CN110993729B - 红外探测器读出电路铟凸点重置方法 - Google Patents

红外探测器读出电路铟凸点重置方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法，方法包括：将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置，以去除读出电路上的报废铟凸点；在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点。采用本发明，实现了读出电路铟凸点重置，可以将读出电路上的铟凸点通过物理方法去除，然后重新生长铟凸点，可以避免读出电路因为铟凸点加工问题出现废品，实现读出电路铟凸点加工100％的良品率，进而可以使性能良好的读出电路可以重复多次使用。

Description

红外探测器读出电路铟凸点重置方法
技术领域
本发明涉及微电子工艺中半导体电路加工技术领域，尤其涉及一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法。
背景技术
红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于预警探测、情报侦察、毁伤效果评估以及农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。
碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一。伴随技术的进步，碲镉汞红外探测器的面阵规模不断发展。碲镉汞红外探测器是由碲镉汞芯片与Si基读出电路互连制备而成，因此需要在读出电路表面对应每个像元制备用于互连及电学连接的金属铟凸点(如图3所示)。一旦在读出电路表面加工的铟凸点出现问题，例如个别铟凸点掉落、铟凸点区域性粘连等，此片读出电路将不能继续使用成为废品。另外对于已经与碲镉汞芯片互连过的读出电路，尽管读出电路性能完好，由于其表面上的铟凸点已经变形或脱落也不能再次互连碲镉汞芯片，成为废品。此问题严重影响了大面阵碲镉汞红外探测器所需的高价值大面阵读出电路工艺成品率，进而严重影响大面阵碲镉汞红外探测器的制备。
发明内容
本发明实施例提供一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法，用以解决现有技术中读出电路因为铟凸点加工问题造成浪费的问题。
本发明实施例提出一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法，包括：
将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置，以去除所述读出电路上的报废铟凸点；
在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点。
根据本发明的一些实施例，所述将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置，以去除所述读出电路上的报废铟凸点，包括：
浸泡操作，包括将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置预设时间段Δt；
擦拭操作，包括用浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路；
将所述读出电路从所述丙三醇中取出并观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除，若否，则重复所述浸泡操作与所述擦拭操作。
在本发明的一些实施例中，所述T满足：165℃≤T≤200℃。
进一步的，所述T为185℃。
在本发明的一些实施例中，所述Δt满足：2min≤Δt≤5min
在本发明的一些实施例中，所述用浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路，包括：
用镊子夹持浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路设有所述报废铟凸点的一侧。
在本发明的一些实施例中，所述清洁件为长丝棉球。
在本发明的一些实施例中，所述将所述读出电路从所述丙三醇中取出并观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除，包括：
将所述读出电路从所述丙三醇中取出；
用显微镜观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除。
根据本发明的一些实施例，所述在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点，包括：
在所述读出电路的表面涂覆光刻胶并进行光刻，以形成用于制备接触孔的光刻胶图形；
在所述读出电路设有所述光刻胶的一侧生长铟金属层；
去除所述光刻胶。
进一步的，所述去除所述光刻胶，包括：
将所述读出电路放入有机溶剂中，以溶解所述光刻胶。
采用本发明实施例，实现了读出电路铟凸点重置，可以将读出电路上的铟凸点通过物理方法去除，然后重新生长铟凸点，可以避免读出电路因为铟凸点加工问题出现废品，实现读出电路铟凸点加工100％的良品率，进而可以使性能良好的读出电路可以重复多次使用。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1是本发明实施例中红外探测器读出电路铟凸点重置方法的流程图；
图2是本发明实施例中红外探测器读出电路铟凸点重置方法的流程图；
图3是红外探测器的局部结构示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
本发明实施例提出一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法，如图1所示，所述方法包括：
S11，将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置，以去除读出电路上的报废铟凸点；
S12，在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点。
采用本发明实施例，实现了读出电路铟凸点重置，可以将读出电路上的铟凸点通过物理方法去除，然后重新生长铟凸点，可以避免读出电路因为铟凸点加工问题出现废品，实现读出电路铟凸点加工100％的良品率，进而可以使性能良好的读出电路可以重复多次使用。
在上述实施例的基础上，进一步提出各变型实施例，在此需要说明的是，为了使描述简要，在各变型实施例中仅描述与上述实施例的不同之处。
根据本发明的一些实施例，将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置，以去除读出电路上的报废铟凸点，包括：
浸泡操作，包括将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置预设时间段Δt；
擦拭操作，包括用浸润有丙三醇的清洁件擦拭读出电路；
将读出电路从丙三醇中取出并观察读出电路上的报废铟凸点是否完全去除，若否，则重复浸泡操作与擦拭操作。
在本发明的一些实施例中，T满足：165℃≤T≤200℃。
进一步的，T为185℃。
在本发明的一些实施例中，Δt满足：2min≤Δt≤5min
在本发明的一些实施例中，用浸润有丙三醇的清洁件擦拭读出电路，包括：
用镊子夹持浸润有丙三醇的清洁件擦拭读出电路设有报废铟凸点的一侧。
在本发明的一些实施例中，清洁件为长丝棉球。
在本发明的一些实施例中，将读出电路从丙三醇中取出并观察读出电路上的报废铟凸点是否完全去除，包括：
将读出电路从丙三醇中取出；
用显微镜观察读出电路上的报废铟凸点是否完全去除。
根据本发明的一些实施例，在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点，包括：
在读出电路的表面涂覆光刻胶并进行光刻，以形成用于制备接触孔的光刻胶图形；
在读出电路设有光刻胶的一侧生长铟金属层；
去除光刻胶。
进一步的，去除光刻胶，包括：
将读出电路放入有机溶剂中，以溶解光刻胶。
采用本发明实施例，实现了读出电路铟凸点重置，可以将读出电路上的铟凸点通过物理方法去除，然后重新生长铟凸点，可以避免读出电路因为铟凸点加工问题出现废品，实现读出电路铟凸点加工100％的良品率，进而可以使性能良好的读出电路可以重复多次使用。
下面参照图2以一个具体的实施例详细描述根据本发明实施例的红外探测器读出电路铟凸点重置方法。值得理解的是，下述描述仅是示例性说明，而不是对本发明的具体限制。凡是采用本发明的相似结构及其相似变化，均应列入本发明的保护范围。
如图2所示，本发明实施例的红外探测器读出电路铟凸点重置方法，包括：
S21，将铟凸点加工有问题的读出电路放入185℃的丙三醇中，静置2至5分钟；
S22，在丙三醇中用镊子夹持浸润丙酮的长丝棉球擦拭读出电路表面；
S23，取出读出电路在显微镜下观察；
S24，判断读出电路上的铟凸点是否被完全去除，若是，则跳至步骤S25，否则跳至步骤S21；
S25，重新在读出电路表面进行光刻，然后生长铟金属层，剥离后完成铟凸点制备。
对于步骤S25中铟凸点的制备可以采用相关技术领域中铟凸点的制备方法，铟凸点的制备方法已经发展成熟，在此不再详细论述。
采用本发明实施例，利用金属铟的熔点为160℃，并且其在185℃的丙三醇中由于表面张力及浮力作用会收缩成球形的物理特性，将读出电路表面的铟凸点去除，然后从新制备铟凸点，实现了读出电路铟凸点重置，可以将读出电路上的铟凸点通过物理方法去除，然后从新生长铟凸点。避免大面阵碲镉汞红外探测器所需的高价值大面阵读出电路因为铟凸点加工问题出现废品，实现读出电路铟凸点加工100％的良品率，进而降低大面阵碲镉汞红外探测器的制备难度。
需要说明的是，以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
另外，在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (3)

1.一种红外探测器读出电路铟凸点重置方法，其特征在于，包括：
将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置，以去除所述读出电路上的报废铟凸点；
在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点；
所述将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置，以去除所述读出电路上的报废铟凸点，包括：
浸泡操作，包括将读出电路侵入预设温度为T的丙三醇中静置预设时间段Δt；
擦拭操作，包括用浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路；
将所述读出电路从所述丙三醇中取出并观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除，若否，则重复所述浸泡操作与所述擦拭操作；
所述T为185℃；
所述Δt满足：2min≤Δt≤5min；
所述用浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路，包括：
用镊子夹持浸润有所述丙三醇的清洁件擦拭所述读出电路设有所述报废铟凸点的一侧；
所述清洁件为长丝棉球；
所述将所述读出电路从所述丙三醇中取出并观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除，包括：
将所述读出电路从所述丙三醇中取出；
用显微镜观察所述读出电路上的所述报废铟凸点是否完全去除。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在去除报废铟凸点的读出电路上重新设置规格铟凸点，包括：
在所述读出电路的表面涂覆光刻胶并进行光刻，以形成用于制备接触孔的光刻胶图形；
在所述读出电路设有所述光刻胶的一侧生长铟金属层；
去除所述光刻胶。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶，包括：
将所述读出电路放入有机溶剂中，以溶解所述光刻胶。
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