CN110957863A - 一种低光轴补偿结构及马达 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低光轴补偿结构及马达，该低光轴补偿结构包括：芯片；载体，载体的左右两侧分别设有左侧绕线圈和右侧绕线圈，左侧绕线圈和右侧绕线圈分别独立地与芯片相连接；霍尔磁铁，设置在左侧绕线圈和右侧绕线圈之间，且霍尔磁铁位于载体的上部；角度磁场变化检测单元，设置在霍尔磁铁的下方，角度磁场变化检测单元用于检测载体角度磁场的变化。本发明中，当霍尔磁铁下方的角度磁场变化检测单元感测载体角度位置的变化时，角度磁场变化检测单元将角度位置变化的信号传输给芯片，芯片通过控制左侧绕线圈或右侧绕线圈电流大小变化，来平衡角度的变化，继而达到最优的光轴，本发明还具有检测精度高、调节简单方便等优点。
Description
技术领域
本发明涉及低光轴补偿结构及马达技术领域。
背景技术
现有技术中，一般马达的载体角度发生变化后，无法感测具体的角度位置变化，也不能针对载体的角度变化进行平衡，从而导致无法达到最优的光轴。
发明内容
本发明主要是解决现有技术中所存在的技术问题，从而提供一种能感测载体的角度变化、并能平衡角度变化的低光轴补偿结构及马达。
本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
本发明提供的低光轴补偿结构，其包括：
芯片；
载体，所述载体的左右两侧分别设有左侧绕线圈和右侧绕线圈，所述左侧绕线圈和右侧绕线圈分别独立地与所述芯片相连接；
霍尔磁铁，设置在所述左侧绕线圈和右侧绕线圈之间，且所述霍尔磁铁位于所述载体的上部；
角度磁场变化检测单元，设置在所述霍尔磁铁的下方，所述角度磁场变化检测单元用于检测所述载体角度磁场的变化；
当所述角度磁场变化检测单元检测到所述载体角度超过设定范围时，所述角度磁场变化检测单元发出信号至所述芯片，所述芯片通过控制所述左侧绕线圈或右侧绕线圈的电流来平衡所述载体的角度。
进一步地，所述载体的左右两侧分别设有AF磁石，所述左侧绕线圈和右侧绕线圈分别设置在所述AF磁石的相对内侧。
进一步地，所述芯片安装在柔性电路板上，所述柔性电路板上还设有电容。
进一步地，所述角度磁场变化检测单元为TMR磁传感器。
进一步地，所述载体的前后两侧分别设置上弹片和下弹片。
进一步地，所述左侧绕线圈和右侧绕线圈的结构相同，且形状均长环型。
本发明的马达，其包括上述低光轴补偿结构、外壳和底座，所述外壳和所述底座相配合，所述低光轴补偿结构设置在所述外壳和所述底座之间。
本发明的有益效果在于：通过在载体的左右两侧分别设有左侧绕线圈和右侧绕线圈，芯片独立地对左侧绕线圈和右侧绕线圈进行供电，当霍尔磁铁下方的角度磁场变化检测单元感测载体角度位置的变化时，角度磁场变化检测单元将角度位置变化的信号传输给芯片，芯片通过控制左侧绕线圈或右侧绕线圈电流，来平衡角度的变化，继而达到最优的光轴即达到低光轴，同时本发明还具有检测精度高、调节简单方便、适用范围广等优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明的低光轴补偿结构的结构示意图；
图2是本发明的低光轴补偿结构的左侧绕线圈和右侧绕线圈的分布位置图；
图3是本发明的马达的爆炸图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
参阅图1-3所示，本发明的低光轴补偿结构，其包括：
芯片1；
载体2，载体2的左右两侧分别设有左侧绕线圈21和右侧绕线圈22，左侧绕线圈21和右侧绕线圈22分别独立地与芯片1相连接；本发明中，芯片1的可以独立地控制左侧绕线圈21或右侧绕线圈22内的电流大小变化，这样可以调整载体2左右两侧的磁场强度，从而在磁力作用下能平衡载体2的角度变化，使载体2能达到最优的光轴即达到低光轴。
霍尔磁铁3，设置在左侧绕线圈21和右侧绕线圈22之间，且霍尔磁铁3位于载体2的上部；
角度磁场变化检测单元4，设置在霍尔磁铁3的下方，角度磁场变化检测单元4用于检测载体2角度磁场的变化；优选地，角度磁场变化检测单元4为TMR磁传感器。本发明中，利用TMR磁传感器4的穿隧磁阻效应可以感测载体2的角度磁场变化。
当角度磁场变化检测单元4检测到载体2角度超过设定范围时，角度磁场变化检测单元4发出信号至芯片1，芯片1通过控制左侧绕线圈21或右侧绕线圈22的电流来平衡载体2的角度。
本发明通过在载体2的左右两侧分别设有左侧绕线圈21和右侧绕线圈22，芯片1独立地对左侧绕线圈21和右侧绕线圈22进行供电，当霍尔磁铁3下方的角度磁场变化检测单元4感测载体2角度位置的变化时，角度磁场变化检测单元4将角度位置变化的信号传输给芯片1，芯片1通过控制左侧绕线圈21或右侧绕线圈22电流大小变化，来平衡角度的变化，继而达到最优的光轴即达到低光轴。，同时本发明还具有检测精度高、调节简单方便、适用范围广等优点。
优选地，芯片1安装在柔性电路板6上，柔性电路板6上还设有电容7。
优选地，载体2的左右两侧分别设有AF磁石5，左侧绕线圈21和右侧绕线圈22分别设置在AF磁石5的相对内侧。本发明中，当角度磁场变化检测单元4感测载体2角度位置的变化时，芯片1独立地控制左侧绕线圈21或右侧绕线圈22内的电流大小变化，这样可以调整载体2左右两侧的磁场强度，在AF磁石5的作用下能平衡载体2的角度变化。
本发明中，载体2的前后两侧分别设置上弹片8和下弹片9。
优选地，左侧绕线圈21和右侧绕线圈22的结构相同，且形状均长环型。
参阅图3所示，本发明的马达，其包括上述低光轴补偿结构、外壳10和底座11，外壳10和底座11相配合，低光轴补偿结构设置在外壳10和底座11之间，从而可以起到保护低光轴补偿结构的作用，延长马达的整体使用寿命。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (7)
1.一种低光轴补偿结构，其特征在于，包括：
芯片；
载体，所述载体的左右两侧分别设有左侧绕线圈和右侧绕线圈，所述左侧绕线圈和右侧绕线圈分别独立地与所述芯片相连接；
霍尔磁铁，设置在所述左侧绕线圈和右侧绕线圈之间，且所述霍尔磁铁位于所述载体的上部；
角度磁场变化检测单元，设置在所述霍尔磁铁的下方，所述角度磁场变化检测单元用于检测所述载体角度磁场的变化；
当所述角度磁场变化检测单元检测到所述载体角度超过设定范围时，所述角度磁场变化检测单元发出信号至所述芯片，所述芯片通过控制所述左侧绕线圈或右侧绕线圈的电流来平衡所述载体的角度。
2.如权利要求1所述的低光轴补偿结构，其特征在于，所述载体的左右两侧分别设有AF磁石，所述左侧绕线圈和右侧绕线圈分别设置在所述AF磁石的相对内侧。
3.如权利要求1所述的低光轴补偿结构，其特征在于，所述芯片安装在柔性电路板上，所述柔性电路板上还设有电容。
4.如权利要求2所述的低光轴补偿结构，其特征在于，所述角度磁场变化检测单元为TMR磁传感器。
5.如权利要求1所述的低光轴补偿结构，其特征在于，所述载体的前后两侧分别设置上弹片和下弹片。
6.如权利要求1所述的低光轴补偿结构，其特征在于，所述左侧绕线圈和右侧绕线圈的结构相同，且形状均长环型。
7.一种马达，其特征在于，包括权利要求1-6所述的低光轴补偿结构、外壳和底座，所述外壳和所述底座相配合，所述低光轴补偿结构设置在所述外壳和所述底座之间。
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2019
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