号。多个第二天线单元产生操作于第二频率的射频信号，第一频率大于第二频率。多个第一切换电路用以选择性地导通至少一个第一天线单元，多个第一切换电路每一者各包含第一开关元件以及第二开关元件，第一开关元件与一电感并联设置，第二开关元件与另一电感并联设置。多个第二切换电路用以选择性地导通至少一个第二天线单元。

Description

天线装置
技术领域
本公开内容涉及一种天线装置，且特别涉及双频波束切换的天线装置。
背景技术
随着无线通信技术的蓬勃发展，如何有效的使用频带、增加无线通信传输的稳定度和通信品质渐趋重要。而如今，解决频带缺少最常见方法为使用具有双频天线的通信装置。
然而，传统上的双频天线不但体积大、高低频之间会互相干扰，甚至指向性和前后比(Front to Back Ratio)不佳。
因此，如何设计一种指向性和前后比较佳，并且进一步的让低频信号和高频信号不会互相干扰的天线装置为现今一个重要的目标。
发明内容
为了解决上述问题，本公开内容提供的一种天线装置包含多个第一天线单元、多个第二天线单元、多个第一切换电路和多个第二切换电路。多个第一天线单元产生操作于第一频率的射频信号。多个第二天线单元分别耦接至多个第一天线单元对应一者，并产生操作于第二频率的射频信号，第一频率大于第二频率。多个第一切换电路分别耦接至多个第一天线单元，并用以依据多个控制信号选择性地导通至少一个第一天线单元，多个第一切换电路每一者各包含第一开关元件以及第二开关元件，第一开关元件与一电感并联设置，第二开关元件与另一电感并联设置。多个第二切换电路分别耦接至多个第二天线单元，并用以依据多个控制信号选择性地导通至少一个第二天线单元。
综上所述，本公开内容通过在天线装置中设置多个开关元件在天线单元上，以实现可以经由多个开关元件切换高低频的辐射场型，并同时具有较佳的前后比(Front toBack Ratio)。
附图说明
为让本公开内容的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，说明书附图的说明如下：
图1为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的立体示意图；
图2A为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的上视图；
图2B为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的下视图；
图3A为根据本公开内容的一些实施例所示出图2A和图2B中天线装置的部分电路图；
图3B为根据本公开内容的一些实施例所示出图2A和图2B中天线装置的部分电路图；
图4A为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的高频辐射场型图；
图4B为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的高频辐射场型图；
图4C为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种高频辐射场型如图4A所示的天线装置的低频辐射场型图；
图4D为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种高频辐射场型如图4B所示的天线装置的低频辐射场型图；
图5A为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的低频辐射场型图；
图5B为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的低频辐射场型图；
图5C为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种低频辐射场型如图5A所示的天线装置的高频辐射场型图；
图5D为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种低频辐射场型如图5B所示的天线装置的高频辐射场型图；
图6A为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的高频辐射场型图；
图6B为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置的高频辐射场型图；
图6C为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种高频辐射场型如图6A所示的天线装置的低频辐射场型图；以及
图6D为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种高频辐射场型如图6B所示的天线装置的低频辐射场型图。
附图标记说明：
100：天线装置
160：接地面
170：柱子
X、Y、Z：方向
45°、135°、225°、315°：角度
210、220、230、240、250、260、270、280：天线单元
210a、210b、220a、220b、230a、230b、240a、240b、250a、250b、260a、260b、270a、270b、280a、280b：辐射体
251、252、253、254：反射单元
201、202、211、212、221、222、231、232：传输线
310、320、330、340、350、360、370、380：切换电路
312、313、314、315、316、322、323、324、325、326、332、333、334、335、336、342、343、344、345、346、352、362、372、382：滤波器
293：基板
293a：基板的第一表面
293b：基板的第二表面
291：信号馈入点
292：天线接地端
G：接地
P1、P2、P3、P4：节点
D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42、D51、D52、D61、D62、D71、D72、D81、D82：移相开关二极管
311、321、331、341、351、361、371、381：阻抗单元
CT1、CT2、CT3、CT4、CT5、CT6、CT7、CT8：控制信号
L1～L52、L57～L68：电感
C1～C8、C33～C68：电容
410、411、412、413、414、415、420、421、422、423、424、425、510、511、512、513、514、515、520、521、522、523、524、525、610、611、612、613、614、620、621、622、623、624：辐射场型
0、30、60、90、120、150、-180、-150、-120、-90、-60、-30：角度
0.00、-5.00、-10.00：辐射强度(dB)
具体实施方式
为了使本公开内容的叙述更加详尽与完备，可参照所附的附图及以下所述各种实施例。另一方面，众所周知的元件与步骤并未描述于实施例中，以避免对本公开内容造成不必要的限制。
关于以下各种实施例中所使用的“耦接”或“连接”，可指二或多个元件相互“直接”作实体接触或电性接触，或是相互“间接”作实体接触或电性接触，亦可指二个或多个元件相互动作。
于一些实施例中，本公开内容所公开的天线装置100为一可调整辐射场型的天线装置100，其可以根据检测使用者所在位置而调整天线装置100产生的高低频分别的辐射场型，进而达到较大的传输效率。
图1为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置100的立体示意图。如图1所示，于一些实施例中，天线装置100设置于接地面160之上，且经由相连接的四根柱子170连接至接地面160。于一些实施例中，天线装置100为水平极化天线装置，用以产生水平方向的辐射。
于一些实施例中，天线装置100可以整合在具有无线通信功能的电子装置内，例如无限存取点(Access Point，AP)、个人电脑(Personal Computer，PC)或笔记本电脑(Laptop)，但不限于此，任何可以支援多输入多输出(Multi-input Multi-output，MIMO)通信技术，并且具有通信功能的电子装置皆在本公开内容所保护的范围内。于实际应用中，天线装置100依据控制信号调整其辐射场型，实现全向性(Omni-directional)的辐射场型或指向性(Directional)的辐射场型。
于一些实施例中，一并参照图2A及图2B。图2A为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置100的上视图，图2B为根据本公开内容的一些实施例所示出的一种天线装置100的下视图。于一些实施例中，天线装置100适合同时操作于高频和低频之下，举例而言，高频包含5.5GHz，低频包含2.45GHz，但不限于此，任何适合天线装置100操作的频率皆在本公开内容所保护的范围内。
于一些实施例中，如图2A、图2B所示，天线装置100包含天线单元210、220、230、240，反射单元251、252、253、254，传输线201、202、211、212、221、222、231、232，信号馈入点291，天线接地端292及基板293，其中传输线201连接信号馈入点291、天线单元210和天线单元250，传输线211连接信号馈入点291、天线单元240和天线单元280，传输线221连接信号馈入点291、天线单元230和天线单元270，传输线231连接信号馈入点291、天线单元220和天线单元260。
于此实施例中，天线装置100具有八个天线单元210、220、230、240、250、260、270、280，且分别为四个低频天线单元210、220、230、240和四个高频天线单元250、260、270、280但不限于此，天线装置100具有两个以上的天线单元皆在本公开内容所保护的范围内。
于一些实施例中，天线单元210包含设置在基板293第一表面293a的辐射体210a和设置在基板293第二表面293b的辐射体210b，天线单元220包含设置在基板293第一表面293a的辐射体220a和设置在基板293第二表面293b的辐射体220b，天线单元230包含设置在基板293第一表面293a的辐射体230a和设置在基板293第二表面293b的辐射体230b，天线单元240包含设置在基板293第一表面293a的辐射体240a和设置在基板293第二表面293b的辐射体240b，天线单元250包含设置在基板293第一表面293a的辐射体250a和设置在基板293第二表面293b的辐射体250b，天线单元260包含设置在基板293第一表面293a的辐射体260a和设置在基板293第二表面293b的辐射体260b，天线单元270包含设置在基板293第一表面293a的辐射体270a和设置在基板293第二表面293b的辐射体270b，天线单元280包含设置在基板293第一表面293a的辐射体280a和设置在基板293第二表面293b的辐射体280b。
于一些实施例中，传输线201耦接至辐射体210a、辐射体250a和信号馈入点291；传输线202耦接至辐射体210b、辐射体250b和天线接地端292；传输线211耦接至辐射体240a、辐射体280a和信号馈入点291；传输线212耦接至辐射体240b、辐射体280b和天线接地端292；传输线221耦接至辐射体230a、辐射体270a和信号馈入点291；传输线222耦接至辐射体230b、辐射体270b和天线接地端292；传输线231耦接至辐射体220a、辐射体260a和信号馈入点291；传输线232耦接至辐射体220b、辐射体260b和天线接地端292。
于一些实施例中，信号馈入点291设置于传输线201、211、221、231的交叉点，天线接地端292设置于传输线202、212、222、232的交叉点但不限于此，信号馈入点291和天线接地端292可以设置于可以连接至天线单元210、220、230、240、250、260、270、280的基板293上或基板293外任何位置。
于一些实施例中，天线单元210、220、230、240、250、260、270、280操作为传送天线，分别用以接收来自信号馈入点291的射频信号，并据以使得天线装置100产生一辐射场型，其中辐射场型的方向为以信号馈入点291为中心向外延伸。于一些实施例中，天线单元210、220、230、240、250、260、270、280操作为接收天线，分别用以接收来自使用者的一无线信号，并据以建立一无线信号通道。于一些实施例中，天线单元250、260、270、280用以产生操作于第一频率(例如5.5GHz)的射频信号，天线单元210、220、230、240用以产生操作于第二频率(例如2.45GHz)的射频信号，且第一频率大于第二频率。
于一些实施例中，天线单元210、220、230、240、250、260、270、280可以由平面倒F天线(Planar Inverted F Antenna，PIFA)、偶极(dipole)天线以及回路(Loop)天线来实现，但不限于此，任何适用于实现水平极化天线单元的电路元件皆在本公开内容所保护的范围内。
于一些实施例中，天线单元210、220、230、240其中一者、天线单元250、260、270、280对应一者与传输线201、202、211、212、221、222、231、232对应一者呈F形设置。举例来说，天线单元210的辐射体210a、天线单元250的辐射体250a和传输线201呈F形设置；天线单元210的辐射体210b、天线单元250的辐射体250b和传输线202呈F形设置；天线单元220的辐射体220a、天线单元260的辐射体260a和传输线231呈F形设置；天线单元220的辐射体220b、天线单元260的辐射体260b和传输线232呈F形设置；天线单元230的辐射体230a、天线单元270的辐射体270a和传输线221呈F形设置；天线单元230的辐射体230b、天线单元270的辐射体270b和传输线222呈F形设置；天线单元240的辐射体240a、天线单元280的辐射体280a和传输线211呈F形设置；天线单元240的辐射体240a、天线单元280的辐射体280a和传输线212呈F形设置。
于一些实施例中，反射单元251、252、253、254用以调整天线单元210、220、230、240、250、260、270、280的一辐射场型，举例来说，反射单元251和反射单元252用以调整天线单元240和天线单元280对应的辐射场型；反射单元252和反射单元253用以调整天线单元230和天线单元270对应的辐射场型；反射单元253和反射单元254用以调整天线单元220和天线单元260对应的辐射场型；反射单元254和反射单元251用以调整天线单元210和天线单元250对应的辐射场型，使得天线单元210、220、230、240、250、260、270、280的辐射场型各自均可具有指向性。于其他一些实施例中，反射单元251、252、253、254的形状和可以依据X轴、Y轴和Z轴而调整。
于一些实施例中，反射单元251、252、253、254耦接至基板293，并且设置于天线单元210、220、230、240、250、260、270、280的两侧。于一些实施例中，反射单元251、252、253、254可以由细金属条所实现，但不限于此，任何可以用以实现调整辐射场型的反射单元皆在本公开内容所保护的范围内。
于一些实施例中，传输线201、202、211、212、221、222、231、232用以将来自信号馈入点291的射频信号传送至天线单元210、220、230、240、250、260、270、280。于一些实施例中，传输线201、202、211、212、221、222、231、232可以由金属线所实现，但不限于此，任何可以用以传送射频信号的线材皆在本公开内容所保护的范围内。
一并参照图2A、图2B、图3A和图3B，其中图3A和图3B分别为根据本公开内容的一些实施例所示出图2A和图2B中天线装置100的部分电路图。
于一些实施例中，控制电路(未示出)用以产生多个控制信号CT1、CT2、CT3、CT4、CT5、CT6、CT7、CT8。于一些实施例中，控制电路(未示出)可以由具有运算、数据读取、接收信号或信息、传送信号或信息等功能的服务器、电路、中央处理单元(central processorunit,CPU)、微处理器(MCU)或其他具有同等功能的电子芯片所实现。
于一些实施例中，天线装置100包含切换电路310、320、330、340、350、360、370、380，分别用以依据来自控制电路(未示出)的多个控制信号CT1、CT2、CT3、CT4、CT5、CT6、CT7、CT8选择性地导通天线单元210、220、230、240、250、260、270、280至少一者。于一些实施例中，切换电路310、320、330、340、350、360、370、380的实际配置方式如图3A和图3B所示。
如图3A、图3B所示，天线装置100包含切换电路310、320、330、340、350、360、370、380，其中切换电路310接收控制信号CT1，切换电路320接收控制信号CT2，切换电路330接收控制信号CT3，切换电路340接收控制信号CT4，切换电路350接收控制信号CT5，切换电路360接收控制信号CT6，切换电路370接收控制信号CT7，切换电路380接收控制信号CT8。
于一些实施例中，如图3A和图3B所示，切换电路310包含第三开关元件(于图3A的实施例为移相开关二极管D11)以及第四开关元件(于图3A的实施例为移相开关二极管D12)，阻抗单元311，滤波器312、313、314、315、316和电容C57；切换电路320包含第三开关元件(于图3A的实施例为移相开关二极管D21)以及第四开关元件(于图3A的实施例为移相开关二极管D22)，阻抗单元321，滤波器322、323、324、325、326和电容C58；切换电路330包含第三开关元件(于图3A的实施例为移相开关二极管D31)以及第四开关元件(于图3A的实施例为移相开关二极管D32)，阻抗单元331，滤波器332、333、334、335、336和电容C59；切换电路340包含第三开关元件(于图3A的实施例为移相开关二极管D41)以及第四开关元件(于图3A的实施例为移相开关二极管D42)，阻抗单元341，滤波器342、343、344、345、346和电容C60；切换电路350包含第一开关元件(于图3B的实施例为移相开关二极管D51)以及第二开关元件(于图3B的实施例为移相开关二极管D52)，阻抗单元351，滤波器352和电感L57、L58；切换电路360包含第一开关元件(于图3B的实施例为移相开关二极管D81)以及第二开关元件(于图3B的实施例为移相开关二极管D82)，阻抗单元361，滤波器362和电感L63、L64；切换电路370包含第一开关元件(于图3B的实施例为移相开关二极管D71)以及第二开关元件(于图3B的实施例为移相开关二极管D72)，阻抗单元371，滤波器372和电感L61、L62；切换电路380包含第一开关元件(于图3B的实施例为移相开关二极管D61)以及第二开关元件(于图3B的实施例为移相开关二极管D62)，阻抗单元381，滤波器382和电感L59、L60。
于一些实施例中，切换电路310、320、330、340分别包含的电容C57、C58、C59、C60是用以改善低频匹配的阻抗。
于一些实施例中，切换电路350中的电感L57并联移相开关(PIN)二极管D51，电感L58并联移相开关二极管D52，切换电路360中的电感L63并联移相开关二极管D81，电感L64并联移相开关二极管D82，切换电路370中的电感L61并联移相开关二极管D71，电感L62并联移相开关二极管D72，切换电路380中的电感L59并联移相开关二极管D61，电感L60并联移相开关二极管D62。通过上述配置，可以使得当移相开关二极管D51/D52/D81/D82/D71/D72/D61/D62关闭时可与对应的电感L57/L58/L63/L64/L61/L62/L59/L60形成高频的带阻滤波器(Band stop filter)，并且利用此机制当关闭邻近两个天线单元250/260/270/280上的移相开关二极管D51/D52/D81/D82/D71/D72/D61/D62并导通其他天线单元250/260/270/280上的移相开关二极管D51/D52/D81/D82/D71/D72/D61/D62，即可使高频场型形成波束。
于一些实施例中，切换电路310、320、330、340、350、360、370、380中的移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42、D51、D52、D81、D82、D71、D72、D61、D62分别设置在天线单元210、220、230、240、250、260、270、280上，用以阻隔或导通射频信号由信号馈入点291传输至多个天线单元210、220、230、240、250、260、270、280。举例而言，移相开关二极管D11和移相开关二极管D12用以在欲关闭天线单元210时，阻隔射频信号从信号馈入点291经由传输线201传送至辐射体210a及经由传输线202传送至辐射体210b；移相开关二极管D21和移相开关二极管D22用以在欲关闭天线单元220时，阻隔射频信号从信号馈入点291经由传输线231传送至辐射体220a及经由传输线232传送至辐射体220b；移相开关二极管D31和移相开关二极管D32用以在欲关闭天线单元230时，阻隔射频信号从信号馈入点291经由传输线221传送至辐射体230a及经由传输线222传送至辐射体230b；移相开关二极管D41和移相开关二极管D42用以在欲关闭天线单元240时，阻隔射频信号从信号馈入点291经由传输线211传送至辐射体240a及经由传输线212传送至辐射体240b；移相开关二极管D51和移相开关二极管D52用以在欲关闭天线单元250时，阻隔射频信号从信号馈入点291经由传输线201传送至辐射体250a及经由传输线202传送至辐射体250b；移相开关二极管D61和移相开关二极管D62用以在欲关闭天线单元260时，阻隔射频信号从信号馈入点291经由传输线231传送至辐射体260a及经由传输线232传送至辐射体260b；移相开关二极管D71和移相开关二极管D72用以在欲关闭天线单元270时，阻隔射频信号从信号馈入点291经由传输线221传送至辐射体270a及经由传输线222传送至辐射体270b；移相开关二极管D81和移相开关二极管D82用以在欲关闭天线单元280时，阻隔射频信号从信号馈入点291经由传输线211传送至辐射体280a及经由传输线212传送至辐射体280b。
于一些实施例中，切换电路310中的滤波器312、313、314、315用以降低天线单元210对天线单元250的影响；切换电路320中的滤波器322、323、324、325用以降低天线单元220对天线单元260的影响；切换电路330中的滤波器332、333、334、335用以降低天线单元230对天线单元270的影响；切换电路340中的滤波器342、343、344、345用以降低天线单元240对天线单元280的影响。通过将滤波器322～325、332～335及342～345设置在对应的移相开关二极管D11/D12/D21/D22/D31/D32/D41/D42的两侧，可以有效的降低高频的天线(亦即天线单元250/260/270/280)辐射场型被影响的程度。
于一些实施例中，所述滤波器312～315、322～325、332～335及342～345每一者包含并联的电容和电感，以形成一带阻滤波器(Band Stop filter)。举例来说，以切换电路310为例示，滤波器312包含电容C45和电感L45，且电容C45和电感L45并联设置；滤波器313包含电容C46和电感L46，且电容C46和电感L46并联设置；滤波器314包含电容C34和电感L34，且电容C34和电感L34并联设置；滤波器315包含电容C33和电感L33，且电容C33和电感L33并联设置。
于一些实施例中，滤波器316、326、336、346用以对高频信号和低频信号进行分频，以让高频通过。如图2A和图2B所示，切换电路310中的滤波器316设置在传输线201、202上以作分频；切换电路320中的滤波器326设置在传输线231、232上以作分频；切换电路330中的滤波器336设置在传输线221、222上以作分频；切换电路340中的滤波器346设置在传输线211、212上以作分频。
于一些实施例中，所述滤波器316/326/336/346每一者包含串联的电容和电感，以形成一带通滤波器(band pass filter)，让高频的信号通过。举例来说，滤波器316包含电容C49和电感L49，且电容C49和电感L49串联设置；滤波器326包含电容C50和电感L50，且电容C50和电感L50串联设置；滤波器336包含电容C51和电感L51，且电容C51和电感L51串联设置；滤波器346包含电容C52和电感L52，且电容C52和电感L52串联设置。
于一些实施例中，如图2A、图2B和图3B所示，滤波器352、362、372、382分别设置在反射单元254、251、252、253上，以让反射单元254、251、252、253具有两种特性，可以同时作为天线单元210、220、230、240和天线单元250、260、270、280所产生的辐射场型的调整板。
于一些实施例中，滤波器352包含电容C53和电感L65，且电容C53和电感L65并联设置；滤波器362包含电容C56和电感L68，且电容C56和电感L68并联设置；滤波器372包含电容C55和电感L67，且电容C55和电感L67并联设置；滤波器382包含电容C54和电感L66，且电容C54和电感L66并联设置。
于一些实施例中，阻抗单元311包含电感L17、L18、L9、L1、L2、电容C2、C8；阻抗单元321包含电感L15、L16、L10、L4、L3、电容C3、C7；阻抗单元331包含电感L13、L14、L11、L6、L5、电容C4、C6；阻抗单元341包含电感L19、L20、L12、L8、L7、电容C1、C5。
于一些实施例中，阻抗单元311、321、331、341、351、361、371、381中的电感L1～L32用以作为射频扼流圈(RF Choke)，详细来说，电感L1～L32用以阻隔射频信号互相干扰。于一些实施例中，阻抗单元311、321、331、341、351、361、371、381中的电容C1～C8、C61～C68用以作为直流阻隔器(DC Block)，详细来说，电容C1～C8、C61～C68用以阻隔多个控制信号CT1、CT2、CT3、CT4、CT5、CT6、CT7、CT8之间的互相干扰。
于一些实施例中，如图2A所示，移相开关二极管D11、D21、D31、D41、D51、D61、D71、D81、电感L1～L12、L21～L28、L33～L40、L49～L52、L57、L59、L61、L63、L65～L68、电容C1～C4、C41～C48、C53～C60、C61、C63、C65、C67设置于基板293的第一表面293a。于一些实施例中，如图2B所示，移相开关二极管D5～D8、电感L13～L20、L29～L32、L41～L48、L58、L60、L62、L64、电容C5～C8、C33～C40、C49～C52、C62、C64、C66、C68设置于基板293的第二表面293b。
于一些实施例中，如图3A所示，电感L17的第一端用以接收控制信号CT1，电感L17的第二端耦接至电感L18的第一端，电感L18的第二端耦接至电感L45的第一端及电容C45的第一端，电感L45的第二端耦接至电容C45的第二端及移相开关二极管D12的第一端，移相开关二极管D12的第二端耦接至电感L46的第一端和电容C46的第一端，电感L46的第二端耦接至电容C46的第二端和电容C57的第一端、电感L9的第一端、电容C49的第一端和电容C8的第一端，电容C57的第二端耦接至电容C34的第一端、电感L9的第二端、电感L34的第一端、电感L49的第二端及电容C2的第一端，电容C49的第二端耦接至电感L49的第一端，电感L49的第二端耦接至电容C2的第一端，电容C2的第二端耦接至信号馈入点291(可一并参阅图2A中的信号馈入点291)，电容C8的第二端耦接至天线接地端292(可一并参阅图2B中的天线接地端292)，电感L34的第二端耦接至移相开关二极管D11的第一端，移相开关二极管D11的第二端耦接至电感L33的第一端和电容C33的第一端，电感L33的第二端耦接至电容C33的第二端和电感L1的第一端，电感L1的第二端耦接至电感L2的第一端，电感L2的第二端接地。
于一些实施例中，如图3A所示，电感L15的第一端用以接收控制信号CT2，电感L15的第二端耦接至电感L16的第一端，电感L16的第二端耦接至电感L43的第一端及电容C43的第一端，电感L43的第二端耦接至电容C43的第二端及移相开关二极管D22的第一端，移相开关二极管D22的第二端耦接至电感L44的第一端和电容C44的第一端，电感L44的第二端耦接至电容C44的第二端和电容C58的第一端、电感L10的第一端、电容C50的第一端和电容C7的第一端，电容C58的第二端耦接至电容C36的第一端、电感L10的第二端、电感L36的第一端、电感L50的第二端及电容C3的第一端，电容C50的第二端耦接至电感L50的第一端，电感L50的第二端耦接至电容C3的第一端，电容C3的第二端耦接至信号馈入点291(如图2A所示)，电容C7的第二端耦接至天线接地端292(如图2B所示)，电感L36的第二端耦接至移相开关二极管D21的第一端，移相开关二极管D21的第二端耦接至电感L35的第一端和电容C35的第一端，电感L35的第二端耦接至电容C35的第二端和电感L4的第一端，电感L4的第二端耦接至电感L3的第一端，电感L3的第二端接地。
于一些实施例中，如图3A所示，电感L13的第一端用以接收控制信号CT3，电感L13的第二端耦接至电感L14的第一端，电感L14的第二端耦接至电感L41的第一端及电容C41的第一端，电感L41的第二端耦接至电容C41的第二端及移相开关二极管D32的第一端，移相开关二极管D32的第二端耦接至电感L42的第一端和电容C42的第一端，电感L42的第二端耦接至电容C42的第二端和电容C59的第一端、电感L11的第一端、电容C51的第一端和电容C6的第一端，电容C59的第二端耦接至电容C38的第一端、电感L11的第二端、电感L38的第一端、电感L51的第二端及电容C4的第一端，电容C51的第二端耦接至电感L51的第一端，电感L51的第二端耦接至电容C4的第一端，电容C4的第二端耦接至信号馈入点291(如图2A所示)，电容C6的第二端耦接至天线接地端292(如图2B所示)，电感L38的第二端耦接至移相开关二极管D31的第一端，移相开关二极管D31的第二端耦接至电感L37的第一端和电容C37的第一端，电感L37的第二端耦接至电容C37的第二端和电感L6的第一端，电感L6的第二端耦接至电感L5的第一端，电感L5的第二端接地G。
于一些实施例中，如图3A所示，电感L19的第一端用以接收控制信号CT4，电感L19的第二端耦接至电感L20的第一端，电感L20的第二端耦接至电感L47的第一端及电容C47的第一端，电感L47的第二端耦接至电容C47的第二端及移相开关二极管D42的第一端，移相开关二极管D42的第二端耦接至电感L48的第一端和电容C48的第一端，电感L48的第二端耦接至电容C48的第二端和电容C60的第一端、电感L12的第一端、电容C52的第一端和电容C5的第一端，电容C60的第二端耦接至电容C40的第一端、电感L12的第二端、电感L40的第一端、电感L52的第二端及电容C1的第一端，电容C52的第二端耦接至电感L52的第一端，电感L52的第二端耦接至电容C1的第一端，电容C1的第二端耦接至信号馈入点291(如图2A所示)，电容C5的第二端耦接至天线接地端292(如图2B所示)，电感L40的第二端耦接至移相开关二极管D41的第一端，移相开关二极管D41的第二端耦接至电感L39的第一端和电容C39的第一端，电感L39的第二端耦接至电容C39的第二端和电感L8的第一端，电感L8的第二端耦接至电感L7的第一端，电感L7的第二端接地G。
于一些实施例中，如图3B所示，电感L32的第一端用以接收控制信号CT5，电感L32的第二端耦接至电感L57的第一端和移相开关二极管D51的第一端，移相开关二极管D51的第二端耦接至电感L57的第二端、电容C61的第一端和电感L23的第一端，电容C61的第二端耦接至信号馈入点291(如图2A所示)，电感L23的第二端耦接至电感L58的第一端、移相开关二极管D52的第一端和电容C62的第一端，电容C62的第二端耦接至天线接地端292(如图2B所示)，移相开关二极管D52的第二端耦接至电感L58的第二端和电感L24的第一端，电感L24的第二端接地G并耦接至电容C56的第一端和电感L68的第一端，电容C56的第二端耦接至电感L68的第二端，并将此耦合点表示为图2A中的节点P1。
于一些实施例中，如图3B所示，电感L29的第一端用以接收控制信号CT6，电感L29的第二端耦接至电感L63的第一端和移相开关二极管D81的第一端，移相开关二极管D81的第二端耦接至电感L63的第二端、电容C63的第一端和电感L21的第一端，电容C63的第二端耦接至信号馈入点291(如图2A所示)，电感L21的第二端耦接至电感L64的第一端、移相开关二极管D82的第一端和电容C64的第一端，电容C64的第二端耦接至天线接地端292(如图2B所示)，移相开关二极管D82的第二端耦接至电感L64的第二端和电感L22的第一端，电感L22的第二端接地G并耦接至电容C55的第一端和电感L67的第一端，电容C55的第二端耦接至电感L67的第二端，并将此耦合点表示为图2A中的节点P2。
于一些实施例中，如图3B所示，电感L30的第一端用以接收控制信号CT7，电感L30的第二端耦接至电感L61的第一端和移相开关二极管D71的第一端，移相开关二极管D71的第二端耦接至电感L61的第二端、电容C65的第一端和电感L27的第一端，电容C65的第二端耦接至信号馈入点291(如图2A所示)，电感L27的第二端耦接至电感L62的第一端、移相开关二极管D72的第一端和电容C66的第一端，电容C66的第二端耦接至天线接地端292(如图2B所示)，移相开关二极管D72的第二端耦接至电感L62的第二端和电感L28的第一端，电感L28的第二端接地G并耦接至电容C54的第一端和电感L66的第一端，电容C54的第二端耦接至电感L66的第二端，并将此耦合点表示为图2A中的节点P3。
于一些实施例中，如图3B所示，电感L31的第一端用以接收控制信号CT8，电感L31的第二端耦接至电感L59的第一端和移相开关二极管D61的第一端，移相开关二极管D61的第二端耦接至电感L59的第二端、电容C67的第一端和电感L25的第一端，电容C67的第二端耦接至信号馈入点291(如图2A所示)，电感L25的第二端耦接至电感L60的第一端、移相开关二极管D62的第一端和电容C68的第一端，电容C68的第二端耦接至天线接地端292(如图2B所示)，移相开关二极管D62的第二端耦接至电感L60的第二端和电感L26的第一端，电感L26的第二端接地G并耦接至电容C53的第一端和电感L65的第一端，电容C53的第二端耦接至电感L65的第二端，并将此耦合点表示为图2A中的节点P4。
于一些实施例中，天线装置100分别具有高频和低频两种操作频率，所述两种操作频率分别对应全向性模式和指向性模式。在实际应用中，通过控制天线装置100中的多个移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42至少二者导通，切换低频带的全向性模式或指向性模式；通过控制天线装置100中的多个移相开关二极管D51、D52、D81、D82、D71、D72、D61、D62至少二者导通，切换高频带的全向性模式或指向性模式。
于一些实施例中，当天线装置100欲操作于低频的全向性模式时，将移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42全部导通，以产生低频的全向性的辐射场型；当天线装置100欲操作于低频的指向性模式时，将移相开关二极管D31、D32、D41、D42导通，移相开关二极管D11、D12、D21、D22关闭，以使得低频的全部能量集中至天线单元230、240，并产生如往图2A左下方(亦即如图1所示315度的方向)传递的辐射场型；将移相开关二极管D11、D12、D41、D42导通，移相开关二极管D21、D22、D31、D32关闭，以使得低频的全部能量集中至天线单元210、240，并产生如往图2A左上方(亦即如图1所示225度的方向)传递的辐射场型；将移相开关二极管D11、D12、D21、D22导通，移相开关二极管D31、D32、D41、D42关闭，以使得低频的全部能量集中至天线单元210、220，并产生如往图2A右上方(亦即如图1所示135度的方向)传递的辐射场型；将移相开关二极管D21、D22、D31、D32导通，移相开关二极管D11、D12、D41、D42关闭，以使得低频的全部能量集中至天线单元220、230，并产生如图2A右下方(亦即如图1所示45度的方向)传递的辐射场型。
于上述实施例中可以看出来天线装置100在切换低频的辐射场型时，导通天线单元210、220、230、240至少邻近两者上的移相开关二极管，其原因在于，若仅导通天线单元210、220、230、240其中一者上的移相开关二极管，会造成反射损失(Return Loss)过大，然而仅导通天线单元210、220、230、240其中一者亦在本公开内容所保护的范围内。
于一些实施例中，不论天线装置100操作于高频的全向性模式或指向性模式，低频的辐射场型皆不受影响。详细来说，不论移相开关二极管D51、D52、D81、D82、D71、D72、D61、D62每一者被关断或导通，低频的辐射场型皆与之无关。
于一些实施例中，当天线装置100欲操作于高频的全向性模式时，将移相开关二极管D51、D52、D61、D62、D71、D72、D81、D82全部导通，以产生高频的全向性的辐射场型；当天线装置100欲操作于高频的指向性模式时，将移相开关二极管D71、D72、D81、D82导通，移相开关二极管D51、D52、D61、D62关闭，以使得高频的全部能量集中至天线单元270、280，并产生如往图2A左下方(亦即如图1所示315度的方向)传递的辐射场型；将移相开关二极管D51、D52、D81、D82导通，移相开关二极管D61、D62、D71、D72关闭，以使得高频的全部能量集中至天线单元250、280，并产生如往图2A左上方(亦即如图1所示225度的方向)传递的辐射场型；将移相开关二极管D51、D52、D61、D62导通，移相开关二极管D71、D72、D81、D82关闭，以使得高频的全部能量集中至天线单元250、260，并产生如往图2A右上方(亦即如图1所示135度的方向)传递的辐射场型；将移相开关二极管D61、D62、D71、D72导通，移相开关二极管D51、D52、D81、D82关闭，以使得高频的全部能量集中至天线单元260、270，并产生如往图2A右下方(亦即如图1所示45度的方向)传递的辐射场型。
于上述实施例中可以看出来天线装置100在切换高频的辐射场型时，导通天线单元250、260、270、280至少邻近两者上的移相开关二极管，其原因在于，若仅导通天线单元250、260、270、280其中一者上的移相开关二极管，会造成反射损失过大，然而仅导通天线单元250、260、270、280其中一者亦在本公开内容所保护的范围内。
于实际应用中，当天线装置100检测到使用者进入某特定波束涵盖区(BeamFootprint)时，切换内部的多个开关(例如移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42、D51、D52、D61、D62、D71、D72、D81、D82)全部导通，以产生双频全向性辐射场型。接者，依据多个天线单元210、220、230、240、250、260、270、280所接收到的接收信号强度指标(Received Signal Strength Indicator，RSSI)，切换内部的多个开关(例如移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42、D51、D52、D61、D62、D71、D72、D81、D82)部分导通，以调整波束指向使用者，使得天线装置100和使用者之间的数据传输率(Data Rate)达到最大。
一并参照图4A和图4C，图4A为图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于一操作模式下的高频辐射场型图，图4C为根据图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于与图4A相同的操作模式下的低频辐射场型图。于一些实施例中，图4A和图4C所示出的操作模式是在指向角(theta)为90度的平面且操作于高频的全向性模式，此时，天线装置100的高频辐射场型图为辐射场型410(如图4A所示)，天线装置100的低频辐射场型图为辐射场型411-415(如图4C所示)。
如图4C所示，天线装置100的低频辐射场型图包含天线装置100于移相开关二极管D31、D32、D41、D42关闭时的辐射场型411，天线装置100于移相开关二极管D21、D22、D31、D32关闭时的辐射场型412，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D21、D22关闭时的辐射场型413，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D41、D42关闭时的辐射场型414，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42全部导通时的辐射场型415。经由上述，可以看出来在天线装置100操作于高频的全向性模式(亦即天线单元250、260、270、280皆开启)时，低频的指向性模式并不会受到高频辐射场型410的影响，依旧保有良好的指向性。
一并参照图4B和图4D，图4B为图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于另一操作模式下的高频辐射场型图，图4D为根据图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于与图4B相同的操作模式下的低频辐射场型图。于一些实施例中，图4B和图4D所示出的操作模式是在指向角(theta)为60度的平面且操作于高频的全向性模式，此时，天线装置100的高频辐射场型图为辐射场型420(如图4B所示)，天线装置100的低频辐射场型图为辐射场型421-425(如图4D所示)。
如图4D所示，天线装置100的低频辐射场型图包含天线装置100于移相开关二极管D31、D32、D41、D42关闭时的辐射场型421，天线装置100于移相开关二极管D21、D22、D31、D32关闭时的辐射场型422，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D21、D22关闭时的辐射场型423，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D41、D42关闭时的辐射场型424，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D31、D32、D41、D42全部导通时的辐射场型425。经由上述，可以看出来在天线装置100操作于高频的全向性模式(亦即天线单元250、260、270、280皆开启)时，低频的指向性模式并不会受到高频辐射场型420的影响，依旧保有良好的指向性。
一并参照图5A和图5C，图5A为图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于一操作模式下的低频辐射场型图，图5C为根据图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于与图5A相同的操作模式下的高频辐射场型图。于一些实施例中，图5A和图5C所示出的操作模式是在指向角(theta)为90度的平面且操作于低频的全向性模式，此时，天线装置100的低频辐射场型图为辐射场型510(如图5A所示)，天线装置100的高频辐射场型图为辐射场型511-515(如图5C所示)。
如图5C所示，天线装置100的高频辐射场型图包含天线装置100于移相开关二极管D71、D72、D81、D82关闭时的辐射场型511，天线装置100于移相开关二极管D61、D62、D71、D72关闭时的辐射场型512，天线装置100于移相开关二极管D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型513，天线装置100于移相开关二极管D51、D52、D81、D82关闭时的辐射场型514，天线装置100于移相开关二极管D51、D52、D61、D62、D71、D72、D81、D82全部导通时的辐射场型515。经由上述，可以看出来在天线装置100操作于低频的全向性模式(亦即天线单元210、220、230、240皆开启)时，高频的指向性模式并不会受到低频辐射场型510的影响，依旧保有良好的指向性。
一并参照图5B和图5D，图5B为图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于另一操作模式下的低频辐射场型图，图5D为根据图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于与图5A相同的操作模式下的高频辐射场型图。于一些实施例中，图5B和图5D所示出的操作模式是在指向角(theta)为60度的平面且操作于低频的全向性模式，此时天线装置100的低频辐射场型图为辐射场型520(如图5B所示)，天线装置100的高频辐射场型图为辐射场型521-525(如图5D所示)。
如图5D所示，天线装置100的高频辐射场型图包含天线装置100于移相开关二极管D71、D72、D81、D82关闭时的辐射场型521，天线装置100于移相开关二极管D61、D62、D71、D72关闭时的辐射场型522，天线装置100于移相开关二极管D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型523，天线装置100于移相开关二极管D51、D52、D81、D82关闭时的辐射场型524，天线装置100于移相开关二极管D51、D52、D61、D62、D71、D72、D81、D82全部导通时的辐射场型525。经由上述，可以看出来在天线装置100操作于低频的全向性模式(亦即天线单元210、220、230、240皆开启)时，高频的指向性模式并不会受到低频辐射场型520的影响，依旧保有良好的指向性。
一并参照图6A和图6C，图6A为图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于一操作模式下的高频辐射场型图，图6C为根据图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于与图6A相同的操作模式下的低频辐射场型图。于一些实施例中，图6A和图6C所示出的操作模式是在指向角(theta)为90度的平面且操作于高频的指向性模式(例如移相开关二极管D51、D52、D61、D62关闭)时，此时，天线装置100的高频辐射场型图为辐射场型610(如图6A所示)，天线装置100的低频辐射场型图为辐射场型611-614(如图6C所示)。
如图6C所示，天线装置100的低频辐射场型图包含天线装置100于移相开关二极管D31、D32、D41、D42、D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型611，天线装置100于移相开关二极管D21、D22、D31、D32、D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型612，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型613，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D41、D42、D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型614。经由上述，可以看出来即使天线装置100操作于高频的指向性模式(例如天线单元230、240开启)时，低频的指向性模式并不会受到高频指向性模式下的辐射场型610的影响，依旧保有良好的指向性。
一并参照图6B和图6D，图6B为图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于一操作模式下的高频辐射场型图，图6D为根据图1至图3B所示的实施例中的天线装置100于与图6B相同的操作模式下的低频辐射场型图。于一些实施例中，图6B和图6D所示出的操作模式是于指向角(theta)为60度的平面，且操作于高频的指向性模式(例如移相开关二极管D51、D52、D61、D62关闭)时，天线装置100的高频辐射场型图为辐射场型620(如图6B所示)，天线装置100的低频辐射场型图为辐射场型621-624(如图6D所示)。
如图6D所示，天线装置100的低频辐射场型图包含天线装置100于移相开关二极管D31、D32、D41、D42、D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型621，天线装置100于移相开关二极管D21、D22、D31、D32、D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型622，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D21、D22、D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型623，天线装置100于移相开关二极管D11、D12、D41、D42、D51、D52、D61、D62关闭时的辐射场型624。经由上述，可以看出来在天线装置100操作于高频的指向性模式(例如天线单元230、240开启)时，低频的指向性模式并不会受到高频指向型模式下的辐射场型620的影响，依旧保有良好的指向性。
综上所述，本公开内容通过在天线装置100中分别设置多个移相开关二极管D11-D82在天线单元210-280上，以实现可以经由多个移相开关二极管D11-D82切换高频和低频的辐射场型，并使天线装置100具有较佳的前后比(Front to Back Ratio)。
虽然本公开内容已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本公开内容，任何本领域技术人员，于不脱离本公开内容的构思和范围内，当可作各种的变动与润饰，因此本公开内容的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (10)

1.一种天线装置，其特征在于，包含：
多个第一天线单元，产生操作于一第一频率的射频信号；
多个第二天线单元，分别耦接至所述多个第一天线单元对应一者，并产生操作于一第二频率的射频信号，该第一频率大于该第二频率；
多个第一切换电路，分别耦接至所述多个第一天线单元，并用以依据来自一控制电路的多个控制信号选择性地导通所述多个第一天线单元至少一者，所述多个第一切换电路每一者包含一第一开关元件以及一第二开关元件，该第一开关元件与一电感并联设置，该第二开关元件与另一电感并联设置；以及
多个第二切换电路，分别耦接至所述多个第二天线单元，并用以依据所述多个控制信号选择性地导通所述多个第二天线单元至少一者。
2.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述多个第一切换电路每一者还包含：
一滤波器，耦接至该第一开关元件，并用以阻隔操作于该第二频率的射频信号影响该第一天线单元产生的辐射场型。
3.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述多个第一切换电路每一者还包含：
多个第一阻抗单元，分别耦接至所述多个第一天线单元，并与该第一开关元件或该第二开关元件并联或串联耦接，以阻隔所述多个控制信号之间互相干扰以及阻隔操作于该第一频率的射频信号互相干扰，
所述多个第二切换电路每一者还包含：
一第三开关元件及一第四开关元件；以及
多个第二阻抗单元，分别耦接至所述多个第二天线单元，并与该第三开关元件或该第四开关元件并联或串联耦接，以阻隔所述多个控制信号之间互相干扰以及阻隔操作于该第二频率的射频信号互相干扰。
4.如权利要求3所述的天线装置，其特征在于，所述多个第一阻抗单元包含多个电容和多个电感，其中所述多个电容用以阻隔所述多个控制信号互相干扰，所述多个电感用以阻隔射频信号互相干扰。
5.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述多个第一切换电路每一者包含：
一第一电感，该第一电感的第一端用以接收所述多个控制信号的一对应一者；
一第二电感，该第二电感的第一端耦接至该第一电感的第二端，该第一开关元件的第一端耦接至该第一电感的第二端和该第二电感的第一端；
一第一电容，该第一电容的第一端耦接至该第二电感的第二端和该第一开关元件的第二端，该第一电容的第二端用以接收来自一信号馈入点的射频信号；
一第三电感，该第三电感的第一端耦接至该第二电感的第二端、该第一开关元件的第二端和该第一电容的第一端；
一第四电感，该第四电感的第一端耦接至该第三电感的第二端，该第二开关元件的第一端耦接至该第三电感的第二端和该第四电感的第一端；
一第二电容，该第二电容的第一端耦接至该第三电感的第二端、该第四电感的第一端和该第二开关元件的第一端，该第二电容的第二端耦接至一天线接地端；
一第五电感，该第五电感的第一端耦接至该第四电感的第二端和该第二开关元件的第二端，该第五电感的第二端接地；
一第三电容，该第三电容的第一端耦接至该第五电感的第二端并接地；以及
一第六电感，该第六电感的第一端耦接至该第三电容的第一端并接地，该第六电感的第二端耦接至该第三电容的第二端。
6.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述多个第二切换电路每一者包含：
一第一电感，该第一电感的第一端用以接收所述多个控制信号的一对应一者；
一第二电感，该第二电感的第一端耦接至该第一电感的第二端；
一第三电感，该第三电感的第一端耦接至该第二电感的第二端；
一第一电容，该第一电容的第一端耦接至该第二电感的第二端和该第三电感的第一端，该第一电容的第二端耦接至该第三电感的第二端；
一第三开关元件，该第三开关元件的第一端耦接至该第三电感的第二端和该第一电容的第二端；
一第四电感，该第四电感的第一端耦接至该第三开关元件的第二端；
一第二电容，该第二电容的第一端耦接至该第三开关元件的第二端和该第四电感的第一端，该第二电容的第二端耦接至该第四电感的第二端；
一第三电容，该第三电容的第一端耦接至该第二电容的第二端和该第四电感的第二端；
一第五电感，该第五电感的第一端耦接至该第二电容的第二端和该第四电感的第二端；
一第四电容，该第四电容的第一端耦接至该第二电容的第二端和该第四电感的第二端；
一第六电感，该第六电感的第一端耦接至该第四电容的第二端；
一第五电容，该第五电容的第一端耦接至该第二电容的第二端和该第四电感的第二端，该第五电容的第二端耦接至一天线接地端；
一第六电容，该第六电容的第一端耦接至该第三电容的第二端、该第五电感的第二端和该第六电感的第二端；
一第七电感，该第七电感的第一端耦接至该第三电容的第二端、该第五电感的第二端、该第六电感的第二端和该第六电容的第一端；
一第七电容，该第七电容的第一端耦接至该第三电容的第二端、该第五电感的第二端、该第六电感的第二端、该第六电容的第一端和第七电感的第一端，该第七电容的第二端用以接收来自该天线馈入点的射频信号；
一第四开关元件，该第四开关元件的第一端耦接至该第六电容的第二端和该第七电感的第二端；
一第八电感，该第八电感的第一端耦接至该第四开关元件的第二端；
一第八电容，该第八电容的第一端耦接至该第八电感的第一端，该第八电容的第二端耦接至该第八电感的第二端；
一第九电感，该第九电感的第一端耦接至该第八电感的第二端和该第八电容的第二端；以及
一第十电感，该第十电感的第一端耦接至该第九电感的第二端，该第十电感的第二端接地。
7.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，所述多个第一天线单元每一者包含：
一第一辐射体，设置于一基板的一第一表面；以及
一第二辐射体，耦接于该第一辐射体，设置于该基板的一第二表面，且该第一表面相对于该第二表面，
所述多个第二天线单元每一者包含：
一第三辐射体，设置于该基板的该第一表面；以及
一第四辐射体，耦接于该第三辐射体，设置于该基板的该第二表面。
8.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，还包含：
多个反射单元，耦接至一基板，所述多个反射单元分别设置于所述多个第一天线单元的两侧以及所述多个第二天线单元的两侧，并用以调整所述多个第一天线单元和所述多个第二天线单元分别产生的辐射场型。
9.如权利要求1所述的天线装置，其特征在于，还包含：
多条传输线，所述多条传输线每一者连接一信号馈入点、所述多个第一天线单元对应一者及所述多个第二天线单元对应一者。
10.如权利要求9所述的天线装置，其特征在于，所述多个第一天线单元其中一者、所述多个第二天线单元对应一者与所述多条传输线对应一者呈F形设置，且该信号馈入点设置于所述多条传输线的交叉点，以经由所述多条传输线耦接至所述多个第一天线单元和所述多个第二天线单元。
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