CN110932689A - 一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，包括宽带输入驱动功分放大网络、供电偏置网络、末级PMOS分布放大网络、末级NMOS分布放大网络、末级人工传输线，本发明核心架构采用高增益三堆堆叠自适应放大网络在微波段的高功率、高增益特性，同时利用二维合成分布型放大器结构的超宽带频响特性和简化的串联分压结构，使得整个功率放大器获得了良好的宽带、高增益、高效率和高功率输出能力，同时供电网络简易。

Description

一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器
技术领域
本发明涉及场效应晶体管射频功率放大器和集成电路领域，特别是针对射频微波收发机末端的发射模块应用的一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器。
背景技术
随着无线通信系统和射频微波电路的快速发展，射频前端收发器也向高性能、高集成、低功耗的方向发展。因此市场迫切的需求发射机的射频与微波功率放大器具有高输出功率、高增益、高效率、低成本等性能，而集成电路正是有望满足该市场需求的关键技术。
然而，当采用集成电路工艺设计实现射频与微波功率放大器芯片电路时，其性能和成本受到了一定制约，主要体现：
(1)宽带高增益放大能力受限：传统单晶体管收到增益带宽积的影响，需要牺牲增益才能获得超宽带放大能力，因此，宽带高增益放大能力受到严重的限制。
(2)宽带高功率放大能力受限：半导体工艺中晶体管的特征频率越来越高，由此带来了低击穿电压从而限制了单一晶体管的功率容量。为了获得高功率能力，往往需要多路晶体管功率合成，但是由于多路合成网络的能量损耗导致功率放大器的效率比较低，电路无法满足低功耗或者绿色通信需求。
常见的超宽带高功率放大器的电路结构有很多，最典型的是传统分布式放大器，但是，传统分布式放大器要同时满足各项参数的要求十分困难，主要是因为：
①在传统的分布式功率放大器中，核心放大电路是多个单晶体管采用分布式放大排列的方式实现，由于单晶体管受到寄生参数的影响，随着工作频率升高时，其功率增益会显著降低、同时功率特性等也会显著恶化，因此为了获得超宽带平坦的放大结构，必须要牺牲低频增益来均衡高频损耗，导致传统分布式放大器的超宽带增益很低；
②为了提高放大器增益提高隔离度的影响，也有采用Cascode双晶体管分布式放大结构，但是Cascode双晶体管虽然增加了电路隔离度，却无法增益随频率显著恶化的趋势，也无法实现Cascode双晶体管间的最佳阻抗匹配，从而降低了输出功率特性。
由此可以看出，基于集成电路工艺的超宽带射频功率放大器设计难点为：超宽带下高功率输出难度较大；传统单个晶体管结构或Cascode晶体管的分布式放大结构存在很多局限性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，包括宽带输入驱动功分放大网络、供电偏置网络、末级PMOS分布放大网络、末级NMOS分布放大网络、末级人工传输线；核心架构采用高增益三堆堆叠自适应放大网络在微波段的高功率、高增益特性，同时利用二维合成分布型放大器结构的超宽带频响特性和简化的串联分压结构，使得整个功率放大器获得了良好的宽带、高增益、高效率和高功率输出能力，同时供电网络简易。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：本发明实施例提供了一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，其特征在于，包括宽带输入驱动功分放大网络、供电偏置网络、末级PMOS分布放大网络、末级NMOS分布放大网络、末级人工传输线；
宽带输入驱动功分放大网络的输入端为整个功率放大器的输入端，其第一输出端与末级PMOS分布放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与末级NMOS分布放大网络的输入端连接，其第三输出端与供电偏置网络的第一输出端连接；
供电偏置网络的第二输出端与末级PMOS分布放大网络的第二输入端连接；
末级PMOS分布放大网络的第二输入端与供电偏置网络的第二输出端连接；末级PMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端分别与末级人工传输线的第一、第二、第三和第四输入端连接；
末级NMOS分布放大网络的输入端与宽带输入驱动功分放大网络的第二输出端连接；末级NMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端分别与末级人工传输线的第一、第二、第三和第四输入端连接；
末级人工传输线的输出端为整个功率放大器的输出端。
上述方案的有益效果是：本发明采用的二堆合成分布放大网络技术、PMOS和NMOS互补级联结构具有超宽带频响特性和简化的串联分压结构，使得整个功率放大器获得了良好的宽带、高增益、高效率和高功率输出能力，同时供电网络简易。
进一步的，宽带输入驱动功分放大网络的输入端连接电容C1,电容C1的另一端连接电阻R1和电感L1，电阻R1的另一端连接电容C2，电容C2的另一端连接电感L2，电感L2的另一端连接宽带输入驱动功分放大网络的第三输出端、电感L5的b端和P型场效应管M2的漏极；电感L1的另一端连接接地电容C3、电感L3和电感L4，电感L3的另一端连接电感L7、微带线TL2和宽带输入驱动功分放大网络的第二输出端，电感L7的另一端连接接地电容C5和供电电压Vgn,电感L4的另一端连接N型场效应管M1的栅极，场效应管M1的源极接地，微带线TL2的另一端连接电容C7的a端，场效应管M1的漏极连接微带线TL1，微带线TL1的另一端连接场效应管M2的源极，场效应管M2的栅极连接电阻R2和接地电容C4，电阻R2的另一端连接电感L6，电感L6的另一端连接宽带输入驱动功分放大网络的第一输出端和电容C8，电容C8的另一端连接微带线TL3，微带线TL3的另一端也连接电容C7的a端，电感L5的a端连接接地电容C6和电容C7的b端；
上述进一步方案的有益效果是：本发明宽带输入驱动功分放大网络可以实现宽带的驱动放大，同时采用很简单的电路结构形式，占用的芯片面积较小，成本较低。
进一步的，供电偏置网络的第一输出端连接电感L8和电感L9，电感L8的另一端连接偏置电压Vgp和接地电容C9；电感L9的另一端连接供电偏置网络的第二输出端；
上述进一步方案的有益效果是：本发明采用的供电偏置网络可以保证供电稳定，虑除低频杂波。
进一步的，末级PMOS分布放大网络的第一输入端连接电感Lb1的a端和微带线TLb1，微带线TLb1的另一端连接电感Lb3的a端和微带线TLb2，微带线TLb2的另一端连接电感Lb7的a端和微带线TLb3，微带线TLb3的另一端连接电感Lb10的a端和微带线TLb4，微带线TLb4的另一端连接电阻Rb，电阻Rb的另一端连接接地电容Cb5和电感Lb12，电感Lb12的另一端连接偏置电压Vd和接地电容Cb6；末级PMOS分布放大网络的第二输入端连接P型场效应管Mb1的漏极和电感Lb4，电感Lb4的另一端连接P型场效应管Mb2的漏极和电感Lb6，电感Lb6的另一端连接P型场效应管Mb3的漏极和电感Lb9，电感Lb9的另一端连接P型场效应管Mb4的漏极；电感Lb1的b端连接电感Lb2和接地电容Cb1，电感Lb2的另一端连接P型场效应管Mb1的栅极；电感Lb3的b端连接电感Lb5和接地电容Cb2，电感Lb5的另一端连接P型场效应管Mb2的栅极；电感Lb7的b端连接电感Lb8和接地电容Cb3，电感Lb8的另一端连接P型场效应管Mb3的栅极；电感Lb10的b端连接电感Lb11和接地电容Cb4，电感Lb11的另一端连接P型场效应管Mb4的栅极；P型场效应管Mb1、Mb2、Mb3、Mb4的源极分别接微带线TLb5、TLb6、TLb7、TLb8,微带线TLb5、TLb6、TLb7、TLb8的另一端分别接所末级PMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端。
上述进一步方案的有益效果是：本发明采用的二堆PMOS放大技术和二维合成分布放大技术具有超宽带频响特性和简化的串联分压结构，使得整个功率放大器获得了良好的宽带、高增益、高效率和高功率输出能力。
进一步的，末级NMOS分布放大网络的输入端连接电感La1的a端和微带线TLa1，微带线TLa1的另一端连接电感La3的a端和微带线TLa2，微带线TLa2的另一端连接电感La5的a端和微带线TLa3，微带线TLa3的另一端连接电感La7的a端和微带线TLa4，微带线TLa4的另一端连接电阻Ra，电阻Ra的另一端连接接地电容Ca5；电感La1的b端连接电感La2和接地电容Ca1，电感La2的另一端连接N型场效应管Ma1的栅极；电感La3的b端连接电感La4和接地电容Ca2，电感La4的另一端连接N型场效应管Ma2的栅极；电感La5的b端连接电感La6和接地电容Ca3，电感La6的另一端连接N型场效应管Ma3的栅极；电感La7的b端连接电感La8和接地电容Ca4，电感La8的另一端连接N型场效应管Ma4的栅极；N型场效应管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4的源极接地；N型场效应管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4的漏极分别接微带线TLa5、TLa6、TLa7、TLa8,微带线TLa5、TLa6、TLa7、TLa8的另一端分别接末级NMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端。
上述进一步方案的有益效果是：本发明采用的二堆NMOS放大技术和二维合成分布放大技术具有超宽带频响特性和简化的串联分压结构，使得整个功率放大器获得了良好的宽带、高增益、高效率和高功率输出能力。
进一步的，末级人工传输线的第一输入端连接微带线TLc1和微带线TLc2，微带线TLc1的另一端连接电阻Rc，电阻Rc的另一端连接接地电容Cm；微带线TLc2的另一端连接末级人工传输线的第二输入端和微带线TLc3，微带线TLc3的另一端连接末级人工传输线的第三输入端和微带线TLc4，微带线TLc4的另一端连接末级人工传输线的第四输入端和微带线TLc5，微带线TLc5的另一端连接电容Cn，电容Cn的另一端为末级人工传输线的输出端。
上述进一步方案的有益效果是：本发明采用的末级人工传输线能实现三路射频信号的功率合成，这种人工传输线具有带宽宽、反射系数低等优点，可以保障了放大器的输出功率和效率。
附图说明
图1为本发明功率放大器原理框图；
图2为本发明功率放大器电路图。
具体实施方式
现在将参考附图来详细描述本发明的示例性实施方式。应当理解，附图中示出和描述的实施方式仅仅是示例性的，意在阐释本发明的原理和精神，而并非限制本发明的范围。
本发明实施例提供了本发明所要解决的技术问题是提供一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，其特征在于，包括宽带输入驱动功分放大网络、供电偏置网络、末级PMOS分布放大网络、末级NMOS分布放大网络、末级人工传输线；
如图1所示，宽带输入驱动功分放大网络的输入端为整个功率放大器的输入端，其第一输出端与末级PMOS分布放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与末级NMOS分布放大网络的输入端连接，其第三输出端与供电偏置网络的第一输出端连接；
供电偏置网络的第二输出端与末级PMOS分布放大网络的第二输入端连接；
末级PMOS分布放大网络的第二输入端与供电偏置网络的第二输出端连接；末级PMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端分别与末级人工传输线的第一、第二、第三和第四输入端连接；
末级NMOS分布放大网络的输入端与宽带输入驱动功分放大网络的第二输出端连接；末级NMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端分别与末级人工传输线的第一、第二、第三和第四输入端连接；
末级人工传输线的输出端为整个功率放大器的输出端。
如图2所示，宽带输入驱动功分放大网络的输入端连接电容C1,电容C1的另一端连接电阻R1和电感L1，电阻R1的另一端连接电容C2，电容C2的另一端连接电感L2，电感L2的另一端连接宽带输入驱动功分放大网络的第三输出端、电感L5的b端和P型场效应管M2的漏极；电感L1的另一端连接接地电容C3、电感L3和电感L4，电感L3的另一端连接电感L7、微带线TL2和宽带输入驱动功分放大网络的第二输出端，电感L7的另一端连接接地电容C5和供电电压Vgn,电感L4的另一端连接N型场效应管M1的栅极，场效应管M1的源极接地，微带线TL2的另一端连接电容C7的a端，场效应管M1的漏极连接微带线TL1，微带线TL1的另一端连接场效应管M2的源极，场效应管M2的栅极连接电阻R2和接地电容C4，电阻R2的另一端连接电感L6，电感L6的另一端连接宽带输入驱动功分放大网络的第一输出端和电容C8，电容C8的另一端连接微带线TL3，微带线TL3的另一端也连接电容C7的a端，电感L5的a端连接接地电容C6和电容C7的b端；
供电偏置网络的第一输出端连接电感L8和电感L9，电感L8的另一端连接偏置电压Vgp和接地电容C9；电感L9的另一端连接供电偏置网络的第二输出端；
末级PMOS分布放大网络的第一输入端连接电感Lb1的a端和微带线TLb1，微带线TLb1的另一端连接电感Lb3的a端和微带线TLb2，微带线TLb2的另一端连接电感Lb7的a端和微带线TLb3，微带线TLb3的另一端连接电感Lb10的a端和微带线TLb4，微带线TLb4的另一端连接电阻Rb，电阻Rb的另一端连接接地电容Cb5和电感Lb12，电感Lb12的另一端连接偏置电压Vd和接地电容Cb6；末级PMOS分布放大网络的第二输入端连接P型场效应管Mb1的漏极和电感Lb4，电感Lb4的另一端连接P型场效应管Mb2的漏极和电感Lb6，电感Lb6的另一端连接P型场效应管Mb3的漏极和电感Lb9，电感Lb9的另一端连接P型场效应管Mb4的漏极；电感Lb1的b端连接电感Lb2和接地电容Cb1，电感Lb2的另一端连接P型场效应管Mb1的栅极；电感Lb3的b端连接电感Lb5和接地电容Cb2，电感Lb5的另一端连接P型场效应管Mb2的栅极；电感Lb7的b端连接电感Lb8和接地电容Cb3，电感Lb8的另一端连接P型场效应管Mb3的栅极；电感Lb10的b端连接电感Lb11和接地电容Cb4，电感Lb11的另一端连接P型场效应管Mb4的栅极；P型场效应管Mb1、Mb2、Mb3、Mb4的源极分别接微带线TLb5、TLb6、TLb7、TLb8,微带线TLb5、TLb6、TLb7、TLb8的另一端分别接所末级PMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端。
末级NMOS分布放大网络的输入端连接电感La1的a端和微带线TLa1，微带线TLa1的另一端连接电感La3的a端和微带线TLa2，微带线TLa2的另一端连接电感La5的a端和微带线TLa3，微带线TLa3的另一端连接电感La7的a端和微带线TLa4，微带线TLa4的另一端连接电阻Ra，电阻Ra的另一端连接接地电容Ca5；电感La1的b端连接电感La2和接地电容Ca1，电感La2的另一端连接N型场效应管Ma1的栅极；电感La3的b端连接电感La4和接地电容Ca2，电感La4的另一端连接N型场效应管Ma2的栅极；电感La5的b端连接电感La6和接地电容Ca3，电感La6的另一端连接N型场效应管Ma3的栅极；电感La7的b端连接电感La8和接地电容Ca4，电感La8的另一端连接N型场效应管Ma4的栅极；N型场效应管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4的源极接地；N型场效应管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4的漏极分别接微带线TLa5、TLa6、TLa7、TLa8,微带线TLa5、TLa6、TLa7、TLa8的另一端分别接末级NMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端。
末级人工传输线的第一输入端连接微带线TLc1和微带线TLc2，微带线TLc1的另一端连接电阻Rc，电阻Rc的另一端连接接地电容Cm；微带线TLc2的另一端连接末级人工传输线的第二输入端和微带线TLc3，微带线TLc3的另一端连接末级人工传输线的第三输入端和微带线TLc4，微带线TLc4的另一端连接末级人工传输线的第四输入端和微带线TLc5，微带线TLc5的另一端连接电容Cn，电容Cn的另一端为末级人工传输线的输出端。
下面结合图2对本发明的具体工作原理及过程进行介绍：
射频输入信号通过输入端RFin进入电路，通过宽带输入驱动功分放大网络进行去驱动信号放大、阻抗变换匹配、功率分配后，同时进入的末级PMOS分布放大网络和末级NMOS分布放大网络输入端，通过放大网络进行功率放大后，同时从末级人工传输线的第一至第四输出端合成为一路信号从输出端RFout输出。
基于上述电路分析，本发明提出的一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器与以往的基于集成电路工艺的放大器结构的不同之处在于核心架构采用宽带二堆PMOS放大网络和分布式二堆NMOS放大网络串接的形式：
宽带二堆PMOS放大网络和分布式二堆NMOS放大网络与传统单一晶体管在结构上有很大不同，此处不做赘述；
分布式的宽带二堆PMOS放大网络和二堆NMOS放大网络与传统分布式场效应管的不同在于，传统分布式功率放大器只有一个输入人工传输线，和一条输出人工传输线，尤其晶体管的输入阻抗较高时，要实现50欧姆匹配，往往需要进行电容分压，从而恶化输入匹配特性，高频滚降较严重，增益平坦度指标较差；而本发明的二维分布式的宽带PMOS放大网络和二堆NMOS放大网络，有两条输入人工传输线，和一条共用的输出人工传输线，等效为两条100欧姆的输入人工传输线并联，输入阻抗匹配较好，同时，输出匹配采用共用传输线的形式，在与传统分布式功率放大器等功率的条件下，可以显著改善效率和功率指标。
在整个大功率增强型场效应晶体管功率放大器中，晶体管的尺寸和其他电阻、电容的大小是综合考虑整个电路的增益、带宽和输出功率等各项指标后决定的，通过后期的版图设计与合理布局，可以更好地实现所要求的各项指标，实现在高功率输出能力、高功率增益、良好的输入输出匹配特性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，其特征在于，包括宽带输入驱动功分放大网络、供电偏置网络、末级PMOS分布放大网络、末级NMOS分布放大网络、末级人工传输线；
所述宽带输入驱动功分放大网络的输入端为整个所述功率放大器的输入端，其第一输出端与所述末级PMOS分布放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与所述末级NMOS分布放大网络的输入端连接，其第三输出端与所述供电偏置网络的第一输出端连接；
所述供电偏置网络的第二输出端与所述末级PMOS分布放大网络的第二输入端连接；
所述末级PMOS分布放大网络的第二输入端与所述供电偏置网络的第二输出端连接；末级PMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端分别与所述末级人工传输线的第一、第二、第三和第四输入端连接；
所述末级NMOS分布放大网络的输入端与所述宽带输入驱动功分放大网络的第二输出端连接；末级NMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端分别与所述末级人工传输线的第一、第二、第三和第四输入端连接；
所述末级人工传输线的输出端为整个所述功率放大器的输出端。
2.根据权利要求1所述的一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，其特征在于，所述宽带输入驱动功分放大网络的输入端连接电容C1,电容C1的另一端连接电阻R1和电感L1，电阻R1的另一端连接电容C2，电容C2的另一端连接电感L2，电感L2的另一端连接宽带输入驱动功分放大网络的第三输出端、电感L5的b端和P型场效应管M2的漏极；电感L1的另一端连接接地电容C3、电感L3和电感L4，电感L3的另一端连接电感L7、微带线TL2和宽带输入驱动功分放大网络的第二输出端，电感L7的另一端连接接地电容C5和供电电压Vgn,电感L4的另一端连接N型场效应管M1的栅极，场效应管M1的源极接地，微带线TL2的另一端连接电容C7的a端，场效应管M1的漏极连接微带线TL1，微带线TL1的另一端连接场效应管M2的源极，场效应管M2的栅极连接电阻R2和接地电容C4，电阻R2的另一端连接电感L6，电感L6的另一端连接宽带输入驱动功分放大网络的第一输出端和电容C8，电容C8的另一端连接微带线TL3，微带线TL3的另一端也连接电容C7的a端，电感L5的a端连接接地电容C6和电容C7的b端。
3.根据权利要求1所述的一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，其特征在于，所述供电偏置网络的第一输出端连接电感L8和电感L9，电感L8的另一端连接偏置电压Vgp和接地电容C9；电感L9的另一端连接供电偏置网络的第二输出端。
4.根据权利要求1所述的一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，其特征在于，所述末级PMOS分布放大网络的第一输入端连接电感Lb1的a端和微带线TLb1，微带线TLb1的另一端连接电感Lb3的a端和微带线TLb2，微带线TLb2的另一端连接电感Lb7的a端和微带线TLb3，微带线TLb3的另一端连接电感Lb10的a端和微带线TLb4，微带线TLb4的另一端连接电阻Rb，电阻Rb的另一端连接接地电容Cb5和电感Lb12，电感Lb12的另一端连接偏置电压Vd和接地电容Cb6；所述末级PMOS分布放大网络的第二输入端连接P型场效应管Mb1的漏极和电感Lb4，电感Lb4的另一端连接P型场效应管Mb2的漏极和电感Lb6，电感Lb6的另一端连接P型场效应管Mb3的漏极和电感Lb9，电感Lb9的另一端连接P型场效应管Mb4的漏极；电感Lb1的b端连接电感Lb2和接地电容Cb1，电感Lb2的另一端连接P型场效应管Mb1的栅极；电感Lb3的b端连接电感Lb5和接地电容Cb2，电感Lb5的另一端连接P型场效应管Mb2的栅极；电感Lb7的b端连接电感Lb8和接地电容Cb3，电感Lb8的另一端连接P型场效应管Mb3的栅极；电感Lb10的b端连接电感Lb11和接地电容Cb4，电感Lb11的另一端连接P型场效应管Mb4的栅极；P型场效应管Mb1、Mb2、Mb3、Mb4的源极分别接微带线TLb5、TLb6、TLb7、TLb8,微带线TLb5、TLb6、TLb7、TLb8的另一端分别接所述末级PMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端。
5.根据权利要求1所述的一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，其特征在于，所述末级NMOS分布放大网络的输入端连接电感La1的a端和微带线TLa1，微带线TLa1的另一端连接电感La3的a端和微带线TLa2，微带线TLa2的另一端连接电感La5的a端和微带线TLa3，微带线TLa3的另一端连接电感La7的a端和微带线TLa4，微带线TLa4的另一端连接电阻Ra，电阻Ra的另一端连接接地电容Ca5；电感La1的b端连接电感La2和接地电容Ca1，电感La2的另一端连接N型场效应管Ma1的栅极；电感La3的b端连接电感La4和接地电容Ca2，电感La4的另一端连接N型场效应管Ma2的栅极；电感La5的b端连接电感La6和接地电容Ca3，电感La6的另一端连接N型场效应管Ma3的栅极；电感La7的b端连接电感La8和接地电容Ca4，电感La8的另一端连接N型场效应管Ma4的栅极；N型场效应管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4的源极接地；N型场效应管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4的漏极分别接微带线TLa5、TLa6、TLa7、TLa8,微带线TLa5、TLa6、TLa7、TLa8的另一端分别接所述末级NMOS分布放大网络的第一、第二、第三和第四输出端。
6.根据权利要求1所述的一种二维合成分布型大功率线性宽带功率放大器，其特征在于，所述末级人工传输线的第一输入端连接微带线TLc1和微带线TLc2，微带线TLc1的另一端连接电阻Rc，电阻Rc的另一端连接接地电容Cm；微带线TLc2的另一端连接所述末级人工传输线的第二输入端和微带线TLc3，微带线TLc3的另一端连接所述末级人工传输线的第三输入端和微带线TLc4，微带线TLc4的另一端连接所述末级人工传输线的第四输入端和微带线TLc5，微带线TLc5的另一端连接电容Cn，电容Cn的另一端为所述末级人工传输线的输出端。
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