CN111004629A - 一种提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,将PbBr2和十八烯混合,得到溶液Ⅰ;再加入油胺和油酸,得到溶液Ⅱ;加热,并将铯前驱体溶液加入到溶液Ⅱ中,用冰水浴降温,再经离心、沉淀后,将量子点分散于有机溶剂中,得到CsPbBr3量子点溶液;将吡咯和苯醌加入到CsPbBr3量子点溶液中,再加入氯仿,得到反应体系;采用氙灯为光源,进行光照,最后离心、真空干燥即可。本发明通过在CsPbBr3量子点表面包覆聚吡咯保护层,大大提高了CsPbBr3量子点在水中的稳定性。由于聚吡咯具有优异的电荷传输特性,还能提高材料的导电性能,可应用于高性能器件的光电材料。
Description
技术领域
本发明属于材料学领域,具体涉及一种提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法。
背景技术
全无机钙钛矿量子点以其较高的量子产率、发光波长可覆盖整个可见光谱、半高宽相对较窄等优点,被广泛应用于太阳能电池组件、发光二极管、传感器等领域。
全无机钙钛矿量子点CsPbBr3由于其优异的光电特性,在光伏、光电领域具有广泛的应用,取得了突破性的研究成果。但是CsPbBr3量子点材料遇水分解,极其不稳定,该问题严重制约了该材料在以上应用领域的发展,因此增强钙钛矿量子点的水稳定性成为了研究热点。因此,开发水稳定的钙钛矿量子点,从而实现钙钛矿量子点光电器件的稳定性能,进一步拓展全无机钙钛矿量子点在水环境中的一些应用如生物检测、荧光标记等具有重要的意义。聚吡咯是一种广泛应用的导电高分子材料,具有很好的可见光吸收特性、较高的载流子迁移率、以及优异的热稳定性和化学稳定性。因此,在CsPbBr3量子点外面包覆聚吡硌的保护层,可以极大地提高CsPbBr3量子点在水中的稳定性,同时还能保持良好的电荷传输特性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:如何提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3的稳定性。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,在CsPbBr3量子点外面包覆一层导电高分子聚合物聚吡咯,包括以下步骤:
步骤1):将PbBr2和十八烯混合,得到溶液Ⅰ;
步骤2):在惰性环境下,向溶液Ⅰ中加入油胺和油酸,得到溶液Ⅱ;
步骤3):将溶液Ⅱ的温度升至130-170℃,然后将铯前驱体溶液迅速加入到溶液Ⅱ中,保持此温度5-10秒钟,然后用冰水浴降温,再经离心、沉淀后,将量子点分散于有机溶剂中,得到CsPbBr3量子点溶液;
步骤4):将吡咯和苯醌加入到CsPbBr3量子点溶液中,然后再加入氯仿,得到反应体系;
步骤5):采用氙灯为光源,安装截止滤光片去除氙灯中的紫外光部分,并将光源置于步骤4)制得的反应体系的上方,进行光照;
步骤6):将光照后的反应体系离心、真空干燥,即得具有高稳定性的聚吡咯/CsPbBr3。
优选地,所述步骤1)中PbBr2和十八烯的摩尔比为0.007:1。
优选地,所述步骤2)中油胺和油酸的体积比为1:1。
优选地,所述步骤3)中PbBr2和铯前驱体溶液的摩尔比为2.4:1。
优选地,所述步骤3)中的有机溶剂为正己烷、甲苯或乙酸乙酯。
优选地,所述步骤4)中吡咯、苯醌、CsPbBr3量子点溶液、氯仿的比例为(6-8)g:(7-9)g:4L:(4-5)L。
优选地,所述步骤5)中氙灯的功率为500W,截止滤光片的规格为420nm,光照时间为90-120min。
优选地,所述步骤6)中离心的速率为8000-10000r/min,时间为10min;干燥的温度为60-80℃,时间为8-12h。
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:
本发明通过在CsPbBr3量子点表面包覆聚吡咯保护层,大大提高了CsPbBr3量子点在水中的稳定性。将聚吡咯/CsPbBr3材料在水中浸泡一个月,该材料的结构没有明显的改变。同时,由于聚吡咯具有优异的电荷传输特性,利用其对CsPbBr3进行包覆还能提高材料的导电性能,可应用于高性能器件的光电材料。该方法操作简单,可控性强,容易实现规模化生产。
附图说明
图1为实施例1得到的聚吡咯/CsPbBr3样品的XRD衍射图谱;
图2为实施例1得到的聚吡咯/CsPbBr3样品的透射电子显微镜(TEM)照片;
图3为实施例1得到的聚吡咯/CsPbBr3样品和纯CsPbBr3量子点的光电流对比;
图4为实施例1中得到的聚吡咯/CsPbBr3样品在水中浸泡30天后的XRD衍射图谱。
具体实施方式
为使本发明更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
实施例中涉及到的原料均从泰坦科技股份有限公司购得。
实施例1
一种提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,具体包括以下步骤:
步骤1:将PbBr2和十八烯以摩尔比为0.007:1的比例混合,得到溶液Ⅰ;
步骤2:在惰性环境下,向步骤1得到的溶液Ⅰ中加入体积比为1:1的油胺和油酸,得到溶液Ⅱ;
步骤3:将溶液Ⅱ的反应温度升温至160℃,然后将铯前驱体溶液迅速加入到溶液Ⅱ中,保持此温度5秒钟,然后用冰水浴降温,离心、沉淀后,将量子点分散于20mL甲苯中,得到CsPbBr3量子点溶液;
步骤4:将35mg吡咯和40mg苯醌加入到步骤三中得到的CsPbBr3量子点溶液中,然后再加入20mL氯仿,得到反应体系;
步骤5:采用500W氙灯为光源,安装420nm截止滤光片去除氙灯中的紫外光部分,并将光源置于步骤四制备的反应体系的正上方,光照100min;
步骤6:将光照后的反应体系以8000r/min的速率离心10min,将所得的沉淀在70℃下真空干燥10h,即得到具有高稳定性的聚吡咯/CsPbBr3样品;
采用X射线衍射仪(D/max2200PC,日本理学株式会社)对上述所得的聚吡咯/CsPbBr3样品进行测定,所得的XRD图谱如图1所示,从图1中可以看出,所得的聚吡咯/CsPbBr3样品为单斜相结构的CsPbBr3,因聚吡咯为非晶态的高分子,XRD图谱未表现出其衍射峰。
采用场发射透射电子显微镜(FEI tecnaiG2F30,美国FEI公司)对上述所得的聚吡咯/CsPbBr3样品进行形貌和微结构表征,所得的透射电镜图如图2所示。从图2中可以看出,所得的聚吡咯/CsPbBr3样品为聚吡硌高分子保护层包覆在CsPbBr3量子点外面。
采用电化学工作站(CHI 650E,上海辰华)对上述所得的聚吡咯/CsPbBr3样品进行光电流测试,所得的实验结果如图3所示。从图3中可以看出,聚吡咯/CsPbBr3样品在相同条件下的光电流密度是单纯CsPbBr3量子点的2.3倍,说明该材料具有较高的导电性能。
将上述所得的聚吡咯/CsPbBr3样品在水中浸泡30天,将粉末离心干燥之后,采用X射线衍射仪对其物相进行测定,所得的XRD图谱如图4所示。从图4中可以看出,在水中浸泡30天后,所得的聚吡咯/CsPbBr3样品的物相没有发生明显的改变,仍为单斜相结构的CsPbBr3,说明该材料具有非常高的水稳定性。
实施例2
本实施例与实施例1的不同之处仅在于:吡咯的加入量为30mg,其余内容均与实施例1中所述完全相同。经检测分析得知:本实施例所获得的聚吡咯
/CsPbBr3样品在相同条件下的光电流密度为单纯CsPbBr3量子点的1.5倍,比实施例1所获材料的光电流密度有所下降。
实施例3
本实施例与实施例1的不同之处仅在于:苯醌的加入量为35mg,其余内容均与实施例1中所述完全相同。经检测分析得知:本实施例所获得的聚吡咯
/CsPbBr3样品在相同条件下的光电流密度为单纯CsPbBr3量子点的1.9倍,比实施例1所获材料的光电流密度有所下降。
Claims (8)
1.一种提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,在CsPbBr3量子点外面包覆一层导电高分子聚合物聚吡咯,包括以下步骤:
步骤1):将PbBr2和十八烯混合,得到溶液Ⅰ;
步骤2):在惰性环境下,向溶液Ⅰ中加入油胺和油酸,得到溶液Ⅱ;
步骤3):将溶液Ⅱ的温度升至130-170℃,然后将铯前驱体溶液迅速加入到溶液Ⅱ中,保持此温度5-10秒钟,然后用冰水浴降温,再经离心、沉淀后,将量子点分散于有机溶剂中,得到CsPbBr3量子点溶液;
步骤4):将吡咯和苯醌加入到CsPbBr3量子点溶液中,然后再加入氯仿,得到反应体系;
步骤5):采用氙灯为光源,安装截止滤光片去除氙灯中的紫外光部分,并将光源置于步骤4)制得的反应体系的上方,进行光照;
步骤6):将光照后的反应体系离心、真空干燥,即得具有高稳定性的聚吡咯/CsPbBr3。
2.如权利要求1所述的提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,所述步骤1)中PbBr2和十八烯的摩尔比为0.007:1。
3.如权利要求1所述的提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,所述步骤2)中油胺和油酸的体积比为1:1。
4.如权利要求1所述的提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,所述步骤3)中PbBr2和铯前驱体溶液的摩尔比为2.4:1。
5.如权利要求1所述的提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,所述步骤3)中的有机溶剂为正己烷、甲苯或乙酸乙酯。
6.如权利要求1所述的提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,所述步骤4)中吡咯、苯醌、CsPbBr3量子点溶液、氯仿的比例为(6-8)g:(7-9)g:4L:(4-5)L。
7.如权利要求1所述的提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,所述步骤5)中氙灯的功率为500W,截止滤光片的规格为420nm,光照时间为90-120min。
8.如权利要求1所述的提高全无机钙钛矿量子点CsPbBr3稳定性的方法,其特征在于,所述步骤6)中离心的速率为8000-10000r/min,时间为10min;干燥的温度为60-80℃,时间为8-12h。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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